JPH04150081A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH04150081A JPH04150081A JP2273318A JP27331890A JPH04150081A JP H04150081 A JPH04150081 A JP H04150081A JP 2273318 A JP2273318 A JP 2273318A JP 27331890 A JP27331890 A JP 27331890A JP H04150081 A JPH04150081 A JP H04150081A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser diode
- gate
- dual
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速ディジタル光通信に用いられる半導体レ
ーザ駆動回路に関する。
ーザ駆動回路に関する。
従来、この種の半導体レーザ駆動回路は、第２図に示す
ように電界効果型トランジスタ１１のソース電極Ｓと基
準電位Ｖｓ間にコンデンサ１２とツェナーダイオード１
３を接続し、また、ソース電極Ｓと制御電源間に抵抗１
４が接続されている。そして、電界効果型トランジスタ
１１のドレイン電極りに半導体レーザダイオード１５と
直流バイアス供給回路１６が接続され１．また、半導体
レーザダイオード１５の出射光をモニタするフォートダ
イオード１７とその光電流を電気信号に変換する電流電
圧変換回路１８が直流バイアス供路１６に接続される構
成になっている。
ように電界効果型トランジスタ１１のソース電極Ｓと基
準電位Ｖｓ間にコンデンサ１２とツェナーダイオード１
３を接続し、また、ソース電極Ｓと制御電源間に抵抗１
４が接続されている。そして、電界効果型トランジスタ
１１のドレイン電極りに半導体レーザダイオード１５と
直流バイアス供給回路１６が接続され１．また、半導体
レーザダイオード１５の出射光をモニタするフォートダ
イオード１７とその光電流を電気信号に変換する電流電
圧変換回路１８が直流バイアス供路１６に接続される構
成になっている。
いま、電界効果型トランジスタ１１のゲート電極Ｇにパ
ルス信号が入力されると、ソース電位はツェナーダイオ
ード１３とソース抵抗１４により定電圧回路が形成され
定電圧化されているので、ドレインソース間電圧ＶＯ５
で決定される駆動電流が得られ、それに従った光出力が
得られる。光出力はフォートダイオード１７でモニター
され、その光電流の変化に従い半導体レーザダイオード
１５に供給する直流バイアス電流を制御することにより
、光出力の安定をはかっている。
ルス信号が入力されると、ソース電位はツェナーダイオ
ード１３とソース抵抗１４により定電圧回路が形成され
定電圧化されているので、ドレインソース間電圧ＶＯ５
で決定される駆動電流が得られ、それに従った光出力が
得られる。光出力はフォートダイオード１７でモニター
され、その光電流の変化に従い半導体レーザダイオード
１５に供給する直流バイアス電流を制御することにより
、光出力の安定をはかっている。
ところが、上述した従来の半導体レーザ駆動回路では、
半導体レーザダイオードに直流電流を供給する直流バイ
アス供給回路が、半導体レーザダイオードのカソードに
直接接続されるため、高周波動作においては光変調特性
に対し、直流バイアス供給回路の影響が顕れる。このた
め、光出力波形の劣化をきたしたり、電流バイアスを供
給するトランジスタ等が外部に別に必要となり、半導体
レーザ駆動回路の規模が大きくなっている。
半導体レーザダイオードに直流電流を供給する直流バイ
アス供給回路が、半導体レーザダイオードのカソードに
直接接続されるため、高周波動作においては光変調特性
に対し、直流バイアス供給回路の影響が顕れる。このた
め、光出力波形の劣化をきたしたり、電流バイアスを供
給するトランジスタ等が外部に別に必要となり、半導体
レーザ駆動回路の規模が大きくなっている。
そこで本発明の目的は、半導体レーザダイオードの光出
力電力の安定化を図ることのできる半導体レーザ駆動回
路を提供することにある。
力電力の安定化を図ることのできる半導体レーザ駆動回
路を提供することにある。
本発明の半導体レーザ駆動回路は、デュアルゲートタイ
プ電界効果型トランジスタのドレイン電極に半導体レー
ザダイオードを接続し、２個のゲート電極のうち一方の
ゲート電極には主信号駆動源を接続し、他方のゲート電
極には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流を供
給する直流バイアス制御回路を接続した構成となってい
る。
プ電界効果型トランジスタのドレイン電極に半導体レー
ザダイオードを接続し、２個のゲート電極のうち一方の
ゲート電極には主信号駆動源を接続し、他方のゲート電
極には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流を供
給する直流バイアス制御回路を接続した構成となってい
る。
これにより、本発明の半導体レーザ駆動回路は、デュア
ルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲート
電極には高周波の主信号が入力され、他方のゲート電極
には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流が供給
され、半導体レーザダイオードの光出力電力の安定化を
図る。
ルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲート
電極には高周波の主信号が入力され、他方のゲート電極
には半導体レーザダイオードに直流バイアス電流が供給
され、半導体レーザダイオードの光出力電力の安定化を
図る。
以下、本発明の一実施例について第１図を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す回路図である。図において、デュアルゲートタイ
プ電界効果型トランジスタ１９は、ドレイン電極り、ソ
ース電極Ｓ、２個のゲートｉｔ極Ｇ、、Ｇ、を有し、ド
レイン電極りには半導体レーザダイオードＩ５が接続さ
れる。そして、ソース電極Ｓには抵抗１４が接続され、
コンデンサ１２および定電圧ダイオード１３がそれに並
列に接続され、 基準電位を保つための定電圧回路を形
成している。
を示す回路図である。図において、デュアルゲートタイ
プ電界効果型トランジスタ１９は、ドレイン電極り、ソ
ース電極Ｓ、２個のゲートｉｔ極Ｇ、、Ｇ、を有し、ド
レイン電極りには半導体レーザダイオードＩ５が接続さ
れる。そして、ソース電極Ｓには抵抗１４が接続され、
コンデンサ１２および定電圧ダイオード１３がそれに並
列に接続され、 基準電位を保つための定電圧回路を形
成している。
また、２個のゲート電極のうち、一方のゲート電極Ｇ１
には主信号駆動源２ｏが接続され、半導体レーザダイ
オード１５をオンさせるための高周波の主信号が印加さ
れる。他方のゲート電極Ｇ２には直流バイアス制御回路
２１が接続され、半導体レーザダイオード１５の光出力
電力の安定化を図る。
には主信号駆動源２ｏが接続され、半導体レーザダイ
オード１５をオンさせるための高周波の主信号が印加さ
れる。他方のゲート電極Ｇ２には直流バイアス制御回路
２１が接続され、半導体レーザダイオード１５の光出力
電力の安定化を図る。
いま、デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタ１
９のゲート電極Ｇ２ に主信号駆動源２゜よりパルス信
号が入力されたとすると、デュアルゲートタイプ電界効
果型のソース電位は、定電圧ダイオード１３と抵抗１４
により固定されているので、入力パルス信号に応じたパ
ルス電流が得られる。このパルス電流で半導体レーザダ
イオード１５を変調する。また、こうして得られた光出
力は、フォトダイオード１７によりモニタされ、電流電
圧変換回路１８て光電流を電圧に変換し、直流バイアス
制御回路２１により直流バイアス電流を制御して半導体
レーザダイオード１５の光出力の安定を図る。
９のゲート電極Ｇ２ に主信号駆動源２゜よりパルス信
号が入力されたとすると、デュアルゲートタイプ電界効
果型のソース電位は、定電圧ダイオード１３と抵抗１４
により固定されているので、入力パルス信号に応じたパ
ルス電流が得られる。このパルス電流で半導体レーザダ
イオード１５を変調する。また、こうして得られた光出
力は、フォトダイオード１７によりモニタされ、電流電
圧変換回路１８て光電流を電圧に変換し、直流バイアス
制御回路２１により直流バイアス電流を制御して半導体
レーザダイオード１５の光出力の安定を図る。
すなわち、本実施例の半導体レーザ駆動回路では、従来
の様な直流バイアス供給回路が直接半導体レーザダイオ
ードのカソードにされる構成で問題になっている直流バ
イアス供給回路の半導体レーザダイオードに及ぼす影響
による光出力波形の劣化、および直流バイアス供給トラ
ンジスタの必要性による消費電力増大や規模拡大という
問題を解決することが可能となる。
の様な直流バイアス供給回路が直接半導体レーザダイオ
ードのカソードにされる構成で問題になっている直流バ
イアス供給回路の半導体レーザダイオードに及ぼす影響
による光出力波形の劣化、および直流バイアス供給トラ
ンジスタの必要性による消費電力増大や規模拡大という
問題を解決することが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、デュアルゲートタ
イプ電界効果型トランジスタの一方のゲート電極に主信
号を入力し、他方のゲート電極に半導体レーザダイオー
ドの光出力をモニタし、その出力光の変動に応じて直流
バイアス電流を制御可能な直流バイアス制御回路の制御
電圧を入力する構成とすることにより、半導体レーザダ
イオードの光出力波形に悪影響（波形劣化）を与えるこ
となく、光出力電力の安定化がはかれると共に、消費電
力軽減や回路規模縮小が可能となる。
イプ電界効果型トランジスタの一方のゲート電極に主信
号を入力し、他方のゲート電極に半導体レーザダイオー
ドの光出力をモニタし、その出力光の変動に応じて直流
バイアス電流を制御可能な直流バイアス制御回路の制御
電圧を入力する構成とすることにより、半導体レーザダ
