JP2814174B2 - 感光材料組成物 - Google Patents
感光材料組成物Info
- Publication number
- JP2814174B2 JP2814174B2 JP4343296A JP34329692A JP2814174B2 JP 2814174 B2 JP2814174 B2 JP 2814174B2 JP 4343296 A JP4343296 A JP 4343296A JP 34329692 A JP34329692 A JP 34329692A JP 2814174 B2 JP2814174 B2 JP 2814174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- present
- material composition
- photosensitive material
- resist
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/01—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C211/02—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C211/03—Monoamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C233/00—Carboxylic acid amides
- C07C233/01—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
- C07C233/02—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having nitrogen atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals
- C07C233/09—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having nitrogen atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals with carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of an acyclic unsaturated carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0041—Optical brightening agents, organic pigments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/01—Hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感光材料組成物に関す
る。詳しくはＬＳＩ等の半導体素子の製造に適した感光
材料組成物に関する。より詳しくは紫外線や遠紫外線、
Ｘ線、電子線等を光源とする半導体素子製造用フォトリ
ソグラフィーのレジストとして好適な感光材料組成物に
関する。
る。詳しくはＬＳＩ等の半導体素子の製造に適した感光
材料組成物に関する。より詳しくは紫外線や遠紫外線、
Ｘ線、電子線等を光源とする半導体素子製造用フォトリ
ソグラフィーのレジストとして好適な感光材料組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで半導体用レジストとしては、ｇ
線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６６ｎｍ）、ＫｒＦエキシ
マレーザ光（２４８ｎｍ）等の光源に対してはノボラッ
ク型フェノール樹脂に感光成分であるキノンジアジド化
合物を添加したポジ型レジストが、またＸ線や電子線に
対してはノボラック型フェノール樹脂に感光成分として
ポリ−２−メチルペンテン−１−スルホンを添加したポ
ジ型レジストが広く使用されてきた。
線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６６ｎｍ）、ＫｒＦエキシ
マレーザ光（２４８ｎｍ）等の光源に対してはノボラッ
ク型フェノール樹脂に感光成分であるキノンジアジド化
合物を添加したポジ型レジストが、またＸ線や電子線に
対してはノボラック型フェノール樹脂に感光成分として
ポリ−２−メチルペンテン−１−スルホンを添加したポ
ジ型レジストが広く使用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ等の半導体素子
は近年ますます微細化しフォトリソグラフィーに対する
要求も年々厳しくなっている。現在では最小線幅がハー
フミクロン（０．５μｍ）、更にはクォーターミクロン
（０．２５μｍ）という高解像度のパターン形成が可能
なレジストが求められるに至っている。また生産性を一
層高めるためにより高感度なレジストが求められてい
る。しかし従来のレジストではこの要求に十分に対応で
きないのが実情である。このため半導体業界では高解像
度化と高感度化の要求を満足する新しいレジストの出現
が強く求められている。
は近年ますます微細化しフォトリソグラフィーに対する
要求も年々厳しくなっている。現在では最小線幅がハー
フミクロン（０．５μｍ）、更にはクォーターミクロン
（０．２５μｍ）という高解像度のパターン形成が可能
なレジストが求められるに至っている。また生産性を一
