JP2867196B2

JP2867196B2 - セラミックインダクタ部品および複合積層部品

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Publication number: JP2867196B2
Application number: JP4086433A
Authority: JP
Inventors: 博桃井; 敦之中野; 武史野村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1992-03-10
Filing date: 1992-03-10
Publication date: 1999-03-08
Anticipated expiration: 2014-03-08
Also published as: JPH05258937A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、セラミックインダクタ
部品およびＬＣ複合部品等の複合積層部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックＬＣ複合部品は、セラミ
ック誘電体層と内部電極層とを積層して構成されるコン
デンサチップ体と、セラミック磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタチップ体とを一体的に形成
したものである。

【０００３】このような複合積層部品は、体積が小さい
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。

【０００４】これらの部品、例えばＬＣ複合部品は、通
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトが一般
に用いられている。

【０００５】しかし、セラミックインダクの磁性材料と
して、Ｎｉ−Ｃｕ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェラ
イトを用いる場合、その原料としての酸化ニッケルや酸
化鉄の種類、すなわちそれらが高純度であるか否かなど
により、インダクタンスＬやＱが大いに影響されること
が判明した。

【０００６】本発明者らはこのような現象につき検討を
行なったところ、フェライト原料中のＳおよびＣｌの含
有量に応じて、焼結の際、導電体層中のＡｇのフェライ
ト中への拡散が不十分となったり、あるいは過剰となっ
たりし、これによりインダクタンスＬやＱが低下するこ
とを突き止めた。

【０００７】酸化鉄を製造するに当たり今日主に採られ
ているルスナー法等の酸化鉄の製造方法は、塩化鉄にお
ける塩酸酸洗を出発原料とし、熱分解によってα−Ｆｅ
₂ Ｏ₃ を得る方法であるため、必然的に微量のＣｌが酸
化鉄原料中に含まれることになり、また、鉄鋼の硫酸酸
洗廃液から結晶化した硫酸鉄やイルメナイト鉱石から酸
化チタンを製造する際に、副生する硫酸鉄を熱分解して
α−Ｆｅ₂ Ｏ₃ を得る方法では、必然的に微量のＳが酸
化鉄原料中に含まれることとなって、インダクタンスＬ
やＱに大きな影響を及ぼすことになる。また、原料とし
ての酸化ニッケル中にも微量のＳが含まれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミックインダクタ部品におけるフェライト中のＳおよび
Ｃｌの含有量を所定範囲内に設定して、焼結の際におけ
る導電体層中のＡｇのフェライト中への拡散を制御し、
インダクタンスＬおよびＱを高い値に保持することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明によって達成される。（１）セラミック磁性層と内部導体とを積層して構成
されるインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品
であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、前記内
部導体がＡｇを主体とする導電材を含有し、前記セラミ
ック磁性層中のＳ成分の含有量がＳ換算で５〜１５０pp
m で、かつＣｌ成分の含有量がＣｌ換算で１０〜３００
ppm であることを特徴とするセラミックインダクタ部
品。

【００１０】（２）セラミック磁性層と内部導体とを
積層して構成されるインダクタ部を有するセラミックイ
ンダクタ部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−
Ｃｕ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを含
有し、前記内部導体がＡｇを主体とする導電材を含有
し、原料段階におけるフェライト粉中のＳ成分の含有量
がＳ換算で１０〜５００ppm で、かつＣｌ成分の含有量
がＣｌ換算で１０〜６００ppm であることを特徴とする
セラミックインダクタ部品。

【００１１】（３）セラミック磁性層と内部導体とを
積層して構成されるインダクタ部を少なくとも有する複
合積層部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃ
ｕ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有
し、前記内部導体がＡｇを主体とする導電材を含有し、
前記セラミック磁性層中のＳ成分の含有量が５〜１５０
ppm で、かつＣｌ成分の含有量がＣｌ換算で１０〜３０
０ppm であることを特徴とする複合積層部品。

