JP2942790B2 - 半導体素子用多層リードフレーム - Google Patents
半導体素子用多層リードフレームInfo
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、樹脂モールドタイプの半導体装置の組立用
部材であるリードフレームのうち、特に、例えば高速、
高放熱性の要求される半導体装置に使用され、導電プレ
ートが積層されている多層リードフレームに関するもの
である。
部材であるリードフレームのうち、特に、例えば高速、
高放熱性の要求される半導体装置に使用され、導電プレ
ートが積層されている多層リードフレームに関するもの
である。
［従来の技術］ 一般に、樹脂モールドタイプの半導体パッケージは低
価格で大量生産が可能であるとともに軽量である等の利
点を有しているが、セラミックパッケージと比較した場
合、放熱特性が劣ること、雑音に対しての電気特性が劣
ること、多ピン化を行おうとするとパッケージが大きく
なってリード長が長くなり、インダクタンスや線間容量
が大きくなること等の問題がある。このため、樹脂モー
ルドタイプの半導体パッケージは、従来では高速、高放
熱性の要求される半導体素子には採用されていなかっ
た。
価格で大量生産が可能であるとともに軽量である等の利
点を有しているが、セラミックパッケージと比較した場
合、放熱特性が劣ること、雑音に対しての電気特性が劣
ること、多ピン化を行おうとするとパッケージが大きく
なってリード長が長くなり、インダクタンスや線間容量
が大きくなること等の問題がある。このため、樹脂モー
ルドタイプの半導体パッケージは、従来では高速、高放
熱性の要求される半導体素子には採用されていなかっ
た。
ところで、近年樹脂モールドパッケージでありながら
セラミックパッケージの利点を兼ね備えた樹脂モールド
パッケージが特開昭63−246851号公報において提案され
ている。この樹脂モールドパッケージは、第６図に示す
ようにリードフレーム１のインナーリード部1aに金属か
らなる電源プレート２を、ポリイミドのベース材3aの両
面に接着剤層3b,3bを有する積層用接着フィルム３にて
接合し、さらにこの電源プレート２に同じ積層用接着フ
ィルム３にて接地プレート５を接合した多層化構造のリ
ードフレームを用いたものであり、この多層化構造のリ
ードフレームを用いることにより前述の問題を解決して
いる。
セラミックパッケージの利点を兼ね備えた樹脂モールド
パッケージが特開昭63−246851号公報において提案され
ている。この樹脂モールドパッケージは、第６図に示す
ようにリードフレーム１のインナーリード部1aに金属か
らなる電源プレート２を、ポリイミドのベース材3aの両
面に接着剤層3b,3bを有する積層用接着フィルム３にて
接合し、さらにこの電源プレート２に同じ積層用接着フ
ィルム３にて接地プレート５を接合した多層化構造のリ
ードフレームを用いたものであり、この多層化構造のリ
ードフレームを用いることにより前述の問題を解決して
いる。
しかし、前述の公報に示されている従来の多層リード
フレームの場合、複数の電源プレート及び接着剤層付き
ポリイミドフィルムを積層しているため、各層間の熱的
挙動の整合を取るのが難しい。このため、半導体素子か
ら発生する熱等の影響でリードフレームが反ることによ
りパッケージにクラックが生じたり、樹脂モールド時に
ボイドが発生したりするという問題を生じることが考え
られる。
フレームの場合、複数の電源プレート及び接着剤層付き
ポリイミドフィルムを積層しているため、各層間の熱的
挙動の整合を取るのが難しい。このため、半導体素子か
ら発生する熱等の影響でリードフレームが反ることによ
りパッケージにクラックが生じたり、樹脂モールド時に
ボイドが発生したりするという問題を生じることが考え
られる。
また、その際使用するポリイミドフィルムの両面の接
着剤は、アフターキュアーが必要な場合が多く、アウト
ガスによる汚染により信頼性が低下することが考えられ
る。
着剤は、アフターキュアーが必要な場合が多く、アウト
ガスによる汚染により信頼性が低下することが考えられ
る。
さらに、リードフレームの多ピン化においては、前述
のようにリード長さが長くなると同時にリード断面積が
減少し、リードフレームの移載時等にリードの変形が発
生し易い。その対策として、一般にリードフレームの製
造段階におけるめっき工程の直後に、第７図に示すよう
に線条のポリイミドのベース材4aの片面に接着剤層4bを
有するテーピング用テープ４をリードフレーム１のイン
ナーリード1aに棒状または短形状に横架させかつ熱圧着
により接着固定するテーピング加工が行われている。
のようにリード長さが長くなると同時にリード断面積が
減少し、リードフレームの移載時等にリードの変形が発
