JPH0733751A - フラーレン誘導体および感光材料 - Google Patents
フラーレン誘導体および感光材料Info
- Publication number
- JPH0733751A JPH0733751A JP5202514A JP20251493A JPH0733751A JP H0733751 A JPH0733751 A JP H0733751A JP 5202514 A JP5202514 A JP 5202514A JP 20251493 A JP20251493 A JP 20251493A JP H0733751 A JPH0733751 A JP H0733751A
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- JP
- Japan
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- group
- resist
- fullerene derivative
- present
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規なフラーレン誘導体、および遠紫外線を
光源とするＬＳＩ等の半導体素子製造に適したフォトリ
ソグラフィーのレジストとして好適な感光材料を開発す
る。 【構成】 ピリミジン基含有フラーレン誘導体、および
ピリミジン基含有フラーレン誘導体からなる感光材料に
より目的を達成できる。
光源とするＬＳＩ等の半導体素子製造に適したフォトリ
ソグラフィーのレジストとして好適な感光材料を開発す
る。 【構成】 ピリミジン基含有フラーレン誘導体、および
ピリミジン基含有フラーレン誘導体からなる感光材料に
より目的を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なフラーレン誘導体
に関する。また本発明は新規なフラーレン誘導体からな
る感光材料に関し、より詳しくはＬＳＩ等の半導体素子
の製造に適した感光材料に関する。更に詳しくは遠紫外
線を光源とする半導体素子製造用フォトリソグラフィー
のレジストとして好適な感光材料に関する。
に関する。また本発明は新規なフラーレン誘導体からな
る感光材料に関し、より詳しくはＬＳＩ等の半導体素子
の製造に適した感光材料に関する。更に詳しくは遠紫外
線を光源とする半導体素子製造用フォトリソグラフィー
のレジストとして好適な感光材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで半導体素子製造用フォトリソグ
ラフィーにおいて、ｇ線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６６
ｎｍ）等の紫外線を光源とし、レジストとしてはノボラ
ック型フェノール樹脂（以下ノボラック樹脂と略す）に
感光成分であるキノンジアジド化合物を添加したポジ型
レジストが広く使用されてきた。
ラフィーにおいて、ｇ線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６６
ｎｍ）等の紫外線を光源とし、レジストとしてはノボラ
ック型フェノール樹脂（以下ノボラック樹脂と略す）に
感光成分であるキノンジアジド化合物を添加したポジ型
レジストが広く使用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ等の半導体素子
は近年ますます微細化しフォトリソグラフィーに対する
要求も年々厳しくなっている。現在では最小線幅がハー
フミクロン（０．５μｍ）、更にはクォーターミクロン
（０．２５μｍ）という高解像度のパターン形成が求め
られるに至っている。そのためにＫｒＦエキシマーレー
ザー光（２４８ｎｍ）等の遠紫外線を光源とするリソグ
ラフィーが検討されているが、遠紫外光で十分な感度と
解像度を示すレジストがまだ開発されていない。このた
め半導体業界では遠紫外光源に対して高い解像度と感度
を示す新しいレジストの出現が強く求められている。
は近年ますます微細化しフォトリソグラフィーに対する
要求も年々厳しくなっている。現在では最小線幅がハー
フミクロン（０．５μｍ）、更にはクォーターミクロン
（０．２５μｍ）という高解像度のパターン形成が求め
られるに至っている。そのためにＫｒＦエキシマーレー
ザー光（２４８ｎｍ）等の遠紫外線を光源とするリソグ
ラフィーが検討されているが、遠紫外光で十分な感度と
解像度を示すレジストがまだ開発されていない。このた
