JPS6162367A - 多重電極半導体電力装置をドライブするための電源 - Google Patents
多重電極半導体電力装置をドライブするための電源Info
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- JPS6162367A JPS6162367A JP60184994A JP18499485A JPS6162367A JP S6162367 A JPS6162367 A JP S6162367A JP 60184994 A JP60184994 A JP 60184994A JP 18499485 A JP18499485 A JP 18499485A JP S6162367 A JPS6162367 A JP S6162367A
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- drive circuit
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
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- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
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- Inverter Devices (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１匹１１
比較的新しい半導体装置はＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔとして
知られる電界効果トランジスタであや。ＭＯＳＦＥＴは
、それが回路を簡略化できるとともに、性能を最適化し
かつ成分を減少させるので望ましい回路成分である。
知られる電界効果トランジスタであや。ＭＯＳＦＥＴは
、それが回路を簡略化できるとともに、性能を最適化し
かつ成分を減少させるので望ましい回路成分である。
電力ＭＯ３ＦＥＴ装置の１つの利用は、全ブリッジイン
バータや半ブリツジインバータのような電源におけるも
のである。そのような回路たとえば半ブリツジ回路にお
いて、集積化された制御回路は必要な出力を与える２つ
のＭＯＳＦＥＴをドライブするトランスへ接続されてい
る。その集積回路は、電源の制御のために必要なすべて
の低電圧レベルの機能を含んでいる。
バータや半ブリツジインバータのような電源におけるも
のである。そのような回路たとえば半ブリツジ回路にお
いて、集積化された制御回路は必要な出力を与える２つ
のＭＯＳＦＥＴをドライブするトランスへ接続されてい
る。その集積回路は、電源の制御のために必要なすべて
の低電圧レベルの機能を含んでいる。
Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ装置から効率的でよく制御された
島きを得るために、それらは１＝とえば２０〜１００ナ
ノ秒で非常に迅速にターンオン・オフしな番プればなら
ない。しかしながら、たとえばゲート容ｆｆｉカフ５０
〜３０００ＰＦ（７）ｆＯｌｌｌｌｔ”ｃ１５す得７６
） Ｍ ０３ＦＥＴの種々の電極間容量を克服するため
に、かなりの電流が必要とされる。半ブリツジ回路にお
いて、ターンオンされるべき２つのＭＯＳ Ｆ ＥＴゲ
ートが存在しく全ブリッジにおいては４ゲート）、その
ゲート電位は十分に条件を満たずために少なくとも直流
の１０〜１２ボルトに上げられなければならない。良好
なドライブのために必要な電流（１アンペア）は、通常
の集積回路からはＩＮられない。
島きを得るために、それらは１＝とえば２０〜１００ナ
ノ秒で非常に迅速にターンオン・オフしな番プればなら
ない。しかしながら、たとえばゲート容ｆｆｉカフ５０
〜３０００ＰＦ（７）ｆＯｌｌｌｌｔ”ｃ１５す得７６
） Ｍ ０３ＦＥＴの種々の電極間容量を克服するため
に、かなりの電流が必要とされる。半ブリツジ回路にお
いて、ターンオンされるべき２つのＭＯＳ Ｆ ＥＴゲ
ートが存在しく全ブリッジにおいては４ゲート）、その
ゲート電位は十分に条件を満たずために少なくとも直流
の１０〜１２ボルトに上げられなければならない。良好
なドライブのために必要な電流（１アンペア）は、通常
の集積回路からはＩＮられない。
このドライブ問題を克服するために、２つの交互のＵＮ
４Ｒを利用することができ、これらの機構において、
補助的な電源が接続トランスの１次において与えられる
か、または半ブリッジの各ＭＯ３ＦＥＴについて１つで
あって通常２つ設けられる２次において与えられる。好
ましいドライブ回路は、トランスの２次において補助的
電源を用いる。