生し易い。その対策として、一般にリードフレームの製
造段階におけるめっき工程の直後に、第７図に示すよう
に線条のポリイミドのベース材4aの片面に接着剤層4bを
有するテーピング用テープ４をリードフレーム１のイン
ナーリード1aに棒状または短形状に横架させかつ熱圧着
により接着固定するテーピング加工が行われている。
さらに、エッチング加工による多ピンリードフレーム
においては、リード先端をダイパッドとエッチングパタ
ーンにて予め連結しておき、テーピング加工の後、リー
ド先端をカットすることによりリードの変形を防止する
とともにリードの平坦幅を確保するという先端のカット
と呼ばれる加工が通常行われている。このことが多ピン
リードフレームの製造時の歩留向上に寄与していること
は否めない。
においては、リード先端をダイパッドとエッチングパタ
ーンにて予め連結しておき、テーピング加工の後、リー
ド先端をカットすることによりリードの変形を防止する
とともにリードの平坦幅を確保するという先端のカット
と呼ばれる加工が通常行われている。このことが多ピン
リードフレームの製造時の歩留向上に寄与していること
は否めない。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、樹脂モールド時のボイドの発生や接着剤か
ら発生するアウトガスによる汚染に対処するために、本
出願人は、接着部を分割して接着剤面積を削減すること
により、ボイドの発生およびアウトガスによる汚染を低
減するようにした多層リードフレームを特許出願してい
る（特願平１−253244号）。
ら発生するアウトガスによる汚染に対処するために、本
出願人は、接着部を分割して接着剤面積を削減すること
により、ボイドの発生およびアウトガスによる汚染を低
減するようにした多層リードフレームを特許出願してい
る（特願平１−253244号）。
しかしながら、この特願平１−253244号の多層リード
フレームおよび前述の特開昭63−246851号公報に開示さ
れている多層リードフレームでは、いずれにおいても少
なからず接着剤を使用しているため、アウトガスによる
汚染を完全に解決するには十分ではない。
フレームおよび前述の特開昭63−246851号公報に開示さ
れている多層リードフレームでは、いずれにおいても少
なからず接着剤を使用しているため、アウトガスによる
汚染を完全に解決するには十分ではない。
また、その接着剤は、半導体素子とリード間を周知の
ワイヤーボンディングにて結線するため、その際の熱的
影響や荷重の伝わり、また超音波を併用する場合には超
音波の伝わり等を考慮して選定する必要がある。このた
め、接着剤として例えば高価なポリイミド系接着剤等を
用いる必要があるばかりでなく、余分な工程であるアフ
ターキュアー及びそれに付随する工程が必要な場合が多
く、工程を複雑にし、コストアップを招く要因となって
いる。
ワイヤーボンディングにて結線するため、その際の熱的
影響や荷重の伝わり、また超音波を併用する場合には超
音波の伝わり等を考慮して選定する必要がある。このた
め、接着剤として例えば高価なポリイミド系接着剤等を
用いる必要があるばかりでなく、余分な工程であるアフ
ターキュアー及びそれに付随する工程が必要な場合が多
く、工程を複雑にし、コストアップを招く要因となって
いる。
さらに、従来の多層リードフレームにおいては、前述
のテーピング加工を行う際に、テーピング用の接着剤と
して高価な電源プレート積層用接着剤を使用することに
なるため、同様にコストアップを招くとともに、信頼性
に悪影響を及ぼすこととなる。
のテーピング加工を行う際に、テーピング用の接着剤と
して高価な電源プレート積層用接着剤を使用することに
なるため、同様にコストアップを招くとともに、信頼性
に悪影響を及ぼすこととなる。
さらに、前述のいずれのリードフレームにおいても、
多層リードフレームの構成をなすリードフレームは、単
体においてダイパッドをなくすなど、専用のリードフレ
ームを必要としているため、多層でない通常のリードフ
レームを用いて高速の半導体素子に対応したパッケージ
とするのは不可能であった。
多層リードフレームの構成をなすリードフレームは、単
体においてダイパッドをなくすなど、専用のリードフレ
ームを必要としているため、多層でない通常のリードフ
レームを用いて高速の半導体素子に対応したパッケージ
とするのは不可能であった。
本発明は、このような問題を鑑みてなされたものであ
って、その目的は、多層でない通常の多ピンリードフレ
ームを使用し、しかもリードフレームの反りの発生によ
るパッケージクラックがなくし、かつアウトガスによる
汚染を少なくすることにより、信頼性の高いかつ安価な
半導体素子用多層リードフレームを提供することであ
る。