【００１２】（４）セラミック磁性層と内部導体とを
積層して構成されるインダクタ部を少なくとも有する複
合積層部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃ
ｕ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有
し、前記内部導体がＡｇを主体とする導電材を含有し、
原料段階におけるフェライト粉中のＳ成分の含有量がＳ
換算で１０〜５００ppm で、かつＣｌ成分の含有量がＣ
ｌ換算で１０〜６００ppm であることを特徴とする複合
積層部品。

【００１３】

【作用】本発明のセラミックインダクタ部品は、フェラ
イトである磁性層中のＳ成分の含有量がＳ換算で５〜１
５０ppm 、好ましくは６〜１３０ppm で、かつＣｌ成分
の含有量がＣｌ換算で１０〜３００ppm 、好ましくは１
５〜２８０ppm 、あるいは原料となるフェライト成分中
のＳの含有量が１０〜５００ppm 、好ましくは２０〜４
８０ppm で、かつＣｌの含有量が１０〜６００ppm 、好
ましくは２０〜５８０ppm であることを必要とするが、
この理由は、ＳまたはＣｌ成分の含有量がこれらの範囲
を超えている場合には、内部導体中のＡｇの拡散が増大
し、インダクタンスＬおよびＱの顕著な低下を来たすこ
とになるからである。一方、ＳまたはＣｌ成分の含有量
がこれらの範囲未満でもインダクタンスＬおよびＱの低
下を招くこととなり、好ましくない。なお、Ｓ成分は、
Ｓ、Ｓ化合物、あるいはＳＯ₄ イオン等であり、またＣ
ｌ成分は、ＦｅＣｌ₃ 、ＦｅＣｌ₂ 、ＮｉＣｌ₂ 等のＣ
ｌ等である。また、原料手段の含有量とは、フェライト
原料粉末のＳ成分およびＣｌ成分の含有量の総計であ
る。このようなセラミックインダクタ部品を少なくとも
有する複合積層部品は、優れた性能を有し、電子部品と
して多くの用途を有し得るものである。なお、磁性層中
のＳは、磁性層を分離し、これを粉砕したのち、これを
酸化燃焼させ、変換されたＳＯ₂ を赤外線検出器で分析
すればよい。またＣｌは、粉砕後の試料を水中にて超音
波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラ
フにて測定すればよい。

【００１４】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１５】本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層セラミックＬＣ複合部品を図１に示す。

【００１６】図１に示される本発明の一例ＬＣ複合部品
１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積
層して構成されるコンデンサチップ体２と、セラミック
磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。

【００１７】インダクタチップ体３のセラミック磁性層
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトまた
はＮｉ−Ｚｎフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イトを用いる。

【００１８】本発明で用いるＮｉ−Ｚｎフェライトに特
に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択す
ればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、１０〜２５モ
ル％、ＺｎＯの含有量は、１５〜４０モル％であること
が好ましい。

【００１９】また、本発明で用いるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトに特に制限はなく、目的に応じて種々の組成の
ものを選択すればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、
１５〜２５モル％、ＣｕＯの含有量は、５〜１５モル
％、ＺｎＯの含有量は、２０〜３０モル％であることが
好ましい。

【００２０】また、この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt
% 程度以下含有されていてもよい。さらにＣａ、Ｓｉ、
Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよ
い。

【００２１】また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いる場
合、通常、さらにホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含
有されてもよい。

【００２２】本発明において、内部導体３５を構成する
導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。

【００２３】ＬＣ複合部品１のインダクタチップ体３
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、
５１に接続されている。

【００２４】このような場合、内部導体３５の巻線パタ
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよ
い。また、インダクタチップ体３の各部寸法等には制限
はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。

【００２５】なお、内部導体３５の厚さは、通常５〜３
０μm 程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μm 程度、
巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。ま
た、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μm 程
度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１０
０μm 程度とする。