４Ｒを利用することができ、これらの機構において、
補助的な電源が接続トランスの１次において与えられる
か、または半ブリッジの各ＭＯ３ＦＥＴについて１つで
あって通常２つ設けられる２次において与えられる。好
ましいドライブ回路は、トランスの２次において補助的
電源を用いる。
これはこのタイプの回路において有利であることがわか
る。なぜならば、２つの分断された電源か荀 半ブリッジにおいて必要とされ、３つの虜囚１された電
源が全ブリッジインバータのために必要とされるからで
ある。
る。なぜならば、２つの分断された電源か荀 半ブリッジにおいて必要とされ、３つの虜囚１された電
源が全ブリッジインバータのために必要とされるからで
ある。
本発明はＭＯ３ＦＥＩ”Ｂ置を用いる電源回路を提供し
、補助的な電源は最適動作のためとＭＯＳＦＥＴの速い
ターンオンとターンオフを行なうためｒ必要とされない
。
、補助的な電源は最適動作のためとＭＯＳＦＥＴの速い
ターンオンとターンオフを行なうためｒ必要とされない
。
衷」」１１匪Ｊ一
本発明の原理は本発明を実施する半ブリツジインバータ
回路１０に関して説明される。回路１０は集積回路ドラ
イバ２０を含み、それは電源の制御に必要な低電圧レベ
ルのすべての機能を含む。
回路１０に関して説明される。回路１０は集積回路ドラ
イバ２０を含み、それは電源の制御に必要な低電圧レベ
ルのすべての機能を含む。
典型的なモジュール２０はシリコンゼネラル社製の５Ｇ
３５２６である。ドライバ２０の出力は、２つの同じ２
次巻１５０と６０を有するトランス４０の１次巻線３０
を通し接続されている。そのトランスは、通常は電源の
出力と同じ電位にあるドライバ２０と、インバータのパ
ワ一段に必要どされる高圧電位であって通常はアイソレ
ーションなしに主電源から直接ｊｑられる電位との間に
り。
３５２６である。ドライバ２０の出力は、２つの同じ２
次巻１５０と６０を有するトランス４０の１次巻線３０
を通し接続されている。そのトランスは、通常は電源の
出力と同じ電位にあるドライバ２０と、インバータのパ
ワ一段に必要どされる高圧電位であって通常はアイソレ
ーションなしに主電源から直接ｊｑられる電位との間に
り。
Ｃ，アイソレーションを与える。
回路１０はその出力装置として２つのＰチャンネルＭＯ
３ＦＥＴ電界効果トランジスタ）ｉｔ？ｆｆ ７０と８
０をも含み、それらの電極であるソース、ドレイン、お
よびゲートは従来の様式で表わされている。
３ＦＥＴ電界効果トランジスタ）ｉｔ？ｆｆ ７０と８
０をも含み、それらの電極であるソース、ドレイン、お
よびゲートは従来の様式で表わされている。
トランスの巻線５０とＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ７０の間に
接続されているのはドライバ回路９０であり、トランス
巻１６０とＭＯ３ＦＥＴ８０の間はドライバ回路１００
である。回路９０と１００は、それらのＭＯＳＦＥＴの
ための電源とドライバのように働く。回路９０はＰＮＰ
トランジスタ１２０とシリーズに接続されたＮＰＮＩ−
ランジスタ１１０を含み、それらのエミッタはリード１
２２によって１つにされてリード１２６によってＭＯ３
ＦＥＴ７０のゲートヘ接続されている。ＰＮＰトランジ
スタ１２０のコレクタはリード１３０へ接続されており
、ＮＰＮＩ−ランジスタ１１０のコレクタはリード１４
０へ接続されている。リード１４０は図示のように配向
されていてダイオード１５０を介して２次巻線５０の上
側の点を付【プられた端部に接続されており、その下側
の端部はＭＯＳ ＦＥＴ７０のドレインとＭＯ３ＦＥＴ
８０のソースに接続されたリード１７０ヘリード１６０
によって接続されている。トランジスタ１１０のコレク
タはキャパシタ１８０を介してリード１６０へ接続され
ており、この接続点はキャパシタ１９０を介してリード
１３０とトランジスタ１２０のヲレクタへ接続されてい
て、さらに図示のように配向されていてダイオード１９
２を介してリード２００によってダイオード１５０へ接
続されている。
接続されているのはドライバ回路９０であり、トランス
巻１６０とＭＯ３ＦＥＴ８０の間はドライバ回路１００
である。回路９０と１００は、それらのＭＯＳＦＥＴの
ための電源とドライバのように働く。回路９０はＰＮＰ
トランジスタ１２０とシリーズに接続されたＮＰＮＩ−
ランジスタ１１０を含み、それらのエミッタはリード１
２２によって１つにされてリード１２６によってＭＯ３
ＦＥＴ７０のゲートヘ接続されている。ＰＮＰトランジ
スタ１２０のコレクタはリード１３０へ接続されており
、ＮＰＮＩ−ランジスタ１１０のコレクタはリード１４
０へ接続されている。リード１４０は図示のように配向
されていてダイオード１５０を介して２次巻線５０の上
側の点を付【プられた端部に接続されており、その下側
