JPH03166546A - レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物およびレジストパターン形成方法Info
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- JPH03166546A JPH03166546A JP1304673A JP30467389A JPH03166546A JP H03166546 A JPH03166546 A JP H03166546A JP 1304673 A JP1304673 A JP 1304673A JP 30467389 A JP30467389 A JP 30467389A JP H03166546 A JPH03166546 A JP H03166546A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
半導体装置のパターン形或などに用いられるネガ型レジ
スト組成物及びレジストパターン形戒方法に関し、 解像性に優れたアルカリ現像のネガ型レジスト＆ｌｌｔ
ｃ物及びレジストパターンの形戒方法を提供することを
目的とし、 一般式（Ｉ）： （式中、Ｒ，は炭素数２〜４のアルケニル基を示し、こ
れらは互いに同一であっても異なっていても良く、１，
ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜１０００の正の整数を示
す）で示される構造を分子中に含むシリコーン樹脂とト
リアジン環を有する化合物とを有機溶剤に溶解してレジ
スト組或物を構戒する。
スト組成物及びレジストパターン形戒方法に関し、 解像性に優れたアルカリ現像のネガ型レジスト＆ｌｌｔ
ｃ物及びレジストパターンの形戒方法を提供することを
目的とし、 一般式（Ｉ）： （式中、Ｒ，は炭素数２〜４のアルケニル基を示し、こ
れらは互いに同一であっても異なっていても良く、１，
ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜１０００の正の整数を示
す）で示される構造を分子中に含むシリコーン樹脂とト
リアジン環を有する化合物とを有機溶剤に溶解してレジ
スト組或物を構戒する。
本発明は、半導体装置のパターン形戒などに用いられる
ネガ型レジスト組或物及びレジストパターン形戒方法に
関し、特に感度や解像性に優れた電離放射線用のレジス
ト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法に
関する。
ネガ型レジスト組或物及びレジストパターン形戒方法に
関し、特に感度や解像性に優れた電離放射線用のレジス
ト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法に
関する。
〔従来の技術］
近年、半導体素子の高集積化に伴い、極度に微細化した
パターンを形成することが要求されている。かかる微細
パターンの形或には、従来、薄膜形或技術とフォトリソ
グラフィ技術とが主として使用されている。すなわち、
まず被処理基板上に例えばスピンコート法によりレジス
トを被覆しておき、これにマスクを介して紫外線等を露
光し、未露光部又は露光部を現像液で除去することによ
り、レジストパターンを形威する。ここで、露光光源と
して紫外線を用いた場合のレジストの解像度の理論限界
は約０．５μｍであるが、実際には光の回折や散乱のた
め、実用上の限界は１μｍ程度である． 一方、電子線やＸ線等の電離放射線を用いると、理論的
に０．１μｍ幅のパターン形成も可能となる。
パターンを形成することが要求されている。かかる微細
パターンの形或には、従来、薄膜形或技術とフォトリソ
グラフィ技術とが主として使用されている。すなわち、
まず被処理基板上に例えばスピンコート法によりレジス
トを被覆しておき、これにマスクを介して紫外線等を露
光し、未露光部又は露光部を現像液で除去することによ
り、レジストパターンを形威する。ここで、露光光源と
して紫外線を用いた場合のレジストの解像度の理論限界
は約０．５μｍであるが、実際には光の回折や散乱のた
