JP2000164418A - 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 - Google Patents
磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高い透磁率をもつ磁性フェライト材料と磁
心、及び高いインダクタンスや高い吸収特性をもつ積層
型チップフェライト部品と複合積層型部品を提供する。 【解決手段】 原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望
の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯ
およびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料とし
て、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２
モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２
８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含
有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜
５．０の範囲内にあるものとし、積層チップフェライト
部品は磁性フェライト層と内部電極とが多層積層された
ものとし、また、複合積層型部品は、フェライト磁性層
と内部電極とが積層されたチップフェライト部を有する
ものとし、さらに、磁心は磁性フェライト材料で構成し
た。
心、及び高いインダクタンスや高い吸収特性をもつ積層
型チップフェライト部品と複合積層型部品を提供する。 【解決手段】 原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望
の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯ
およびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料とし
て、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２
モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２
８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含
有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜
５．０の範囲内にあるものとし、積層チップフェライト
部品は磁性フェライト層と内部電極とが多層積層された
ものとし、また、複合積層型部品は、フェライト磁性層
と内部電極とが積層されたチップフェライト部を有する
ものとし、さらに、磁心は磁性フェライト材料で構成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性フェライト材
料と、この磁性フェライト材料を磁性材料として用いる
積層型チップフェライト部品や複合積層型部品等の積層
型フェライト部品および磁心に関する。
料と、この磁性フェライト材料を磁性材料として用いる
積層型チップフェライト部品や複合積層型部品等の積層
型フェライト部品および磁心に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層型チップインダクタや積層型チップ
ビーズ等の積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合フィ
ルタ等の複合積層型部品は、体積が小さいこと、堅牢性
および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用
されている。このような積層型フェライト部品は、通
常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートやペース
ト、および、内部電極用のペーストを厚膜積層技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた燒結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼成して
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性フェラ
イト材料は、内部電極用材料の融点以下での低温焼成が
可能であるという点から、ＮｉＣｕＺｎフェライトやＮ
ｉＺｎフェライトが一般に用いられている。
ビーズ等の積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合フィ
ルタ等の複合積層型部品は、体積が小さいこと、堅牢性
および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用
されている。このような積層型フェライト部品は、通
常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートやペース
ト、および、内部電極用のペーストを厚膜積層技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた燒結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼成して
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性フェラ
イト材料は、内部電極用材料の融点以下での低温焼成が
可能であるという点から、ＮｉＣｕＺｎフェライトやＮ
ｉＺｎフェライトが一般に用いられている。
【０００３】一方、近年のデジタル回路および機器、さ
らに情報通信分野および高周波分野の急速な展開の中、
上記の積層型フェライト部品にも従来以上の電気特性、
例えば、積層チップインダクタの場合は、より高いイン
ダクタンスＬが求められ、積層チップビーズの場合は、
より高い吸収特性等が求められている。また、各種フェ
ライトコアの場合、その磁心であるフェライトに高透磁
率が求められている。
らに情報通信分野および高周波分野の急速な展開の中、
上記の積層型フェライト部品にも従来以上の電気特性、
例えば、積層チップインダクタの場合は、より高いイン
ダクタンスＬが求められ、積層チップビーズの場合は、
より高い吸収特性等が求められている。また、各種フェ
ライトコアの場合、その磁心であるフェライトに高透磁
率が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層型
フェライト部品に用いられるＮｉＣｕＺｎフェライト
は、Ａｇ内部電極と同時焼成されるので、その組成や焼
成温度（Ａｇの融点（９６０℃）以下）、および、添加
物の種類や含有量等に制限があり、所望の電磁気特性を
得る手段の自由度が低く、透磁率も最高で１０００程度
であり、上述の高特性に対する要請を十分に満足できる
ものではなかった。
フェライト部品に用いられるＮｉＣｕＺｎフェライト
は、Ａｇ内部電極と同時焼成されるので、その組成や焼
成温度（Ａｇの融点（９６０℃）以下）、および、添加
物の種類や含有量等に制限があり、所望の電磁気特性を
得る手段の自由度が低く、透磁率も最高で１０００程度
であり、上述の高特性に対する要請を十分に満足できる
ものではなかった。
【０００５】このような問題を解消するために、本発明
者らはＮｉＣｕＺｎフェライト材料やＮｉＺｎフェライ
ト材料中のＳ成分量とＣｌ成分量とを規定することによ
りインダクタンスＬや品質係数Ｑを向上させた複合積層
型部品を開示（特開平５−２５８９３７号）している
が、さらに、特開平５−２５８９３７号とは異なる組成
範囲において、高い透磁率を有するＮｉＣｕＺｎフェラ
イト材料が要望されている。
者らはＮｉＣｕＺｎフェライト材料やＮｉＺｎフェライ
ト材料中のＳ成分量とＣｌ成分量とを規定することによ
りインダクタンスＬや品質係数Ｑを向上させた複合積層
型部品を開示（特開平５−２５８９３７号）している
が、さらに、特開平５−２５８９３７号とは異なる組成
範囲において、高い透磁率を有するＮｉＣｕＺｎフェラ
イト材料が要望されている。
【０００６】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中のＳ成
分とＣｌ成分との割合が透磁率に大きな影響を与えるこ
とを見出し、より高い透磁率をもつ磁性フェライト材料
と磁心、より高いインダクタンスＬや高い吸収特性をも
つ積層型チップフェライト部品や複合積層型部品を提供
することを目的とする。
れたものであり、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中のＳ成
分とＣｌ成分との割合が透磁率に大きな影響を与えるこ
とを見出し、より高い透磁率をもつ磁性フェライト材料
と磁心、より高いインダクタンスＬや高い吸収特性をも
つ積層型チップフェライト部品や複合積層型部品を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮
焼成して得た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成した
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とす
る磁性フェライト材料であって、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、
ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０
モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１
