JP2848135B2 - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
半導体記憶装置の製造方法Info
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Description
方法に係り、特に積層型キャパシタセル構造のDRAM
の製造方法に関する。
の要求はますます高まってきており、DRAMにおいて
は、高集積化に伴うセル面積の縮小が進むなかで、要求
されるキャパシタ容量をいかに実現するかが大きな課題
であり、さまざまな工夫が精力的に研究されている。
成することによりキャパシタ容量を増大させる目的の積
層型キャパシタセル構造のDRAMについて、図5〜図
7を参照して説明する。
板201の主表面にDRAMメモリセルのMOSトラン
ジスタを形成する。このMOSトランジスタは第1およ
び第2のn+ 領域202−a,202−bとゲート電極
203により構成されており、表面を酸化シリコン膜
(層間絶縁膜)204でおおわれている。また素子分離
は酸化シリコン膜205によりなされている。
れたポリシリコン膜206を形成し、さらに図6に示す
ように、リソグラフィ技術を用いてポリシリコン膜20
6と酸化シリコン膜204をエッチングすることにより
キャパシタの蓄積電極と第1のn+ 領域202−aとの
間を電気的に接続するための第1のコンタクト孔207
を形成し、さらにリンドープされたうすいポリシリコン
膜208を形成する。
極を形成するため、リソグラフィ技術を用いてポリシリ
コン膜206および208をエッチングする。その後容
量絶縁膜209、さらにDRAMセルの対向電極となる
リンドープのポリシリコン膜210を形成する。
術によりポリシリコン膜210と容量絶縁膜209を所
望の形にエッチングする。その後、表面を酸化シリコン
膜(層間絶縁膜)211でおおったのち、n+ 領域20
2−b上に第2のコンタクト孔212を形成し、ビット
線となるシリサイド配線213を形成して筒状の積層キ
ャパシタ構造のDRAMセルを構成する。
型DRAMセルの製造方法では、筒状の蓄積電極を形成
するので、前述したように、複雑な製造方法であり、通
常の積層型DRAMメモリセルに比較して工程が長いと
いう欠点を有する。
とn+ 領域との電気的接続をとるコンタクト上部におい
て、他の部分に比較して膜厚が厚いため、コンタクト開
孔時のポリシリコン206のエッチングが適切に行なわ
れているかどうかの確認が容易でなく、特に、ポリシリ
コンのエッチング不足によるコンタクト未開孔という不
良が発生するおそれがある。
の製造方法は、半導体基板の一主表面をゲート絶縁膜を
介して選択的に被覆するゲート電極を有するMOSトラ
ンジスタを形成する工程と、第1の層間絶縁膜を堆積し
前記MOSトランジスタのソース・ドレイン領域の一方
の上に第1のコンタクト孔を形成する工程と、LPCV
D法を用いて第1の導電膜を形成する工程と、スパッタ
法又はCVD法を用いて前記第1の層間絶縁膜の上表面
の水平部分に堆積される厚さが前記第1のコンタクト孔
の垂直部分である側壁に堆積される厚さの少なくとも2
倍あり前記第1のコンタクト孔の上部を閉じない程度に
第2の導電膜を堆積する工程と、前記第2の導電膜およ
び第1の導電膜をパターニングして前記ソース・ドレイ
ン領域の一方に接続されたキャパシタ蓄積電極を形成す
る工程と、容量絶縁膜を形成し第3の導電膜を堆積しパ
ターニングしてキャパシタ対向電極を形成する工程と、
第2の層間絶縁膜を堆積し前記MOSトランジスタのソ
ース・ドレイン領域のもう一方に接続する電極配線を形
成する工程とを含むというものである。
パシタセル構造のDRAMの製造方法について図1〜図
4を参照して説明する。
導体基板101の主表面にDRAMセルのMOSトラン
ジスタを形成する。このMOSトランジスタは第1およ
び第2のn+ 領域102−a,102−bと厚さ300
nmのリンドープのポリシリコン膜からなるゲート電極
103により構成されており、表面を厚さ300nmの
酸化シリコン膜104で覆われている。また素子分離は
酸化シリコン膜105によりなされている。
102−a上にリソグラフィ技術を用いて第1のコンタ
クト孔107を開孔する。その後、段差被覆性のよいL
PCVD法により厚さ30nmのリンドープされたポリ
シリコン膜108を成膜しさらに段差被覆性の悪いスパ
ッタ法あるいは、常圧CVD法により厚さ250nmの
リンドープされたポリシリコン膜106を成膜する。こ
のスパッタ法あるいは、常圧CVD法の成膜条件は、段
差被覆性が悪く、層間絶縁膜104の上表面の水平部分
のポリシリコン膜の厚さが第1のコンタクト孔107部
の垂直部分である側壁のポリシリコン膜の厚さの少なく
とも2倍になりかつコンタクト孔107の上部を閉じな
いように選ぶ。また、隣接するゲート電極103の間隔
