JPS62188293A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62188293A JPS62188293A JP3001086A JP3001086A JPS62188293A JP S62188293 A JPS62188293 A JP S62188293A JP 3001086 A JP3001086 A JP 3001086A JP 3001086 A JP3001086 A JP 3001086A JP S62188293 A JPS62188293 A JP S62188293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fixed
- semiconductor laser
- light
- monitor
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ装置に関し、特にモニター内蔵形
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
従来のモニタ内蔵形半導体レーザ装置においては、第2
図に示すように、モニタ用受光素子4を平板状のアルミ
ナからなるチップキャリヤ5に固着し、このチップキャ
リヤ5’(r:ステムベース3に固着していた。このと
き、チップキャリヤ5を固着する面は半導体レーザチッ
プ1を載置した放熱板2の固着面と直交していた。
図に示すように、モニタ用受光素子4を平板状のアルミ
ナからなるチップキャリヤ5に固着し、このチップキャ
リヤ5’(r:ステムベース3に固着していた。このと
き、チップキャリヤ5を固着する面は半導体レーザチッ
プ1を載置した放熱板2の固着面と直交していた。
上述した従来の構造を有する半導体レーザ装置において
はモニタ用受光素子4がステムベース3の直交面に固着
されるため、半導体レーザテップ1からの距離が長くな
り、(1)モニタ用受光素子4の出力電流が小さいこと
%(2)チップキャリヤ5の固着や配線のボンディング
を2工程に分けて行う必要があること、(3)モニタ用
受光素子4に不良品が混入した場合には高価な半導体レ
ーザテップ1も廃棄しなければならないこと、(4)モ
ニタ用受光素子4面からの反射光が半導体レーザテップ
1の方へ反射されるので出力光の変形やゆらぎの原因と
なること等の間頚点があった。
はモニタ用受光素子4がステムベース3の直交面に固着
されるため、半導体レーザテップ1からの距離が長くな
り、(1)モニタ用受光素子4の出力電流が小さいこと
%(2)チップキャリヤ5の固着や配線のボンディング
を2工程に分けて行う必要があること、(3)モニタ用
受光素子4に不良品が混入した場合には高価な半導体レ
ーザテップ1も廃棄しなければならないこと、(4)モ
ニタ用受光素子4面からの反射光が半導体レーザテップ
1の方へ反射されるので出力光の変形やゆらぎの原因と
なること等の間頚点があった。
本発明の目的は、モニタ用受光素子の出力電流が大きく
、出力光と反射光が分離され、かつ製造の谷易な半導体
レーザ装置を提供することにある。
、出力光と反射光が分離され、かつ製造の谷易な半導体
レーザ装置を提供することにある。
本発明の半導体レーザ装置は、ステムペースと。
該ステムベース上に固層された放熱板と、この放熱7板
上に固層された半導体レーザテップと、前記放熱板が固
層されたステムペース面と同一面に固着された台形状の
チップキャリヤと、このチップキャリヤの傾斜面に固層
されその受光面が前記半導体レーザチッグのモニタ光出
力端面と対向するモニタ用受光素子とを含んで構成され
る。
上に固層された半導体レーザテップと、前記放熱板が固
層されたステムペース面と同一面に固着された台形状の
チップキャリヤと、このチップキャリヤの傾斜面に固層
されその受光面が前記半導体レーザチッグのモニタ光出
力端面と対向するモニタ用受光素子とを含んで構成され
る。
次に、本発明の実h!例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図において、半導体レーザテッグ1が固層されたシ
リコン等より成る放熱板2はステムペース3の一面にp
bSn共晶ハンダ等のろう材にょシ固溜されている。
リコン等より成る放熱板2はステムペース3の一面にp
bSn共晶ハンダ等のろう材にょシ固溜されている。
一方、モニタ用受光素子4は台形状に形成されたチップ
キャリヤ5の斜面にAu5n等のろう材により固着され
ており、その受光面は半導体レーザチッグの端面と対向
している。さらにチップキャリヤ5は放熱板2が固着さ
れたステムペース3の同一面上にPb5n共晶はんだ等
により固着されている。
キャリヤ5の斜面にAu5n等のろう材により固着され
ており、その受光面は半導体レーザチッグの端面と対向
している。さらにチップキャリヤ5は放熱板2が固着さ
れたステムペース3の同一面上にPb5n共晶はんだ等
により固着されている。
このように構成された本実施例においては、モニタ用受
光素子4の取付位置はステムペース3の形状にかかわら
ず半導体レーザチッグ1に最も近ずけることができるの
で、受光面の小さいそニタ用受光素子でも大きなモニタ
出方電流が得られる。
光素子4の取付位置はステムペース3の形状にかかわら
ず半導体レーザチッグ1に最も近ずけることができるの
で、受光面の小さいそニタ用受光素子でも大きなモニタ
出方電流が得られる。
また、モニタ用受光素子4が固着されたアルミナからな
るチップキャリヤ5と、半導体レーザテッグlが固着さ
れた放熱板2とを、ステムペース3の同一面へ同時に固
着できるので製造工程が短縮される。そして、チップキ
ャリヤ5の上面に配線用のポンディングパターンを設け
ておくことにより、半導体レーザチッグ1の配線と同時
にモニタ用受光素子4の配線を行うことができるので。
るチップキャリヤ5と、半導体レーザテッグlが固着さ
れた放熱板2とを、ステムペース3の同一面へ同時に固
着できるので製造工程が短縮される。そして、チップキ
ャリヤ5の上面に配線用のポンディングパターンを設け
ておくことにより、半導体レーザチッグ1の配線と同時
にモニタ用受光素子4の配線を行うことができるので。
従来のようにステムペースを傾けて別々の工程で配線を
行なう必要はなくなる。
行なう必要はなくなる。
史に、モニタ用受光素子4のエージング及び特性検査は
チップキャリヤ5に固着された状態で容易に行うことが
できるので、選別されたモニタ用受光素子のみを使用す
ることができる。また、モニタ用9元零子4からの反射
光7は上方に反射する為、出力光6とは完全に分離され
、出力光7に悪影般を及ぼすことはなくなる。
チップキャリヤ5に固着された状態で容易に行うことが
できるので、選別されたモニタ用受光素子のみを使用す
ることができる。また、モニタ用9元零子4からの反射
光7は上方に反射する為、出力光6とは完全に分離され
、出力光7に悪影般を及ぼすことはなくなる。
以上説明したように本発明は、モニタ用受光素子が固層
された台形状のチップキャリヤを、半導体レーザナツプ
が固着された放熱板と同一のステムペース面に固着する
ことKより次のような効果がある。
された台形状のチップキャリヤを、半導体レーザナツプ
が固着された放熱板と同一のステムペース面に固着する
ことKより次のような効果がある。
(1)モニタ用受光素子を半導体レーザチッズに近づけ
たことによりモニタ用受光素子の出力電流が大きくなる
。
たことによりモニタ用受光素子の出力電流が大きくなる
。
(2)放熱板とナツプキャリヤの固着と、半導体レーザ
チップとモニタ用受光素子の配線とをそれぞれ同一の工