２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内
にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比
（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内にあるような
構成とした。
るために、本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮
焼成して得た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成した
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とす
る磁性フェライト材料であって、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、
ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０
モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１
２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内
にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比
（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内にあるような
構成とした。
【０００８】また、本発明の磁性フェライト材料は、Ｓ
成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分
の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内にあるような構
成とした。
成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分
の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内にあるような構
成とした。
【０００９】また、本発明の磁性フェライト材料は、前
記仮焼成粉におけるＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯの組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、Ｎｉ
Ｏ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル
％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、か
つ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃ
ｌ）が０．０３〜１．５の範囲内にあるような構成とし
た。
記仮焼成粉におけるＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯの組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、Ｎｉ
Ｏ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル
％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、か
つ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃ
ｌ）が０．０３〜１．５の範囲内にあるような構成とし
た。
【００１０】さらに、本発明の磁性フェライト材料は、
前記仮焼成粉におけるＳ成分の含有量が１０〜３００ｐ
ｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量が５０〜６００ｐｐｍ
の範囲内にあるような構成とした。
前記仮焼成粉におけるＳ成分の含有量が１０〜３００ｐ
ｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量が５０〜６００ｐｐｍ
の範囲内にあるような構成とした。
【００１１】本発明の積層型チップフェライト部品は、
磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成され
る積層型チップフェライト部品であって、前記磁性フェ
ライト層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成
されているものとした。
磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成され
る積層型チップフェライト部品であって、前記磁性フェ
ライト層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成
されているものとした。
【００１２】本発明の複合積層部品は、フェライト磁性
層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト
部を有する複合積層型部品であって、前記フェライト磁
性層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成され
ているものとした。
層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト
部を有する複合積層型部品であって、前記フェライト磁
性層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成され
ているものとした。
【００１３】本発明の磁心は、上記のいずれかの磁性フ
ェライト材料で構成されているものとした。
ェライト材料で構成されているものとした。
【００１４】このような本発明では、フェライト組成お
よびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比を規定する
ことによって、焼成時の結晶粒成長が促進されて、高い
透磁率を有する磁性フェライト材料や磁心が可能とな
り、この磁性フェライト材料を用いた積層型チップフェ
ライト部品や複合積層型部品は、インダクタンスＬや吸
収特性等の特性向上が可能となる。
よびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比を規定する
ことによって、焼成時の結晶粒成長が促進されて、高い
透磁率を有する磁性フェライト材料や磁心が可能とな
り、この磁性フェライト材料を用いた積層型チップフェ
ライト部品や複合積層型部品は、インダクタンスＬや吸
収特性等の特性向上が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。磁性フェライト材料 本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮焼成して得
た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性フ
ェライト材料であり、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよ
びＺｎＯの組成が下記の範囲内で、かつ、Ｓ成分の含有
量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜
５．０、好ましくは０．２０〜４．３の範囲内のもので
ある。のものである。
て説明する。磁性フェライト材料 本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮焼成して得
た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性フ
ェライト材料であり、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよ
びＺｎＯの組成が下記の範囲内で、かつ、Ｓ成分の含有
量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜
５．０、好ましくは０．２０〜４．３の範囲内のもので
ある。のものである。
【００１６】・Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、好まし
くは４９．５〜４９．８モル％ ・ＮｉＯ ：７〜１２モル％、好ましくは７．５〜１
０．０モル％ ・ＣｕＯ ：７．５〜１２．５モル％、好ましくは８．
５〜１０．５モル％ ・ＺｎＯ ：２８．５〜３３モル％、好ましくは３０．
７〜３２．７モル％ 上述のＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃ
ｌ）は、焼成時における結晶粒成長を促進させ、微細構
造を制御して透磁率を向上させるために重要であり、上
記の０．１５〜５．０の範囲内となるように設定する必
要がある。
くは４９．５〜４９．８モル％ ・ＮｉＯ ：７〜１２モル％、好ましくは７．５〜１
０．０モル％ ・ＣｕＯ ：７．５〜１２．５モル％、好ましくは８．
５〜１０．５モル％ ・ＺｎＯ ：２８．５〜３３モル％、好ましくは３０．
７〜３２．７モル％ 上述のＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃ
ｌ）は、焼成時における結晶粒成長を促進させ、微細構
造を制御して透磁率を向上させるために重要であり、上
記の０．１５〜５．０の範囲内となるように設定する必
要がある。
【００１７】磁性フェライト材料の磁気特性は組成依存
性が非常に強く、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯの組成が上記の範囲を外れた領域では、透磁率や品