層高めるためにより高感度なレジストが求められてい
る。しかし従来のレジストではこの要求に十分に対応で
きないのが実情である。このため半導体業界では高解像
度化と高感度化の要求を満足する新しいレジストの出現
が強く求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は従来の問題点
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、従来全く使用
されていないフラーレンを含む組成物を用いることによ
り、高解像度で高感度化のレジストを提供し得ることを
見い出し、本発明を完成するに到った。すなわち本発明
は感光基を有しないフラーレンと感光剤とから成る感光
材料組成物に関する。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、従来全く使用
されていないフラーレンを含む組成物を用いることによ
り、高解像度で高感度化のレジストを提供し得ることを
見い出し、本発明を完成するに到った。すなわち本発明
は感光基を有しないフラーレンと感光剤とから成る感光
材料組成物に関する。
【０００５】本発明で用いるフラーレンとはカーボンク
ラスターと称される炭素同素体およびその誘導体をさ
す。これまでに知られているカーボンクラスターとして
は分子式でＣ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、
Ｃ８４、Ｃ９０、Ｃ９６等がある。これらカーボンクラ
スターの１種類または２種類以上からなる混合物を本発
明のカーボンクラスターとして用いることができる。こ
れらのうちＣ６０とＣ７０が好ましく、特にＣ６０が本
発明のカーボンクラスターとして好ましく使用できる。
ラスターと称される炭素同素体およびその誘導体をさ
す。これまでに知られているカーボンクラスターとして
は分子式でＣ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、
Ｃ８４、Ｃ９０、Ｃ９６等がある。これらカーボンクラ
スターの１種類または２種類以上からなる混合物を本発
明のカーボンクラスターとして用いることができる。こ
れらのうちＣ６０とＣ７０が好ましく、特にＣ６０が本
発明のカーボンクラスターとして好ましく使用できる。
【０００６】本発明で用いるフラーレン、すなわち本発
明で用いるカーボンクラスターおよびその誘導体はいず
れでも使用できるので特に制限はないが、好ましく使用
できるフラーレンとして前述のカーボンクラスターの他
に、カーボンクラスターへのアルキルアミン付加物、カ
ーボンクラスターへのアルキル基付加物、カーボンクラ
スターへのハロゲン元素付加物を挙げることができ、ま
た成膜性に優れていてより好ましく使用できるフラーレ
ンとしてカーボンクラスターへのアルキルアミン付加物
およびカーボンクラスターへのアルキル基付加物を、特
に好ましく使用できるフラーレンとしてカーボンクラス
ターへのアルキルアミン付加物を挙げることができる。
明で用いるカーボンクラスターおよびその誘導体はいず
れでも使用できるので特に制限はないが、好ましく使用
できるフラーレンとして前述のカーボンクラスターの他
に、カーボンクラスターへのアルキルアミン付加物、カ
ーボンクラスターへのアルキル基付加物、カーボンクラ
スターへのハロゲン元素付加物を挙げることができ、ま
た成膜性に優れていてより好ましく使用できるフラーレ
ンとしてカーボンクラスターへのアルキルアミン付加物
およびカーボンクラスターへのアルキル基付加物を、特
に好ましく使用できるフラーレンとしてカーボンクラス
ターへのアルキルアミン付加物を挙げることができる。
【０００７】上述のアルキルアミンとしては、通常のア
ルキル基を有するアミンならすべて使用でき特に制限は
なく、一級アミン、二級アミン、三級アミンのいずれも
使用できる。なお、一級アミンは二級アミンや三級アミ
ンよりカーボンクラスターへの付加反応性が優れている
ため特に好ましい。アルキル基としては通常炭素数１〜
２４のものが好ましく、特に１〜１２が好ましい。好ま
しく使用できるアルキルアミンとして、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−ブチルア
ミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミ
ン、ｎ−ドデシルアミン、アニリンを挙げることができ
る。この中で特に好ましく使用できるアルキルアミンと
してｎ−ブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチ
ルヘキシルアミンを挙げることができる。
ルキル基を有するアミンならすべて使用でき特に制限は
なく、一級アミン、二級アミン、三級アミンのいずれも
使用できる。なお、一級アミンは二級アミンや三級アミ
ンよりカーボンクラスターへの付加反応性が優れている
ため特に好ましい。アルキル基としては通常炭素数１〜
２４のものが好ましく、特に１〜１２が好ましい。好ま
しく使用できるアルキルアミンとして、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−ブチルア
ミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミ
ン、ｎ−ドデシルアミン、アニリンを挙げることができ
る。この中で特に好ましく使用できるアルキルアミンと
してｎ−ブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチ
ルヘキシルアミンを挙げることができる。
【０００８】アルキルアミンをカーボンクラスターに付
加させる方法に特に制限はないが、例えば、アルキルア
ミン中にカーボンクラスターを溶解させ、これを０．２
〜５０時間攪拌することによりアルキルアミンが付加し
たカーボンクラスターが得られる。
加させる方法に特に制限はないが、例えば、アルキルア
ミン中にカーボンクラスターを溶解させ、これを０．２
〜５０時間攪拌することによりアルキルアミンが付加し
たカーボンクラスターが得られる。
【０００９】付加させるアルキルアミンの量はアルキル
基の種類に応じて選択することができるが、通常はカー
ボンクラスターの５〜１００重量％、好ましくは１０〜
６０重量％、より好ましくは２０〜４０重量％の範囲で
ある。５重量％より少ないと成膜性が十分ではない。ま
た１００重量％より多いと本発明の効果が十分ではな
い。
基の種類に応じて選択することができるが、通常はカー
ボンクラスターの５〜１００重量％、好ましくは１０〜
６０重量％、より好ましくは２０〜４０重量％の範囲で
ある。５重量％より少ないと成膜性が十分ではない。ま
た１００重量％より多いと本発明の効果が十分ではな
い。
【００１０】本発明で用いるフラーレンとしては、通常
上述のフラーレンの中の１種類を用いるが、必要に応じ
て２種類以上からなる混合物を用いることもできる。
上述のフラーレンの中の１種類を用いるが、必要に応じ
て２種類以上からなる混合物を用いることもできる。
【００１１】一般に感光反応の種類としては架橋型（ネ
ガ型）と崩壊型（ポジ型）が知られており、本発明にお
いてもそのいずれも使用することができるが、架橋型の
反応がより好ましい。
ガ型）と崩壊型（ポジ型）が知られており、本発明にお
いてもそのいずれも使用することができるが、架橋型の
反応がより好ましい。
【００１２】本発明で用いる感光剤としては、紫外線や
遠紫外線、Ｘ線、電子線等の照射により化学反応を起こ
す感光剤はすべて使用することができ特に制限はない
が、分子中に感光基を２個以上有する多官能の感光剤が
好ましく使用できる。また必要に応じて２種以上の感光
剤を組み合わせて使用することもできる。
遠紫外線、Ｘ線、電子線等の照射により化学反応を起こ
す感光剤はすべて使用することができ特に制限はない
が、分子中に感光基を２個以上有する多官能の感光剤が
好ましく使用できる。また必要に応じて２種以上の感光
剤を組み合わせて使用することもできる。
【００１３】本発明で使用できる感光剤の中で好ましい
感光剤としてアジド化合物を挙げることができる。アジ
ド化合物としては、例えば、４−アジドベンザルアセト
フェノン、４−アジドベンザル−４′−メチルアセトフ
ェノン、４−アジドベンザル−４′−メトキシアセトフ
ェノン、４，４′−ジアジドベンザルアセトフェノン、
４−アジドベンゾフェノン、２，６−ジ（４′−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４′−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−
ジ（４′−アジドベンザル）−４−ｔ−アミルシクロヘ
キサノン、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、
４，４′−ジアジドジフェニルエーテル、４，４′−ジ
アジドフェニルスルフィド、４，４′−ジアジドジフェ
ニルメタン等を挙げることができる。この中で特に好ま
しく使用できるアジド化合物として二官能の４，４′−
ジアジドベンザルアセトフェノン、４−アジドベンゾフ
ェノン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘ
キサノン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−
メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ（４′−アジドベ
ンザル）−４−ｔ−アミルシクロヘキサノン、４，４′
−ジアジドジフェニルスルホン、４，４′−ジアジドジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアジドフェニルスルフ
ィド、４，４′−ジアジドジフェニルメタンを挙げるこ
とができる。
感光剤としてアジド化合物を挙げることができる。アジ
ド化合物としては、例えば、４−アジドベンザルアセト
フェノン、４−アジドベンザル−４′−メチルアセトフ
ェノン、４−アジドベンザル−４′−メトキシアセトフ
ェノン、４，４′−ジアジドベンザルアセトフェノン、
４−アジドベンゾフェノン、２，６−ジ（４′−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４′−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−
ジ（４′−アジドベンザル）−４−ｔ−アミルシクロヘ
キサノン、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、
４，４′−ジアジドジフェニルエーテル、４，４′−ジ
アジドフェニルスルフィド、４，４′−ジアジドジフェ
ニルメタン等を挙げることができる。この中で特に好ま
しく使用できるアジド化合物として二官能の４，４′−
ジアジドベンザルアセトフェノン、４−アジドベンゾフ
ェノン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘ
