KR20030002739A - 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 포토레지스트에 강성률(Rigidity)이 큰 플러렌(Fullerene)을 첨가하여 포토레지스트의 강성율을 증가시킴으로써 패턴 붕괴 현상을 개선함과 동시에, 플러렌을 첨가하되 알킬기가 붙은 플러렌을 첨가하여 첨가제에 대한 용해력을 확보하므로써 한정된 코팅 두께 이상의 포토레지스트로도 패턴의 붕괴없이 안정적으로 공정을 진행할 수 있으며 후속 식각 공정에 대한 공정 마진을 확보하여 공정의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법이 개시된다.

Description

반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법{Method of manufacturing a photoresist in a semiconductor device and forming a photoresist pattern using the same}
본 발명은 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 특히 패터닝 공정시 패턴이 붕괴되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
현재, 디자인 룰(Device Rule)이 더욱 더 작아짐에 따라, 반도체 소자 제조 공정 중 리소그라피 공정에서 사용되고 있는 레지스트 중 특히 DUV 레지스트의 경우 패터닝 공정 후 패턴의 붕괴을 방지하고, 공정 마진을 향상시키기 위하여 레지스트 코팅 두께를 점점 더 낮추고 있다.
그러나, 이렇게 낮은 두께로 코팅된 포토레지스트를 이용하여 반도체 소자를 제조할 경우 식각(Etch) 공정에서 식각 방지막(Etch barreir)의 역할을 하는 포토레지스트의 식각 저항력(Etch resistance)에는 한계가 있기 때문에 레지스트의 코팅 두께를 낮추는 것은 한계가 있다. 따라서, 포토레지스트를 소정의 두께로 코팅하여 일정한 종횡비(Aspect ratio)를 유지한 상태에서 패터닝을 실시한다.
도 1a 내지 도 1b는 종래의 포토레지스트를 이용할 경우 발생되는 패턴 붕괴 현상을 나타낸 소자의 단면 사진이다.
포토레지스트의 식각 저항력을 높이기 위하여 포토레지스트 패턴을 일정 두께 이상으로 코팅하면, 노광 후 현상시 알카리 수용액에 의해, 도 1a에 도시된 바와 같이 패턴의 붕괴 현상이 발생된다. 이때, 발생되는 패턴의 붕괴 현상은 현상시 사용된 알카리 수용액 또는 순수를 제거하는 과정에서 이들과 포토레지스트 패턴 표면의 작용에 의한 표면 장력에 의해 발생된다. 이때, 표면 장력은 패턴들의 간격에 의해서도 크게 영향을 받는다.
또한, 패턴의 붕괴 현상은 현상시 표면 장력에 의한 원인도 있으나, 종횡비가 클 경우 포토레지스트 자체의 특성인 한정된 강도(Rigidity)에 의하여 도 1b에 도시한 바와 같이 패턴 무너짐 현상이 발생되기도 한다. 상기와 같이, 패터닝 공정 중 패턴이 붕괴하게 되면 원하는 패턴을 형성할 수 없으므로 불량을 유발하여 공정의 신뢰성 및 수율을 감소시키는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 포토레지스트에 강성률(Rigidity)이 큰 플러렌(Fullerene)을 첨가하여 포토레지스트의 강성율을 증가시킴으로써 패턴 붕괴 현상을 개선함과 동시에, 플러렌을 첨가하되 알킬기가 붙은 플러렌을 첨가하여 첨가제에 대한 용해력을 확보하므로써 한정된 코팅 두께 이상의 포토레지스트로도 패턴의 붕괴없이 안정적으로 공정을 진행할 수 있으며 후속 식각 공정에 대한 공정 마진을 확보하여 공정의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1b는 종래의 포토레지스트를 이용할 경우 발생되는 패턴 붕괴 현상을 나타낸 소자의 단면 사진.
도 2a 및 도 2b는 포토레지스트에 첨가되는 플러렌 및 알킬레이트 플러렌의 화학 구조도.
도 3a 내지 도 3d는 종래의 포토레지스트를 이용할 경우 발생되는 패턴 붕괴 현상을 나타낸 소자의 단면 사진.
본 발명에 따른 반도체 소자용 포토레지스트 조성물은 포토레지스트에 플러렌이 첨가된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법은 하나 이상의 폴리머가 공중합된 공중합체를 플러렌과 함께 용매에 혼합하여 포토레지스트 용액을 제조하는 제 1 단계, 제 1 단계에서 얻은 용액에 광산 발생제를 첨가하는 제 2 단계, 및 제 2 단계에서 얻은 용액을 여과하여 포토레지스트를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
포토레지스트는 폴리머가 하나 이상 공중합되어 있는 공중합체이며, 포토레지스트로는 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 나프틸 에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스틸렌-폴리 t-부틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌- 폴리 t-부틸 비닐 에테르-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체 및 폴리(노르보넨-말레익 안하이드라이드-펜에틸 비닐 에테르) 공중합체로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된다.