質係数Ｑが低く不十分なものとなる。具体的には、例え
ば、Ｆｅ2 Ｏ3 量が少な過ぎると透磁率が小さく、化学
量論組成に近づくにしたがい透磁率は上昇し、化学量論
組成付近から急激に低下する。また、ＮｉＯ量の減少、
あるいは、ＺｎＯ量の増加に伴って透磁率は高くなる。
しかし、ＺｎＯ量が多過ぎるとキュリー温度が１００℃
以下となり、電子部品に要求される温度特性を満足でき
なくなる。また、ＣｕＯ量が少な過ぎると低温焼成（９
３０℃以下）が困難となり、逆に多過ぎるとフェライト
の固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する。このた
め、高い透磁率を得るには、組成を上記の範囲内で管理
することが必要である。
性が非常に強く、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯの組成が上記の範囲を外れた領域では、透磁率や品
質係数Ｑが低く不十分なものとなる。具体的には、例え
ば、Ｆｅ2 Ｏ3 量が少な過ぎると透磁率が小さく、化学
量論組成に近づくにしたがい透磁率は上昇し、化学量論
組成付近から急激に低下する。また、ＮｉＯ量の減少、
あるいは、ＺｎＯ量の増加に伴って透磁率は高くなる。
しかし、ＺｎＯ量が多過ぎるとキュリー温度が１００℃
以下となり、電子部品に要求される温度特性を満足でき
なくなる。また、ＣｕＯ量が少な過ぎると低温焼成（９
３０℃以下）が困難となり、逆に多過ぎるとフェライト
の固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する。このた
め、高い透磁率を得るには、組成を上記の範囲内で管理
することが必要である。
【００１８】また、本発明の磁性フェライト材料は、上
述のように比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内
であるとともに、Ｓ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍ
の範囲内、Ｃｌ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範
囲内であることが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分
の含有量が上記の範囲を外れる場合、焼成時における結
晶粒成長は十分に促進されず、磁性フェライト材料の透
磁率は不十分なものとなる。
述のように比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内
であるとともに、Ｓ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍ
の範囲内、Ｃｌ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範
囲内であることが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分
の含有量が上記の範囲を外れる場合、焼成時における結
晶粒成長は十分に促進されず、磁性フェライト材料の透
磁率は不十分なものとなる。
【００１９】本発明の磁性フェライト材料は、仮焼成粉
におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／
Ｃｌ）が０．０３〜１．５、好ましくは０．０５〜１．
０の範囲内であることが好ましい。粉末冶金協会の学会
誌（粉末および粉末冶金１９９８、４５巻、７号、Ｐ６
３０−６３５）にもあるように、Ｃｌ成分はＮｉＣｕＺ
ｎフェライトの反応に低温から関与しており、反応促進
的な役割を果たしている。しかし、Ｃｌ成分量が多い原
料を選択すると、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｓｉ等の不
純物が多くなり、フェライトの燒結を阻害したり、ま
た、そのフェライト材料を用いてＡｇ内部電極と同時焼
成した場合、フェライト材料中へのＡｇの拡散を促進し
たりする悪影響がある。
におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／
Ｃｌ）が０．０３〜１．５、好ましくは０．０５〜１．
０の範囲内であることが好ましい。粉末冶金協会の学会
誌（粉末および粉末冶金１９９８、４５巻、７号、Ｐ６
３０−６３５）にもあるように、Ｃｌ成分はＮｉＣｕＺ
ｎフェライトの反応に低温から関与しており、反応促進
的な役割を果たしている。しかし、Ｃｌ成分量が多い原
料を選択すると、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｓｉ等の不
純物が多くなり、フェライトの燒結を阻害したり、ま
た、そのフェライト材料を用いてＡｇ内部電極と同時焼
成した場合、フェライト材料中へのＡｇの拡散を促進し
たりする悪影響がある。
【００２０】本発明の磁性フェライト材料は、仮焼成粉
におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／
Ｃｌ）を０．０３〜１．５の範囲内で設定するととも
に、Ｓ成分の含有量を１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃ
ｌ成分の含有量を５０〜６００ｐｐｍの範囲内とするこ
とが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量が上
記の範囲を外れる場合、焼成時における結晶粒成長は十
分に促進されず、磁性フェライト材料の透磁率は不十分
なものとなる。
におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／
Ｃｌ）を０．０３〜１．５の範囲内で設定するととも
に、Ｓ成分の含有量を１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃ
ｌ成分の含有量を５０〜６００ｐｐｍの範囲内とするこ
とが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量が上
記の範囲を外れる場合、焼成時における結晶粒成長は十
分に促進されず、磁性フェライト材料の透磁率は不十分
なものとなる。
【００２１】尚、本発明の磁性フェライト材料や仮焼成
粉中のＳ成分は、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変
換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができ
る。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分
散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフに
て測定することができる。さらに、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法
による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。積層チップフェライト部品 本発明の積層型チップフェライト部品は、磁性フェライ
ト層と内部電極とを多層積層して構成され、磁性フェラ
イト層を本発明の磁性フェライト材料で構成したもので
ある。
粉中のＳ成分は、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変
換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができ
る。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分
散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフに
て測定することができる。さらに、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法
による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。積層チップフェライト部品 本発明の積層型チップフェライト部品は、磁性フェライ
ト層と内部電極とを多層積層して構成され、磁性フェラ
イト層を本発明の磁性フェライト材料で構成したもので
ある。
【００２２】図１は、本発明の積層型チップフェライト
部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例
を示す概略断面図であり、図２は平面部分断面図であ
る。図１および図２において、積層型チップインダクタ
１は、磁性フェライト層２と内部電極３とが交互に積層
一体化された多層構造のチップ体４を有し、このチップ
体４の端部には、内部電極３と電気的に導通する外部電
極５，５が設けられている。
部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例
を示す概略断面図であり、図２は平面部分断面図であ
る。図１および図２において、積層型チップインダクタ
１は、磁性フェライト層２と内部電極３とが交互に積層
一体化された多層構造のチップ体４を有し、このチップ
体４の端部には、内部電極３と電気的に導通する外部電
極５，５が設けられている。
【００２３】積層型チップインダクタ１を構成する磁性
フェライト層２は、上述の本発明の磁性フェライト材料
で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェ
ライト材料を得るための仮焼成粉をエチルセルロース等
のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトール等の
溶剤とともに混練して得た磁性フェライト層用ペースト
を、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成