キサノン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−
メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ（４′−アジドベ
ンザル）−４−ｔ−アミルシクロヘキサノン、４，４′
−ジアジドジフェニルスルホン、４，４′−ジアジドジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアジドフェニルスルフ
ィド、４，４′−ジアジドジフェニルメタンを挙げるこ
とができる。
【００１４】本発明の感光材料組成物においてフラーレ
ンに対する感光剤の量はその感光剤の光反応性および露
光に用いる光源の種類に応じて選択することができる
が、通常はフラーレンに対して０．３〜２０重量％、好
ましくは１〜１５重量％の範囲で使用できる。０．３重
量％よりも少ないと感光性が不足する。また２０重量％
よりも多いと保存安定性が低下する。
ンに対する感光剤の量はその感光剤の光反応性および露
光に用いる光源の種類に応じて選択することができる
が、通常はフラーレンに対して０．３〜２０重量％、好
ましくは１〜１５重量％の範囲で使用できる。０．３重
量％よりも少ないと感光性が不足する。また２０重量％
よりも多いと保存安定性が低下する。
【００１５】本発明の感光材料組成物に、必要に応じ
て、ポリスチレンやフェノール樹脂等の樹脂を添加する
こともできるが、本発明の効果を十分に発揮するために
はこれら樹脂の添加量は２０重量％以下であることが望
ましい。
て、ポリスチレンやフェノール樹脂等の樹脂を添加する
こともできるが、本発明の効果を十分に発揮するために
はこれら樹脂の添加量は２０重量％以下であることが望
ましい。
【００１６】本発明の感光材料組成物は従来の感光材料
と比べてドライエッチングに対する耐性が極めて高いと
いう特長を有している。例えばＣＦ4 ガスを用いた反応
性イオンエッチングに対して、本発明の感光材料組成物
は従来の感光材料の３０倍から５０倍の耐性を有してい
る。このため感光材料組成物として使用する際にその膜
厚を通常の数十分の一にすることが可能である。この結
果、従来の感光材料よりも著しく高い解像度と感度を示
す。
と比べてドライエッチングに対する耐性が極めて高いと
いう特長を有している。例えばＣＦ4 ガスを用いた反応
性イオンエッチングに対して、本発明の感光材料組成物
は従来の感光材料の３０倍から５０倍の耐性を有してい
る。このため感光材料組成物として使用する際にその膜
厚を通常の数十分の一にすることが可能である。この結
果、従来の感光材料よりも著しく高い解像度と感度を示
す。
【００１７】本発明の感光材料組成物は基板上に通常２
〜２００ｎｍ、好ましくは５から１００ｎｍ、特に好ま
しくは１０〜５０ｎｍの膜厚で被膜を形成して使用す
る。２ｎｍよりも薄いと薄膜の均一性がやや低下する。
また２００ｎｍよりも厚いと本発明の特長を十分には発
揮できない。
〜２００ｎｍ、好ましくは５から１００ｎｍ、特に好ま
しくは１０〜５０ｎｍの膜厚で被膜を形成して使用す
る。２ｎｍよりも薄いと薄膜の均一性がやや低下する。
また２００ｎｍよりも厚いと本発明の特長を十分には発
揮できない。
【００１８】被膜の形成法としてはスピンコート（回転
塗布）、蒸着等種々の方法が使用できるがスピンコート
が最も好ましい。その場合は本発明の組成物の溶液を塗
布することになる。溶剤としては本発明の組成物を溶解
するものはすべて使用できるが、好ましい溶剤として芳
香族系溶剤を、その中で特に好ましい溶剤としてトルエ
ン、キシレン、プソイドクメン等を挙げることができ
る。その濃度は形成する膜厚に応じて調整するが通常
０．１から１重量％である。
塗布）、蒸着等種々の方法が使用できるがスピンコート
が最も好ましい。その場合は本発明の組成物の溶液を塗
布することになる。溶剤としては本発明の組成物を溶解
するものはすべて使用できるが、好ましい溶剤として芳
香族系溶剤を、その中で特に好ましい溶剤としてトルエ
ン、キシレン、プソイドクメン等を挙げることができ
る。その濃度は形成する膜厚に応じて調整するが通常
０．１から１重量％である。
【００１９】本発明の感光材料組成物は紫外線や遠紫外
線、Ｘ線、電子線等の種々の光源に対して高解像度で高
感度を示すので光源に制限はないが、Ｘ線と電子線に対
して効果が特に高い。
線、Ｘ線、電子線等の種々の光源に対して高解像度で高
感度を示すので光源に制限はないが、Ｘ線と電子線に対
して効果が特に高い。
【００２０】露光後に行う現像の条件は感光剤の種類に
よって選択することができる。ネガ型感光材料組成物と
して用いる際には、好ましい現像液として芳香族系溶剤
を、その中で特に好ましい現像液としてトルエンとキシ
レンを挙げることができる。現像の温度と時間に特に制
限は無いが、通常０〜８０℃の温度で３０〜２００秒間
現像液に浸漬して行う。
よって選択することができる。ネガ型感光材料組成物と
して用いる際には、好ましい現像液として芳香族系溶剤
を、その中で特に好ましい現像液としてトルエンとキシ
レンを挙げることができる。現像の温度と時間に特に制
限は無いが、通常０〜８０℃の温度で３０〜２００秒間
現像液に浸漬して行う。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明はこれに限
定されるものではない。 （実施例）高純度Ｃ６０（純度９９．８％、真空冶金株
式会社製）０．５ｇとｎ−ヘキシルアミン５０ｇとを混
合し室温で１時間攪拌した。これにメタノールを加えて
生成した沈殿をろ過により回収した。これをさらにメタ