め、実用上の限界は１μｍ程度である． 一方、電子線やＸ線等の電離放射線を用いると、理論的
に０．１μｍ幅のパターン形成も可能となる。
従来、電子線用の２層レジストとしては、シロキサン又
はシルセスキオキサン等が使用されているが、いずれも
架橋型のレジストであり、有機溶剤を現像液とするため
、現像時の膨潤が激しく解像性が著しく低下していた。
はシルセスキオキサン等が使用されているが、いずれも
架橋型のレジストであり、有機溶剤を現像液とするため
、現像時の膨潤が激しく解像性が著しく低下していた。
また、Ｘ線レジストとしては既存のフォトレジストや電
子線レジストの転用が検討されているが、感度及び解像
性を共に満足するレジストは未だ見出されていない。こ
のため、高解像性の電離放射線用２層レジストの開発が
切望されている． 〔発明が解決しようとする課題］ 従って、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決し
て、解像性に優れたアルカリ現像のネガ型レジスト組成
物及びレジストパターンの形成方法を提供することを目
的とする。
子線レジストの転用が検討されているが、感度及び解像
性を共に満足するレジストは未だ見出されていない。こ
のため、高解像性の電離放射線用２層レジストの開発が
切望されている． 〔発明が解決しようとする課題］ 従って、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決し
て、解像性に優れたアルカリ現像のネガ型レジスト組成
物及びレジストパターンの形成方法を提供することを目
的とする。
前記課題は、本発明に従って、一般式（Ｉ）：Ｃ式中、
Ｒ，は炭素数２〜４のアルケニル基を示し、これらは互
いに同一であっても異なっていても良く、ｌ，ｍ及びｎ
はそれぞれ独立に１〜１０００の正の整数を示す）で表
される構造を分子中に含むシリコーン化合物とトリアジ
ン環を有する化合物とを有機溶剤に溶解して或るレジス
ト組戒物並びにそれを２層構造レジストの上層レジスト
として使用し、電子線、Ｘ線等の電離放射線露光を行う
ことによって解決でき、高感度で高解像性のレジストパ
ターンを形戒することができる．本発明において使用さ
れる一般式（Ｉ）のシリコーン化合物は、例えば４−ハ
ロゲン化フエニルトリク口ルシランとアルケニルトリク
ロルシランとの混合物を常法に従って加水分解し、次い
で重縮合させることによってシリコーン樹脂とし、この
シリコーン樹脂のハロゲン化フエニル基のハロゲンを一
般的な方法でヒドロキシ基に置き換えることによって製
造することができる． 前記一般式（１）において、基Ｒ１はビニル基、アリル
基などの炭素数２〜４のアルケニル基であり、また式Ｃ
Ｉ）のシリコーン化合物の好ましい重量平均分子量πＷ
は１．０００〜１，０００．０００ （更に好ましく
は１０．０００〜１００．０００ ） 、重量平均分子
量と数平均分子量との比Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは１〜
１０（更に好ましくは１〜３）である。
Ｒ，は炭素数２〜４のアルケニル基を示し、これらは互
いに同一であっても異なっていても良く、ｌ，ｍ及びｎ
はそれぞれ独立に１〜１０００の正の整数を示す）で表
される構造を分子中に含むシリコーン化合物とトリアジ
ン環を有する化合物とを有機溶剤に溶解して或るレジス
ト組戒物並びにそれを２層構造レジストの上層レジスト
として使用し、電子線、Ｘ線等の電離放射線露光を行う
ことによって解決でき、高感度で高解像性のレジストパ
ターンを形戒することができる．本発明において使用さ
れる一般式（Ｉ）のシリコーン化合物は、例えば４−ハ
ロゲン化フエニルトリク口ルシランとアルケニルトリク
ロルシランとの混合物を常法に従って加水分解し、次い
で重縮合させることによってシリコーン樹脂とし、この
シリコーン樹脂のハロゲン化フエニル基のハロゲンを一
般的な方法でヒドロキシ基に置き換えることによって製
造することができる． 前記一般式（１）において、基Ｒ１はビニル基、アリル
基などの炭素数２〜４のアルケニル基であり、また式Ｃ
Ｉ）のシリコーン化合物の好ましい重量平均分子量πＷ
