JPH0265188A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH0265188A JPH0265188A JP63215711A JP21571188A JPH0265188A JP H0265188 A JPH0265188 A JP H0265188A JP 63215711 A JP63215711 A JP 63215711A JP 21571188 A JP21571188 A JP 21571188A JP H0265188 A JPH0265188 A JP H0265188A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Optical Communication System (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザの駆動回路に関し。
特にＧ Ｈｚを超える高速ディジタル元通信の送信部等
に用いられる電界効果形トランジスタを用いた半導体レ
ーザを駆動する回路に関する。
に用いられる電界効果形トランジスタを用いた半導体レ
ーザを駆動する回路に関する。
（従来の技術）
第２図に従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す。
従来、この種の半導体レーザの駆動回路は電界効果形ト
ランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデン
サ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接続
し、電界効果形トランジスタ１のドレイ／電極りと基準
電位間に抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続し、
抵抗４にコンデンサを並列接続し、さら番こ半導体レー
ザ５のカソードＩこ直流バイアス電流供給回路６を接続
した構成となっている。
ランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデン
サ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接続
し、電界効果形トランジスタ１のドレイ／電極りと基準
電位間に抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続し、
抵抗４にコンデンサを並列接続し、さら番こ半導体レー
ザ５のカソードＩこ直流バイアス電流供給回路６を接続
した構成となっている。
（発明が解決しようとする課題）
この従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ５の
発振遅延等によるパターン効果を補償するためｌこ抵抗
４にスピードアップコンデンサ１０が並列接続されてい
るが１周波数が高くなるＥこつれ、実装の影響や、半導
体レーザのバラツキが太きくなるので１元波形補償用コ
ンデンサ１０の値を変えて最良の光波形とする必要があ
る。
発振遅延等によるパターン効果を補償するためｌこ抵抗
４にスピードアップコンデンサ１０が並列接続されてい
るが１周波数が高くなるＥこつれ、実装の影響や、半導
体レーザのバラツキが太きくなるので１元波形補償用コ
ンデンサ１０の値を変えて最良の光波形とする必要があ
る。
しかしながら、従来の回路構成は第２図のようか構成で
あるのでコンデンサ１０を取フ替えて光波形のパターン
効果を補償しなければならず補償容量の連続的可変が不
可能であるという欠点がある。
あるのでコンデンサ１０を取フ替えて光波形のパターン
効果を補償しなければならず補償容量の連続的可変が不
可能であるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解決するもので。
電界効果形トランジスタのドレインとレーザダイオード
の間の抵抗１子間の容量を連続的に変えることができる
半導体レーザ駆動回路を提供することにある。
の間の抵抗１子間の容量を連続的に変えることができる
半導体レーザ駆動回路を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために本発明による半導体レーザ駆
動回路は電界効果形トランジスタのソース電極と基準電
位との間にコンデンサを接続し、前記ソース電極と電源
との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トランジ
スタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗と
レーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵抗
とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給回
路を接続し、さらｌこ前記第２の抵抗と並列に容量素子
を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲート
にパルス１！Ｌ流を供給することにより前記レーザダイ
オードを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前
記容量素子として第２のコンデンサ、バリキャップダイ
オードおよび第３のコンデンサをこの順序で直列接続し
た回路を用い、前記バリキャップダイオードの制御電圧
を制御することにより、前記第２の抵抗の端子間に与え
る容量を連続的に変化させるように構成しである。
動回路は電界効果形トランジスタのソース電極と基準電
位との間にコンデンサを接続し、前記ソース電極と電源
との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トランジ
スタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗と
レーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵抗
とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給回
路を接続し、さらｌこ前記第２の抵抗と並列に容量素子
を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲート
にパルス１！Ｌ流を供給することにより前記レーザダイ
オードを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前
記容量素子として第２のコンデンサ、バリキャップダイ
オードおよび第３のコンデンサをこの順序で直列接続し
た回路を用い、前記バリキャップダイオードの制御電圧
を制御することにより、前記第２の抵抗の端子間に与え
る容量を連続的に変化させるように構成しである。
（実 施？’ｌｌ＋）
以下１図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
図にお−いて、１は電界効果形トランジスタ（以下、Ｆ
ＥＴと略称する。）、２．４は抵抗器。
ＥＴと略称する。）、２．４は抵抗器。
３．７および９はコンデンサ、５は半導体レーザダイオ
ード、６は直流バイアス供給回路である。
ード、６は直流バイアス供給回路である。
ＦＥＴ１のゲート電極Ｇにパルス信号が入力されると入
力パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その
駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入され
ると、半導体レーザダイオード５が発振する。しかし半
導体レーザダイオード５に電流が注入されるとＭＷ遅延
が生じ１ビツト目のパルスの発光が遅れる。つまりパタ
ーン効果が生じ光波形は劣化する。
力パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その
駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入され
ると、半導体レーザダイオード５が発振する。しかし半
導体レーザダイオード５に電流が注入されるとＭＷ遅延
が生じ１ビツト目のパルスの発光が遅れる。つまりパタ
ーン効果が生じ光波形は劣化する。
本発明はこれを補償するために、バリキャップダイオー
ド８とコンデンサ７．９よりなる直列回路を抵抗４に並
列に接続している。こｎら直列回路の容量と抵抗４によ
り、駆動パルス電流波形のスピードをあげるとともに１
ビツト目のパルスにオーバーシュー）ｔ−［たせている
。
ド８とコンデンサ７．９よりなる直列回路を抵抗４に並
列に接続している。こｎら直列回路の容量と抵抗４によ
り、駆動パルス電流波形のスピードをあげるとともに１
ビツト目のパルスにオーバーシュー）ｔ−［たせている
。
一般ｌこ高周波領域においては、実装の影響や半導体レ
ーザダイオード５のバラツキが大きく、パターン効果に
よる光波形の劣化量は一定ではない。したがって補償す
る容ｉｔは一定値ではない。
ーザダイオード５のバラツキが大きく、パターン効果に
よる光波形の劣化量は一定ではない。したがって補償す
る容ｉｔは一定値ではない。
本発明ではバリキャップダイオード８で構成さ扛ている
ので制ａｔ圧Ｖｃを変えることでバリキャップダイオー
ド８の容量を連続的に変えることができ１元波形のパタ
ーン効果の補償を間易番こかつ連続的に行なえる。
ので制ａｔ圧Ｖｃを変えることでバリキャップダイオー
ド８の容量を連続的に変えることができ１元波形のパタ
ーン効果の補償を間易番こかつ連続的に行なえる。
（発明の効果）
以上、説明したように本発明は電界効果形トランジスタ
のドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並列
接続さｎたスピードアップコンデンサの代りにバリキャ
ップダイオードを接続し、そのダイオードに印加する電
圧を制御することｌこより容量を連続的に変えることが
可能となり、電圧を制御するだけで容易に光波形を補償
し、最適化できるという効果がある。
のドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並列
接続さｎたスピードアップコンデンサの代りにバリキャ
ップダイオードを接続し、そのダイオードに印加する電
圧を制御することｌこより容量を連続的に変えることが
可能となり、電圧を制御するだけで容易に光波形を補償
し、最適化できるという効果がある。
第４図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の一例
を示す図である。 １・・・電界効果形トランジスタ ２．４・・・抵抗 ３．７．９・・・コンデンサ ５・・・半導体レーザダイオード ６・・・直流バイアス供給回路 ８・・・バリキャップダイオード 特許出願人 日本電気株式会社
を示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の一例
を示す図である。 １・・・電界効果形トランジスタ ２．４・・・抵抗 ３．７．９・・・コンデンサ ５・・・半導体レーザダイオード ６・・・直流バイアス供給回路 ８・・・バリキャップダイオード 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- 電界効果形トランジスタのソース電極と基準電位との間
にコンデンサを接続し、前記ソース電極と電源との間に
第１の抵抗を接続し、前記電界効果形トランジスタのド
レイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗とレーザダ
イオードの直列回路を接続し、前記第２の抵抗とレーザ
ダイオードの共通接続点に直流バイアス供給回路を接続
し、さらに前記第２の抵抗と並列に容量素子を接続して
なり、前記電界効果形トランジスタのゲートにパルス電
流を供給することにより前記レーザダイオードを発振さ
せる半導体レーザ駆動回路において、前記容量素子とし
て第２のコンデンサ、バリキャップダイオードおよび第
３のコンデンサをこの順序で直列接続した回路を用い、
前記バリキャップダイオードの制御電圧を制御すること
により、前記第２の抵抗の端子間に与える容量を連続的
に変化させることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215711A JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215711A JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265188A true JPH0265188A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2684701B2 JP2684701B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16676900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215711A Expired - Lifetime JP2684701B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684701B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278659B1 (en) | 1998-06-22 | 2001-08-21 | Seiko Epson Corporation | Sensor mounting structure and electronics and watch having the structure |
| US10666013B2 (en) | 2017-06-05 | 2020-05-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215711A patent/JP2684701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278659B1 (en) | 1998-06-22 | 2001-08-21 | Seiko Epson Corporation | Sensor mounting structure and electronics and watch having the structure |
| US10666013B2 (en) | 2017-06-05 | 2020-05-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2684701B2 (ja) | 1997-12-03 |
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