して形成することができる。
フェライト層２は、上述の本発明の磁性フェライト材料
で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェ
ライト材料を得るための仮焼成粉をエチルセルロース等
のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトール等の
溶剤とともに混練して得た磁性フェライト層用ペースト
を、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成
して形成することができる。
【００２４】この磁性フェライト層用ペースト中のバイ
ンダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バイ
ンダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜５
０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペ
ースト中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散
剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲
で含有させることができる。
ンダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バイ
ンダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜５
０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペ
ースト中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散
剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲
で含有させることができる。
【００２５】また、磁性フェライト層２は、磁性フェラ
イト層用シートを用いて形成することもできる。すなわ
ち、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉
を、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダとト
ルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練
して得たスラリーを、ポリエステルフィルム等の上にド
クターブレード法等で塗布し乾燥して磁性フェライト層
用シートを得る。この磁性フェライト層用シートを、内
部電極用ペーストと交互に積層した後、焼成する。尚、
磁性フェライト層用シート中のバインダの含有量には制
限はなく、例えば、１〜５重量％程度の範囲で設定する
ことができる。また、磁性フェライト層用シート中に
は、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散剤、可塑
剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有さ
せることができる。
イト層用シートを用いて形成することもできる。すなわ
ち、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉
を、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダとト
ルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練
して得たスラリーを、ポリエステルフィルム等の上にド
クターブレード法等で塗布し乾燥して磁性フェライト層
用シートを得る。この磁性フェライト層用シートを、内
部電極用ペーストと交互に積層した後、焼成する。尚、
磁性フェライト層用シート中のバインダの含有量には制
限はなく、例えば、１〜５重量％程度の範囲で設定する
ことができる。また、磁性フェライト層用シート中に
は、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散剤、可塑
剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有さ
せることができる。
【００２６】積層型チップインダクタ１を構成する内部
電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得る
ために抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて
形成する。内部電極３は、各層が長円形状であり、隣接
する内部電極３の各層は、図２に示されるように、スパ
イラル状に導通が確保されているので、内部電極３は閉
磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端に外部
電極５，５が接続されている。
電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得る
ために抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて
形成する。内部電極３は、各層が長円形状であり、隣接
する内部電極３の各層は、図２に示されるように、スパ
イラル状に導通が確保されているので、内部電極３は閉
磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端に外部
電極５，５が接続されている。
【００２７】積層型チップインダクタ１のチップ体４の
外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定
することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸
法は１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６
〜１．９ｍｍ程度とすることができる。また、磁性フェ
ライト層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限
はなく、電極間厚み（内部電極３，３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３の厚みは、通
常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピ
ッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．５〜２０．５
ターン程度とすることができる。
外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定
することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸
法は１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６
〜１．９ｍｍ程度とすることができる。また、磁性フェ
ライト層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限
はなく、電極間厚み（内部電極３，３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３の厚みは、通
常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピ
ッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．５〜２０．５
ターン程度とすることができる。
【００２８】磁性フェライト層用ペーストあるいはシー
トと内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後の焼
成時の温度は、８００〜９３０℃、好ましくは８５０〜
９００℃とする。焼成温度が８００℃未満であると焼成
不足となり、一方、９３０℃を超えるとフェライト材料
中に内部電極材料が拡散して、電磁気特性を著しく低下
させることがある。また、焼成時間は０．０５〜５時
間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で設定することが
できる。
トと内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後の焼
成時の温度は、８００〜９３０℃、好ましくは８５０〜
９００℃とする。焼成温度が８００℃未満であると焼成
不足となり、一方、９３０℃を超えるとフェライト材料
中に内部電極材料が拡散して、電磁気特性を著しく低下
させることがある。また、焼成時間は０．０５〜５時
間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で設定することが
できる。
【００２９】尚、磁性フェライト層２中のＳ成分は、磁
性フェライト層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸化
させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析すること
ができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超
音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグ
ラフにて測定することができる。さらに、磁性フェライ
ト層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の
分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定する
