JP2684701B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JP2684701B2 JP2684701B2 JP63215711A JP21571188A JP2684701B2 JP 2684701 B2 JP2684701 B2 JP 2684701B2 JP 63215711 A JP63215711 A JP 63215711A JP 21571188 A JP21571188 A JP 21571188A JP 2684701 B2 JP2684701 B2 JP 2684701B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- resistor
- circuit
- capacitor
- diode
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザの駆動回路に関し、特にGHz
を超える高速デイジタル光通信の送信部等に用いられる
電界効果形トランジスタを用いた半導体レーザを駆動す
る回路に関する。
を超える高速デイジタル光通信の送信部等に用いられる
電界効果形トランジスタを用いた半導体レーザを駆動す
る回路に関する。
（従来の技術） 第２図に従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す。
従来、この種の半導体レーザの駆動回路は電界効果形
トランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデ
ンサ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接
続し、電界効果形トランジスタ１のドレイン電極Ｄと基
準電位間に抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続
し、抵抗４にコンデンサを並列接続し、さらに半導体レ
ーザ５のカソードに直流バイアス電流供給回路６を接続
した構成となつている。
トランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデ
ンサ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接
続し、電界効果形トランジスタ１のドレイン電極Ｄと基
準電位間に抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続
し、抵抗４にコンデンサを並列接続し、さらに半導体レ
ーザ５のカソードに直流バイアス電流供給回路６を接続
した構成となつている。
（発明が解決しようとする課題） この従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ５
の発振遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗
４にスピードアツプコンデンサ10が並列接続されている
が、周波数が高くなるにつれ、実装の影響や、半導体レ
ーザのバラツキが大きくなるので、光波形補償用コンデ
ンサ10の値を変えて最良の光波形とする必要がある。
の発振遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗
４にスピードアツプコンデンサ10が並列接続されている
が、周波数が高くなるにつれ、実装の影響や、半導体レ
ーザのバラツキが大きくなるので、光波形補償用コンデ
ンサ10の値を変えて最良の光波形とする必要がある。
しかしながら、従来の回路構成は第２図のような構成
であるのでコンデンサ10を取り替えて光波形のパターン
効果を補償しなければならず補償容量の連続的可変が不
可能であるという欠点がある。
であるのでコンデンサ10を取り替えて光波形のパターン
効果を補償しなければならず補償容量の連続的可変が不
可能であるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解決するもので、電界効果
形トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵
抗端子間の容量を連続的に変えることができる半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
形トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵
抗端子間の容量を連続的に変えることができる半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 前記目的を達成するために本発明による半導体レーザ
駆動回路は電界効果形トランジスタのソース電極と基準
電位との間にコンデンサを接続し、前記ソース電極と電
源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トラン
ジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗
とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵
抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給
回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に容量素子
を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲート
にパルス電流を供給することにより前記レーザダイオー
ドを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前記容
量素子として第２のコンデンサ、バリキヤツプダイオー
ドおよび第３のコンデンサをこの順序で直列接続した回
路を用い、前記バリキヤツプダイオードの制御電圧を制
御することにより、前記第２の抵抗の端子間に与える容
量を連続的に変化させるように構成してある。
駆動回路は電界効果形トランジスタのソース電極と基準
電位との間にコンデンサを接続し、前記ソース電極と電
源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トラン
ジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗
とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵
抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給
回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に容量素子
を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲート
にパルス電流を供給することにより前記レーザダイオー
ドを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前記容
量素子として第２のコンデンサ、バリキヤツプダイオー
ドおよび第３のコンデンサをこの順序で直列接続した回
路を用い、前記バリキヤツプダイオードの制御電圧を制
御することにより、前記第２の抵抗の端子間に与える容
量を連続的に変化させるように構成してある。
（実 施 例） 以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
図において、１は電界効果形トランジスタ（以下、FE