の端部はＭＯＳ ＦＥＴ７０のドレインとＭＯ３ＦＥＴ
８０のソースに接続されたリード１７０ヘリード１６０
によって接続されている。トランジスタ１１０のコレク
タはキャパシタ１８０を介してリード１６０へ接続され
ており、この接続点はキャパシタ１９０を介してリード
１３０とトランジスタ１２０のヲレクタへ接続されてい
て、さらに図示のように配向されていてダイオード１９
２を介してリード２００によってダイオード１５０へ接
続されている。
リード２００は、抵抗２０４にＪ：ってトランシタ１１
０と１２０の相互接続されたベース電極ＩＮ接続されて
いる。
０と１２０の相互接続されたベース電極ＩＮ接続されて
いる。
ＭＯ３ＦＥＴ７０のソースはリード２１０によって正の
電源Ｖ１へ接続されている。
電源Ｖ１へ接続されている。
Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ８０のための第２の回路１００
はＭＯ３ＦＥＴ７０のための回路９０と同一であり、同
じ部分はプライムマークを有する同じ３照番号を有して
いる。しかし、２次巻線６０の下側端部は点を付けられ
た端部であってリード１６０′によってＭＯ３ＦＥＴ８
０のドレインと回路１０のり、Ｃ，帰路へ接続されてい
る。
はＭＯ３ＦＥＴ７０のための回路９０と同一であり、同
じ部分はプライムマークを有する同じ３照番号を有して
いる。しかし、２次巻線６０の下側端部は点を付けられ
た端部であってリード１６０′によってＭＯ３ＦＥＴ８
０のドレインと回路１０のり、Ｃ，帰路へ接続されてい
る。
リード１７０は出力トランスの１次巻線２２０へ度続さ
れている。
れている。
回路１０の動作において、キャパシタ１８０ど１９０が
充電されてドライバ９０は正と負の矩形パルスを含む波
形または信号（第２図）を生じると仮定しよう。２次巻
８５０はこの波形を再生して、その波形中に正と負のパ
ルスを生じる。波形Ｂの正になる部分において、トラン
ジスタ１１０のベース゛電極は順バイアスされ、電流は
トランジスタ１１０とリード１２６を介してキャパシタ
１８０からＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ７０のベースへ流れ
、ＭＯ３ＦＥＴ７０は正にドライブされてターンオンさ
れ、そしてトランス２２２の一時巻ＭＡ ２２０を通っ
て正のパルスを生じる。同時に、ダイオード１５０は導
通してキャパシタ１８０を１よぼＷのパルスのピークま
で充電する。ＭＯＳ Ｆ Ｅ ｌの゛オン°。
充電されてドライバ９０は正と負の矩形パルスを含む波
形または信号（第２図）を生じると仮定しよう。２次巻
８５０はこの波形を再生して、その波形中に正と負のパ
ルスを生じる。波形Ｂの正になる部分において、トラン
ジスタ１１０のベース゛電極は順バイアスされ、電流は
トランジスタ１１０とリード１２６を介してキャパシタ
１８０からＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ７０のベースへ流れ
、ＭＯ３ＦＥＴ７０は正にドライブされてターンオンさ
れ、そしてトランス２２２の一時巻ＭＡ ２２０を通っ
て正のパルスを生じる。同時に、ダイオード１５０は導
通してキャパシタ１８０を１よぼＷのパルスのピークま
で充電する。ＭＯＳ Ｆ Ｅ ｌの゛オン°。
時間は波形Ａの正になる部分の時間より大きく、キャパ
シタ１８０は十分に充電される。波形Δの負になる部分
において、パルスが０電位に到達するときにダイオード
１５０は逆バイアスされて、トランジスタ１１０がター
ンオフされ、そして電荷がキャパシタ１８０に保持され
る。波形Δの負になる部分において、上述のことが１−
ランジスタ１２０について繰返され、この場合キャパシ
タ１９０は負に充電される。この場合、ＭＯ８ＦＥ丁７
０はトランス巻線２２０を通って員のパルスを生じる。
シタ１８０は十分に充電される。波形Δの負になる部分
において、パルスが０電位に到達するときにダイオード
１５０は逆バイアスされて、トランジスタ１１０がター
ンオフされ、そして電荷がキャパシタ１８０に保持され
る。波形Δの負になる部分において、上述のことが１−
ランジスタ１２０について繰返され、この場合キャパシ
タ１９０は負に充電される。この場合、ＭＯ８ＦＥ丁７
０はトランス巻線２２０を通って員のパルスを生じる。
第２番目とすべての続く正になる信号は、ＭＯ３ＦＥＴ
７０のゲートのために必要な充欣電電流を与えるエミッ
タとしてトランジスタ１１０を制御する。同じことがト
ランジスタ１２０とそのＭＯ３ＦＥＴ７０についても言
える。
７０のゲートのために必要な充欣電電流を与えるエミッ
タとしてトランジスタ１１０を制御する。同じことがト
ランジスタ１２０とそのＭＯ３ＦＥＴ７０についても言
える。
回路１００の動作は回路９ｏの動作と同じであるが位相
