JP2884597B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2884597B2 JP2884597B2 JP12750389A JP12750389A JP2884597B2 JP 2884597 B2 JP2884597 B2 JP 2884597B2 JP 12750389 A JP12750389 A JP 12750389A JP 12750389 A JP12750389 A JP 12750389A JP 2884597 B2 JP2884597 B2 JP 2884597B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wafer
- semiconductor device
- semiconductor wafer
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体ウ
ェハ上への金属膜の堆積方法に関する。
ェハ上への金属膜の堆積方法に関する。
半導体ICの製造工程中に半導体ウェハに被着せしめた
薄膜の剥離によって生じる塵埃は素子の歩留りや信頼性
に大きな影響を与えるため、その低減が強く要求され
る。
薄膜の剥離によって生じる塵埃は素子の歩留りや信頼性
に大きな影響を与えるため、その低減が強く要求され
る。
半導体ICのソース／ドレイン電極を形成するために、
タングステン（Ｗ）膜の選択成長法が従来から用いられ
ている。これはSiウェハ上のSiO2膜にコンタクト穴を開
口しこの上に気相成長法によりＷ膜を成長させるもので
あり、Ｗ膜はSiO2膜上には成長せず該コンタクト穴内の
露出されたSi表面にのみ選択成長させることができる。
タングステン（Ｗ）膜の選択成長法が従来から用いられ
ている。これはSiウェハ上のSiO2膜にコンタクト穴を開
口しこの上に気相成長法によりＷ膜を成長させるもので
あり、Ｗ膜はSiO2膜上には成長せず該コンタクト穴内の
露出されたSi表面にのみ選択成長させることができる。
このようにしてＷ膜を選択成長させたSiウェハに対し
て次の処理を行うためには、該Siウェハを何らかの手段
で機械的に支持・固定して搬送する必要がある。たとえ
ば第２図に示すように、バスケット12に入れて搬送する
場合にはバスケット12内のツメ状支持具13でSiウェハ11
の周辺部を支持・固定する。そのためSiウェハ11の周辺
部に被着されているSiO2膜が機械的な摩擦を受けて剥離
し、Ｗ膜の選択成長領域に再付着して素子の歩留り低下
をまねくことになる。従って通常はSiウェハ上のSiO2膜
にコンタクト穴を開口するための選択エッチングを行う
際、Siウェハ周辺部のSiO2膜も同時にエッチング・除去
する。その結果、Ｗ膜を選択成長させる際にはSiウェハ
周辺部にもＷ膜が成長することになるが、これは後の工
程で選択的にエッチング・除去していた。
て次の処理を行うためには、該Siウェハを何らかの手段
で機械的に支持・固定して搬送する必要がある。たとえ
ば第２図に示すように、バスケット12に入れて搬送する
場合にはバスケット12内のツメ状支持具13でSiウェハ11
の周辺部を支持・固定する。そのためSiウェハ11の周辺
部に被着されているSiO2膜が機械的な摩擦を受けて剥離
し、Ｗ膜の選択成長領域に再付着して素子の歩留り低下
をまねくことになる。従って通常はSiウェハ上のSiO2膜
にコンタクト穴を開口するための選択エッチングを行う
際、Siウェハ周辺部のSiO2膜も同時にエッチング・除去
する。その結果、Ｗ膜を選択成長させる際にはSiウェハ
周辺部にもＷ膜が成長することになるが、これは後の工
程で選択的にエッチング・除去していた。
Ｗ膜の選択成長法を用いた場合にはソース／ドレイン
電極形成の際のＷ膜の選択エッチング工程を省略するこ
とができ、従って工数の削減による製造コストの低下が
可能である。しかし塵埃の発生を防ごうとする場合に
は、前述したようにSiウェハ周辺部に被着されたＷ膜を
エッチング・除去する工程が必要となり、上記のＷ膜の
選択成長法の利点が生かせなくなるという問題が生じ
る。
電極形成の際のＷ膜の選択エッチング工程を省略するこ
とができ、従って工数の削減による製造コストの低下が
可能である。しかし塵埃の発生を防ごうとする場合に
は、前述したようにSiウェハ周辺部に被着されたＷ膜を
エッチング・除去する工程が必要となり、上記のＷ膜の
選択成長法の利点が生かせなくなるという問題が生じ
る。
そこで本発明は、ウェハ周辺部への薄膜の被着を予め
防止することによって、発塵の防止、製造コストの低減
を図ることを目的とする。
防止することによって、発塵の防止、製造コストの低減
を図ることを目的とする。
上記課題の解決は、半導体ウェハ上に六弗化タングス
テンを含むガスを用いて熱気相成長法によりタングステ
ン膜を成長させるに際して、該半導体ウェハ周辺部を石
英板で密着して覆うことによって該半導体ウェハ周辺部
にタングステン膜が堆積することを阻止するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成さ
れる。
テンを含むガスを用いて熱気相成長法によりタングステ
ン膜を成長させるに際して、該半導体ウェハ周辺部を石
英板で密着して覆うことによって該半導体ウェハ周辺部
にタングステン膜が堆積することを阻止するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成さ
れる。
Ｗ膜はコンタクト穴にのみ選択的に成長し、石英板で
密着して覆われた半導体ウェハ周辺部には成長しないた
め、成長後にＷ膜の選択エッチングを行う必要がなく、
かつ搬送時においても半導体ウェハ周辺のＷ膜の剥離に
よる塵埃が発生することがない。また、石英板はSiO2で
構成されているためこの上にＷ膜は成長せず、塵埃の発
生源となることもない。
密着して覆われた半導体ウェハ周辺部には成長しないた
め、成長後にＷ膜の選択エッチングを行う必要がなく、
かつ搬送時においても半導体ウェハ周辺のＷ膜の剥離に
よる塵埃が発生することがない。また、石英板はSiO2で
構成されているためこの上にＷ膜は成長せず、塵埃の発
生源となることもない。
第１図は、気相成長装置を用いてSiウェハ上にＷ膜を
成長させる際に本発明に係る方法を適用した例を示す図
である。
成長させる際に本発明に係る方法を適用した例を示す図
である。
同図において、１はSiウェハ、２はリング状石英板、
３は支持具、４はウェハ支持台、５は気相成長装置、６
はヒーター、７はガス導入口、８はガス排気口である。
まず、SiO2膜が全面に形成されたSiウェハ１上におい
て、電極形成のためのコンタクト領域及び該Siウェハ１
の周辺部領域のSiO2膜を選択エッチング・除去する。次
に該Siウェハ１を気相成長装置５にセットする。このと
き、同図に示すようにSiO2膜の除去されたSiウェハの周
辺部を石英板２により密着して覆い、該石英板２を支持
具３によってウェハ支持台４に固定する。その後、気相
成長装置５内の圧力を10mTorr、Siウェハ温度を300℃と
し、六弗化タングステンガス（WF6）を15SCCM、水素ガ
スを50SCCM流してＷ膜を選択成長させる。以上の方法に
よって石英板２及び石英板２で覆われたSiウェハ周辺部
にはＷ膜は成長しない。そのため後工程においてＷ膜の
エッチングは必要でなくまた塵埃も発生しない。
３は支持具、４はウェハ支持台、５は気相成長装置、６
はヒーター、７はガス導入口、８はガス排気口である。