ノールで洗浄した後に真空乾燥すると褐色の沈殿が得ら
れた。この沈殿を元素分析および質量分析したところ、
Ｃ６０に対してｎ−ヘキシルアミンが２９重量％付加し
たものであった。この褐色の沈殿０．３ｇと２，６−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン０．０３ｇとをトルエン１００ｇに溶解して均一な溶
液を調製した。この溶液をシリコンウエハーにスピンコ
ートし更に予備加熱することにより、レジスト薄膜を３
２．１ｎｍの膜厚で形成した。このレジストに電子線を
所定量露光した後にトルエンで１分間現像することによ
り感度特性曲線を作成し、感度（数値が小さいほど高感
度）と解像度の目安であるγ値（数値が大きいほど解像
度が高い）を求めた。結果を表１に示す。
るが、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明はこれに限
定されるものではない。 （実施例）高純度Ｃ６０（純度９９．８％、真空冶金株
式会社製）０．５ｇとｎ−ヘキシルアミン５０ｇとを混
合し室温で１時間攪拌した。これにメタノールを加えて
生成した沈殿をろ過により回収した。これをさらにメタ
ノールで洗浄した後に真空乾燥すると褐色の沈殿が得ら
れた。この沈殿を元素分析および質量分析したところ、
Ｃ６０に対してｎ−ヘキシルアミンが２９重量％付加し
たものであった。この褐色の沈殿０．３ｇと２，６−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン０．０３ｇとをトルエン１００ｇに溶解して均一な溶
液を調製した。この溶液をシリコンウエハーにスピンコ
ートし更に予備加熱することにより、レジスト薄膜を３
２．１ｎｍの膜厚で形成した。このレジストに電子線を
所定量露光した後にトルエンで１分間現像することによ
り感度特性曲線を作成し、感度（数値が小さいほど高感
度）と解像度の目安であるγ値（数値が大きいほど解像
度が高い）を求めた。結果を表１に示す。
【００２２】（比較例）フェノール１１．４ｇ、ｍ−ク
レゾール２６．１ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液２
８．５ｇ、シュウ酸二水物０．６１ｇ、イオン交換水
３．６ｇ、エチルセロソルブアセテート１２．０ｇを３
００ｍＬのセパラブルフラスコに仕込み、１１０℃で３
時間加熱攪拌し反応させた。後処理の後エチルセロソル
ブアセテートを蒸留除去してノボラック型フェノール樹
脂を回収した。平均分子量は１万３０００であった。こ
のノボラック型フェノール樹脂９０重量部に、平均分子
量８万２０００のポリー２−メチルペンテン−１−スル
ホン１０重量部を均一に混合することによりレジストを
調製した。このレジストを１０重量％含むエチルセロソ
ルブアセテート溶液をスピンコートし更に予備加熱する
ことにより１２００ｎｍの膜厚の被膜を形成した。電子
線露光後にアルカリ水溶液で１分間現像することによ
り、実施例と同様にして感度とγ値を求めた。結果を表
１に示す。
レゾール２６．１ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液２
８．５ｇ、シュウ酸二水物０．６１ｇ、イオン交換水
３．６ｇ、エチルセロソルブアセテート１２．０ｇを３
００ｍＬのセパラブルフラスコに仕込み、１１０℃で３
時間加熱攪拌し反応させた。後処理の後エチルセロソル
ブアセテートを蒸留除去してノボラック型フェノール樹
脂を回収した。平均分子量は１万３０００であった。こ
のノボラック型フェノール樹脂９０重量部に、平均分子
量８万２０００のポリー２−メチルペンテン−１−スル
ホン１０重量部を均一に混合することによりレジストを
調製した。このレジストを１０重量％含むエチルセロソ
ルブアセテート溶液をスピンコートし更に予備加熱する
ことにより１２００ｎｍの膜厚の被膜を形成した。電子
線露光後にアルカリ水溶液で１分間現像することによ
り、実施例と同様にして感度とγ値を求めた。結果を表
１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１からも明らかなように実施例のレジス
トは極めて高い感度と解像度を有していることが分か
る。
トは極めて高い感度と解像度を有していることが分か
る。
【００２５】＜ＣＦ4 反応性イオンエッチング試験＞試
験用の被膜は実施例および比較例と同様に、スピンコー
トと予備加熱により作製した。実施例のレジストはネガ
型であるから感度相当量の電子線を露光しこれを現像し
たものを試験した。比較例のレジストはポジ型であるか
ら未露光で現像したものを試験した。試験はＳａｍｃｏ
株式会社製の反応性イオンエッチング装置ＲＩＥ−１を
用いてＣＦ4 ガス圧力０．１０ｔｏｒｒ、出力１００Ｗ
の条件で行った。結果を表２に示す。
験用の被膜は実施例および比較例と同様に、スピンコー
トと予備加熱により作製した。実施例のレジストはネガ
型であるから感度相当量の電子線を露光しこれを現像し
たものを試験した。比較例のレジストはポジ型であるか
ら未露光で現像したものを試験した。試験はＳａｍｃｏ
株式会社製の反応性イオンエッチング装置ＲＩＥ−１を
用いてＣＦ4 ガス圧力０．１０ｔｏｒｒ、出力１００Ｗ
の条件で行った。結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】 ＣＦ4 反応性イオンエッチング試験の結果
【００２７】表２からも明らかのように実施例のレジス
トは比較例のレジストの約４０倍のエッチング耐性を有
している。このため、比較例のレジストに比してはるか