め半導体業界では遠紫外光源に対して高い解像度と感度
を示す新しいレジストの出現が強く求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解決し、遠紫外光に対して高解像度と高感度を示すレジ
ストを提供するものである。すなわち本発明はピリミジ
ン基含有フラーレン誘導体に関し、また該フラーレン誘
導体からなる感光材料に関する。
解決し、遠紫外光に対して高解像度と高感度を示すレジ
ストを提供するものである。すなわち本発明はピリミジ
ン基含有フラーレン誘導体に関し、また該フラーレン誘
導体からなる感光材料に関する。
【０００５】本発明においてピリミジン基含有フラーレ
ン誘導体とは、ピリミジン基を分子内に有するフラーレ
ン誘導体であってフラーレンにピリミジン基を導入する
ことにより得ることができる。
ン誘導体とは、ピリミジン基を分子内に有するフラーレ
ン誘導体であってフラーレンにピリミジン基を導入する
ことにより得ることができる。
【０００６】本発明においてフラーレンとは別名カーボ
ンクラスターとも称される炭素同素体をさす。これまで
に知られているフラーレンとしては分子式でＣ６０、Ｃ
７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ９０、Ｃ９
６等がある。本発明においてはこれらフラーレンの１種
類または２種類以上からなる混合物を用いることができ
る。これらのうちＣ６０およびＣ７０が好ましく、特に
Ｃ６０が本発明のフラーレンとして好ましく使用でき
る。本発明においてピリミジン基とは下記の式１（化
１）または式２（化２）で表される構造の官能基を指
す。
ンクラスターとも称される炭素同素体をさす。これまで
に知られているフラーレンとしては分子式でＣ６０、Ｃ
７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ９０、Ｃ９
６等がある。本発明においてはこれらフラーレンの１種
類または２種類以上からなる混合物を用いることができ
る。これらのうちＣ６０およびＣ７０が好ましく、特に
Ｃ６０が本発明のフラーレンとして好ましく使用でき
る。本発明においてピリミジン基とは下記の式１（化
１）または式２（化２）で表される構造の官能基を指
す。
【０００７】
【化１】
【０００８】
【化２】
【０００９】式１および式２において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 はそれぞれ水素、アルキル基、ハロゲン原子、
ハロアルキル基、シアノ基、カルボキシル基から成る群
から選ばれる基を示す。アルキル基としては炭素数１〜
２４、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基を示し、
具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などを例示することができる。ハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素、沃素を例示することができる。ハ
ロアルキル基としては、前記アルキル基にフッ素、塩
素、臭素、沃素のハロゲン原子が１または２以上置換し
たものが用いられる。
3 、Ｒ4 はそれぞれ水素、アルキル基、ハロゲン原子、
ハロアルキル基、シアノ基、カルボキシル基から成る群
から選ばれる基を示す。アルキル基としては炭素数１〜
２４、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基を示し、
具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などを例示することができる。ハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素、沃素を例示することができる。ハ
ロアルキル基としては、前記アルキル基にフッ素、塩
素、臭素、沃素のハロゲン原子が１または２以上置換し
たものが用いられる。
【００１０】ピリミジン基は、使用する光源の波長に応
じて適当な基を選択することができるが、好ましく使用
できるピリミジン基としてウラシル−１−イル基、チミ
ン−１−イル基、５−シアノウラシル−１−イル基、５
−ブロモウラシル−１−イル基、６−メチルウラシル−
１−イル基、６−シアノウラシル−１−イル基、ウラシ
ル−３−イル基、チミン−３−イル基、５−シアノウラ
シル−３−イ基、５−ブロモウラシル−３−イル基、６
