JP2816839B2 - 半導体装置のコンデンサ製造方法 - Google Patents
半導体装置のコンデンサ製造方法Info
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Description
ンサの製造方法に係り、特に工程の単純化、及びコンデ
ンサ面積の増加に適するようにした半導体装置のコンデ
ンサ製造方法に関する。
の集積度の増加に伴ってその面積が小さくなるので、容
量の減少を補償するために誘電膜の厚さを減少してき
た。しかし、誘電膜の厚さが減少するに従って、トンネ
リングによる漏洩電流が増加し、この漏洩電流と誘電膜
の薄くなった厚さのために信頼性が低下するという問題
が発生した。
として、表面を凸凹にして、コンデンサの有効面積を増
加させる方法が広く採用されており、且つ誘電率の高い
窒化酸化膜や再酸化窒化酸化膜などを用いて薄膜化の傾
向をやや遅らせることができる。しかし、このような方
法は表面に大きい段差を形成してフォトリソグラフィ工
程を難しくし、且つ工程コストを高める等の問題のため
に256MB DRAM以上の高集積素子では使用し難
いだろうと予測している。コンデンサの容量を画期的に
向上させながら表面の凹凸を減少させる方法として、高
誘電率物質をコンデンサの誘電膜として使用する方法が
提示され、これに対する多くの研究が行われてきた。コ
ンデンサ用高誘電率の物質として一番活発に研究された
物質はTa2O5であり、この物質の薄膜化及び特性改
善、集積化による問題解決など、多くの成果があった。
しかし、誘電率があまり高くないので、高集積化されて
いく傾向を考慮するとき、その使用範囲は広くないだろ
う。
に対する関心が高くなっており、特に半導体装置に使用
される誘電体として集中的な研究の対象になっている。
このような物質としては、Pb(Zr,Ti)O3(P
ZT)、(Pb,La)(Zr,Ti)O3(PLZ
T)、(Ba,Sr)TiO3(BST)、BaTiO
3、SrTiO3等がある。しかし、このような物質は
基板としてのシリコンやシリサイドなどと容易に反応
し、さらに、これら物質はその薄膜形成過程で強い酸化
性雰囲気に表面が露出されることによる電極の酸化など
の問題があり、電極の材料及び構造など、集積工程を進
行中に発生する問題点を解決するための研究が続けられ
ている。
の物質を使用する場合には、現在使用中のシリコン酸化
膜より厚い誘電膜を使用するべきであるが、それでもシ
リコン酸化膜に比べて5倍乃至10倍の高い容量が得ら
れる。従って、コンデンサの電極構造を激しい屈曲を持
つようにしなくても、情報貯蔵に充分な容量を確保する
ことができる。このため、前記強誘電体薄膜を記憶素子
に使用しようとする場合には、簡単な単純スタック構造
または平面的な電極もコンデンサ製造に使用することが
できる。
強誘電体薄膜を使用した半導体装置のコンデンサ製造方
法を説明する。図1は従来の半導体装置のコンデンサ製
造工程断面図である。図1(a)に示すように、トラン
ジスタが形成された基板1上に層間絶縁膜2を形成し、
図1(b)に示すように、フォトリソグラフィ及びエッ
チング工程によって前記基板1が露出するまで前記層間
絶縁膜2を選択的に除去してコンタクトホール3を形成
する。図1(c)に示すように、前記コンタクトホール
3内と層間絶縁膜2の全面に電極物質4を堆積する。図
1(d)に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチ
ング工程で前記電極物質4を選択的に除去して下部電極
4Aをパターニングする。図1(e)に示すように、前
記下部電極4A及び層間絶縁膜2の全面に誘電膜5を堆
積し、前記誘電膜2上に上部電極6を堆積する。
来の半導体装置のコンデンサ製造方法では、次の問題点
があった。 第1、強誘電体物質を使用するコンデンサでは電極物質
としてPt等を一般的に使用しているが、Pt等の電極
はエッチングが難しく、パターニング時にレジスト側壁
に除去された電極物質が堆積され、パターンの周辺に鋭
い突出部を形成する問題がある。このような突出部は非
