JP2827572B2 - 層状超伝導体回路とその製造方法 - Google Patents
層状超伝導体回路とその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペロブスカイト構造の酸
化物超伝導体を用いた配線とジョセフソン接合を有する
層状超伝導体回路とその製造方法に関する。
化物超伝導体を用いた配線とジョセフソン接合を有する
層状超伝導体回路とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の酸化物超伝導体配線部上にジョセ
フソン接合を形成した構造の層状超伝導体回路が、例え
ば１９９０年発行のアプライド・フィジックス・レター
ズ誌，５６巻，１５号，１４８８ページ（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５６，
Ｎｏ．１５，ｐ１４８８，１９９０）に述べられてい
る。すなわち、酸化物超伝導体配線部とジョセフソン接
合の下部電極とは同じ配向性を有した膜で形成されてい
た。またその製造方法も、配線部の一部を下部電極と共
用するか単に互いに積層しただけのものであった。
フソン接合を形成した構造の層状超伝導体回路が、例え
ば１９９０年発行のアプライド・フィジックス・レター
ズ誌，５６巻，１５号，１４８８ページ（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５６，
Ｎｏ．１５，ｐ１４８８，１９９０）に述べられてい
る。すなわち、酸化物超伝導体配線部とジョセフソン接
合の下部電極とは同じ配向性を有した膜で形成されてい
た。またその製造方法も、配線部の一部を下部電極と共
用するか単に互いに積層しただけのものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ペロブスカイト構造の
酸化物超伝導体においては、ａｂ面に沿ったコヒーレン
ス長ξabは、ｃ軸方向に沿ったコヒーレンス長ξc と、
ξab＞ξc の関係がある。ジョセフソン接合を形成する
場合弱接合部の設計，余裕度が大きくなることから、弱
接合部の両側垂直方向にａｂ面が延びていることが望ま
しい。一方、ａｂ面内を流れる最大超伝導電流密度ｊab
はｃ軸方向に沿って流れる同密度ｊc とｊab＞ｊc の関
係があるので、電流余裕度が大きくなることから配線部
はａｂ面に延びて形成した方が望ましい。すなわち、配
線部と接合部とが積層した構造で従来技術により形成す
ると、接合部の設計余裕度，もしくは配線部の電流余裕
度のいずれかを犠牲にしなければならなかった。
酸化物超伝導体においては、ａｂ面に沿ったコヒーレン
ス長ξabは、ｃ軸方向に沿ったコヒーレンス長ξc と、
ξab＞ξc の関係がある。ジョセフソン接合を形成する
場合弱接合部の設計，余裕度が大きくなることから、弱
接合部の両側垂直方向にａｂ面が延びていることが望ま
しい。一方、ａｂ面内を流れる最大超伝導電流密度ｊab
はｃ軸方向に沿って流れる同密度ｊc とｊab＞ｊc の関
係があるので、電流余裕度が大きくなることから配線部
はａｂ面に延びて形成した方が望ましい。すなわち、配
線部と接合部とが積層した構造で従来技術により形成す
ると、接合部の設計余裕度，もしくは配線部の電流余裕
度のいずれかを犠牲にしなければならなかった。
【０００４】本発明の目的は、超伝導配線の電流密度を
最大にし，かつ超伝導配線上に形成したジョセフソン接
合の設計余裕度を最大にする下部電極の配向性を有する
層状超伝導体回路の構造とその製造方法を提供すること
にある。
最大にし，かつ超伝導配線上に形成したジョセフソン接
合の設計余裕度を最大にする下部電極の配向性を有する
層状超伝導体回路の構造とその製造方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の層状超伝導体回
路の第１の態様は、ペロブスカイト構造を有してａｂ面
内に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソ
ン接合を有する層状超伝導体回路において、配線部内に
埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交するａｂ面を
有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、配線部のａ
ｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面の垂直断面か
ら傾いて配線部と下部電極とが接触する１つ以上の平面
と、を有している。
路の第１の態様は、ペロブスカイト構造を有してａｂ面
内に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソ
ン接合を有する層状超伝導体回路において、配線部内に
埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交するａｂ面を
有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、配線部のａ
ｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面の垂直断面か
ら傾いて配線部と下部電極とが接触する１つ以上の平面
と、を有している。
【０００６】本発明の層状超伝導体回路の第２の態様
は、配線部内に埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直
交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極
と、配線部のａｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ
面の垂直断面から傾いて配線部と下部電極とが接触する
連続した曲面と、を有している。
は、配線部内に埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直
交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極
と、配線部のａｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ
面の垂直断面から傾いて配線部と下部電極とが接触する
連続した曲面と、を有している。
【０００７】本発明の層状超伝導体回路の製造方法は、
ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に延びる酸化物超
伝導体配線部に接続したジョセフソン接合を有する層状
超伝導体回路の製造方法において、配線部の一部を等方
性エッチングして配線部内にａｂ面の垂直断面から傾い
た傾斜断面を形成する工程と、傾斜断面表面で配線部の
ａｂ面と直交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からな
