JPS62217687A - レ−ザダイオ−ド駆動装置 - Google Patents

レ−ザダイオ−ド駆動装置

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JPS62217687A
JPS62217687A JP5946186A JP5946186A JPS62217687A JP S62217687 A JPS62217687 A JP S62217687A JP 5946186 A JP5946186 A JP 5946186A JP 5946186 A JP5946186 A JP 5946186A JP S62217687 A JPS62217687 A JP S62217687A
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JP
Japan
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laser diode
transistor
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pulse
current
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Pending
Application number
JP5946186A
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English (en)
Inventor
Kazuo Yamane
一雄 山根
Masakazu Mori
正和 森
Kazuhiro Suzuki
和裕 鈴木
Takashi Tsuda
津田 高至
Yoshinori Okuma
大隈 義則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62217687A publication Critical patent/JPS62217687A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835Stabilising during pulse modulation or generation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 パルス入力信号および光出力安定化ループの制御出力を
重畳した信号をレーザダイオードを駆動する単一のトラ
ンジスタの制御入力とすることにより、単一のトランジ
スタでパルス電流およびバイアス電流の供給を可能にし
たレーザダイオード駆動装置。
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオード駆動装置に関する。
本発明のレーザダイオード駆動装置は、例えば光通信シ
ステムにおいて電気光変換素子として用いられるレーザ
ダイオードにパルス電流およびバイアス電流を供給する
ために用いられる。
従来の技術〕 レーザダイオードは、一般に知られているよう、その順
方向電流対光出力特性(1−L特性)おいて成るしきい
値を有しており、しきい値以二の順方向電流を流さない
と、レーザ光を発しな1゜このためレーザダイオードを
パルス変調する烏合、高速応答の面から、レーザダイオ
ードに印II+する駆動電流をパルス電流としきい値に
相当する直流バイアス電流との2種類の電流に分けて制
御することが行われている。
第9図はかかる従来形のレーザダイオード駆動装置を示
すブロック図である。図中、2はレーザモジュールであ
って、レーザダイオード(LD)21とアバランシェホ
トダイオード(APD)22とからなるもの、3はパル
ス人力信号の低域周波数成分を抽出する低域フィルタ、
5はホトダイオード22の検出出力信号の低域周波数成
分を抽出する低域フィルタ、4は低域フィルタ3と5と
の出力電圧を比較してその差分値をAPC制御出力電圧
V apcとして出力する比較器、6は入力されたパル
ス人力信号のパルス振幅を比較器4のAPC制御出力゛
電圧V mpcに応じて調整してレーザダイオード21
に供給するパルス電流用ドライブ回路、7は比較器4の
APC制御出力電圧V apcに応じて直流バイアス電
流I、の値を調整してレーザダイオード21に供給する
バイアス電流用ドライブ回路である。なおパルス電流用
ドライブ回路6とバイアス電流用ドライブ回路7はバイ
ポーラトランジスタあるいはFB’r(電界効果トラン
ジスタ)で774成される。
このレーザダイオード駆動装置は、レーザダイオード2
1の出力光をホトダイオード22で検出してその値に応
じてパルス電流用ドライブ回路6およびバイアス電流用
ドライブ回路7の出力電流fb+■2をフィードバック
制御し、それによりその光出力平均値が一定となるよう
にAPC制御(^uto−matic Power C
ontrol)を行っている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のレーザダイオード駆動装置は、直流バイアス電流
1、とパルス電流1、とをそれぞれ別のドライブ回路に
よってレーザダイオード21に供給しているので、部品