に薄い膜厚でもエッチングに耐える（膜厚がゼロになる
までの）時間の長さは同等である。
トは比較例のレジストの約４０倍のエッチング耐性を有
している。このため、比較例のレジストに比してはるか
に薄い膜厚でもエッチングに耐える（膜厚がゼロになる
までの）時間の長さは同等である。
【００２８】
【発明の効果】上述の通り本発明の感光材料組成物は紫
外線や遠紫外線、Ｘ線、電子線等を光源とする半導体素
子製造用フォトリソグラフィーのレジストとして好適な
感光材料組成物であって、ドライエッチング耐性が極め
て強いため極めて薄い膜厚で使用でき、このため非常な
高解像度と高感度を示す。
外線や遠紫外線、Ｘ線、電子線等を光源とする半導体素
子製造用フォトリソグラフィーのレジストとして好適な
感光材料組成物であって、ドライエッチング耐性が極め
て強いため極めて薄い膜厚で使用でき、このため非常な
高解像度と高感度を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 感光基を有しないフラーレンと感光剤と
から成る感光材料組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343296A JP2814174B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 感光材料組成物 |
| US08/080,410 US5561026A (en) | 1992-06-30 | 1993-06-21 | Photosensitive materials comprising fullerene |
| DE4321547A DE4321547A1 (de) | 1992-06-30 | 1993-06-29 | Lichtempfindlicher Stoff |
| KR1019930025310A KR940012044A (ko) | 1992-11-30 | 1993-11-26 | 감광재료 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343296A JP2814174B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 感光材料組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167812A JPH06167812A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2814174B2 true JP2814174B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=18360425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343296A Expired - Fee Related JP2814174B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-11-30 | 感光材料組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814174B2 (ja) |
| KR (1) | KR940012044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528231B1 (en) | 1999-01-25 | 2003-03-04 | Riken | Photosensitive resin composition, printed wiring board, substrate for disposing semiconductor chips, semiconductor device and processes for producing a printed wiring board, a substrate for disposing semiconductor chips and a semiconductor device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2860399B2 (ja) * | 1996-01-31 | 1999-02-24 | 工業技術院長 | パターン形成方法 |
| KR100234143B1 (ko) | 1996-06-07 | 1999-12-15 | 미야즈 쥰이치로 | 레지스트 물질 및 그 제조 방법 |
| JP3032833B2 (ja) * | 1997-09-22 | 2000-04-17 | ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム | 電子線レジスト |
| KR100464303B1 (ko) * | 1998-05-07 | 2005-02-28 | 삼성전자주식회사 | 방전발광소자 |
| KR20030002739A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
| KR100801820B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한 패턴 형성방법 |
| KR100821443B1 (ko) * | 2007-07-16 | 2008-04-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브 조성물 |