−メチルウラシル−３−イル基、６−シアノウラシル−
３−イル基、１−メチルチミン−３−イル基、１−メチ
ル−６−シアノウラシル−３−イル基を、特に好ましく
使用できるピリミジン基として１−メチルチミン−３−
イル基と１−メチル−６−シアノウラシル−３−イル基
を挙げることができる。
じて適当な基を選択することができるが、好ましく使用
できるピリミジン基としてウラシル−１−イル基、チミ
ン−１−イル基、５−シアノウラシル−１−イル基、５
−ブロモウラシル−１−イル基、６−メチルウラシル−
１−イル基、６−シアノウラシル−１−イル基、ウラシ
ル−３−イル基、チミン−３−イル基、５−シアノウラ
シル−３−イ基、５−ブロモウラシル−３−イル基、６
−メチルウラシル−３−イル基、６−シアノウラシル−
３−イル基、１−メチルチミン−３−イル基、１−メチ
ル−６−シアノウラシル−３−イル基を、特に好ましく
使用できるピリミジン基として１−メチルチミン−３−
イル基と１−メチル−６−シアノウラシル−３−イル基
を挙げることができる。
【００１１】ピリミジン基のフラーレンへの導入は種々
の方法で行うことができ、特に制限はない。例えば１−
メチル−３−アミノエチルチミンをフラーレンに付加さ
せることにより１−メチルチミン−３−イル基を導入す
ることができる。
の方法で行うことができ、特に制限はない。例えば１−
メチル−３−アミノエチルチミンをフラーレンに付加さ
せることにより１−メチルチミン−３−イル基を導入す
ることができる。
【００１２】フラーレン誘導体中のピリミジン基の量は
そのピリミジン基の光反応性に応じて選択することがで
きるが、通常はフラーレン１モルに対して１．０から１
０．０モル、好ましくは１．５から６．０モル、特に好
ましくは２．０から４．０モルの範囲で使用できる。
１．０モルよりも少ないと感光性が不足する。また１
０．０モルよりも多いと保存安定性が低下する。
そのピリミジン基の光反応性に応じて選択することがで
きるが、通常はフラーレン１モルに対して１．０から１
０．０モル、好ましくは１．５から６．０モル、特に好
ましくは２．０から４．０モルの範囲で使用できる。
１．０モルよりも少ないと感光性が不足する。また１
０．０モルよりも多いと保存安定性が低下する。
【００１３】また本発明のフラーレン誘導体の有機溶剤
への溶解性を向上させるために、必要に応じて、ピリミ
ジン基以外の官能基を導入することもできる。例えばｎ
−ドデシルアミンをフラーレンに付加させることにより
ドデシルアミノ基を導入することができる。しかしなが
ら本発明の効果を十分に発揮するためにはこれら官能基
の量はフラーレン誘導体全体の２０重量％以下であるこ
とが望ましい。
への溶解性を向上させるために、必要に応じて、ピリミ
ジン基以外の官能基を導入することもできる。例えばｎ
−ドデシルアミンをフラーレンに付加させることにより
ドデシルアミノ基を導入することができる。しかしなが
ら本発明の効果を十分に発揮するためにはこれら官能基
の量はフラーレン誘導体全体の２０重量％以下であるこ
とが望ましい。
【００１４】本発明の感光材料に、必要に応じて、ポリ
スチレンやフェノール樹脂等の樹脂を添加することもで
きるが、本発明の効果を十分に発揮するためにはこれら
樹脂の添加量は２０重量％以下であることが望ましい。
スチレンやフェノール樹脂等の樹脂を添加することもで
きるが、本発明の効果を十分に発揮するためにはこれら
樹脂の添加量は２０重量％以下であることが望ましい。
【００１５】本発明の感光材料は従来の感光材料と比べ
てドライエッチングに対する耐性が極めて高いという特
長を有している。例えばＣＦ4 ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングに対して従来の感光材料の４０倍から６０
倍の耐性を有している。このため感光材料として使用す
る際にその膜厚を通常の数十分の一にすることが可能で
ある。この結果従来の感光材料よりも著しく高い解像度
と感度を示す。
てドライエッチングに対する耐性が極めて高いという特
長を有している。例えばＣＦ4 ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングに対して従来の感光材料の４０倍から６０
倍の耐性を有している。このため感光材料として使用す
る際にその膜厚を通常の数十分の一にすることが可能で
ある。この結果従来の感光材料よりも著しく高い解像度
と感度を示す。
【００１６】本発明の感光材料は基板上に通常２から２