って、その目的は、多層でない通常の多ピンリードフレ
ームを使用し、しかもリードフレームの反りの発生によ
るパッケージクラックがなくし、かつアウトガスによる
汚染を少なくすることにより、信頼性の高いかつ安価な
半導体素子用多層リードフレームを提供することであ
る。
［課題を解決するための手段］ 前述の課題を解決するため、本発明は、リードフレー
ムに、絶縁層および導電プレートをこれらの順に積層し
てなる多層リードフレームにおいて、導電プレートが平
面部とこの平面部から突設された所定数の端子部とを有
し、その平面部がリードフレームに積層した絶縁層を横
架すると共に、端子部の少なくとも一部がリードフレー
ムのインナーリードに接続固定されていることを特徴と
している。
ムに、絶縁層および導電プレートをこれらの順に積層し
てなる多層リードフレームにおいて、導電プレートが平
面部とこの平面部から突設された所定数の端子部とを有
し、その平面部がリードフレームに積層した絶縁層を横
架すると共に、端子部の少なくとも一部がリードフレー
ムのインナーリードに接続固定されていることを特徴と
している。
［作用］ このように構成された本発明の半導体素子用多層リー
ドフレームにおいては、テーピング加工によりインナー
リードに設けた絶縁層を導電プレートが跨ぐようにして
配設され、この導電プレートの端子部のみがインナーリ
ードに少なくとも１箇所において接続されるようにな
る。このため、本発明の多層リードフレームでは、導電
プレートを全面にわたって接着剤層を介して積層する従
来のリードフレームのような熱による反りが発生するこ
とはない。また、本発明では、従来の導電プレートの積
層に使用するような高価な接着剤を必要としないので、
接着剤から発生するアウトガスによる汚染が低減する。
ドフレームにおいては、テーピング加工によりインナー
リードに設けた絶縁層を導電プレートが跨ぐようにして
配設され、この導電プレートの端子部のみがインナーリ
ードに少なくとも１箇所において接続されるようにな
る。このため、本発明の多層リードフレームでは、導電
プレートを全面にわたって接着剤層を介して積層する従
来のリードフレームのような熱による反りが発生するこ
とはない。また、本発明では、従来の導電プレートの積
層に使用するような高価な接着剤を必要としないので、
接着剤から発生するアウトガスによる汚染が低減する。
更に、多層でない通常の多ピンのリードフレームを用
いることができるので、本発明の多層リードフレームは
安価なものとなる。
いることができるので、本発明の多層リードフレームは
安価なものとなる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明にかかる半導体素子用多層リードフレ
ームの一実施例を示す平面図、第２図は第１図における
II−II線に沿う断面図がある。なお、第６図および第７
図に示す従来例と対応する構成要素には同じ符号を付す
ことにより、その説明は省略する。
ームの一実施例を示す平面図、第２図は第１図における
II−II線に沿う断面図がある。なお、第６図および第７
図に示す従来例と対応する構成要素には同じ符号を付す
ことにより、その説明は省略する。
第１図に示すように、リードフレーム１は、例えば板
厚0.10〜0.25mmのCuまたはFe−Ni系合金で形成された従
来からある多層でない通常のリードフレームであり、こ
のリードフレーム１のインナーリード1aには、第７図に
示す従来のリードフレームと同様に厚さ25〜75μｍのベ
ース材4aおよび厚さ20〜30μｍの接着剤層4bで構成した
テーピング用テープ４が予め矩形状に貼着されている。
このテーピング用テープ４は、インナーリード1aの変形
を防止しているとともに絶縁層を形成している。
厚0.10〜0.25mmのCuまたはFe−Ni系合金で形成された従
来からある多層でない通常のリードフレームであり、こ
のリードフレーム１のインナーリード1aには、第７図に
示す従来のリードフレームと同様に厚さ25〜75μｍのベ
ース材4aおよび厚さ20〜30μｍの接着剤層4bで構成した
テーピング用テープ４が予め矩形状に貼着されている。
このテーピング用テープ４は、インナーリード1aの変形
を防止しているとともに絶縁層を形成している。
また、互いに独立した所定数（図示の例では12枚）の
電源プレート2,2,……がインナーリード1a上にテーピン
グ用テープ４を跨ぐようにして配設されている。第１図
および第２図に示すように、この電源プレート２は、板
厚0.05〜1.00mmのCuまたはFe−Ni系合金で形成され、テ
ーピング用テープ４を跨ぐようにして配置される平面部
2aと、この平面部2aからインナーリード1aの延設する方
向に突出する一対の端子部2b,2bとから構成されてい