ことができる。複合積層型部品 本発明の複合積層型部品は、本発明の磁性フェライト材
料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層し
たチップフェライト部を有するものである。
性フェライト層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸化
させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析すること
ができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超
音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグ
ラフにて測定することができる。さらに、磁性フェライ
ト層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の
分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定する
ことができる。複合積層型部品 本発明の複合積層型部品は、本発明の磁性フェライト材
料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層し
たチップフェライト部を有するものである。
【００３０】図３は、本発明の複合積層型部品の一実施
形態であるＬＣ複合部品の一例を示す概略断面図であ
る。図３において、ＬＣ複合部品１１は、チップコンデ
ンサ部１２とチップフェライト部１３とを一体化したも
のであり、この端部には外部電極１５，１５が設けられ
ている。
形態であるＬＣ複合部品の一例を示す概略断面図であ
る。図３において、ＬＣ複合部品１１は、チップコンデ
ンサ部１２とチップフェライト部１３とを一体化したも
のであり、この端部には外部電極１５，１５が設けられ
ている。
【００３１】チップコンデンサ部１２は、セラミック誘
電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された
多層構造を有する。
電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された
多層構造を有する。
【００３２】セラミック誘電体層２１としては特に制限
はなく、種々の誘電体材料を用いることができ、焼成温
度が低い酸化チタン系誘電体が好ましい。また、チタン
酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、
これらの混合物を使用することもできる。さらに、焼成
温度を下げるために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラス
が含有されてもよい。
はなく、種々の誘電体材料を用いることができ、焼成温
度が低い酸化チタン系誘電体が好ましい。また、チタン
酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、
これらの混合物を使用することもできる。さらに、焼成
温度を下げるために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラス
が含有されてもよい。
【００３３】また、内部電極２２は、抵抗率の小さいＡ
ｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電
極２２の各層は、交互に別の外部電極に接続されてい
る。
ｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電
極２２の各層は、交互に別の外部電極に接続されてい
る。
【００３４】チップフェライト部１３は、積層型チップ
インダクタであり、フェライト磁性層３２と内部電極３
３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体であ
る。フェライト磁性層３２は、本発明の磁性フェライト
材料で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性
フェライト材料を得るための仮焼成粉を、エチルセルロ
ース等のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトー
ル等の溶剤とともに混練して得たフェライト磁性層用ペ
ーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した
後、焼成して形成することができる。あるいは、本発明
の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉を、ポリビ
ニルブチラールを主成分としたバインダとトルエン、キ
シレン等の溶媒とともにボールミル中で混練してスラリ
ーを作成し、このスラリーをポリエステルフィルム等の
上にドクターブレード法等で塗布し乾燥して得たフェラ
イト磁性層用シートを、内部電極用ペーストと交互に積
層した後、焼成して形成することができる。
インダクタであり、フェライト磁性層３２と内部電極３
３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体であ
る。フェライト磁性層３２は、本発明の磁性フェライト
材料で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性
フェライト材料を得るための仮焼成粉を、エチルセルロ
ース等のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトー
ル等の溶剤とともに混練して得たフェライト磁性層用ペ
ーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した
後、焼成して形成することができる。あるいは、本発明
の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉を、ポリビ
ニルブチラールを主成分としたバインダとトルエン、キ
シレン等の溶媒とともにボールミル中で混練してスラリ
ーを作成し、このスラリーをポリエステルフィルム等の
上にドクターブレード法等で塗布し乾燥して得たフェラ
イト磁性層用シートを、内部電極用ペーストと交互に積
層した後、焼成して形成することができる。
【００３５】また、内部電極３３はスパイラル状に導通
が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、
その両端は外部電極１５，１５に接続されている。この
内部電極３３は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電
材を用いて形成される。
が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、
その両端は外部電極１５，１５に接続されている。この
内部電極３３は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電
材を用いて形成される。
【００３６】チップフェライト部１３のフェライト磁性
層３２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はな
く、電極間厚み（内部電極３３，３３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３３の厚みは、
通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンの
ピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．
５ターン程度とすることができる。
層３２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はな
く、電極間厚み（内部電極３３，３３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３３の厚みは、
通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンの
ピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．
５ターン程度とすることができる。
【００３７】本発明のＬＣ複合部品１１の外形や寸法に
は特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することがで
き、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は１．６〜
１０．０ｍｍ×０．８〜１５．０ｍｍ×１．０〜５．０
ｍｍ程度とすることができる。
は特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することがで
き、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は１．６〜
１０．０ｍｍ×０．８〜１５．０ｍｍ×１．０〜５．０
ｍｍ程度とすることができる。
【００３８】尚、フェライト磁性層３２中のＳ成分は、
フェライト磁性層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸
化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析するこ
とができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で
超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマト
グラフにて測定することができる。さらに、フェライト