【００２６】コンデンサチップ体２のセラミック誘電体
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。

【００２７】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ₃ Ｏ₄、Ａｌ₂ Ｏ₃、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ₂ 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ₂ 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ
₃、ＣａＴｉＯ₃ 、ＭｇＴｉＯ₃やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ₃ 、Ｓｒ
ＺｒＯ₃ 、ＣａＺｒＯ₃ 、ＭｇＺｒＯ₃ やこれらの混合
物等が挙げられる。

【００２８】本発明において、内部電極層２５を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。

【００２９】ＬＣ複合部品１のコンデンサチップ体２
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。

【００３０】コンデンサチップ体２の各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。

【００３１】なお、誘電体層２１の積層数は目的に応じ
て定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、
誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０
μm程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さ
は、通常５〜３０μm 程度である。

【００３２】本発明のＬＣ複合部品１の外部電極５１を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこ
れらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適であ
る。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常１００〜２５００μm 程度である。

【００３３】本発明のＬＣ複合部品１の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常（１．６〜１０．０mm）×（０．８〜１５．０
mm）×（１．０〜５．０mm）程度である。

【００３４】本発明の複合積層部品は、前述したＬＣ複
合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部
に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であ
ってもよい。

【００３５】本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。

【００３６】セラミック磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。

【００３７】まず、Ｓ成分およびＣｌ成分の含有量が本
発明の範囲に設定されたフェライトの原料粉末、例えば
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 等の各種粉末を、
所定量ボールミル等により湿式混合する。用いる原料粉
末の粒径は０．１〜１０μm程度とする。また、原料粉
末のＳおよびＣｌは、前記の化学分析によって容易に測
定することができる。

【００３８】こうして湿式混合したものを、通常スプレ
ードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。これを通
常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５μm 程度
の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーによ
り乾燥する。

【００３９】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。

【００４０】なお、磁性層用ペースト中には、必要に応
じて各種ガラスや酸化物を含有させることができる。

【００４１】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなセラミック誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。

【００４２】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。

【００４３】またこれらは焼成により酸化物になる化合
物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機
金属化合物等を用いてもよい。

【００４４】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．１〜５μm 程度のものが用いられる。

【００４５】また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。

【００４６】また、焼結助剤等として、必要に応じて各
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。

【００４７】また、混合材料を用いない場合、例えば非
磁性Ｚｎフェライト等を用いる場合にも前記と同様にし
てペーストを作製すればよい。

【００４８】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。

【００４９】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。

【００５０】ＬＣ複合部品１を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。

【００５１】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。

【００５２】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。

【００５３】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。

【００５４】焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすること
が好ましい。焼成は、ＰＯ₂ ＝１〜１００％で行なう。

【００５５】また、外部電極焼き付けのための焼成温度
は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０
分〜３時間程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。

【００５６】本発明では、焼成時および焼成後、大気よ
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。

【００５７】酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことに
よって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ₂ Ｏ、Ｚｎ₂ Ｏ等の
抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物を
ＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で
析出させることができる。このため部品の回路抵抗がよ
り一層向上する。

【００５８】また、前記熱処理は、最後の焼成時および
最後の焼成後に行なうことが好ましい。

【００５９】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。

【００６０】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、２０〜１
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。

【００６１】前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ₂
Ｏ、Ｚｎ₂ Ｏ等の析出を抑制する能力が低下する。

【００６２】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、
特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、
特に１〜１．５時間とすることが好ましい。

【００６３】なお、ＬＣ複合部品以外の複合積層部品の
場合も前記のとおり作製すればよい。

【００６４】このようにして製造されたＬＣ複合部品等
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。

【００６５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００６６】下記の各ペーストを調製した。（磁性体層用ペースト）粒径０．１〜３．０μm 程度の
ＮｉＯ（１７モル％）、ＣｕＯ（９モル％）、ＺｎＯ
（２５モル％）およびＦｅ₂ Ｏ₃ （４９モル％）の粉体
を用い、これらをボールミルを用いて湿式混合し、つい
で、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥
し、７５０℃にて仮焼し、顆粒として、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径０．１μm のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末
とした。次いで、この原料粉末１００重量部に対し、エ
チルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７
８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペーストとし
た。