まず、SiO2膜が全面に形成されたSiウェハ１上におい
て、電極形成のためのコンタクト領域及び該Siウェハ１
の周辺部領域のSiO2膜を選択エッチング・除去する。次
に該Siウェハ１を気相成長装置５にセットする。このと
き、同図に示すようにSiO2膜の除去されたSiウェハの周
辺部を石英板２により密着して覆い、該石英板２を支持
具３によってウェハ支持台４に固定する。その後、気相
成長装置５内の圧力を10mTorr、Siウェハ温度を300℃と
し、六弗化タングステンガス（WF6）を15SCCM、水素ガ
スを50SCCM流してＷ膜を選択成長させる。以上の方法に
よって石英板２及び石英板２で覆われたSiウェハ周辺部
にはＷ膜は成長しない。そのため後工程においてＷ膜の
エッチングは必要でなくまた塵埃も発生しない。
以上のように本発明によれば、塵埃を発生させること
なく金属膜の気相成長を行わせることができるため、半
導体ICの製造コストの低減、歩留りの向上に有益であ
る。
なく金属膜の気相成長を行わせることができるため、半
導体ICの製造コストの低減、歩留りの向上に有益であ
る。
第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は従来例の問題点を示す図、 である。 図において、 １、11はSiウェハ、 ２はリング状石英板、 ３は支持具、 ４はウェハ支持台、 ５は気相成長装置、 ６はヒーター、 ７はガス導入口、 ８はガス排気口、 12はバスケット、 13はツメ状支持具、 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/469 H01L 21/86
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハ上に六弗化タングステンを含
むガスを用いて熱気相成長法によりタングステン膜を成
長させるに際して、該半導体ウェハ周辺部を石英板で密
着して覆うことによって該半導体ウェハ周辺部にタング
ステン膜が堆積することを阻止するようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750389A JP2884597B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750389A JP2884597B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306625A JPH02306625A (ja) | 1990-12-20 |
| JP2884597B2 true JP2884597B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=14961591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12750389A Expired - Lifetime JP2884597B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884597B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114959911A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-30 | 深圳市深汕特别合作区应达利电子科技有限公司 | 一种石英晶片的加工方法及由该方法制备的石英晶片 |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP12750389A patent/JP2884597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02306625A (ja) | 1990-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0211012B2 (ja) | ||
| US5413669A (en) | Metal CVD process with post-deposition removal of alloy produced by CVD process | |
| JP2884597B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2768304B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2513900B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0745536A (ja) | タングステンｃｖｄ装置 | |
| JPH04354118A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS617622A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07297151A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20040224501A1 (en) | Manufacturing method for making tungsten-plug in an intergrated circuit device without volcano phenomena | |
| JPH04345022A (ja) | ブランケットメタルｃｖｄ装置 | |
| JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
| JP2926755B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びｃｖｄ装置 | |
| JPH05109702A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3157280B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2771636B2 (ja) | 選択的エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0629241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3223533B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2707648B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786182A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1022379A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3123494B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06275536A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JP3718261B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH08227994A (ja) | 半導体装置の製造方法 |