플러렌은 탄소수가 40 내지 100이다. 또한, 플러렌은 탄소수 2 내지 20개인 알킬기가 붙은 알킬레이트 플러렌을 사용할 수 있다. 이때, 플러렌은 포토레지스트에 대해서 0.01 내지 10 중량%의 몰비로 첨가된다.
용매로는 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트 중 어느 하나이다.
광산 발생제는 황화염계 및 오니움엠계 중에서 선택된 것을 함유하며, 광산 발생제는 디페닐요도염 헥사플루오로 포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐설포늄 헥사플루오로 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티노메이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 및 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법은 상기의 방법으로 제조된 포토레지스트를 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트막을 형성한 후 노광 공정 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
노광 공정은 노광공정을 ArF, DUV, KrF, E-beam 또는 X-선을 사용하여 실시한다. 이때, 노광 공정은 0.1 내지 100mj/㎠의 노광 에너지로 수행된다.
포토레지스트는 1500Å 내지 30000Å의 두께로 코팅된 후 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 동안 베이크를 실시하여 용매를 제거한다.
노광 공정을 실시한 후에는 70 내지 200℃의 온도에서 베이크를 실시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에서는 포토레지스트 패턴닝시 패턴이 붕괴되는 현상을 개선하기 위하여 포토레지스트에 첨가제를 첨가하므로써 포토레지스트의 강성율을 향상시킨 새로운 포토레지스트를 제조한다.
본 발명은 i-line, KrF, ArF, 157nm, EUV, E-beam 또는 X-ray용 포토레지스트에 모두 적용할 수 있으며, 포지티브 또는 네가티브용 포토레지스트에 적용할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 포토레지스트에 첨가되는 플러렌 및 알킬레이트 플러렌의 화학 구조도이다.
본 발명은 포토레지스트에 도 2a에 도시한 강성율이 큰 플러렌(Fullerene)을 첨가하여 포토레지스트의 강성율을 증가시킴으로써 포토레지스트 패터닝 시 포토레지스트의 한정된 강성율 때문에 패턴이 붕괴되는 것을 방지한다.
한편, 플러렌의 포토레지스트 용매에 대한 용해력을 고려하여, 도 2b에 도시한, 알킬기가 붙은 플러렌을 첨가함으로써, 첨가제에 대한 용해력과 함께 코팅 안정성을 확보할 수 있다.
이하, 포토레지스트에 첨가제를 용해시켜 강성율이 향상된 새로운 포토레지스트를 제조하는 방법을 설명하기로 한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C60)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 1 실시예를 설명하면 다음과 같다.
약 10g의 폴리 스틸렌 - 폴리 하이드록시 스틸렌 - 폴리 펜에칠 비닐 에테르 공중합체 및 약 0.01g의 플러렌을 약 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methyl 3- methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후, 광산발생제인 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g 넣고, 교반 시킨 다음, 0.10㎛ 필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C70)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 2 실시예를 설명하면 다음과 같다.
약 12g의 폴리 스틸렌 - 폴리 하이드록시 스틸렌 - 폴리 펜에칠 비닐 에테르 공중합체 및 약 0.02g의 플러렌을 약 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methyl 3-methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g 넣고, 교반 시킨 다음, 0.10㎛ 필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C76)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 3 실시예를 설명하면 다음과 같다.
약 12g의 폴리 스틸렌 - 폴리 하이드록시 스틸렌 - 폴리 나프틸 에칠 비닐에테르 공중합체 및 약 0.02g의 플러렌을 약 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methyl 3-methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g 넣고, 교반 시킨 다음, 0.10㎛ 필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C78)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 4 실시예를 설명하면 다음과 같다.
약 12g의 폴리 스틸렌 - 폴리 하이드록시 스틸렌 - 폴리 t-부틸 비닐 에테르 공중합체 및 약 0.02g의 플러렌을 약 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methy1 3-methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후, 광산발생제인 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g 넣고, 교반 시킨 다음, 0.10㎛필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C84)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 5 실시예를 설명하면 다음과같다.
약 12g의 폴리 스틸렌 - 폴리 하이드록시 스틸렌 - 폴리 t-부틸 비닐 에테르-폴리 펜에칠 비닐 에테르 공중합체 및 약 0.02g의 플러렌을 약 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methyl 3-methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후, 광산발생제인 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g넣고, 교반시킨 다음, 0.10㎛ 필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
포토레지스트의 강성율을 향상시키기 위하여 포토레지스트에 플러렌(C60/C70)을 첨가한 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법의 제 6 실시예를 설명하면 다음과 같다.
약 14g의 폴리 (노르보넨 - 말레익 안하이드라이드 - 펜에칠 비닐 에테르) 공중합체 및 약 0.02g의 플러렌을 50g의 메틸 3-메톡시프로피오네이트(methy1 3-methoxypropionate) 또는 에틸 3-에톡시프로피오네이트(ethyl 3-ethoxypropionate) 용매에 녹인 후, 광산발생제인 트리페닐 설포늄 트리플레이트(triphenyl sulfonium triflate) 또는 디부틸 나프틸 설포늄 나프틸 설포늄 트리플레이트(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)를 0.01 내지 1g 넣고, 교반 시킨 다음, 0.10㎛ 필터로 여과시켜 강성율을 향상시킨 포토레지스트를 제조한다.
상기의 방법에 의해 제조된 포토레지스트를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같다.
상기의 방법에 의해 제조된 포토레지스트는 옥사이드, 폴리옥사이드, 나이트라이드, 비피에스지, 알루미늄, 텅스텐, 코발트, 유기 난반사 방지 물질, 무기 난반사 방지 물질, 메탈 또는 티타늄 등이 형성된 반도체 기판 상에 코팅되며, 반도체 기판 상에 포토레지스트를 코팅한 후 SOB를 약 90℃에서 약 90초 동안 SOB를 실시하고, 노광 공정을 실시한 후 약 110℃에서 약 90초 동안 PEB를 실시한 다음 2.38wt% 테트라 메칠 암모늄 하이드록시 알카리 수용액에 현상하여, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 바와 같이, 미세 패턴의 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트는 1500 내지 30000Å의 두께로 코팅하며, 이후 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 동안 베이크를 실시하여 용매를 제거한다.
노광공정은 0.1 내지 100mj/㎠의 노광 에너지를 갖는 ArF, DUV, KrF, E-beam 또는 X-선을 사용하여 실시하며, 노광 공정 후 베이크의 온도는 70 내지 200℃의 범위로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 높은 종횡비에서도 포토레지스트 패턴이 붕괴되는 것을 방지하므로써 안정적으로 공정을 진행할 수 있으며 후속 식각 공정에 대한 공정 마진을 확보하여 공정의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (23)

  1. 포토레지스트 조성물에 있어서, 포토레지스트에 플러렌이 첨가된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트로는 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 나프틸 에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스틸렌-폴리 t-부틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌- 폴리 t-부틸 비닐 에테르-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체 및 폴리(노르보넨-말레익 안하이드라이드-펜에틸 비닐 에테르) 공중합체로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플러렌은 탄소수가 40 내지 100인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플러렌은 탄소수 2 내지 20개인 알킬기가 붙은 알킬레이트 플러렌인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플러렌은 포토레지스트에 대해서 0.01 내지 10 중량%의 몰비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 상기 플로렌과 함께 용매에 용해된 후 광산발생제와 교반되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 용매로는 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 황화염계 및 오니움엠계 중에서 선택된 것을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 디페닐요도염 헥사플루오로 포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐설포늄 헥사플루오로 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티노메이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 및 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 포토레지스트 조성물.
  10. 하나 이상의 폴리머가 공중합된 공중합체를 플러렌과 함께 용매에 혼합하여 포토레지스트 용액을 제조하는 제 1 단계,
    상기 제 1 단계에서 얻은 용액에 광산 발생제를 첨가하는 제 2 단계, 및
    상기 제 2 단계에서 얻은 용액을 여과하여 포토레지스트를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 폴리머가 하나 이상 공중합되어 있는 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 포토레지스트로는 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌-폴리 나프틸 에틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스틸렌-폴리 t-부틸 비닐 에테르 공중합체, 폴리 스티렌-폴리 하이드록시 스티렌- 폴리 t-부틸 비닐 에테르-폴리 펜에틸 비닐 에테르 공중합체 및 폴리(노르보넨-말레익 안하이드라이드-펜에틸 비닐 에테르) 공중합체로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 플러렌은 탄소수가 40 내지 100인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 플러렌은 탄소수 2 내지 20개인 알킬기가 붙은 알킬레이트 플러렌인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 플러렌은 포토레지스트에 대해서 0.01 내지 10 중량%의 몰비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 용매로는 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 황화염계 및 오니움엠계 중에서 선택된 것을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 디페닐요도염 헥사플루오로 포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐설포늄 헥사플루오로 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티노메이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 및 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제조방법.
  19. 제 1 항 내지 제 9 항의 포토레지스트를 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트막을 형성한 후 노광 공정 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 공정은 노광공정을 ArF, DUV, KrF, E-beam 또는 X-선을 사용하여실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 공정은 0.1 내지 100mj/㎠의 노광 에너지로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 1500Å 내지 30000Å의 두께로 코팅된 후 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 동안 베이크를 실시하여 용매를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 공정을 실시한 후 70 내지 200℃의 온도에서 베이크를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 패턴 형성 방법.
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