常に薄くて後工程途中破損してコンデンサ間の静電容量
の不均一をもたらす。また、誘電膜の堆積後その膜が破
損されるおそれがあり、その場合には上下部電極が互い
に短絡されて記憶素子全体を誤動作させることがある。
さらに、破損されてずれた部分はウェーハ上の余所に吸
着して後工程を難しくすることがある。 第2、電極を形成するために、別の電極パターニングが
必要であり、フォトリソグラフィ及びエッチング工程の
ために生産コストが非常に高い。本発明はかかる問題点
を解決するためのもので、その目的は工程を単純化し、
コンデンサの面積を増加させることにある。
の本発明の半導体装置のコンデンサ製造方法は、基板上
に絶縁膜を所定の厚さに形成させ、その絶縁膜に所望の
形状のコンタクトホールを形成して、そのコンタクトホ
ールの中にその形状に合わせた第1電極を形成する。し
かる後、絶縁膜を所定の深さだけ除去して第1電極を露
出させ、その表面に誘電体膜及び第2電極を順次形成す
る。
置のコンデンサ製造方法を添付図面を参照してより詳細
に説明する。図2は本発明の第1実施形態による半導体
装置のコンデンサの製造行程の断面図である。図2
(a)に示すように、基板1上に層間絶縁膜2を形成す
る。この層間絶縁膜2は低圧気相成長法(LPCVD)
又は常圧気相成長法(APCVD)法で形成され、且つ
一般的に使用する層間絶縁膜より約2000Å程度厚く
形成する。図2(b)に示すように、フォトリソグラフ
ィ及びエッチング工程で前記基板1が露出するまで層間
絶縁膜2を選択的に除去してコンタクトホール3を形成
する。このコンタクトホールはリアクティブイオンエッ
チング(RIE)法で異方性エッチングして、コンタク
トホールの側壁が“V”字形状を有するように形成す
る。
ル3内と層間絶縁膜2の表面に下部電極物質4を低圧気
相成長法法で堆積する。図2(d)に示すように、前記
下部電極物質4をレジスト無しにドライエッチングまた
はウェットエッチング、化学機械研磨を用いて前記層間
絶縁膜2が露出するまでエッチバックすることにより、
コンタクトホール3内に埋め込まれた状態で下部電極4
Aを形成する。図2(e)に示すように、前記層間絶縁
膜2をレジスト無しに約2000Å程度エッチングして
前記下部電極4Aの一部分を露出させる。このように、
下部電極が絶縁膜の中で形成されてから絶縁膜を取り除
いて下部電極を形成し、従来のように下部電極を直接エ
ッチングで成形していないので、その角の部分にもろい
突出物のようなものが生成されるおそればない。図2
(f)に示すように、前記下部電極4Aと前記層間絶縁
膜2の表面に誘電体薄膜5を形成し、前記誘電体薄膜5
上に上部電極6を形成する。つまり、下部電極4Aは必
要とする適正な大きさのコンタクトホール面積に合わ
せ、且つ上部電極6は一層広い面積に形成している。
装置のコンデンサ製造工程断面図である。図3(a)に
示すように、基板1上に層間絶縁膜2を堆積し、図3
(b)に示すように、前記基板1に電気的に連結できる
ようにフォトリソグラフィ及びエッチング工程でリセス
領域8及びその下側にコンタクトホール3を形成する。
パターニングされたレジスト7を用いてレジスト7の下
にアンダーカットが生ずるようにウェットエッチングや
化学ドライエッチングなどの等方性エッチングを施す。
このように前記アンダーカットによってリセス領域8を
形成した後、リアクティブイオンエッチング(RIE)
法等の異方性エッチングで基板が露出するまでエッチン
グして、レジスト7の形状通りにコンタクトホール3を
形成することにより、1回のフォトリソグラフィ工程の
みでコンタクトホール3とリセス領域8を形成すること
ができる。その場合、リセス領域はコンタクトホールと
一体であるので、リセス領域を備えたコンタクトホール
ということができる。
8とコンタクトホール3内及び層間絶縁膜2の全面に下
部電極物質4を堆積する。図3(d)に示すように、前
記下部電極4物質は前記層間絶縁膜が露出するまでエッ
チングしてコンタクトホール3、8内に下部電極4Aを
形成する。図3(e)に示すように、前記層間絶縁膜2
をレジスト無しに所定の厚さだけエッチングして、前記