は１．０００〜１，０００．０００ （更に好ましく
は１０．０００〜１００．０００ ） 、重量平均分子
量と数平均分子量との比Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは１〜
１０（更に好ましくは１〜３）である。
本発明のレジストｉｌＪｌｔｃ物に配合されるトリアジ
ン環を有する化合物はトリアジン環を有する任意の化合
物とすることができる。好ましいトリアジン環を有する
化合物は以下の式（ｎ）で表すことができる。
ン環を有する化合物はトリアジン環を有する任意の化合
物とすることができる。好ましいトリアジン環を有する
化合物は以下の式（ｎ）で表すことができる。
〜
（式中、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１〜３のハロゲン
化アルキル基、好ましくは−ＣＬＣｆ−ＣＨＣ／！，，
−ＣＣ１、，−ＣＨｔＣＨ２Ｃｌなどを示す。） 本発明のレジスト組或物には前記シリコーン化合物とト
リアジン環を有する化合物を、好ましくは９９：１〜８
０ ： ２０ （重量比）、更に好ましくは９７：３〜
９５：５（重量比）の割合で、適当な有機溶媒（例えば
、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプチルケ
トンなどのケトン、メタノール、エタノール、イソブロ
バノールなどのアルコールなど）に溶解して調製するこ
とができる。レジスト溶液中の固形分濃度は通常のもの
と同様の濃度（例えば５〜２０重量％）とすることがで
きる。
化アルキル基、好ましくは−ＣＬＣｆ−ＣＨＣ／！，，
−ＣＣ１、，−ＣＨｔＣＨ２Ｃｌなどを示す。） 本発明のレジスト組或物には前記シリコーン化合物とト
リアジン環を有する化合物を、好ましくは９９：１〜８
０ ： ２０ （重量比）、更に好ましくは９７：３〜
９５：５（重量比）の割合で、適当な有機溶媒（例えば
、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプチルケ
トンなどのケトン、メタノール、エタノール、イソブロ
バノールなどのアルコールなど）に溶解して調製するこ
とができる。レジスト溶液中の固形分濃度は通常のもの
と同様の濃度（例えば５〜２０重量％）とすることがで
きる。
本発明のレジスト組或物は適当な基板上にレジスト溶液
を塗布してブリベークし、これにＸ線、電子線などを照
射し、次にアルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモ
ニウムハイドライド水溶液を用いて現像し、水で洗浄す
ることによって所望のレジストパターンを形威させるこ
とができる．〔実施例〕 以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するが、
本発明の範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
を塗布してブリベークし、これにＸ線、電子線などを照
射し、次にアルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモ
ニウムハイドライド水溶液を用いて現像し、水で洗浄す
ることによって所望のレジストパターンを形威させるこ
とができる．〔実施例〕 以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するが、
本発明の範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
金炭囲上
メチルイソブチルケトン（Ｍ Ｉ Ｂ Ｋ） １００ｄ
にビリジン８ｇを加えて−６０゜Ｃに冷却し、これに４
一クロロフェニルトリク口ルシラン２４．６ ｇ ，ビ
ニルトリクロルシラン１６．２ ｇおよびイオン交換水
１５ ｒｔｔｌを順次滴下した。滴下終了後、反応混合
物を徐々に昇温し、９０℃で５時間加熱した。反応終了
後、有機層をイオン交換水で２回水洗した後、有機層を
分取し、トリメチルクロルシラン３０ｇおよびビリジン
