JPS5860828A - Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路 - Google Patents
Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路Info
- Publication number
- JPS5860828A JPS5860828A JP56159109A JP15910981A JPS5860828A JP S5860828 A JPS5860828 A JP S5860828A JP 56159109 A JP56159109 A JP 56159109A JP 15910981 A JP15910981 A JP 15910981A JP S5860828 A JPS5860828 A JP S5860828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- generating element
- voltage generating
- fet
- mos
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＭＯＳ−ＦＥＴ（絶縁ダート蓋電界効果トラン
ジスタ）を光起電圧発生素子によシ駆動するＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ駆動回路に関する。
ジスタ）を光起電圧発生素子によシ駆動するＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ駆動回路に関する。
仁の種の従来の駆動回路は第１図に示すように構成され
ている。即ち、１１はＭＯＳ−Ｆ’ＥＴでＴｏシ、その
ｆ−）・ソース間に光起電圧発生素子１２および抵抗１
３が並列接続されている。
ている。即ち、１１はＭＯＳ−Ｆ’ＥＴでＴｏシ、その
ｆ−）・ソース間に光起電圧発生素子１２および抵抗１
３が並列接続されている。
１４は上記素子１２に光を、供給するための光源であり
、たとえばＬ Ｅ Ｄ Ｃ発光ダイオード）が用いられ
ている。なお、１５はＦＥＴＩＩの負荷、１６は電源で
ある。
、たとえばＬ Ｅ Ｄ Ｃ発光ダイオード）が用いられ
ている。なお、１５はＦＥＴＩＩの負荷、１６は電源で
ある。
上記回路において、抵抗１３はＦ’ＥＴＭＪのターンオ
フ時間を低減させるために、ＦＥＴＪＩのｒ−）容量に
充電されている電荷の放電経路を形成する目的で挿入さ
れたものである。しかし、この抵抗１３の挿入によＦ）
ＦＥＴＩＩのｒ−トａをみた入力インピーダンスが低下
し、このため光起電圧発生素子１２の消費電流が増加し
、これｔ−補なうため一層大きな光エネルギが必要とな
シ、ＬＥＤ１４の消費電力も増大する欠点がある。そこ
で、上記抵抗１３の値は、ターンオフ時間および上記消
費電力の面から制約があり、従来はターンオフ時間をか
なシ犠牲にするような設定が行われていた。このため、
ＦＥＴＩＪの高速スイッチング動作が得られなかった。
フ時間を低減させるために、ＦＥＴＪＩのｒ−）容量に
充電されている電荷の放電経路を形成する目的で挿入さ
れたものである。しかし、この抵抗１３の挿入によＦ）
ＦＥＴＩＩのｒ−トａをみた入力インピーダンスが低下
し、このため光起電圧発生素子１２の消費電流が増加し
、これｔ−補なうため一層大きな光エネルギが必要とな
シ、ＬＥＤ１４の消費電力も増大する欠点がある。そこ
で、上記抵抗１３の値は、ターンオフ時間および上記消
費電力の面から制約があり、従来はターンオフ時間をか
なシ犠牲にするような設定が行われていた。このため、
ＦＥＴＩＪの高速スイッチング動作が得られなかった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、ＭＯＳ−
ＦＥＴＯｒ−ト・ソース間にＦＥＴ駆動用の第１の光起
電圧発生素子およびターンオフ時間低減用の第２の光起
電圧発生素子を並列接続し、第１の光源により上記第１
の素子を作動させ、この作動終了と同時または寸前に第
２の光源によシ前記第２の素子を作動させてＦＥＴのｆ
−）・ソース間に逆ノ々イアスを与え、ダート容量の充
電電荷を放電させることによって、ターンオフ時間を低
減し得るＭＯＳ−Ｆ’ＥＴ駆動回路を提供するものであ
る。
ＦＥＴＯｒ−ト・ソース間にＦＥＴ駆動用の第１の光起
電圧発生素子およびターンオフ時間低減用の第２の光起
電圧発生素子を並列接続し、第１の光源により上記第１
の素子を作動させ、この作動終了と同時または寸前に第
２の光源によシ前記第２の素子を作動させてＦＥＴのｆ