| KR100801821B1 (ko) * | 2007-07-16 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2814165B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-10-22 | 日本石油株式会社 | 感光材料 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4343296A patent/JP2814174B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-26 KR KR1019930025310A patent/KR940012044A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528231B1 (en) | 1999-01-25 | 2003-03-04 | Riken | Photosensitive resin composition, printed wiring board, substrate for disposing semiconductor chips, semiconductor device and processes for producing a printed wiring board, a substrate for disposing semiconductor chips and a semiconductor device |
| US6709804B2 (en) | 1999-01-25 | 2004-03-23 | Riken | Printed wiring board and semiconductor device and processes to prepare the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06167812A (ja) | 1994-06-14 |
| KR940012044A (ko) | 1994-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5561026A (en) | Photosensitive materials comprising fullerene | |
| JPS62135824A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPS6236663A (ja) | ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JP2814174B2 (ja) | 感光材料組成物 | |
| JPH02285351A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JP2814165B2 (ja) | 感光材料 | |
| KR100948212B1 (ko) | 감광성 화합물, 감광성 조성물, 레지스트 패턴의 형성방법및 디바이스의 제조방법 | |
| JPS61240237A (ja) | 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 | |
| JPH0284414A (ja) | ノボラック樹脂、フォトレジスト及びレジストパターンの形成方法 | |
| TWI259332B (en) | Negative-type photosensitive resin composition containing epoxy compound | |
| CN112684661B (zh) | 一种光刻胶组合物及其制备方法 | |
| JPH0212153A (ja) | 酸分解可能の光化学的に酸形成する化合物を基礎とするポジ型の感放射線性混合物、ならびにレリーフパターンおよびレリーフ画像の製造法 | |
| KR100948213B1 (ko) | 감광성 화합물, 감광성 조성물, 레지스트 패턴의 형성방법및 디바이스의 제조방법 | |
| JP2009134020A (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| KR100318294B1 (ko) | 레지스트조성물 | |
| JPH0733751A (ja) | フラーレン誘導体および感光材料 | |
| JP2008096880A (ja) | レジスト組成物 | |
| JPS6260418B2 (ja) | ||
| JP3687563B2 (ja) | ネガ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPS5842041A (ja) | ポジテイブ型電子ビ−ム・レジスト | |
| JPH06118647A (ja) | ネガ型感光性組成物 | |
| JPH01144044A (ja) | ポジ型フオトレジスト材料 | |
| JPH03166546A (ja) | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
| JP2000221680A (ja) | フラーレン含有感光材料およびレジスト並びにそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPS6247296B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |