JP2944184B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JP2944184B2 JP2944184B2 JP2273318A JP27331890A JP2944184B2 JP 2944184 B2 JP2944184 B2 JP 2944184B2 JP 2273318 A JP2273318 A JP 2273318A JP 27331890 A JP27331890 A JP 27331890A JP 2944184 B2 JP2944184 B2 JP 2944184B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser diode
- field effect
- effect transistor
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高速ディジタル光通信に用いられる半導体
レーザ駆動回路に関する。
レーザ駆動回路に関する。
従来、この種の半導体レーザ駆動回路は、第２図に示
すように電界効果型トランジスタ11のソース電極Ｓと基
準電位Vs間にコンデンサ12とツェナーダイオード13を接
続し、また、ソース電極Ｓと制御電源間に抵抗14が接続
されている。そして、電界効果型トランジスタ11のドレ
イン電極Ｄに半導体レーザダイオード15と直流バイアス
供給回路16が接続され、また、半導体レーザダイオード
15の出射光をモニタするフォートダイオード17とその光
電流を電気信号に交換する電流電圧変換回路18が直流バ
イアス供 路16に接続される構成になっている。
すように電界効果型トランジスタ11のソース電極Ｓと基
準電位Vs間にコンデンサ12とツェナーダイオード13を接
続し、また、ソース電極Ｓと制御電源間に抵抗14が接続
されている。そして、電界効果型トランジスタ11のドレ
イン電極Ｄに半導体レーザダイオード15と直流バイアス
供給回路16が接続され、また、半導体レーザダイオード
15の出射光をモニタするフォートダイオード17とその光
電流を電気信号に交換する電流電圧変換回路18が直流バ
イアス供 路16に接続される構成になっている。
いま、電界効果型トランジスタ11のゲート電極Ｇにパ
ルス信号が入力されると、ソース電位はツェナーダイオ
ード13とソース抵抗14により定電圧回路が形成され定電
圧化されているので、ドレインソース間電圧VDSで決定
される駆動電流が得られ、それに従った光出力が得られ
る。光出力はフォートダイオード17でモニターされ、そ
の光電流の変化に従い半導体レーザダイオード15に供給
する直流バイアス電流を制御することにより、光出力の
安定をはかっている。
ルス信号が入力されると、ソース電位はツェナーダイオ
ード13とソース抵抗14により定電圧回路が形成され定電
圧化されているので、ドレインソース間電圧VDSで決定
される駆動電流が得られ、それに従った光出力が得られ
る。光出力はフォートダイオード17でモニターされ、そ
の光電流の変化に従い半導体レーザダイオード15に供給
する直流バイアス電流を制御することにより、光出力の
安定をはかっている。
ところが、上述した従来の半導体レーザ駆動回路で
は、半導体レーザダイオードに直接電流を供給する直流
バイアス供給回路が、半導体レーザダイオードのカソー
ド直接接続されるため、高周波動作においては光変調特
性に対し、直流バイアス供給回路の影響が顕れる。この
ため、光出力波形の劣化をきたしたり、電流バイアスを
供給するトランジスタ等が外部に別に必要となり、半導
体レーザ駆動回路の規模が大きくなっている。
は、半導体レーザダイオードに直接電流を供給する直流
バイアス供給回路が、半導体レーザダイオードのカソー
ド直接接続されるため、高周波動作においては光変調特
性に対し、直流バイアス供給回路の影響が顕れる。この
ため、光出力波形の劣化をきたしたり、電流バイアスを
供給するトランジスタ等が外部に別に必要となり、半導
体レーザ駆動回路の規模が大きくなっている。
そこで本発明の目的は、半導体レーザダイオードの光
出力電力の安定化を図ることのできる半導体レーザ駆動
回路を提供することにある。
出力電力の安定化を図ることのできる半導体レーザ駆動
回路を提供することにある。
本発明の半導体レーザ駆動回路では、一端を接地した
半導体レーザダイオードをデュアルゲートタイプ電界効
果型トランジスタのドレイン電極に直接接続し、前記デ
ュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲ
ート電極には半導体レーザダイオードの光出力をオン・
オフ制御するための主信号駆動源を接続し、他方のゲー
トゲート電極には前記半導体レーザダイオードの光出力
電圧変化に変換した直流バイアスが印加されて光出力に
応じた直流バイアス電流の制御を行う直流バイアス制御
回路を接続し、前記デュアルゲートタイプ電界効果型ト
ランジスタのソース電極には定電圧源を接続したことを
特徴としている。
半導体レーザダイオードをデュアルゲートタイプ電界効
果型トランジスタのドレイン電極に直接接続し、前記デ
ュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲ
ート電極には半導体レーザダイオードの光出力をオン・
オフ制御するための主信号駆動源を接続し、他方のゲー
トゲート電極には前記半導体レーザダイオードの光出力
電圧変化に変換した直流バイアスが印加されて光出力に
応じた直流バイアス電流の制御を行う直流バイアス制御
回路を接続し、前記デュアルゲートタイプ電界効果型ト
ランジスタのソース電極には定電圧源を接続したことを
特徴としている。
これにより、本発明の半導体レーザ駆動回路は、デュ
アルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲー
ト電極には高周波の主信号が入力され、他方のゲート電
極には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流が供
給され、半導体レーザダイオードの光出力電力の安定化
を図る。
アルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲー
ト電極には高周波の主信号が入力され、他方のゲート電