２２ｇを添加して６０゜Ｃで３時間加熱した。その後再
度有機層をイオン交換水で１０回洗浄した後、有機層を
分取し、濃縮した後アセトニトリル中に投入して樹脂を
沈澱回収した。得られた樹脂をベンゼン５０ｄに溶解し
、凍結乾燥を行った。本合或例によって得られた樹脂は
、Ｍｗ ＝ ３． ２ Ｘ １０’で、Ｖｗ／Ｈｎ＝２
．３のシリコーン樹脂であった。
にビリジン８ｇを加えて−６０゜Ｃに冷却し、これに４
一クロロフェニルトリク口ルシラン２４．６ ｇ ，ビ
ニルトリクロルシラン１６．２ ｇおよびイオン交換水
１５ ｒｔｔｌを順次滴下した。滴下終了後、反応混合
物を徐々に昇温し、９０℃で５時間加熱した。反応終了
後、有機層をイオン交換水で２回水洗した後、有機層を
分取し、トリメチルクロルシラン３０ｇおよびビリジン
２２ｇを添加して６０゜Ｃで３時間加熱した。その後再
度有機層をイオン交換水で１０回洗浄した後、有機層を
分取し、濃縮した後アセトニトリル中に投入して樹脂を
沈澱回収した。得られた樹脂をベンゼン５０ｄに溶解し
、凍結乾燥を行った。本合或例によって得られた樹脂は
、Ｍｗ ＝ ３． ２ Ｘ １０’で、Ｖｗ／Ｈｎ＝２
．３のシリコーン樹脂であった。
上で得られたシリコーン樹脂２０ｇを乾燥エーテル１０
０ｄに溶解し、金属マグネシウム３ｇおよび過安息香酸
ｔ−ブチル２１ｇを加え、還流温度で１時間反応させた
。反応終了後、反応液に濃塩酸２０ｇを加え、還流温度
で更に１時間反応させた。その後、反応溶液を５％炭酸
水素ナトリウム水溶液で２回洗浄し、更にイオン交換水
を用いて洗浄水が中性になるまで洗浄した。次にエーテ
ル層を分取し、濃縮した後、アセト二トリル中に投入し
て樹脂を沈澱回収した。得られたシリコーン変性樹脂を
ベンゼン５０成に溶解して凍結乾燥させた。
０ｄに溶解し、金属マグネシウム３ｇおよび過安息香酸
ｔ−ブチル２１ｇを加え、還流温度で１時間反応させた
。反応終了後、反応液に濃塩酸２０ｇを加え、還流温度
で更に１時間反応させた。その後、反応溶液を５％炭酸
水素ナトリウム水溶液で２回洗浄し、更にイオン交換水
を用いて洗浄水が中性になるまで洗浄した。次にエーテ
ル層を分取し、濃縮した後、アセト二トリル中に投入し
て樹脂を沈澱回収した。得られたシリコーン変性樹脂を
ベンゼン５０成に溶解して凍結乾燥させた。
夫旌尉上
合成例１で得られたシリコーン変性樹脂１ｇおよび２，
４．６一トリス（トリクロロメチル）−１． ３． ５
−｝リアジン０．０５ｇをＭＩＢＫ９ｇに溶解し、レジ
スト溶液を調製した．次にＡＺ−１３５０レジスト（ヘ
キスト社製）をシリコン基板上に膜厚２μｍとなるよう
スピンコートした後、２００℃で１時間の加熱を行って
硬化させた．この膜上に先に作製したレジストを膜厚０
、２μｍとなるようスビンコートした後、８０゜Ｃで２
０分間プリベークを行った。この膜の上にマスクを介し
てＸ線照射し、次いで、アルカリ水溶液（２．３重量％
テトラメチルアンモニウムハイドライド水溶液）を用い
て、現像、引き続きイオン交換水にてリンス処理を行っ
た。次に被処理基板を平行平板型ドライエッチング装置
にセットし、酸素プラズマにて上層パターンを下層に転
写した。この結果、このレジストは５ｍＪ／ｃｊの露光
量で０． ３μｍのラインアンドスペースパターンを解
像できた。
４．６一トリス（トリクロロメチル）−１． ３． ５
−｝リアジン０．０５ｇをＭＩＢＫ９ｇに溶解し、レジ
スト溶液を調製した．次にＡＺ−１３５０レジスト（ヘ
キスト社製）をシリコン基板上に膜厚２μｍとなるよう
スピンコートした後、２００℃で１時間の加熱を行って
硬化させた．この膜上に先に作製したレジストを膜厚０
、２μｍとなるようスビンコートした後、８０゜Ｃで２
０分間プリベークを行った。この膜の上にマスクを介し
てＸ線照射し、次いで、アルカリ水溶液（２．３重量％
テトラメチルアンモニウムハイドライド水溶液）を用い
て、現像、引き続きイオン交換水にてリンス処理を行っ
た。次に被処理基板を平行平板型ドライエッチング装置
にセットし、酸素プラズマにて上層パターンを下層に転
写した。この結果、このレジストは５ｍＪ／ｃｊの露光
量で０． ３μｍのラインアンドスペースパターンを解
像できた。