程で行うことができるので製造が容易となる。
チップとモニタ用受光素子の配線とをそれぞれ同一の工
程で行うことができるので製造が容易となる。
(3)モニタ用受光素子を選別できるのでコストが低減
される。
される。
(4)モニタ用受光素子が傾斜面に固着される為反射光
は出力光と分離される為、出力光の変形やゆらぎはなく
なる。
は出力光と分離される為、出力光の変形やゆらぎはなく
なる。
第1図は不発−の−笑施f+jの断面図、第2図は従来
の半導体レーザ装置の断面図である。 1・・・・・・半導体レーザチッグ、2・・・・・・放
熱板、3・・・・・・ステムペース、4・・・・・・モ
ニタ用受光素子、5・・・・・・チップキャリヤ、6・
・・・・・出力光S 7・・・・・・反射光。 代理人 弁理士 内 原 皆、 ′′21.”
の半導体レーザ装置の断面図である。 1・・・・・・半導体レーザチッグ、2・・・・・・放
熱板、3・・・・・・ステムペース、4・・・・・・モ
ニタ用受光素子、5・・・・・・チップキャリヤ、6・
・・・・・出力光S 7・・・・・・反射光。 代理人 弁理士 内 原 皆、 ′′21.”
Claims (1)
- ステムベースと、該ステムベース上に固着された放熱板
と、該放熱板上に固着された半導体レーザチップと、前
記放熱板が固着されたステムベース面と同一面に固着さ
れた台形状のチップキャリヤと、該チップキャリヤの傾
斜面に固着されその受光面が前記半導体レーザチップの
モニタ光出力端面と対向するモニタ用受光素子とを含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001086A JPS62188293A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001086A JPS62188293A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62188293A true JPS62188293A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12291898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3001086A Pending JPS62188293A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62188293A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214660A (en) * | 1990-09-25 | 1993-05-25 | Fujitsu Limited | Laser diode module and method for fabricating the same |
JP2002158392A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールの製造方法と半導体レーザモジュール |
JPWO2018163513A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2020-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
CN115476016A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片回流焊接夹具及其使用方法 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP3001086A patent/JPS62188293A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214660A (en) * | 1990-09-25 | 1993-05-25 | Fujitsu Limited | Laser diode module and method for fabricating the same |
JP2002158392A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールの製造方法と半導体レーザモジュール |
JPWO2018163513A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2020-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
CN115476016A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片回流焊接夹具及其使用方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5578866A (en) | Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component | |
TW201216523A (en) | Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation | |
JPH0799284A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6313127B2 (ja) | ||
JPS62188293A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPH04264758A (ja) | 半導体チップキャリア | |
JPH0810496B2 (ja) | 光学ヘツドの製造方法 | |
JPH01241828A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2560456B2 (ja) | 半導体チップの実装構造 | |
JPS6352494A (ja) | 光電子装置の製造方法およびモジユ−ル | |
JPH03180054A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2002373950A (ja) | 気密封止icパッケージの製造方法 | |
JP3464921B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP2549720B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH02112280A (ja) | 固体撮像素子用パッケージ | |
JPS60110185A (ja) | 光集積回路パッケ−ジ | |
JPH0749807Y2 (ja) | 光集積回路装置 | |
JPH02187058A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
KR940000746B1 (ko) | 반도체장치의 칩 본딩방법 | |
JP2503532B2 (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
JPH0476238B2 (ja) | ||
JPS63308944A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63102388A (ja) | 半導体レーザー装置用パツケージ | |
JP2641574B2 (ja) | 半導体チップの位置規正方法 |