極には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流が供
給され、半導体レーザダイオードの光出力電力の安定化
を図る。
以下、本発明の一実施例について第１図を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ駆動回路の一実施
例を示す回路図である。図において、デュアルゲートタ
イプ電界効果型トランジスタ19は、ドレイン電極D,ソー
ス電極S,2個のゲート電極G1,G2を有し、ドレイン電極Ｄ
には半導体レーザダイオード15が接続される。そして、
ソース電極Ｓには抵抗14が接続され、コンデンサ12およ
び定電圧ダイオード13がそれに並列に接続され、基準電
位を保つための定電圧回路を形成している。
例を示す回路図である。図において、デュアルゲートタ
イプ電界効果型トランジスタ19は、ドレイン電極D,ソー
ス電極S,2個のゲート電極G1,G2を有し、ドレイン電極Ｄ
には半導体レーザダイオード15が接続される。そして、
ソース電極Ｓには抵抗14が接続され、コンデンサ12およ
び定電圧ダイオード13がそれに並列に接続され、基準電
位を保つための定電圧回路を形成している。
また、２個のゲート電極のうち、一方のゲート電極G1
には主信号駆動源20が接続され、半導体レーザダイオー
ド15をオンさせるための高周波の主信号が印加される。
他方のゲート電極G2には直流バイアス制御回路21が接続
され、半導体レーザダイオード15の光出力電力の安定化
を図る。
には主信号駆動源20が接続され、半導体レーザダイオー
ド15をオンさせるための高周波の主信号が印加される。
他方のゲート電極G2には直流バイアス制御回路21が接続
され、半導体レーザダイオード15の光出力電力の安定化
を図る。
いま、デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタ
19のゲート電極G1に主信号駆動源20よりパルス信号が入
力されたとすると、デュアルゲートタイプ電界効果型の
ソース電位は、定電圧ダイオード13と抵抗14により固定
されているので、入力パルス信号に応じたパルス電流が
得られる。このパルス電流で半導体レーザダイオード15
を変調する。また、こうして得られた光出力は、フォト
ダイオード17によりモニタされ、電流電圧変換回路18で
光電流を電圧に変換し、直流バイアス制御回路21により
直流バイアス電流を制御して半導体レーザダイオード15
の光出力の安定を図る。
19のゲート電極G1に主信号駆動源20よりパルス信号が入
力されたとすると、デュアルゲートタイプ電界効果型の
ソース電位は、定電圧ダイオード13と抵抗14により固定
されているので、入力パルス信号に応じたパルス電流が
得られる。このパルス電流で半導体レーザダイオード15
を変調する。また、こうして得られた光出力は、フォト
ダイオード17によりモニタされ、電流電圧変換回路18で
光電流を電圧に変換し、直流バイアス制御回路21により
直流バイアス電流を制御して半導体レーザダイオード15
の光出力の安定を図る。
すなわち、本実施例の半導体レーザ駆動回路では、従
来の様な直流バイアス供給回路が直接半導体レーザダイ
オードのカソードにされる構成で問題になっている直流
バイアス供給回路の半導体レーザダイオードに及ぼす影
響による光出力波形の劣化、および直流バイアス供給ト
ランジスタの必要性による消費電力増大や規模拡大とい
う問題を解決することが可能となる。
来の様な直流バイアス供給回路が直接半導体レーザダイ
オードのカソードにされる構成で問題になっている直流
バイアス供給回路の半導体レーザダイオードに及ぼす影
響による光出力波形の劣化、および直流バイアス供給ト
ランジスタの必要性による消費電力増大や規模拡大とい
う問題を解決することが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、デュアルゲート
タイプ電界効果型トランジスタの一方のゲート電極に
は、ドレイン電極に接続された半導体レーザダイオード
の光出力に応じた直流バイアス電流制御回路を、他方の
ゲート電極には主信号駆動源を、ソース電極には定電圧
源を接続したので、デュアルゲートタイプ電界効果型ト
ランジスタのドレイン・ソース間電圧VDSと、直流バイ
アス電流制御回路の制御により決定される直流バイアス
電流が半導体レーザダイオードに供給され、主信号駆動
源によって半導体レーザダイオードを変調させることが
できる。従って、半導体レーザ駆動回路の接続構造を単
純にすることができるうえ、半導体レーザダイオードの
安定した出力を得ることができるため、発光の効率化と
消費電力の低減を図ることができる。また、半導体レー
ザダイオードのカソードに直流バイアス供給回路を接続
する必要がないため、半導体レーザダイオードの光出力
波形に悪影響（波形劣化）を与えることなく、消費電力
の軽減と回路規模の縮小を図ることができる。
タイプ電界効果型トランジスタの一方のゲート電極に
は、ドレイン電極に接続された半導体レーザダイオード
の光出力に応じた直流バイアス電流制御回路を、他方の
ゲート電極には主信号駆動源を、ソース電極には定電圧
源を接続したので、デュアルゲートタイプ電界効果型ト
ランジスタのドレイン・ソース間電圧VDSと、直流バイ
アス電流制御回路の制御により決定される直流バイアス
電流が半導体レーザダイオードに供給され、主信号駆動
源によって半導体レーザダイオードを変調させることが
できる。従って、半導体レーザ駆動回路の接続構造を単
純にすることができるうえ、半導体レーザダイオードの
安定した出力を得ることができるため、発光の効率化と
消費電力の低減を図ることができる。また、半導体レー
ザダイオードのカソードに直流バイアス供給回路を接続
する必要がないため、半導体レーザダイオードの光出力
波形に悪影響（波形劣化）を与えることなく、消費電力
の軽減と回路規模の縮小を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は従来
例を示す回路図である。 11……電界効果型トランジスタ、 12……コンデンサ、 13……定電圧ダイオード、14……抵抗、 15……半導体レーザダイオード、 16……直流バイアス供給回路、 17……フォトダイオード、 18……電流電圧変換回路、 19……デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタ、 20……主信号駆動源、 21……直流バイアス制御回路