る。平面部2aは比較的幅広に形成され、一対の長孔2c,2
cを有している。また、一対の端子部2b,2bはプレス加工
により平面部2aより下方に折曲されて形成され、平面部
2aと端子部2b,2bとの間に段差が設けられている。そし
て、各端子部2bは、一本のインナーリード1aにテーピン
グ用テープ４を挟む二箇所で接続固定されている。この
際の接続方法としては、電気抵抗溶接、レーザー溶接、
ろう付け、はんだ付け等のいずれの接続方法をも用いる
ことができる。電源プレート２がインナーリード1aに固
定された状態では、平面部2aは幅広に形成されていても
テーピング用テープ４を介してインナーリード1aと離隔
しているので、端子部2bに接続されたインナーリード1a
と隣接するインナーリード1aと接触することはない。
電源プレート2,2,……がインナーリード1a上にテーピン
グ用テープ４を跨ぐようにして配設されている。第１図
および第２図に示すように、この電源プレート２は、板
厚0.05〜1.00mmのCuまたはFe−Ni系合金で形成され、テ
ーピング用テープ４を跨ぐようにして配置される平面部
2aと、この平面部2aからインナーリード1aの延設する方
向に突出する一対の端子部2b,2bとから構成されてい
る。平面部2aは比較的幅広に形成され、一対の長孔2c,2
cを有している。また、一対の端子部2b,2bはプレス加工
により平面部2aより下方に折曲されて形成され、平面部
2aと端子部2b,2bとの間に段差が設けられている。そし
て、各端子部2bは、一本のインナーリード1aにテーピン
グ用テープ４を挟む二箇所で接続固定されている。この
際の接続方法としては、電気抵抗溶接、レーザー溶接、
ろう付け、はんだ付け等のいずれの接続方法をも用いる
ことができる。電源プレート２がインナーリード1aに固
定された状態では、平面部2aは幅広に形成されていても
テーピング用テープ４を介してインナーリード1aと離隔
しているので、端子部2bに接続されたインナーリード1a
と隣接するインナーリード1aと接触することはない。
このように構成された本実施例の多層リードフレーム
においては、接着剤を選定するにあたって、熱的影響等
をそれほど考慮しなくてもよいので、第６図に示すよう
な従来の両面に接着剤層3bを有する高価な積層用接着フ
ィルムまたはテープ３を用いることなく、電源プレート
２をインナーリード1aに接続できる。したがって、従来
アフターキュアー時に接着剤4bから発生するアウトガス
による汚染を防止することができる。しかも、高価な積
層用接着フィルムまたはテープ３を用いないことによ
り、コストを低減できる。特に、インナーリード1aのイ
ンダクタンスのみを改善すればよい場合には、テーピン
グ加工を施す際に使用する接着剤は、アフターキュアー
を必要としない接着剤を使用することができるので、さ
らに一層安価に多層リードフレームを形成することがで
きる。
においては、接着剤を選定するにあたって、熱的影響等
をそれほど考慮しなくてもよいので、第６図に示すよう
な従来の両面に接着剤層3bを有する高価な積層用接着フ
ィルムまたはテープ３を用いることなく、電源プレート
２をインナーリード1aに接続できる。したがって、従来
アフターキュアー時に接着剤4bから発生するアウトガス
による汚染を防止することができる。しかも、高価な積
層用接着フィルムまたはテープ３を用いないことによ
り、コストを低減できる。特に、インナーリード1aのイ
ンダクタンスのみを改善すればよい場合には、テーピン
グ加工を施す際に使用する接着剤は、アフターキュアー
を必要としない接着剤を使用することができるので、さ
らに一層安価に多層リードフレームを形成することがで
きる。
また、電源プレート２の平面部2aには、孔2cを設けて
いるので、樹脂モールド時の樹脂の流れが比較的良好な
ものとなる。したがって、樹脂モールド時のボイドの発
生を低減することができる。
いるので、樹脂モールド時の樹脂の流れが比較的良好な
ものとなる。したがって、樹脂モールド時のボイドの発
生を低減することができる。
さらに、電源プレート２は、その平面部2aより突出し
た端子部2bのみでインナーリード1aと接続されているの
で、電源プレート２が接着剤層を介して接着された従来
の積層リードフレームにおける反りを発生することはな
く、したがってリードフレームの反りによるパッケージ
クラックも発生することもない。
た端子部2bのみでインナーリード1aと接続されているの
で、電源プレート２が接着剤層を介して接着された従来
の積層リードフレームにおける反りを発生することはな
く、したがってリードフレームの反りによるパッケージ
クラックも発生することもない。
しかも、電源プレート２の一対の端子部2b,2bが一本
のインナーリード1aに絶縁層を挟む２箇所で接続される