磁性層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成
の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定す
ることができる。磁心 本発明の磁心は、本発明の磁性フェライト材料で構成し
たものである。本発明の磁心を製造するためには、ま
ず、上記の本発明の磁性フェライト材料用の原料を、磁
性フェライト材料の最終組成が上記の量比となるように
混合する。次に、これをスプレードライヤー等にて８０
〜２００μｍ程度の径の顆粒とする。そして、これに適
当なバインダ、例えば、ポリビニルアルコールを少量
（例えば、０．１〜１重量％）加えて成型する。
フェライト磁性層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸
化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析するこ
とができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で
超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマト
グラフにて測定することができる。さらに、フェライト
磁性層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成
の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定す
ることができる。磁心 本発明の磁心は、本発明の磁性フェライト材料で構成し
たものである。本発明の磁心を製造するためには、ま
ず、上記の本発明の磁性フェライト材料用の原料を、磁
性フェライト材料の最終組成が上記の量比となるように
混合する。次に、これをスプレードライヤー等にて８０
〜２００μｍ程度の径の顆粒とする。そして、これに適
当なバインダ、例えば、ポリビニルアルコールを少量
（例えば、０．１〜１重量％）加えて成型する。
【００３９】次いで、この成型品を、通常、大気圧下で
脱バインダのための初期焼成として４００〜５００℃の
範囲内の所定温度まで、例えば６０℃／時程度の昇温速
度で徐熱する。次に、８５０〜１１００℃の範囲内の所
望の焼成温度まで５０〜３００℃／時の昇温速度で徐熱
し、その温度で一定時間、好ましくは１時間以上保持す
る。
脱バインダのための初期焼成として４００〜５００℃の
範囲内の所定温度まで、例えば６０℃／時程度の昇温速
度で徐熱する。次に、８５０〜１１００℃の範囲内の所
望の焼成温度まで５０〜３００℃／時の昇温速度で徐熱
し、その温度で一定時間、好ましくは１時間以上保持す
る。
【００４０】その後の冷却工程は、冷却速度１００〜５
００℃／時で常温まで冷却する。以上の焼成方法によ
り、高密度、かつ、高透磁率という極めて高性能な磁心
が得られる。
００℃／時で常温まで冷却する。以上の焼成方法によ
り、高密度、かつ、高透磁率という極めて高性能な磁心
が得られる。
【００４１】尚、本発明の磁心中のＳ成分は、試料を粉
砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検
出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕
後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過
し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。
さらに、磁心のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎ
Ｏ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で
測定することができる。
砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検
出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕
後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過
し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。
さらに、磁心のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎ
Ｏ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で
測定することができる。
【００４２】
【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。 ［仮焼成粉の調製］Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯの各成分を下記の製造条件で配合、仮焼成、粉砕
して２１種の仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１
２）を調製した。
詳細に説明する。 ［仮焼成粉の調製］Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯの各成分を下記の製造条件で配合、仮焼成、粉砕
して２１種の仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１
２）を調製した。
【００４３】 製造条件 ・配合及び粉砕用ポット ： ４インチ、ステンレスボールミルポット ・配合及び粉砕用メディア： １／８インチスチールボール８００ｇ ・配合時間 ： １０時間 ・粉砕時間 ： ６０時間 ・仮焼成条件 ： ７００℃、４時間 得られた２１種の仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜
１２）について、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変
換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析してＳ成分量を測
定し、また、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠
心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにてＣｌ成分
量を測定し、比（Ｓ／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示
した。 ［磁性フェライト材料の作製］次に、各仮焼成粉（実施
例１〜９、比較例１〜１２）にポリビニルアルコール６
％水溶液を１０重量％添加し、トロイダル（外径１１．
１ｃｍ、内径５．１ｃｍ、厚み２．４ｃｍ）に成形し、
９００℃で２時間の焼成を行って磁性フェライト材料
（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。得られた２
１種の磁性フェライト材料について、上記の仮焼成粉と
同様にしてＳ成分量およびＣｌ成分量を測定し、比（Ｓ
／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示した。また、２１種
の磁性フェライト材料（実施例１〜９、比較例１〜１
２）について、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析でＦ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成を分析し
て結果を下記の表１に示した。
１２）について、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変
換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析してＳ成分量を測
定し、また、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠
心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにてＣｌ成分
量を測定し、比（Ｓ／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示
した。 ［磁性フェライト材料の作製］次に、各仮焼成粉（実施
例１〜９、比較例１〜１２）にポリビニルアルコール６
％水溶液を１０重量％添加し、トロイダル（外径１１．
１ｃｍ、内径５．１ｃｍ、厚み２．４ｃｍ）に成形し、
９００℃で２時間の焼成を行って磁性フェライト材料
（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。得られた２
１種の磁性フェライト材料について、上記の仮焼成粉と
同様にしてＳ成分量およびＣｌ成分量を測定し、比（Ｓ
／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示した。また、２１種
の磁性フェライト材料（実施例１〜９、比較例１〜１
２）について、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析でＦ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成を分析し
て結果を下記の表１に示した。
【００４４】さらに、得られた磁性フェライト材料（実
施例１〜９、比較例１〜１２）の燒結密度、透磁率μを
下記の方法で測定して、結果を下記の表１に示した。
施例１〜９、比較例１〜１２）の燒結密度、透磁率μを
下記の方法で測定して、結果を下記の表１に示した。
【００４５】透磁率μの測定方法 トロイダル形状の磁性フェライト材料に銅製ワイヤー
（線径０．３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１