が１８０°ずれている。
が１８０°ずれている。
ＭＯ８ＦＥＴゲート回路における全パワー消散は無視し
＋するので、ドライバ２０の動作電流は十分にその割当
内にあり、ドライブトランスの電流取扱い要件は五しく
減少される。
＋するので、ドライバ２０の動作電流は十分にその割当
内にあり、ドライブトランスの電流取扱い要件は五しく
減少される。
Ｄ、Ｃ，ドライブトランジスタ構成は、大きく変わり（
ｑる。小さな信号のＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔはバイポーラの
トランジスタ１１０と１２０に代わることができ、シン
グルポーラ電源が正と負の両方のものに代わって用いる
ことができるが、それらは低い雑音裕度を有する。上述
の発明はＮまたはＰチャンネルにかかわらず任意の電力
ＭＯ８ＦＥＴドライバへ良好なドライブ信号を与える。
ｑる。小さな信号のＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔはバイポーラの
トランジスタ１１０と１２０に代わることができ、シン
グルポーラ電源が正と負の両方のものに代わって用いる
ことができるが、それらは低い雑音裕度を有する。上述
の発明はＮまたはＰチャンネルにかかわらず任意の電力
ＭＯ８ＦＥＴドライバへ良好なドライブ信号を与える。
本発明の主要な長所は、（１）出力電界効果トランジス
タのために別個の電源が必要とされないことと、（２）
入力ドライバまたは制御モジュールは低電力レベル源で
あるがその回路は出力ＦＥＴのために比較的高い電流パ
ルスを生じることができることである。
タのために別個の電源が必要とされないことと、（２）
入力ドライバまたは制御モジュールは低電力レベル源で
あるがその回路は出力ＦＥＴのために比較的高い電流パ
ルスを生じることができることである。
第１図は本発明の回路の概略図である。
第２図は第１図の回路において現われる電流と電圧の信
号の結果を示す。 図において、１０は半ブリツジインバータ回路、２０は
集積回路ドライバ、３０は１次巻線、４０はトランス、
５０ど６０は２次巻線、７０と８０はＭＯＳＦＥＴ、９
０と１００はドライバ回路、１１０はＮＰＮＩ−ランジ
スタ、１２０はＰ Ｎ Ｉ） ｌ−ランジスタ、１８０
と１９０はキャパシタ、１５０ど１９２はダイオード、
２０４は抵抗、２２０は１次巻線、２２２はトランスを
示す。 特許出願人 バロース・コーポレーションＦＩＧ、ｌ
。 ＦＩＧ、２゜
号の結果を示す。 図において、１０は半ブリツジインバータ回路、２０は
集積回路ドライバ、３０は１次巻線、４０はトランス、
５０ど６０は２次巻線、７０と８０はＭＯＳＦＥＴ、９
０と１００はドライバ回路、１１０はＮＰＮＩ−ランジ
スタ、１２０はＰ Ｎ Ｉ） ｌ−ランジスタ、１８０
と１９０はキャパシタ、１５０ど１９２はダイオード、
２０４は抵抗、２２０は１次巻線、２２２はトランスを
示す。 特許出願人 バロース・コーポレーションＦＩＧ、ｌ
。 ＦＩＧ、２゜
Claims (7)
- （１）多重電極半導体電力装置をドライブするための電
源であって、 １次の巻線を通し与えられる信号を再生する２次の巻線
を有するトランスの１次の巻線へ接続されていて制御信
号を与える回路モジュールと、出力トランスに接続され
た第１の多重電極半導体装置と、前記第１の半導体装置
へ接続されたドライブ回路を含み、 前記ドライブ回路は充電されるキャパシタを含み、その
キャパシタは充電されたときに前記第１の半導体装置を
動作させるための電源として働き、前記ドライブ回路は
前記回路モジュールからの入力信号によつて動作し得る
スイッチ手段を含み、前記キャパシタを含む経路におい
て前記第１の半導体装置へ電流を与え、それによって前
記第１の半導体装置がターンオンされて出力パルスを生
じることを特徴とする多重電極半導体電力装置をドライ
ブするための電源。 - （２）前記ドライブ回路において、前記第１の２次巻線
と前記第１の半導体装置との間に接続されていて前記キ
ヤパシタを伴なう電流経路内にあるスイッチングトラン
ジタを含み、前記スイッチングトランジスタは前記回路
モジュールによって発生された信号によってターンオン
され、次にそれ自身が前記第１の半導体装置をターンオ
ンすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電
源。 - （３）前記ドライブ回路は、 前記第１の半導体装置のゲートヘ１つにされて接続され
ているエミッタを有するＮＰＮトランジスタおよびＰＮ
Ｐトランジスタと、 或るときに１つのトランジスタとそのキャパシタが前記
第１の半導体をターンオンする電流経路内にあって、他
のときに他のトランジスタとそのキャパシタが前記第１
の半導体装置をターンオンする電流経路内にあるように