ので、その間の電気的なインダクタンスが減少する。
のインナーリード1aに絶縁層を挟む２箇所で接続される
ので、その間の電気的なインダクタンスが減少する。
更に、それぞれの電源プレート2,2,……は互いに独立
しているので、端子部2bを希望するインナーリード1aに
接続することにより、多層でない通常の多ピンのリード
フレームでも高速の半導体素子に対応することが可能と
なる。
しているので、端子部2bを希望するインナーリード1aに
接続することにより、多層でない通常の多ピンのリード
フレームでも高速の半導体素子に対応することが可能と
なる。
第３図は本発明の他の実施例を示し、（ａ）はその部
分平面図，（ｂ）は（ａ）におけるIII B−III B線に沿
う断面図である。
分平面図，（ｂ）は（ａ）におけるIII B−III B線に沿
う断面図である。
前述の実施例では、所定数の電源プレート2,2,……が
互いに独立したものとして説明しているのに対して、第
３図に示すようにこの実施例では、第１図に示す独立し
た電源プレート２のうち、角部を境に隣接する二つの電
源プレート２が一体に連結されて形成され、互いに従属
したものとなっている。したがって、電源プレート２の
平面部2aからは二対の端子部2bが設けられている。
互いに独立したものとして説明しているのに対して、第
３図に示すようにこの実施例では、第１図に示す独立し
た電源プレート２のうち、角部を境に隣接する二つの電
源プレート２が一体に連結されて形成され、互いに従属
したものとなっている。したがって、電源プレート２の
平面部2aからは二対の端子部2bが設けられている。
なお、この実施例の多層リードフレームの他の構成お
よび作用効果は、前述の実施例のリードフレームと同じ
であるので、その説明は省略する（以下、他の実施例に
おいても同様である）。また、前述の実施例の所定数の
電源プレート２をすべて一体に連結して形成することも
できることはいうまでもない。
よび作用効果は、前述の実施例のリードフレームと同じ
であるので、その説明は省略する（以下、他の実施例に
おいても同様である）。また、前述の実施例の所定数の
電源プレート２をすべて一体に連結して形成することも
できることはいうまでもない。
第４図は、本発明の更に他の実施例を示す第３図と同
様の図である。
様の図である。
第３図に示す実施例では、テーピング用テープ４から
なる絶縁層を挟んで突設された端子部2b,2b,……がすべ
てインナーリード1aに接合されるものとなっているのに
対して、第４図に示すようにこの実施例では、インナー
リード1aの先端側に位置する端子部2bは、絶縁層である
テーピング用テープ４に接合されている。その場合、テ
ーピング用テープ４は両面に接着剤層が設けられた両面
テープで形成することもできるし、接着剤層単体で形成
することもできる。また、反対側の端子部2bは、前述の
各実施例と同様にインナーリード1aに接合されている。
なる絶縁層を挟んで突設された端子部2b,2b,……がすべ
てインナーリード1aに接合されるものとなっているのに
対して、第４図に示すようにこの実施例では、インナー
リード1aの先端側に位置する端子部2bは、絶縁層である
テーピング用テープ４に接合されている。その場合、テ
ーピング用テープ４は両面に接着剤層が設けられた両面
テープで形成することもできるし、接着剤層単体で形成
することもできる。また、反対側の端子部2bは、前述の
各実施例と同様にインナーリード1aに接合されている。
このように構成すれば、インナーリード1aの微細化が
進展してインナーリード1aが非常に細くなり、溶接が困
難になってきたとき、インナーリード1aと電源プレート
２とを、および電源プレート２と登録する半導体素子と
をそれぞれワイヤーボンディングにて接続することによ
り、ワイヤーボンディングを比較的簡単に行うことがで
きるようになる。
進展してインナーリード1aが非常に細くなり、溶接が困
難になってきたとき、インナーリード1aと電源プレート
２とを、および電源プレート２と登録する半導体素子と
をそれぞれワイヤーボンディングにて接続することによ
り、ワイヤーボンディングを比較的簡単に行うことがで
きるようになる。
第５図は、本発明の更に他の実施例を示す、第３図
（ａ）と同様の図である。
（ａ）と同様の図である。
前述の実施例では、いずれもすべてのインナーリード
1aの幅ｗが一定の太さであるのに対して、第５図に示す
ようにこの実施例では、電源プレート２の端子部2bが接
合されるインナーリード1a′幅ｗ′が他のインナーリー
ド1a幅ｗよりも太く形成されている。これにより、端子
部2bの幅を大きくできるので、電源プレート２は確実に
かつ安定にインナーリード1aに接合することができるよ
うになる。