【００６７】（内部導体用ペースト）平均粒径０．８μ
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。

【００６８】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表１および表２に示すようなＳおよびＣｌの含有
量の異なる種々の積層積層型チップインダクタを製造し
た。

【００６９】この場合、焼成温度は８９０℃、焼成時間
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。

【００７０】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、４．５mm×３．２mm×１．１mmであった。また、巻
数は９．５ターンとした。

【００７１】また、試験用に上記とフェライト原料粉末
を使用して、同様の焼成条件にてトロイダルコアを製造
した。このトロイダルコアの外径は１１．１mm、内径は
５．１mm、厚みは２．４mm、巻数は２０ターン、線径は
０．３５mmとした。

【００７２】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数１ＭＨｚ、測定電流
０．１mA（チップインダクタ９および１．０mA（トロイ
ダルコア）の条件にてインダクタンスＬ（μＨ）および
Ｑを求めた。得られた結果を表１および表２に併記す
る。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【表２】

【００７５】表１および表２に示す結果から、Ａｇ導体
存在下でのＳ成分量およびＣｌ成分量を規制する本発明
の効果が明らかである。

【００７６】なお、表１に示す実施例の各特性値は、原
料中のＣｌ成分の含有量が１２０ppm でＣｌ成分の含有
量が本発明の範囲内の８５ppm であり、同様に表２に示
す実施例の各特性値は、原料中のＳ成分の含有量が２０
２ppm でＳ成分の含有量が本発明の範囲内の２２ppm で
あった。また、磁性体層中のＳおよびＣｌ成分の含有量
は前記の方法によって測定した。

【００７７】

【発明の効果】本発明のセラミックインダクタ部品は、
フェライト中のＳおよびＣｌ成分の含有量を所定範囲内
に設定したことにより、導電体層中のＡｇのフェライト
中への拡散が制御され、インダクタンスＬおよびＱが高
い値に保持される。従って、このようなセラミックイン
ダクタ部品を少なくとも有する複合積層部品はその性能
に優れ、各種電子機器に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ
複合部品が示される断面図である。

【符号の説明】

１ＬＣ複合部品２コンデンサチップ体２１セラミック誘電体層２５内部電極３インダクタチップ体３１セラミック磁性層３５内部導体５１外部電極

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を有するセラミックインダク
タ部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、前記内部導体がＡ
ｇを主体とする導電材を含有し、前記セラミック磁性層
中のＳ成分の含有量がＳ換算で５〜１５０ppm で、かつ
Ｃｌ成分の含有量がＣｌ換算で１０〜３００ppm である
ことを特徴とするセラミックインダクタ部品。
【請求項２】セラミック磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を有するセラミックインダク
タ部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、前記内部導体がＡ
ｇを主体とする導電材を含有し、原料段階におけるフェ
ライト成分のＳ成分の含有量がＳ換算で１０〜５００pp
m で、かつＣｌ成分の含有量がＣｌ換算で１０〜６００
ppm であることを特徴とするセラミックインダクタ部
品。
【請求項３】セラミック磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を少なくとも有する複合積層
部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、前記内部導体がＡ
ｇを主体とする導電材を含有し、前記セラミック磁性層
中のＳ成分の含有量が５〜１５０ppm で、かつＣｌ成分
の含有量がＣｌ換算で１０〜３００ppm であることを特
徴とする複合積層部品。
【請求項４】セラミック磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を少なくとも有する複合積層
部品であって、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、前記内部導体がＡ
ｇを主体とする導電材を含有し、原料段階におけるフェ
ライト成分中のＳ成分の含有量がＳ換算で１０〜５００
ppm で、かつＣｌ成分の含有量がＣｌ換算で１０〜６０
０ppm であることを特徴とする複合積層部品。