点数が増加するという問題点が・ある。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理ブロック図である。図中、103
はレーザダイオードとホトダイオードとからなるレーザ
モジュール、102はレーザダイオードにパルス電流お
よび直流バイアス電流を供給する印、−のトランジスタ
からなるドライブ回路、104はレーザダイオード出力
光を安定化させる制御を行うための光出力安定化ループ
、101は光出力安定化ループ104のAPC1制御出
力とパルス入力信号とを重畳するだめの加算回路である
〔作 用〕
加算回路101でパルス入力信号とAPC制御信号とを
重畳してドライブ回路102のトランジスタの制御人力
とする。これにより単一のトランジスタでレーザダイオ
ードの光出力安定化制御を行いつつレーザダイオードに
パルス電流と直流バイアス電流との双方を供給すること
が可能となる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の一実施例としてのレーザダイオード駆
動装置を示す図である。この第2図のレーザダイオード
駆動装置は、レーザダイオードが第3図に示すようなI
−L特性を有する場合、すなわち温度変化に対してしき
い値thl 、 th2. th3が変化するが微分量
子効率(dL/dl)は変化しない場合に用いられるも
のである。
第2図において、パルス入力信号はLDドライブ回路1
aのパルス入力端子に導かれるとともに低域フィルタ3
を介して比較器4に導かれる。
L Dドライブ回路1aから出力される出力電流は、レ
ーザモジュール2のレーザダイオード21に専かれる。
レーザモジュール2はレーザダイオード21と光出力安
定化制御のためにそのレーザダイオード21の出力光を
検出するアバランシェホトダイオード22とからなる。
ホトダイオード22の検出出力は低域フィルタ5を介し
て比較器4に導かれる。
比較器4は低域フィルタ3と5の出力電圧を比較し、そ
の差分に相当する電圧をAPC制御出力電圧V ape
としてLDドライブ回路1aのへPC制御入力端子に送
出する。
LDドライブ回路1aにおいて、パルス入力信号はキャ
パシタ11を介してバイポーラ形npnトランジスタ1
3のベースに導かれる。トランジスタ13のコレクタは
レーザダイオード21に接続され、一方、エミッタは抵
抗器14を介して定電圧電源−Vに接続される。比較器
4からのAPC制御出力電圧V apeは加算器15お
よびダイオード12を介してトランジスタ13のベース
に導かれる。加算器15ではオフセット電圧Vofがへ
PC制御出力電圧に加算される。ダイオード12はパル
ス入力信号の直流レベル変動を抑えるためのゼロレベル
側クランプ用のダイオードである。
この第2図の装置によれば、ホトダイオード2′乞低域
フイルタ3および5、比較器4等士構成される光出力安
定化(APC)ループの制御出力電圧Vapcを加算器
15を介してトランジスタ13のベースに印加し、パル
ス入力信号Spと重畳することができる。この光安定化
ループの作用により、第3図に示すように周囲温度変化
によってしきい値電流がthl、 th2. th3等
に変化した場合にも、レーザダイオード21に供給され
る直流バイアス電流はその温度変化に応じて各温度のし
きい値電流にほぼ近い値に調整される。
なお、個々のレーザダイオードにおけるI−L特性のバ
ラツキを吸収するには、入力信号spのパルス振幅、あ
るいは加算器15を介してトランジスタ13のベースに
印加されるオフセント電圧Vofの大きさを調整する。
本発明の実施にあたっては種々の変更態様が可能である
。第4図はかかる本発明のレーザダイオード駆動装置の
他の実施例を示す図である。この第4図装置は、第5図
に示されるように、レーザダイオードが、周囲温度変化
に対してしきい値電流だけでなく微分量子効率もともに
変化するI〜L特性を持っている場合に使用される。
第4図装置の構成は第2図装置とほぼ同じであり、図中
、同じ構成要素には同じ参照番号が付されている。唯一
の相違点はLDドライブ回路1bおけるドライブ用トラ
ンジスタ16がバイポーラ形トランジスタ13の代わり
に電界効果トランジスタ(FET)16となっている点
である。
この第4図のレーザダイオード駆動装置の動作を以下に
説明する。第5図の特性図からも明らかなように、微分
量子効率が温度とともに変化する場合、レーザダイオー
ドの各温度における光出力を一定にするためには、しき
い値電流に相応する直流バイアス電流のみならず、パル
ス電流の値も温度変化に応じて変化させる必要がある。
すなわち温度が高くなるに従って直流バイアス電流値の
みならずパルス電流の大きさも大きくする必要がある。
一方、FIET161のドレインソース間電流I (D
S)対ゲートソース間電圧V (GS)特性は、第6図
に示されるような2次関数で近似されるものとなってお
り、従ってゲートソース間電圧V (GS)を変化させ
るとレーザダイオードに供給されるパルス電流およびバ
イアス電流の両方が変化される。
すなわち、例えば第6図に示されるように、FET16
のゲートソース間電圧V (GS)としてパルスPlを
印加した場合、FE’、T16からレーザダイオード2
1に供給されるバイアス電流はIbl、パルス電流はI