リセス領域8内の下部電極4Aとコンタクトホール3内
の下部電極4Aの一部を露出させる。図3(f)に示す
ように、前記下部電極4A及び前記層間絶縁膜2の全面
に誘電体薄膜5を形成し、前記誘電体薄膜5上に上部電
極6を形成する。このように形成された電極は、リセス
領域に形成された部分では裏側もコンデンサの電極とし
て使用することができるので、コンデンサの面積が広
い。
装置のコンデンサ製造工程断面図である。図4(a)に
示すように、基板1上に層間絶縁膜2を堆積し、前記基
板1に電気的に連結できるようにフォトリソグラフィ及
びエッチング工程でリセス領域8を備えたコンタクトホ
ール3を形成する。図4(b)に示すように、前記リセ
ス領域8を含めたコンタクトホール3内及び前記層間絶
縁膜2の表面に多結晶シリコン9を堆積し、前記多結晶
シリコン9をエッチバックして前記コンタクトホール3
の直線部内のみに残す。このとき、多結晶シリコン9は
半導体基板1と反応が無く、且つ堆積特性に優れたリン
Pがドーピングされた多結晶シリコンを使用する。
ホール3内の多結晶シリコン9上と前記絶縁膜2の全面
にスパッタリングで約200Å厚さのTi薄膜を堆積
し、Arなどの不活性雰囲気で急速熱処理(Rapid Therm
al Processing:RTP)、すなわち、約800℃で1分以内
の熱処理を施すことにより、前記コンタクトホール3内
で露出している多結晶シリコン9の先端部のみに選択的
にTi−シリサイドを形成する。そして、前記Ti−シ
リサイド10の他の残りのTiをウェットエッチングで
除去し、N2 やNH3 等の窒化性雰囲気で再び約800
℃に1分以内の急速熱処理によって前記Ti−シリサイ
ドを窒化して、前記コンタクトホール3内の多結晶シリ
コン9上にTiN拡散防止膜10を形成する。
び拡散防止膜10の全面にスパッタリングで下部電極4
物質を堆積し、前記下部電極4物質をエッチバックして
前記リセス領域8のみに残す。このとき、下部電極
は(、Ba,Sr)TiO3、Pb(Zr,Ti)O3 等
の誘電物質と反応しないPt、Ir、Ru、IrO2、
RuO2、SrRuO3、YBa2Cu3O7、(La,S
r)CoO3 等の物質を使用する。図4(e)に示すよ
うに、前記絶縁膜3をレジスト無しにエッチングして前
記リセス領域8内の下部電極4を露出させる。図4
(f)に示すように、前記下部電極4及び前記絶縁膜2
の全面に誘電体薄膜5を形成し、前記誘電体薄膜5上に
上部電極6を形成する。この実施形態においては、下部
電極4を高誘電率物質と反応しない物質で形成し、コン
タクトホール3内に基板1と反応せず塗布性に優れた多
結晶シリコン9を使用した。
装置のコンデンサ製造工程断面図である。図5(a)に
示すように、基板1上に層間絶縁膜2を堆積し、前記基
板1に電気的に連結できるようにフォトリソグラフィ及
びエッチング工程でリセス領域8及びコンタクトホール
3を形成する。図5(b)に示すように、前記リセス領
域8内、コンタクトホール3内及び前記層間絶縁膜2の
全面に第1金属層4、第1拡散防止膜10、多結晶シリ
コン9を順次形成する。第1金属層物質は誘電膜と反応
しないPt、Ir、Ru、IrO2、RuO2、SrRu
O3、YBa2Cu3O7、(La,Sr)CoO3等の物質
とする。そして、第1拡散防止層10はチタニウムと窒
素を主成分とする物質を使用し、多結晶シリコン9はリ
ンを含有する多結晶シリコンを使用する。前記多結晶シ
リコン9は低圧気相成長法で形成する。
コン9、第1拡散防止膜10及び第1金属層4物質を前
記層間絶縁膜2の表面が露出するまでエッチバックして
除去する。図5(d)に示すように、前記層間絶縁膜2
をレジスト無しにエッチングして前記リセス領域8内の
第1金属層4と前記コンタクトホール3内の第1金属層
4の一部を露出させる。図5(e)に示すように、全面
にスパッタリング等の照準線(Line of sight)堆積法で
第2拡散防止膜10aと第2金属層4a物質を順次堆積
すると、前記リセス領域8及び絶縁膜2上に不連続的に
第2拡散防止膜10aと第2金属層4aの物質が形成さ