る下部電極を形成する工程と、を有している。
ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に延びる酸化物超
伝導体配線部に接続したジョセフソン接合を有する層状
超伝導体回路の製造方法において、配線部の一部を等方
性エッチングして配線部内にａｂ面の垂直断面から傾い
た傾斜断面を形成する工程と、傾斜断面表面で配線部の
ａｂ面と直交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からな
る下部電極を形成する工程と、を有している。
【０００８】
【作用】ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体に
おいては、ａｂ面内のコヒーレンス長ξab，同最大超伝
導電流密度ｊabとｃ軸方向のコヒーレンス長ξc ，同最
大超伝導電流密度ｊc との間には、ξab＞ξc ，および
ｊab＞ｊc の関係がある。すなわち、配線部および接合
部では、ａｂ面内に電流を流すことがそれぞれの電気的
余裕を最大限生かすことになる。今考えているａｂ面内
方向の電流は、ａｂ面に垂直な断面から傾いた傾斜断面
上に全て流出してくる。すなわち、配線部のａｂ面に対
して垂直なａｂ面を有する下部電極が配線部内に埋め込
まれ、互いにそれぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた少
なくとも１つの傾斜断面平面で接触させることにより、
ａｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を
連続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向
に曲げることが可能となる。
おいては、ａｂ面内のコヒーレンス長ξab，同最大超伝
導電流密度ｊabとｃ軸方向のコヒーレンス長ξc ，同最
大超伝導電流密度ｊc との間には、ξab＞ξc ，および
ｊab＞ｊc の関係がある。すなわち、配線部および接合
部では、ａｂ面内に電流を流すことがそれぞれの電気的
余裕を最大限生かすことになる。今考えているａｂ面内
方向の電流は、ａｂ面に垂直な断面から傾いた傾斜断面
上に全て流出してくる。すなわち、配線部のａｂ面に対
して垂直なａｂ面を有する下部電極が配線部内に埋め込
まれ、互いにそれぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた少
なくとも１つの傾斜断面平面で接触させることにより、
ａｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を
連続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向
に曲げることが可能となる。
【０００９】また、配線部のａｂ面に対して垂直なａｂ
面を有する下部電極が配線部に埋め込まれ、互いにそれ
ぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた連続した曲面で接触
させることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度およ
びコヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向
を配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
面を有する下部電極が配線部に埋め込まれ、互いにそれ
ぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた連続した曲面で接触
させることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度およ
びコヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向
を配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
【００１０】上述の２つの態様の層状超伝導体回路を実
現するために、酸化物超伝導体配線の一部を等方性エッ
チング法による除去を行なった。その結果、エッチング
マスク直下ほど酸化物超伝導体のサイドエッチ量が大き
く、ａｂ面に対して垂直断面から傾いた傾斜電面が配線
部内に形成された。この断面上に接して、配線部ａｂ面
の垂直方向にａｂ面配向した下部電極を形成すると、ａ
ｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を連
続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向に
曲げることが可能となる。
現するために、酸化物超伝導体配線の一部を等方性エッ
チング法による除去を行なった。その結果、エッチング
マスク直下ほど酸化物超伝導体のサイドエッチ量が大き
く、ａｂ面に対して垂直断面から傾いた傾斜電面が配線
部内に形成された。この断面上に接して、配線部ａｂ面
の垂直方向にａｂ面配向した下部電極を形成すると、ａ
ｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を連
続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向に
曲げることが可能となる。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例の層状超伝導
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面
図，分図（ｂ）は分図（ａ）のＡＡ線断面図である。
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面
図，分図（ｂ）は分図（ａ）のＡＡ線断面図である。
【００１３】例えば、ＳｒＴｉＯ3 基板１上に、主表面
がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２は
例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 膜から構成され、幅は１０μ
ｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２の一部を横
断してａｂ面の垂直断面から例えば６０°傾斜した面上
に、下部電極３が設けられている。下部電極３も例えば
ＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 の組成を有し、配線部２のａｂ面と
直交するａｂ面を有している。下部電極３の主表面に
は、例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ2 膜からなるトンネル障
壁４が設けられ、トンネル障壁４を介して、例えば膜厚
２００ｎｍのＮｂ膜からなる上部電極５が設けられてい