００ＫＨｚ、測定電流０．５ｍＡでＬＣＲメーター（ヒ
ューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンス
を測定し、下記の式を用いて透磁率μを算出する。
（線径０．３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１
００ＫＨｚ、測定電流０．５ｍＡでＬＣＲメーター（ヒ
ューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンス
を測定し、下記の式を用いて透磁率μを算出する。
【００４６】透磁率μ＝（ｌe ×Ｌ）／（μ0 ×Ａe ×
Ｎ2 ） ｌe ：磁路長 Ｌ：試料のインダクタンス μ0 ：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ） Ａe ：試料の断面積 Ｎ：コイルの巻数 ［積層型チップフェライト部品の作製］また、各仮焼成
粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）１００重量部に対
して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール
４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェラ
イト層用ペーストを調製した。一方、平均粒径０．８μ
ｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース２．
５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロー
ルにて混練して、内部電極用ペーストを調製した。この
ような磁性フェライト層用ペーストと内部電極用ペース
トを交互に印刷積層した後、９００℃で２時間の焼成を
行って図１および図２に示されるような積層型チップイ
ンダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。こ
れらの４５３２タイプの積層型チップインダクタの寸法
は４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２ｍｍであり、巻数は
９．５ターンとした。次いで、上記の積層型チップイン
ダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）の端部に外部
電極を約６００℃で焼き付けて形成し、測定周波数１０
０ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーター（ヒュ
ーレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンスＬ
を測定し、結果を下記の表１に示した。
Ｎ2 ） ｌe ：磁路長 Ｌ：試料のインダクタンス μ0 ：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ） Ａe ：試料の断面積 Ｎ：コイルの巻数 ［積層型チップフェライト部品の作製］また、各仮焼成
粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）１００重量部に対
して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール
４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェラ
イト層用ペーストを調製した。一方、平均粒径０．８μ
ｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース２．
５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロー
ルにて混練して、内部電極用ペーストを調製した。この
ような磁性フェライト層用ペーストと内部電極用ペース
トを交互に印刷積層した後、９００℃で２時間の焼成を
行って図１および図２に示されるような積層型チップイ
ンダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。こ
れらの４５３２タイプの積層型チップインダクタの寸法
は４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２ｍｍであり、巻数は
９．５ターンとした。次いで、上記の積層型チップイン
ダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）の端部に外部
電極を約６００℃で焼き付けて形成し、測定周波数１０
０ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーター（ヒュ
ーレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンスＬ
を測定し、結果を下記の表１に示した。
【００４７】また、仮焼成粉（実施例５、比較例２）を
用いて、上記と同様にして磁性フェライト層用ペースト
を調製し、このペーストと、上記の内部電極用ペースト
とを使用して、２０１２タイプの積層型チップビーズ
（実施例Ａ、比較例Ａ）を得た。焼成は９００℃、２時
間とし、巻数は３．５ターンとした。次いで、上記の積
層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）の端部に外部
電極を約６００℃で焼き付けて形成し、インピーダンズ
アナライザー（ヒューレットパッカー（株）製）を用い
て測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣ
Ｒメーターを用いてインピーダンスＺ、リアクタンス
Ｘ、レジスタンスＲの周波数特性を測定し、結果を図４
に示した。
用いて、上記と同様にして磁性フェライト層用ペースト
を調製し、このペーストと、上記の内部電極用ペースト
とを使用して、２０１２タイプの積層型チップビーズ
（実施例Ａ、比較例Ａ）を得た。焼成は９００℃、２時
間とし、巻数は３．５ターンとした。次いで、上記の積
層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）の端部に外部
電極を約６００℃で焼き付けて形成し、インピーダンズ
アナライザー（ヒューレットパッカー（株）製）を用い
て測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣ
Ｒメーターを用いてインピーダンスＺ、リアクタンス
Ｘ、レジスタンスＲの周波数特性を測定し、結果を図４
に示した。
【００４８】
【表１】 表１に示されるように、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯお
よびＺｎＯの組成を所定範囲に規定し、かつ、Ｓ成分の
含有量とＣｌ成分の含有量の比を所定範囲内に規定する
本発明の磁性フェライト材料（実施例１〜９）は、透磁
率が１０００を超えるものであった。また、このような
本発明の磁性フェライト材料で構成された磁性フェライ
ト層を備える積層型チップインダクタ（実施例１〜９）
は、９０以上の非常に高いインダクタンスＬを有するこ
とが確認された。さらに、本発明の磁性フェライト材料
（実施例５）で構成された磁性フェライト層を備える積
層型チップビーズ（実施例Ａ）は、図４に示されるよう
に、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分（レ
ジスタンス）が大きく、両者の交点が低周波数側にある
ので、積層型チップビーズ（比較例Ａ）に比べて高い吸
収特性を備えることが確認された。
よびＺｎＯの組成を所定範囲に規定し、かつ、Ｓ成分の
含有量とＣｌ成分の含有量の比を所定範囲内に規定する
本発明の磁性フェライト材料（実施例１〜９）は、透磁
率が１０００を超えるものであった。また、このような
本発明の磁性フェライト材料で構成された磁性フェライ
ト層を備える積層型チップインダクタ（実施例１〜９）
は、９０以上の非常に高いインダクタンスＬを有するこ
とが確認された。さらに、本発明の磁性フェライト材料
（実施例５）で構成された磁性フェライト層を備える積
層型チップビーズ（実施例Ａ）は、図４に示されるよう
に、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分（レ
ジスタンス）が大きく、両者の交点が低周波数側にある
ので、積層型チップビーズ（比較例Ａ）に比べて高い吸
収特性を備えることが確認された。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればフ
ェライト組成およびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量
の比を所定範囲内に規定することによって、焼成時の結
晶粒成長が促進され、磁性フェライト材料およびこの磁
性フェライト材料で構成された磁心の透磁率が高いもの
となり、このような磁性フェライト材料で構成された磁
性フェライト層を備える積層型チップインダクタは、非
常に高いインダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の
取得インダクタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、
小型化や低背化が可能となり、また、本発明の磁性フェ
ライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層
型チップビーズは、反射成分（リアクタンス）が小さ
く、吸収成分（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の
交点が低周波数側にシフトするので、従来に比べて高い