接続されていて各トランジスタと関係付けられているキ
ャパシタを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電源。 - （４）前記第１の半導体装置はゲート、ソース、および
ドレインの電極を有する電界効果トランジスタであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電源。 - （５）前記第１の半導体装置はゲート、ソース、および
ドレインの電極を有する電界効果トランジスタであり、
前記スイッチングトランジスタと前記電流経路は前記第
１の半導体装置のゲート電極へつながることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の電源。 - （６）多重電極半導体電力装置をドライブするための電
源であって、前記電源は、 第１の２次巻線と第２の２次巻線を有するトランスの１
次巻線へ接続されていて制御信号を与える回路モジュー
ルを含み、前記第１の２次巻線は１次巻線を通し与えら
れる信号を再生し、前記第２の２次巻線は同じ信号であ
るが１８０°位相のずれた信号を再生し、 前記多重電極半導体電力装置を駆動するための電源はさ
らに、出力トランスに接続された第１の多重電極半導体
装置と、 前記第１の２次巻線と前記第１の半導体装置との間に接
続された第１のドライブ回路を含み、前記第１のドライ
ブ回路は充電されたときに前記第１の半導体装置を動作
させるための電源として働く第１のキャパシタを含み、 前記第１のドライブ回路は前記回路モジュールからの入
力信号によって動作し得るスイッチ手段を含み、前記第
１のキャパシタを含む経路において前記第１の半導体装
置へ電流を与え、それによって前記第１の半導体装置が
ターンオンされて出力パルスを生じ、 前記多重電極半導体電力装置を駆動するための電源はさ
らに、出力トランスヘ接続された第２の多重電極半導体
装置と、 前記第２の２次巻線と前記第２の半導体装置との間に接
続された第２のドライブ回路を含み、前記第２のドライ
ブ回路は充電されたときに前記第２の半導体装置を動作
させるための電源として働く第２のキャパシタを含み、 前記第２のドライブ回路は前記回路モジュールからの入
力信号によつて動作し得るスイッチ手段を含み、前記第
２のキャパシタを含む経路において前記第２の半導体装
置へ電流を与え、それによって前記第２の半導体装置は
ターンオンされて出力パルスを生じることを特徴とする
多重電極半導体電力装置をドライブするための電源。 - （７）前記第１と第２のドライブ回路の各々は、 前記第１の半導体装置のゲートヘ１つにされて接続され
ているエミッタを有しかつ前記２次巻線を通して接続さ
れているＮＰＮトランジスタとＰＮＰトランジスタと、 前記第１の半導体装置をターンオンする電流経路内に１
つのトランジスタとそのキャパシタが或るときに存在し
、他のときに他のトランジスタとそのキャパシタが前記
第１の半導体装置をターンオンする電流経路内にあるよ
うに接続されていて各トランジスタと関係付けられてい
るキャパシタを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載の電源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64524084A | 1984-08-29 | 1984-08-29 | |
| US645240 | 1984-08-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162367A true JPS6162367A (ja) | 1986-03-31 |
Family
ID=24588223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60184994A Pending JPS6162367A (ja) | 1984-08-29 | 1985-08-22 | 多重電極半導体電力装置をドライブするための電源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0177148A3 (ja) |
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- 1985-08-22 JP JP60184994A patent/JPS6162367A/ja active Pending
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Also Published As
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