る。配線部２，および下部電極３の側面は絶縁膜（図示
せず）で覆われている。トンネル障壁４には、常伝導体
金属，半導体等を用いることもできる。上部電極５には
酸化物超伝導体を用いることもできる。更に、傾斜面は
配線部２を横断せずに配線部２内に含まれていねもよ
い。
がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２は
例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 膜から構成され、幅は１０μ
ｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２の一部を横
断してａｂ面の垂直断面から例えば６０°傾斜した面上
に、下部電極３が設けられている。下部電極３も例えば
ＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 の組成を有し、配線部２のａｂ面と
直交するａｂ面を有している。下部電極３の主表面に
は、例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ2 膜からなるトンネル障
壁４が設けられ、トンネル障壁４を介して、例えば膜厚
２００ｎｍのＮｂ膜からなる上部電極５が設けられてい
る。配線部２，および下部電極３の側面は絶縁膜（図示
せず）で覆われている。トンネル障壁４には、常伝導体
金属，半導体等を用いることもできる。上部電極５には
酸化物超伝導体を用いることもできる。更に、傾斜面は
配線部２を横断せずに配線部２内に含まれていねもよ
い。
【００１４】図２は本実施例に係わる層状超伝導体回路
の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
【００１５】まず、例えば（１００）面を主表面とする
ＳｒＴｉＯ3 基板１上に、基板温度４００℃の下でＹＢ
2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 を真空蒸着し、主表面がａｂ面となる膜
厚５００ｎｍ程度の配線部２を形成する。続いて、配線
部２表面に接合形成部７の開口部を有するレジストマス
ク６を形成する〔図２（ａ）〕。
ＳｒＴｉＯ3 基板１上に、基板温度４００℃の下でＹＢ
2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 を真空蒸着し、主表面がａｂ面となる膜
厚５００ｎｍ程度の配線部２を形成する。続いて、配線
部２表面に接合形成部７の開口部を有するレジストマス
ク６を形成する〔図２（ａ）〕。
【００１６】次に、例えばＣＣｌ2 Ｆ4 ガス，１５Ｐ
ａ，電力密度０．１６Ｗ／ｃｍ2 下のプラズマ放電中で
の反応性イオンエッチング法を用いて、配線部２の露出
部を等方的にエッチングする。その結果、レジストマス
ク６の開口部下に約６０°の傾斜角を有する傾斜断面８
が形成される〔図２（ｂ）〕。
ａ，電力密度０．１６Ｗ／ｃｍ2 下のプラズマ放電中で
の反応性イオンエッチング法を用いて、配線部２の露出
部を等方的にエッチングする。その結果、レジストマス
ク６の開口部下に約６０°の傾斜角を有する傾斜断面８
が形成される〔図２（ｂ）〕。
【００１７】その後、レジストマスク７を除去し、例え
ばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 のスパッタ蒸着により、配線部２
のａｂ面と垂直なａｂ面を有する配向性の膜厚５００ｎ
ｍの下部電極３を形成する〔図２（ｃ）〕。
ばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 のスパッタ蒸着により、配線部２
のａｂ面と垂直なａｂ面を有する配向性の膜厚５００ｎ
ｍの下部電極３を形成する〔図２（ｃ）〕。
【００１８】次に、全面にポジ型のレジストをスピンコ
ートして下部電極３の窪みを埋め込んだ後、アルゴンガ
スによるエッチバックを行ない、主表面を平坦化する
〔図２（ｄ）〕。
ートして下部電極３の窪みを埋め込んだ後、アルゴンガ
スによるエッチバックを行ない、主表面を平坦化する
〔図２（ｄ）〕。
【００１９】次に、全面に絶縁膜（図示せず）の堆積，
これのエッチバックによる平坦化を行ない、配線部２，
および下部電極３の側面を絶縁膜により覆う。続いて、
全面に例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ2 膜，例えば膜厚２０
０ｎｍのＮｂ膜を連続的にスパッタ蒸着し、反応性イオ
ンエッチングによる異方性エッチングを行ない、下部電
極３上にトンネル障壁４，上部電極５を形成する〔図２
（ｅ）〕。
これのエッチバックによる平坦化を行ない、配線部２，
および下部電極３の側面を絶縁膜により覆う。続いて、
全面に例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ2 膜，例えば膜厚２０
０ｎｍのＮｂ膜を連続的にスパッタ蒸着し、反応性イオ
ンエッチングによる異方性エッチングを行ない、下部電
極３上にトンネル障壁４，上部電極５を形成する〔図２
（ｅ）〕。
【００２０】図３は本発明の第２の実施例の層状超伝導
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面
図、分図（ｂ），（ｃ）は分図（ａ）のＢＢ線，ＣＣ線
断面図である。
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面
図、分図（ｂ），（ｃ）は分図（ａ）のＢＢ線，ＣＣ線
断面図である。
【００２１】例えば、ＳｒＴｉＯ3 基板１上に、主表面
がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２は
例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 膜から構成され、幅は１０μ
ｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２内には例え
ば側面がａｂ面の垂直断面から４５°傾斜した円錐状の
窪みが設けられ、この窪み内には下部電極３が設けられ
ている。下部電極３も例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 の組成
を有し、配線部２のａｂ面と直交するａｂ面を有してい
る。下部電極３の主表面には、例えば膜厚１ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜からなるトンネル障壁４が設けられ、トンネル障
壁４を介して、例えば膜厚２００ｎｍのＮｂ膜からなる
上部電極５が設けられている。配線部２表面，および下
部電極３におけるトンネル障壁４が設けられていない表
面は、絶縁膜９で覆われている。トンネル障壁４には、
常伝導体金属，半導体等を用いることもできる。上部電
極５には酸化物超伝導体を用いることもできる。また、