吸収特性を備えたものとなり、さらに、本発明の磁性フ
ェライト材料で構成されたフェライト磁性層と内部電極
とを積層したチップフェライト部を有する複合積層型部
品は、高密度化、高特性化が可能となる。
ェライト組成およびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量
の比を所定範囲内に規定することによって、焼成時の結
晶粒成長が促進され、磁性フェライト材料およびこの磁
性フェライト材料で構成された磁心の透磁率が高いもの
となり、このような磁性フェライト材料で構成された磁
性フェライト層を備える積層型チップインダクタは、非
常に高いインダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の
取得インダクタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、
小型化や低背化が可能となり、また、本発明の磁性フェ
ライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層
型チップビーズは、反射成分（リアクタンス）が小さ
く、吸収成分（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の
交点が低周波数側にシフトするので、従来に比べて高い
吸収特性を備えたものとなり、さらに、本発明の磁性フ
ェライト材料で構成されたフェライト磁性層と内部電極
とを積層したチップフェライト部を有する複合積層型部
品は、高密度化、高特性化が可能となる。
【図１】本発明の積層型チップフェライト部品の一実施
形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断
面図である。
形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断
面図である。
【図２】図１に示される積層型チップインダクタの平面
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】本発明の複合積層型部品の一実施形態であるＬ
Ｃ複合部品の一例を示す概略断面図である。
Ｃ複合部品の一例を示す概略断面図である。
【図４】積層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）の
インピーダンスＺ、リアクタンスＸ、レジスタンスＲの
周波数特性を示す図である。
インピーダンスＺ、リアクタンスＸ、レジスタンスＲの
周波数特性を示す図である。
１…積層型チップインダクタ ２…磁性フェライト層 ３…内部電極 ４…チップ体 ５，５…外部電極 １１…ＬＣ複合部品 １２…チップコンデンサ部 １３…チップフェライト部 １５，１５…外部電極 ２１…セラミック誘電体層 ２２…内部電極 ３２…フェライト磁性層 ３３…内部電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G002 AA06 AA12 AE02 4G018 AA22 AA23 AA25 AA39 5E041 AB01 AB19 BD01 CA02 CA10 NN02
Claims (7)
- 【請求項１】 原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望
の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯ
およびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料であっ
て、 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル
％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．
５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量
とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．
０の範囲内にあることを特徴とする磁性フェライト材
料。 - 【請求項２】 Ｓ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの
範囲内、Ｃｌ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの範囲
内にあることを特徴とする請求項１に記載の磁性フェラ
イト材料。 - 【請求項３】 前記仮焼成粉におけるＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜
５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５
〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範
囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量
の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．０３〜１．５の範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁性フ
ェライト材料。 - 【請求項４】 前記仮焼成粉におけるＳ成分の含有量は
１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量は５０
〜６００ｐｐｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載の磁性フェライト材
料。 - 【請求項５】 磁性フェライト層と内部電極とを多層積
層して構成される積層型チップフェライト部品におい
て、 前記磁性フェライト層は請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の磁性フェライト材料で構成されていることを
特徴とする積層型チップフェライト部品。 - 【請求項６】 フェライト磁性層と内部電極とを積層し
て構成されるチップフェライト部を有する複合積層型部
品において、 前記フェライト磁性層は請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の磁性フェライト材料で構成されていることを
特徴とする複合積層型部品。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の磁性フェライト材料で構成されていることを特徴とす
る磁心。
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|---|---|---|---|
| JP35539598A JP4449091B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35539598A JP4449091B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164418A true JP2000164418A (ja) | 2000-06-16 |
| JP4449091B2 JP4449091B2 (ja) | 2010-04-14 |
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ID=18443695
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35539598A Expired - Fee Related JP4449091B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP4449091B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100598235B1 (ko) * | 2000-12-25 | 2006-07-07 | 티디케이가부시기가이샤 | 저온 소성 페라이트 재료 및 이 재료를 이용한 페라이트부품 |
| US7486477B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-02-03 | Tdk Corporation | FeCoNi soft magnetic film including a controlled ratio of chlorine and sulfur |
| CN109320227A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-12 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP35539598A patent/JP4449091B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN109320227A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-12 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
| CN109336578A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-15 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
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| JP4449091B2 (ja) | 2010-04-14 |
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