れる。図5(f)に示すように、前記絶縁膜2上の第2
拡散防止膜10aと第2金属層4aを除去して、多結晶
シリコンを拡散防止層と金属層が覆う構造の下部電極を
形成する。そして、前記下部電極及び前記絶縁膜2の全
面に誘電体薄膜5及び上部電極6を順次形成する。この
実施形態は、電極の表面のみに誘電体薄膜5と反応性の
小さい物質を使用した方法である。
置のコンデンサ製造方法では次の効果がある。従来では
高誘電率物質を使用するコンデンサで一番多く使用する
Ptのようにエッチングし難い物質を使用できなかった
が、本発明では絶縁膜を利用して加工し易くして下部電
極を形成しているので、エッチングし難い貴金属などを
下部電極として容易に使用することができる。しかも、
本発明方法では、絶縁膜の中に電極を埋め込んだ状態で
形成し、しかる後、絶縁膜を除去して下部電極を露出し
ているので、下部電極に従来のようなもろい突起物など
ができる可能性がない。本発明はコンタクトホールの形
成のためのフォトリソグラフィ工程のみでコンデンサの
電極形成を完了するので、少なくとも1回のフォトリソ
グラフィ工程を省略することができて、生産工程を単純
化することができる。本発明方法を用いれば、下部電極
の形状をその裏側までコンデンサとして使用する形状に
容易にすることができるので、コンデンサの面積を増加
させることができる。
図である。
ンデンサ製造工程断面図である。
ンデンサ製造工程断面図である。
ンデンサ製造工程断面図である。
ンデンサ製造工程断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に絶縁膜を堆積し、その一部を除
去してリセス領域を有するコンタクトホールを形成する
段階と、 前記リセス領域を有するコンタクトホール内に第1電極
を形成する段階と、 前記第1電極の一部が露出するように前記絶縁膜を除去
する段階と、 前記露出した第1電極の表面に誘電体膜と第2電極を順
次形成する段階とを有することを特徴とする半導体装置
のコンデンサ製造方法。 - 【請求項2】 前記リセス領域を有するコンタクトホー
ルの形成方法は、 絶縁膜上に感光膜を形成する段階と、 マスクを用いて露光及び現像工程で前記感光膜をパター
ニングする段階と、 前記パターニングされた感光膜をマスクとして最初に前
記絶縁膜を等方性エッチングし、次に異方性エッチング
する段階とを含んでなることを特徴とする請求項1記載
の半導体装置のコンデンサ製造方法。 - 【請求項3】 基板上に絶縁膜を堆積し、その一部を除
去してコンタクトホールを形成する段階と、 前記コンタクトホール内に金属層、拡散防止層、及び伝
導性半導体層が積層された第1電極を形成する段階と、 第1電極の金属層が露出するように前記絶縁膜を除去す
る段階と、 前記露出された金属層の表面に誘電体膜と第2電極を順
次形成する段階とを有することを特徴とする半導体装置
のコンデンサ製造方法。 - 【請求項4】 コンタクトホールは、コンタクトホール
の上部面腕状のリセス領域が形成されるように、絶縁膜
の除去時にウェットエッチングとドライエッチングを並
行して形成することを特徴とする請求項3記載の半導体
装置のコンデンサ製造方法。 - 【請求項5】 基板上に絶縁膜を堆積し、その一部を除
去してコンタクトホールを形成する段階と、 前記コンタクトホール及び前記絶縁膜の全面に第1金属
層、第1拡散防止層及び真性半導体層を順次形成する段
階と、 前記真性半導体層、第1拡散防止層及び第1金属層がコ
ンタクトホール内のみに残るようにエッチングして第1
電極を形成する段階と、 前記絶縁膜を所定の深さに除去して第1電極を部分的に
露出する段階と、 前記第1電極の上に第2拡散防止層及び第2金属層を順
次形成する段階と、 前記露出された第1、第2金属層の表面に誘電体薄膜及
び第2電極を形成する段階とを有することを特徴とする
半導体装置のコンデンサ製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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