(本実施例では1μm)、層間絶縁膜の厚さ(同じく3
00nm)を適当に選べば、第1のコンタクト孔107
部に図示のような凹部を形成できる。この凹部は断面が
曲線状になり、表面積が大きい。
コン膜106,108をパターニングすることにより、
図3に示すように、第1のn+ 領域102−aに電気的
に接続された筒状の積層型キャパシタの蓄積電極が形成
される。
シタの対向電極となる厚さ150nmのリンドープされ
たポリシリコン膜110を減圧CVD法により成膜す
る。
に示すように、少なくともポリシリコン膜106を覆う
ようにポリシリコン膜110および容量絶縁膜109を
所望のパターンにパターニングする。さらに層間絶縁膜
となる酸化シリコン膜111を形成し、次いで第2のn
+ 領域102−b上にリソグラフィ技術を用いて第2の
コンタクト孔112を開孔し、第2のコンタクト孔11
2を介して第2のn+領域102−bと電気的に接続さ
れたビット線となるシリサイド配線113を形成するこ
とにより、筒状の積層型キャパシタ構造のメモリセルを
得る。
は、積層型キャパシタの蓄積電極を形成する際段差被覆
性の悪い成膜法を用いることにより、筒状の積層型キャ
パシタを形成するので、通常の単純な積層型キャパシタ
を形成する場合とほぼ同等の工程数にもかかわらず、キ
ャパシタの蓄積電極の表面積を増大し、ひいてはキャパ
シタ容量の増大が可能となるという効果を有する。ま
た、第1のコンタクト孔は層間絶縁膜に設けるので、深
さが小さく、確実に開孔することができ、この第1のコ
ンタクト孔に段差被覆性のよいポリシリコン膜を形成す
るので、蓄積電極のコンタクトを確実にとれ、歩留りが
向上する。
る。
面図である。
面図である。
面図である。
面図である。
面図である。
面図である。
酸化シリコン膜 107,207 第1のコンタクト孔 106,108,110,206,208,210
ポリシリコン膜 109,209 容量絶縁膜 112,212 第2のコンタクト孔 113,213 シリサイド配線
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板の一主表面をゲート絶縁膜を
介して選択的に被覆するゲート電極を有するMOSトラ
ンジスタを形成する工程と、第1の層間絶縁膜を堆積し
前記MOSトランジスタのソース・ドレイン領域の一方
の上に第1のコンタクト孔を形成する工程と、LPCV
D法を用いて第1の導電膜を形成する工程と、スパッタ
法又はCVD法を用いて前記第1の層間絶縁膜の上表面
の水平部分に堆積される厚さが前記第1のコンタクト孔
の垂直部分である側壁に堆積される厚さの少なくとも2
倍あり前記第1のコンタクト孔の上部を閉じない程度に
第2の導電膜を堆積する工程と、前記第2の導電膜およ
び第1の導電膜をパターニングして前記ソース・ドレイ
ン領域の一方に接続されたキャパシタ蓄積電極を形成す
る工程と、容量絶縁膜を形成し第3の導電膜を堆積しパ
ターニングしてキャパシタ対向電極を形成する工程と、
第2の層間絶縁膜を堆積し前記MOSトランジスタのソ
ース・ドレイン領域のもう一方に接続する電極配線を形
成する工程とを含むことを特徴とする半導体記憶装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4176345A JP2848135B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4176345A JP2848135B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0621384A JPH0621384A (ja) | 1994-01-28 |
JP2848135B2 true JP2848135B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16011973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4176345A Expired - Fee Related JP2848135B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2848135B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10189898A (ja) | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP4176345A patent/JP2848135B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0621384A (ja) | 1994-01-28 |
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