−）・ソース間に逆ノ々イアスを与え、ダート容量の充
電電荷を放電させることによって、ターンオフ時間を低
減し得るＭＯＳ−Ｆ’ＥＴ駆動回路を提供するものであ
る。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第２図において、２１はＭＯＳ −ＦＥＴ、２２は負荷
、２３は電源である。２４は上記ＷＥＴｊ１のｒ−）・
ソース間に接続されたＦＥＴ駆動用の第１の光起電圧発
生素子であシ、これはＦＷ’ｒ’Ｊのターンオンに要す
る電圧Ｖｏｓを得るために、たとえばフォトダイオード
が必要側起電圧発生素子２４に並列接続されたターンオ
フ時間低減用の第２の光起電圧発生素子であシ、これＦ
ｉＦＥＴｊＪのターン゛オフに必要な逆バイアス電圧を
得るために、たとえばフォトダイオードが必要個数直列
に接続きれてなる。一方、２６は上記第１の光起電圧発
生素子２４を作動させるための第１の光源であって、た
とえば第１のＬＥＤよυなシ、同様に２７は第２の光起
電圧発生素子２５を作動させるための第２の光源であっ
て、たとえば第２のＬＥＤよシなる。
、２３は電源である。２４は上記ＷＥＴｊ１のｒ−）・
ソース間に接続されたＦＥＴ駆動用の第１の光起電圧発
生素子であシ、これはＦＷ’ｒ’Ｊのターンオンに要す
る電圧Ｖｏｓを得るために、たとえばフォトダイオード
が必要側起電圧発生素子２４に並列接続されたターンオ
フ時間低減用の第２の光起電圧発生素子であシ、これＦ
ｉＦＥＴｊＪのターン゛オフに必要な逆バイアス電圧を
得るために、たとえばフォトダイオードが必要個数直列
に接続きれてなる。一方、２６は上記第１の光起電圧発
生素子２４を作動させるための第１の光源であって、た
とえば第１のＬＥＤよυなシ、同様に２７は第２の光起
電圧発生素子２５を作動させるための第２の光源であっ
て、たとえば第２のＬＥＤよシなる。
２８および２９は上記第１．第２のＬＥ０２６゜２７を
発光駆動する発光駆動回路である。
発光駆動する発光駆動回路である。
上記構成において、第１のＬＥ０２ｇの発光による第１
の光起電圧発生素子２４の出力電圧によｆｉＦＫ’ｒ’
Ｊがターンオフする。そして、ＦＥ’１２Ｊをターンオ
フさせるときには、第１のＬＥ８２６の発光動作停止寸
前または停止と同時に、（第３図参照）、第２のＬＥＤ
２７をＦＥＴ２１のターンオフに必要な時間だけ発光さ
せる。したがって、このときｔｓ２の光起電圧発生素子
２５の出力電圧によりＦＥＴｊｆのｒ−ト・ソース間が
逆バイアスされ、ＦＥＴｊＪのダート容量の充電電荷が
放電するのでターンオフ時間が短かくなる。
の光起電圧発生素子２４の出力電圧によｆｉＦＫ’ｒ’
Ｊがターンオフする。そして、ＦＥ’１２Ｊをターンオ
フさせるときには、第１のＬＥ８２６の発光動作停止寸
前または停止と同時に、（第３図参照）、第２のＬＥＤ
２７をＦＥＴ２１のターンオフに必要な時間だけ発光さ
せる。したがって、このときｔｓ２の光起電圧発生素子
２５の出力電圧によりＦＥＴｊｆのｒ−ト・ソース間が
逆バイアスされ、ＦＥＴｊＪのダート容量の充電電荷が
放電するのでターンオフ時間が短かくなる。
上述したようなＭＯＳ−１ｉ’ＥＴ駆動回路によｔ１４
’、ＭＯＳ−Ｆ’ＥＴ（７１”−ト・ソース間にＦＥＴ
駆動用の第１の光起電圧発生素子およびターンオフ時間
低減用の第２の光起電圧発生素子を並列接続し、第１の
光源によシ上記第１の素子を作動させ、この作動終了と
同時または終了寸前に第２の光源により第２の素子を作
動させることによって、ＦＥＴのｒ−ト・ソース間に逆
バイアスを与え、ダート容量の充電電荷を放電させるよ
うにしている。したがって、ＦＥＴのターンオフ時間を
低減でき、Ｆ’ＥＴの高速スイッチング動作を達成する
ことができる。
’、ＭＯＳ−Ｆ’ＥＴ（７１”−ト・ソース間にＦＥＴ
駆動用の第１の光起電圧発生素子およびターンオフ時間
低減用の第２の光起電圧発生素子を並列接続し、第１の
光源によシ上記第１の素子を作動させ、この作動終了と
同時または終了寸前に第２の光源により第２の素子を作
動させることによって、ＦＥＴのｒ−ト・ソース間に逆
バイアスを与え、ダート容量の充電電荷を放電させるよ
うにしている。したがって、ＦＥＴのターンオフ時間を
低減でき、Ｆ’ＥＴの高速スイッチング動作を達成する
ことができる。
第１図は従来のＭＯＳ−ＦＥＴ駆動回路を示す構成説明
図、第２図は本発明に係るＭＯＳ−ＦＥＴ駆動回路の一
実施例を示す構成説明図、第３図は第２図の動作説明の
ために示すタイ電ング図である。 ２１・・・ＭＯＳ−ＦＥＴ、２４・・・第１の光起電圧
発生素子、２５・・・第２の光起電圧発生素子、２６・
・・第１の光源、２７・・・第２の光源。