配線部２に設けられた窪みは円錐状でなくてもよく、任
意の曲線で囲まれた部分を上面とする錐であればよい。
なお、本実施例ではトンネル障壁４が接合部のみに形成
されているが、配線部２表面，および下部電極３表面全
面にトンネル障壁を形成して全面に絶縁膜を形成した
後、接合部のみ絶縁膜を除去し、上部電極５を形成して
もよい。
がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２は
例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 膜から構成され、幅は１０μ
ｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２内には例え
ば側面がａｂ面の垂直断面から４５°傾斜した円錐状の
窪みが設けられ、この窪み内には下部電極３が設けられ
ている。下部電極３も例えばＹＢ2 Ｃｕ3 Ｏ6.9 の組成
を有し、配線部２のａｂ面と直交するａｂ面を有してい
る。下部電極３の主表面には、例えば膜厚１ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜からなるトンネル障壁４が設けられ、トンネル障
壁４を介して、例えば膜厚２００ｎｍのＮｂ膜からなる
上部電極５が設けられている。配線部２表面，および下
部電極３におけるトンネル障壁４が設けられていない表
面は、絶縁膜９で覆われている。トンネル障壁４には、
常伝導体金属，半導体等を用いることもできる。上部電
極５には酸化物超伝導体を用いることもできる。また、
配線部２に設けられた窪みは円錐状でなくてもよく、任
意の曲線で囲まれた部分を上面とする錐であればよい。
なお、本実施例ではトンネル障壁４が接合部のみに形成
されているが、配線部２表面，および下部電極３表面全
面にトンネル障壁を形成して全面に絶縁膜を形成した
後、接合部のみ絶縁膜を除去し、上部電極５を形成して
もよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、層状超伝
導体回路において超伝導配線の電流密度を最大にし、か
つ超伝導配線上に形成したジョセフソン接合の設計余裕
度を最大にする配向性を有する下部電極の実現を可能に
する。
導体回路において超伝導配線の電流密度を最大にし、か
つ超伝導配線上に形成したジョセフソン接合の設計余裕
度を最大にする配向性を有する下部電極の実現を可能に
する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための平面図
および断面図である。
および断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係わる層状超伝導体回
路の製造方法を説明するための断面図である。
路の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための平面図
および断面図である。
および断面図である。
１ 基板 ２ 配線部 ３ 下部電極 ４ トンネル障壁 ５ 上部電極 ６ レジストマスク ７ 接合形成部 ８ 傾斜断面 ９ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に
延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン接
合を有する層状超伝導体回路において、前記配線部内に
埋め込まれ、前記配線部のａｂ面に対して直交するａｂ
面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、前記配
線部のａｂ面の垂直断面，および前記下部電極のａｂ面
の垂直断面から傾いて、前記配線部と前記下部電極とが
接触する１つ以上の平面と、を有することを特徴とする
層状超伝導体回路。 - 【請求項２】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に
延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン接
合を有する層状超伝導体回路において、前記配線部内に
埋め込まれ、前記配線部のａｂ面に対して直交するａｂ
面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、前記配
線部のａｂ面の垂直断面，および前記下部電極のａｂ面
の垂直断面から傾いて、前記配線部と前記下部電極とが
接触する連続した曲面と、を有することを特徴とする層
状超伝導体回路。 - 【請求項３】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に
延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン接
合を有する層状超伝導体回路の製造方法において、前記
配線部の一部を等方性エッチングして前記配線部内にａ
ｂ面の垂直断面から傾いた傾斜断面を形成する工程と、
前記傾斜断面表面で前記配線部のａｂ面と直交するａｂ
面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極を形成する
工程と、を有することを特徴とする層状超伝導体回路の
製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP3119677A JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
| US07/886,949 US5304817A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Superconductive circuit with film-layered josephson junction and process of fabrication thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119677A JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
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| JPH04346277A JPH04346277A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2827572B2 true JP2827572B2 (ja) | 1998-11-25 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3119677A Expired - Lifetime JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
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