1aの幅ｗが一定の太さであるのに対して、第５図に示す
ようにこの実施例では、電源プレート２の端子部2bが接
合されるインナーリード1a′幅ｗ′が他のインナーリー
ド1a幅ｗよりも太く形成されている。これにより、端子
部2bの幅を大きくできるので、電源プレート２は確実に
かつ安定にインナーリード1aに接合することができるよ
うになる。
なお、前述のそれぞれの実施例では、いずれも電源プ
レート２をリードフレーム１に積層するために本発明を
適用した場合について説明しているが、本発明は接地プ
レート等の他の導電性プレートをリードフレームに積層
する場合にも適用できることはいうまでもない。
レート２をリードフレーム１に積層するために本発明を
適用した場合について説明しているが、本発明は接地プ
レート等の他の導電性プレートをリードフレームに積層
する場合にも適用できることはいうまでもない。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る半導体
素子用多層リードフレームによれば、導電プレートを端
子部のみで接合しているので、リードフレームの反りの
発生が低減する。したがって、リードフレームの反りに
よるパッケージクラックが確実に防止できる。また、従
来のような高価な接着剤を必要としないばかりでなく、
接着剤部分が少ないので、接着剤から発生するアウトガ
スによる汚染を低減することができる。これにより、多
層リードフレームの信頼性が向上する。
素子用多層リードフレームによれば、導電プレートを端
子部のみで接合しているので、リードフレームの反りの
発生が低減する。したがって、リードフレームの反りに
よるパッケージクラックが確実に防止できる。また、従
来のような高価な接着剤を必要としないばかりでなく、
接着剤部分が少ないので、接着剤から発生するアウトガ
スによる汚染を低減することができる。これにより、多
層リードフレームの信頼性が向上する。
更に、通常の多ピンのリードフレームを用いることが
できるので、多層リードフレームを安価に形成すること
ができる。
できるので、多層リードフレームを安価に形成すること
ができる。
第１図は本発明にかかる半導体素子用多層リードフレー
ムの一実施例を示す平面図、第２図は第１図におけるII
−II線に沿う断面図、第３図は本発明の他の実施例を示
し、（ａ）はその部分平面図、（ｂ）は（ａ）のIII B
−III B線に沿う断面図、第４図は本発明の更に他の実
施例を示し、（ａ）はその部分平面図、（ｂ）は（ａ）
のIV B−IV B線に沿う断面図、第５図は本発明の更に他
の実施例を示す部分平面図、第６図は従来の多層リード
フレームの断面図、第７図はテーピング加工を説明する
図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のVII
B−VII B線に沿う断面図である。 １……リードフレーム、1a……インナーリード、２……
電源プレート、2a……平面部、2b……端子部、４……テ
ーピング用テープ、4a……ベース材、4b……接着剤層
ムの一実施例を示す平面図、第２図は第１図におけるII
−II線に沿う断面図、第３図は本発明の他の実施例を示
し、（ａ）はその部分平面図、（ｂ）は（ａ）のIII B
−III B線に沿う断面図、第４図は本発明の更に他の実
施例を示し、（ａ）はその部分平面図、（ｂ）は（ａ）
のIV B−IV B線に沿う断面図、第５図は本発明の更に他
の実施例を示す部分平面図、第６図は従来の多層リード
フレームの断面図、第７図はテーピング加工を説明する
図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のVII
B−VII B線に沿う断面図である。 １……リードフレーム、1a……インナーリード、２……
電源プレート、2a……平面部、2b……端子部、４……テ
ーピング用テープ、4a……ベース材、4b……接着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 雄二 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所半導体設計開発セン タ内 (72)発明者 沖永 隆幸 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイエンジニアリン グ株式会社内 (72)発明者 江俣 孝司 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイエンジニアリン グ株式会社内 (72)発明者 堀内 整 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイエンジニアリン グ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (5)