図、第２図は本発明に係るＭＯＳ−ＦＥＴ駆動回路の一
実施例を示す構成説明図、第３図は第２図の動作説明の
ために示すタイ電ング図である。 ２１・・・ＭＯＳ−ＦＥＴ、２４・・・第１の光起電圧
発生素子、２５・・・第２の光起電圧発生素子、２６・
・・第１の光源、２７・・・第２の光源。
Claims (1)
- ＭＯＳ−ＦＥＴ（絶縁ダート型電界効果トツンジスタ）
のｒ−ト・ソース間にＦＩＴターンオン用電圧電圧生す
るための第１の光起電圧発生素子およびＦＥＴターンオ
フ用逆バイアス電圧を発生するための第２の光起電圧発
生素子を並列接続し、第１の光源により上記第１の光起
電圧発生素子を作動させ、この第１の光源による作動の
終了と同時またはその直前に第２り光源によシ前記第２
の光起電圧発生素子を作動させるようにしてなるＭＯＳ
−ＦＥＴ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159109A JPS5860828A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159109A JPS5860828A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860828A true JPS5860828A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15686435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159109A Pending JPS5860828A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | Ｍｏｓ−ｆｅｔ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860828A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154029U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-24 | ||
| JPS61154028U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-24 | ||
| JPS62289013A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | Agency Of Ind Science & Technol | スイツチング装置 |
| JPH0570031U (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | 日新電機株式会社 | 光駆動スイッチ装置 |
| EP0658003A1 (en) * | 1993-12-09 | 1995-06-14 | AT&T Corp. | Apparatus and method for referencing an optical receiver |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56159109A patent/JPS5860828A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154029U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-24 | ||
| JPS61154028U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-24 | ||
| JPS62289013A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | Agency Of Ind Science & Technol | スイツチング装置 |
| JPH0570031U (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | 日新電機株式会社 | 光駆動スイッチ装置 |
| EP0658003A1 (en) * | 1993-12-09 | 1995-06-14 | AT&T Corp. | Apparatus and method for referencing an optical receiver |
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