イオードの光出力波形に悪影響（波形劣化）を与えるこ
となく、光出力電力の安定化がはかれると共に、消費電
力軽減や回路規模縮小が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は従来
例を示す回路図である。 １１・・・・・・電界効果型トランジスタ、１２・・・
・・・コンデンサ、 １３・・・・・・定電圧ダイオード、１４・・・・・・
抵抗、１５・・・・・・半導体レーザダイオード、１６
・・・・・・直流バイアス供給回路、１７・・・・・・
フォトダイオード、 １８・・・・・・電流電圧変換回路、 １９・・・・・・デュアルゲートタイプ電界効果型トラ
ンジスタ、 ２０・・・・・・主信号駆動源、 １・・・・・・直流バイアス制御回路
例を示す回路図である。 １１・・・・・・電界効果型トランジスタ、１２・・・
・・・コンデンサ、 １３・・・・・・定電圧ダイオード、１４・・・・・・
抵抗、１５・・・・・・半導体レーザダイオード、１６
・・・・・・直流バイアス供給回路、１７・・・・・・
フォトダイオード、 １８・・・・・・電流電圧変換回路、 １９・・・・・・デュアルゲートタイプ電界効果型トラ
ンジスタ、 ２０・・・・・・主信号駆動源、 １・・・・・・直流バイアス制御回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザダイオードをデュアルゲートタイプ電
界効果型トランジスタのドレイン電極に接続し、前記デ
ュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタの一方のゲ
ート電極には主信号駆動源を接続し、他方のゲート電極
には前記半導体レーザダイオードに直流バイアス電流を
供給する直流バイアス制御回路を接続したことを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。 ２、前記直流バイアス制御回路には前記半導体レーザダ
イオードの光出力電力を電流に変換した信号が入力され
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動回
路。 ３、前記デュアルゲートタイプ電界効果型トランジスタ
のソース電極に基準電位を一定に保つ定電圧回路を接続
したことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273318A JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273318A JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150081A true JPH04150081A (ja) | 1992-05-22 |
| JP2944184B2 JP2944184B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17526214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2273318A Expired - Lifetime JP2944184B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944184B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847347A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-19 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ドの出力安定化回路 |
| JPS62217687A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動装置 |
| JPH01251682A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子駆動回路 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP2273318A patent/JP2944184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847347A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-19 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ドの出力安定化回路 |
| JPS62217687A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動装置 |
| JPH01251682A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2944184B2 (ja) | 1999-08-30 |
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