- 【請求項１】リードフレームに、絶縁層および導電プレ
ートをこれらの順に積層してなる多層リードフレームに
おいて、 導電プレートは平面部とこの平面部から突設された所定
数の端子部とを有し、その平面部がリードフレームに積
層した絶縁層を横架すると共に、端子部の少なくとも一
部がリードフレームのインナーリードに接続固定されて
いることを特徴とする半導体素子用多層リードフレー
ム。 - 【請求項２】導電プレートは所定数互いに独立して設け
られていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子
用多層リードフレーム。 - 【請求項３】導電プレートはリードフレームの一本のイ
ンナーリードに絶縁層を挟んで相対する二箇所の平面部
より突出する端子部を有し、これら端子部をインナーリ
ードと接続固定したことを特徴とする請求項１または２
記載の半導体素子用多層リードフレーム。 - 【請求項４】導電プレートの端子部が接合されるインナ
ーリードの太さが他のインナーリードの太さよりも大き
く設定されていることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれか１記載の半導体素子用多層リードフレーム。。 - 【請求項５】前記導電プレートは電源プレートであるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１記載の半
導体素子用多層リードフレーム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25609290A JP2942790B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体素子用多層リードフレーム |
| US07/765,146 US5250839A (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Multi-layer leadframes, electrically conductive plates used therefor and production of such conductive plates |
| KR1019910016702A KR920007161A (ko) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | 다층 리드프레임(lead frame), 이 다층 리드프레임에 사용되는 도전판 및 이 도전판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25609290A JP2942790B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体素子用多層リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133458A JPH04133458A (ja) | 1992-05-07 |
| JP2942790B2 true JP2942790B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17287783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25609290A Expired - Lifetime JP2942790B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体素子用多層リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942790B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139458A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP4250387B2 (ja) | 2002-08-20 | 2009-04-08 | 長野計器株式会社 | 変換器およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25609290A patent/JP2942790B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04133458A (ja) | 1992-05-07 |
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