例を示す回路図である。 11……電界効果型トランジスタ、 12……コンデンサ、 13……定電圧ダイオード、14……抵抗、 15……半導体レーザダイオード、 16……直流バイアス供給回路、 17……フォトダイオード、 18……電流電圧変換回路、 19……デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタ、 20……主信号駆動源、 21……直流バイアス制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】一端を接地した半導体レーザダイオードを
デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタのドレイ
ン電極に直接接続し、前記デュアルゲートタイプ電界効
果型トランジスタの一方のゲート電極には半導体レーザ
ダイオードの光出力をオン・オフ制御するための主信号
駆動源を接続し、他方のゲート電極には前記半導体レー
ザダイオードの光出力を電圧変化に変換した直流バイア
スが印加されて光出力に応じた直流バイアス電流の制御
を行う直流バイアス制御回路を接続し、前記デュアルゲ
ートタイプ電界効果型トランジスタのソース電極には定
電圧源を接続したことを特徴とする半導体レーザ駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273318A JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273318A JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150081A JPH04150081A (ja) | 1992-05-22 |
| JP2944184B2 true JP2944184B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17526214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2273318A Expired - Lifetime JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944184B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847347A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-19 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ドの出力安定化回路 |
| JPS62217687A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動装置 |
| JPH084168B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 光半導体素子駆動回路 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP2273318A patent/JP2944184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04150081A (ja) | 1992-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11121852A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP2944184B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| CA2432633C (en) | High speed optocoupler | |
| JPH11126935A (ja) | レーザーダイオード駆動回路 | |
| JP2962263B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JP2684697B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| CN111313226B (zh) | 用于量子通信高消光比窄脉冲光源高速驱动方法及装置 | |
| JP2530368B2 (ja) | 駆動電流測定回路 | |
| JP3488088B2 (ja) | 発光ダイオード駆動回路 | |
| JP5003586B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPS6118231A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP2866271B2 (ja) | 半導体レーザの安定化装置 | |
| CN112769036B (zh) | 电压负反馈激光器驱动电路及控制方法 | |
| JPS62155770A (ja) | スイツチングレギユレ−タ | |
| JP2684701B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPS5860828A (ja) | Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路 | |
| JPS5847347A (ja) | レ−ザダイオ−ドの出力安定化回路 | |
| SU1005281A1 (ru) | Генератор пилообразного напр жени | |
| JPS63307784A (ja) | Ｌｅｄ駆動回路 | |
| JPH0132372Y2 (ja) | ||
| KR940005070Y1 (ko) | 다중 모드 모니터의 수평구동 전류제어 회로 | |
| JPH01194864A (ja) | チョッパ型降圧スイッチング電源 | |
| JPS62260382A (ja) | 発光素子駆動装置 | |
| JPH073887B2 (ja) | 発光ダイオ−ド駆動回路 | |
| JPH08204533A (ja) | 半導体リレー |