金底脳１
メチルイソブチルケトン（Ｍ Ｔ Ｂ Ｋ） １００ｄ
にビリジン８ｇを加えて−６０℃に冷却し、これに４−
クロロフェニルトリクロルシラン２４．６ ｇ ，アリ
ルトリクロルシラン１７．６ｇおよびイオン交換水１５
成を順次滴下した。滴下終了後、反応混合物を徐々に昇
温し９０℃で５時間加熱した。反応終了後有機層をイオ
ン交換水で２回水洗した後、有機層を分取し、トリメチ
ルクロルシラン３０ｇおよびビリジン２２ｇを添加して
６０゜Ｃで３時間加熱した。その後再度有機層をイオン
交換水で１０回洗浄した後、有機層を分取し、濃縮した
後アセトニトリル中に投入して樹脂を沈澱回収した。得
られた樹脂をベンゼン５０ｄに溶解し、凍結乾燥を行っ
た。本合成例によって得られた樹脂は、Ｍｗ ＝ ２．
９ Ｘ １０’で、Ｈｗ／πｎ ＝ ２． ５のシリ
コーン樹脂であった。
にビリジン８ｇを加えて−６０℃に冷却し、これに４−
クロロフェニルトリクロルシラン２４．６ ｇ ，アリ
ルトリクロルシラン１７．６ｇおよびイオン交換水１５
成を順次滴下した。滴下終了後、反応混合物を徐々に昇
温し９０℃で５時間加熱した。反応終了後有機層をイオ
ン交換水で２回水洗した後、有機層を分取し、トリメチ
ルクロルシラン３０ｇおよびビリジン２２ｇを添加して
６０゜Ｃで３時間加熱した。その後再度有機層をイオン
交換水で１０回洗浄した後、有機層を分取し、濃縮した
後アセトニトリル中に投入して樹脂を沈澱回収した。得
られた樹脂をベンゼン５０ｄに溶解し、凍結乾燥を行っ
た。本合成例によって得られた樹脂は、Ｍｗ ＝ ２．
９ Ｘ １０’で、Ｈｗ／πｎ ＝ ２． ５のシリ
コーン樹脂であった。
上で得られたシリコーン樹脂２０ｇを乾燥エーテル１０
０−に溶解し、金属マグネシウム３ｇおよび過安息香酸
ｔ−ブチル２１ｇを加え、還流温度で１時間反応させた
。反応終了後、反応液に濃塩酸２０ｇを加え、還流温度
で更に１時間反応させた。その後、反応溶液を５％炭素
水素ナトリウム水溶液で２回洗浄し、更にイオン交換水
を用いて洗浄水が中性になるまで洗浄した。次にエーテ
ル層を分取し、濃縮した後、アセトニトリル中に投入し
て樹脂を沈澱回収した。得られたシリコーン変性樹脂を
ベンゼン５０ｄに溶解して凍結乾燥させた。
０−に溶解し、金属マグネシウム３ｇおよび過安息香酸
ｔ−ブチル２１ｇを加え、還流温度で１時間反応させた
。反応終了後、反応液に濃塩酸２０ｇを加え、還流温度
で更に１時間反応させた。その後、反応溶液を５％炭素
水素ナトリウム水溶液で２回洗浄し、更にイオン交換水
を用いて洗浄水が中性になるまで洗浄した。次にエーテ
ル層を分取し、濃縮した後、アセトニトリル中に投入し
て樹脂を沈澱回収した。得られたシリコーン変性樹脂を
ベンゼン５０ｄに溶解して凍結乾燥させた。
裏施皿１
合或例２で得られたシリコーン変性樹脂１ｇおよび２．
４．６−｝リス（トリクロロメチル）−１．３．５−｝
リアジン０．０５ｇをＭＩＢＫ９ｇに溶解し、レジスト
溶液を調製した。次にＡＺ−ｌ３５０レジスト（ヘキス
ト社製）をシリコン基板上に膜厚２μｍとなるようスピ
ンコートした後、２００℃で１時間の加熱を行って硬化
させた。この膜上に先に作製したレジストを膜厚０．２
μｍとなるようスビンコートした後、８０℃で２０分間
のブリベータを行った。この膜の上にマスクを介してＸ
線照射し、次いで、アルカリ水溶液を用いて、現像、引
き続きイオン交換水にてリンス処理を行った．次に被処
理基板を平行平板型ドライエッチング装置にセットし、
酸素プラズマにて上層パターンを下層に転写した．この
結果、このレジストは６ｍＪ／ｃｒ１の露光量で０．３
μｍのラインアンドスペースパターンを解像できた。
４．６−｝リス（トリクロロメチル）−１．３．５−｝
リアジン０．０５ｇをＭＩＢＫ９ｇに溶解し、レジスト
溶液を調製した。次にＡＺ−ｌ３５０レジスト（ヘキス
ト社製）をシリコン基板上に膜厚２μｍとなるようスピ
ンコートした後、２００℃で１時間の加熱を行って硬化
させた。この膜上に先に作製したレジストを膜厚０．２
μｍとなるようスビンコートした後、８０℃で２０分間
のブリベータを行った。この膜の上にマスクを介してＸ
線照射し、次いで、アルカリ水溶液を用いて、現像、引
き続きイオン交換水にてリンス処理を行った．次に被処
理基板を平行平板型ドライエッチング装置にセットし、
酸素プラズマにて上層パターンを下層に転写した．この
結果、このレジストは６ｍＪ／ｃｒ１の露光量で０．３
μｍのラインアンドスペースパターンを解像できた。
本発明によれば、上に説明した通り、感度及び解像性に
優れた電離放射線用２層構造用ネガ型上層レジスト並び
にそれを用いたレジストパターンの形戒方法を提供する
ことができ、例えば半導体素子の高集積化に極めて有用
である。
優れた電離放射線用２層構造用ネガ型上層レジスト並び
にそれを用いたレジストパターンの形戒方法を提供する
ことができ、例えば半導体素子の高集積化に極めて有用
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数２〜４のアルケニル基を示し、
これらは互いに同一であっても異なっていても良く、ｌ
、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜１０００の正の整数を
示す）で表される構造を分子中に含むシリコーン樹脂と
トリアジン環を有する化合物とを有機溶剤に溶解してな
ることを特徴とするレジスト組成物。 ２、請求項１のレジスト組成物を２層構造レジストの上
層レジストとして使用することを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法。 ３、請求項２のレジストパターンの形成において、露光
光源として電離放射線を用いることを特徴とするレジス
トパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304673A JPH03166546A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304673A JPH03166546A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166546A true JPH03166546A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17935849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1304673A Pending JPH03166546A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03166546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212160A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JP2005336497A (ja) * | 2002-12-02 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なラダー型シリコーン共重合体 |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1304673A patent/JPH03166546A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212160A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JP2005336497A (ja) * | 2002-12-02 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なラダー型シリコーン共重合体 |
| JP4676256B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2011-04-27 | 東京応化工業株式会社 | 新規なラダー型シリコーン共重合体 |
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