plとなる。一方、パルスP2を印加した場合はそれぞ
れ[b2、Ip2となり、パルス電流とバイアス電流は
ともに大きくなる。
ここでレーザダイオードおよびFETはともにガリウム
砒素で作られているため、レーザダイオードのしきい値
電流および微分量子効率の温度変化特性とFETのV 
(GS) −1(DS)特性は近似している。したがっ
て第4図装置では比較器4からのAPC制御出力電圧V
apcに応じてバイアス電流を変化させることにより、
同時にパルス電流の大きさも、各温度に相応して光出力
を一定にできる値に変化させることができる。
なおこの装置においても入力信号のパルス振幅。
あるいはゲートのオフセット電圧を調整することにより
個々のレーザダイオードの特性のバラツキを吸収できる
ことは前述の第2図装置の場合と同じである。
第7図は本発明のさらに他の実施例を示す図であり、L
Dドライブ回路1cの構成を変えである。
すなわちFET16のゲートソース間電圧V (GS)
を変化させるにはゲート電圧を変化させてもソース電圧
を変化させても同じことであるので、第7図回路ではA
PC制御出力電圧Vapcに応じて定電源電圧値が変化
する電圧制御回路17を用いてゲートソース間電圧V 
(GS)を調整している。この場合、1” F、 Tの
ベースにはダイオード12を介して一定電圧V con
sが印加される。
第8図は本発明のさらにまた他の実施例を示す図であり
、ここでもLDドライブ回路1dの構成が変えられてい
る。この回路では入力信号spを定電圧ダイオード18
によるレベルシフトでF E ’l’16のゲートに導
いている。
〔発明の効果〕
本発明によれば、11−のトランジスタを用いてレーザ
ダイオードにパルス電流とバイアス電流の双方を供給す
ることができ、レーザダイオード駆動装置の部品点数を
削減し回路の簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理ブロック図、第2図は本発明の一
実施例としてのレーザダイオード駆動装置のブロック図
、第3図は第2図装置に用いるレーザダイオードのt 
−1,特性を示す図、該4図は本発明の他の実施例のブ
ロック図、第5図は第4図装置に用いるレーザダイオー
ドの[−L特性を示す図、第6図は第4装R)F E 
T (7) V (GS) −E(DS)特性を示す図
、第7図および第8図は本発明のさらに他の実施例をそ
れぞれ示す図、第9図は従来のレーザダイオード駆動装
置を示すブロック図である。 la 〜1d−L Dドライブ回路 2・−・レーザモジュール 3.5−・−低域フィルタ 4−・比較器    11− キャパシタ12・−ダイ
オード 13−・・バイポーラ形トランジスタ 14−・抵抗器    15−・加算器16−F E 
T     21−  レーザダイオード22−・アバ
ランシェホトダイオード 101−・加算回路  102・・・ドライブ回路10
3・−・レーザモジュール 104・・・光安定化ループ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザダイオードにパルス電流およびバイアス電流
    を供給する単一のトランジスタ(13;16)を備え、
    パルス入力信号および光出力安定化ループ(3、4、5
    、22)の制御出力を重畳した信号を該トランジスタ(
    13;16)の制御入力とするように構成されたレーザ
    ダイオード駆動装置。 2、該トランジスタはバイポーラトランジスタ(13)
    である特許請求の範囲第1項に記載のレーザダイオード
    駆動装置。 3、該トランジスタはユニポーラトランジスタ(16)
    である特許請求の範囲第1項に記載のレーザダイオード
    駆動装置。 4、該トランジスタは電界効果トランジスタ(16)で
    ある特許請求の範囲第3項に記載のレーザダイオード駆
    動装置。 5、制御入力はベース電圧入力である特許請求の範囲第
    2項に記載のレーザダイオード駆動装置。 6、制御入力はゲート・ソース間電圧である特許請求の
    範囲第4項に記載のレーザダイオード駆動装置。
JP5946186A 1986-03-19 1986-03-19 レ−ザダイオ−ド駆動装置 Pending JPS62217687A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04150081A (ja) * 1990-10-15 1992-05-22 Nec Corp 半導体レーザ駆動回路
JP2008515218A (ja) * 2005-01-06 2008-05-08 インフラ−コム リミテッド 通信ダイオード駆動回路

Cited By (3)

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JPH04150081A (ja) * 1990-10-15 1992-05-22 Nec Corp 半導体レーザ駆動回路
JP2008515218A (ja) * 2005-01-06 2008-05-08 インフラ−コム リミテッド 通信ダイオード駆動回路
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