Tと略称する。）、2,4は抵抗器、3,7および９はコンデ
ンサ、５は半導体レーザダイオード、６は直流バイアス
供給回路である。
Tと略称する。）、2,4は抵抗器、3,7および９はコンデ
ンサ、５は半導体レーザダイオード、６は直流バイアス
供給回路である。
FET1のゲート電極Ｇにパルス信号が入力されると入力
パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その駆
動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入される
と、半導体レーザダイオード５が発振する。しかし半導
体レーザダイオード５に電流が注入されると発振遅延が
生じ１ビツト目のパルスの発光が遅れる。つまりパター
ン効果が生じ光波形は劣化する。
パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その駆
動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入される
と、半導体レーザダイオード５が発振する。しかし半導
体レーザダイオード５に電流が注入されると発振遅延が
生じ１ビツト目のパルスの発光が遅れる。つまりパター
ン効果が生じ光波形は劣化する。
本発明はこれを補償するために、バリキヤツプダイオ
ード８とコンデンサ7,9よりなる直列回路を抵抗４に並
列に接続している。これら直列回路の容量と抵抗４によ
り、駆動パルス電流波形のスピードをあげるとともに１
ビツト目のパルスにオーバーシユートを持たせている。
ード８とコンデンサ7,9よりなる直列回路を抵抗４に並
列に接続している。これら直列回路の容量と抵抗４によ
り、駆動パルス電流波形のスピードをあげるとともに１
ビツト目のパルスにオーバーシユートを持たせている。
一般に高周波領域においては、実装の影響や半導体レ
ーザダイオード５のバラツキが大きく、パターン効果に
よる光波形の劣化量は一定ではない。したがつて補償す
る容量は一定値ではない。
ーザダイオード５のバラツキが大きく、パターン効果に
よる光波形の劣化量は一定ではない。したがつて補償す
る容量は一定値ではない。
本発明ではバリキヤツプダイオード８で構成されてい
るので制御電位Vcを変えることでバリキヤツプダイオー
ド８の容量を連続的に変えることができ、光波形のパタ
ーン効果の補償を簡易にかつ連続的に行なえる。
るので制御電位Vcを変えることでバリキヤツプダイオー
ド８の容量を連続的に変えることができ、光波形のパタ
ーン効果の補償を簡易にかつ連続的に行なえる。
（発明の効果） 以上、説明したように本発明は電界効果形トランジス
タのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並
列接続されたスピードアツプコンデンサの代りにバリキ
ヤツプダイオードを接続し、そのダイオードに印加する
電圧を制御することにより容量を連続的に変えることが
可能となり、電圧を制御するだけで容易に光波形を補償
し、最適化できるという効果がある。
タのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並
列接続されたスピードアツプコンデンサの代りにバリキ
ヤツプダイオードを接続し、そのダイオードに印加する
電圧を制御することにより容量を連続的に変えることが
可能となり、電圧を制御するだけで容易に光波形を補償
し、最適化できるという効果がある。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の一例
を示す図である。 １……電界効果形トランジスタ 2,4……抵抗 3,7,9……コンデンサ ５……半導体レーザダイオード ６……直流バイアス供給回路 ８……バリキヤツプダイオード
を示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の一例
を示す図である。 １……電界効果形トランジスタ 2,4……抵抗 3,7,9……コンデンサ ５……半導体レーザダイオード ６……直流バイアス供給回路 ８……バリキヤツプダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】電界効果形トランジスタのソース電極と基
準電位との間にコンデンサを接続し、前記ソース電極と
電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トラ
ンジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵
抗とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の
抵抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供
給回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に容量素
子を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲー
トにパルス電流を供給することにより前記レーザダイオ
ードを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前記
容量素子として第２のコンデンサ、バリキヤツプダイオ
ードおよび第３のコンデンサをこの順序で直列接続した
回路を用い、前記バリキヤツプダイオードの制御電圧を
制御することにより、前記第２の抵抗の端子間に与える
容量を連続的に変化させることを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215711A JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215711A JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265188A JPH0265188A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2684701B2 true JP2684701B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16676900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215711A Expired - Lifetime JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684701B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006418B1 (en) | 1998-06-22 | 2006-08-23 | Seiko Epson Corporation | Sensor mounting structure and electronics and watch having the structure |
| US10666013B2 (en) | 2017-06-05 | 2020-05-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215711A patent/JP2684701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0265188A (ja) | 1990-03-05 |
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