００ｎｍ、好ましくは５から１００ｎｍ、特に好ましく
は１０から５０ｎｍの膜厚で被膜を形成して使用する。
２ｎｍよりも薄いと薄膜の均一性がやや低下する。また
２００ｎｍよりも厚いと本発明の特長を十分には発揮で
きない。
００ｎｍ、好ましくは５から１００ｎｍ、特に好ましく
は１０から５０ｎｍの膜厚で被膜を形成して使用する。
２ｎｍよりも薄いと薄膜の均一性がやや低下する。また
２００ｎｍよりも厚いと本発明の特長を十分には発揮で
きない。
【００１７】被膜の形成法としてはスピンコート（回転
塗布）、蒸着等種々の方法が使用できるがスピンコート
が最も好ましい。その場合は本発明の感光材料の溶液を
塗布することになる。溶剤としては本発明の感光材料を
溶解するものはすべて使用できるが、好ましい溶剤とし
て芳香族系溶剤を、その中で特に好ましい溶剤としてト
ルエン、キシレン、プソイドクメン等を挙げることがで
きる。その濃度は形成する膜厚に応じて調整するが通常
０．１から１重量％である。
塗布）、蒸着等種々の方法が使用できるがスピンコート
が最も好ましい。その場合は本発明の感光材料の溶液を
塗布することになる。溶剤としては本発明の感光材料を
溶解するものはすべて使用できるが、好ましい溶剤とし
て芳香族系溶剤を、その中で特に好ましい溶剤としてト
ルエン、キシレン、プソイドクメン等を挙げることがで
きる。その濃度は形成する膜厚に応じて調整するが通常
０．１から１重量％である。
【００１８】本発明の感光材料は紫外線の露光でピリミ
ジン基が二量化して溶剤に不溶となるので、いわゆるネ
ガ型のレジストとして機能する。
ジン基が二量化して溶剤に不溶となるので、いわゆるネ
ガ型のレジストとして機能する。
【００１９】本発明の感光材料に使用する光源の波長に
制限はないが、波長が２４０から３２０ｎｍの遠紫外線
に対して特に効果が高く、高解像度と高感度を示す。
制限はないが、波長が２４０から３２０ｎｍの遠紫外線
に対して特に効果が高く、高解像度と高感度を示す。
【００２０】現像に関しては、未露光部を溶解する溶剤
はすべて現像液として使用することができ特に制限はな
いが、好ましい現像液として芳香族系溶剤を、その中で
特に好ましい現象液としてトルエンとキシレンを挙げる
ことができる。現像の温度と時間に特に制限は無いが、
通常２０から３０℃の温度で３０から２００秒間現像液
に浸漬して行う。
はすべて現像液として使用することができ特に制限はな
いが、好ましい現像液として芳香族系溶剤を、その中で
特に好ましい現象液としてトルエンとキシレンを挙げる
ことができる。現像の温度と時間に特に制限は無いが、
通常２０から３０℃の温度で３０から２００秒間現像液
に浸漬して行う。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 （実施例）１−メチル−３−ヒドロキシエチルチミンを
ジメチルホルムアミド中でカルボニルジイミダゾールと
６０℃で反応させてイミダゾリド化した後に等モルのヘ
キサメチレンジアミンを加えて室温で反応させ、式３
（化３）の化合物を得た。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 （実施例）１−メチル−３−ヒドロキシエチルチミンを
ジメチルホルムアミド中でカルボニルジイミダゾールと
６０℃で反応させてイミダゾリド化した後に等モルのヘ
キサメチレンジアミンを加えて室温で反応させ、式３
（化３）の化合物を得た。
【００２２】
【化３】
【００２３】式３の化合物を７０℃に加熱し溶融させた
状態で高純度Ｃ６０（純度９９．８％、真空冶金株式会
社製）を加えて１時間反応させた。ＮＭＲ分析と質量分
析および元素分析の結果、生成物は式３の化合物が末端
のアミノ基の位置でＣ６０の１分子に平均２．１個付加
したものであることがわかった。上記生成物０．３ｇを
トルエン１００ｇに溶解して均一な溶液を調製した。こ
の溶液をシリコンウェハーにスピンコートし更に予備加
熱することにより、レジスト薄膜を２２．２ｎｍの膜厚
で形成した。このレジストにＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）を所定量露光した後にトルエンで１ｍｉ
ｎ現像することにより感度特性曲線を作成し、感度（数
値が小さいほど高感度）と解像度の目安であるγ値（数
値が大きいほど解像度が高い）を求めた。表１にレジス
ト性能の評価結果を示す。
状態で高純度Ｃ６０（純度９９．８％、真空冶金株式会
社製）を加えて１時間反応させた。ＮＭＲ分析と質量分
析および元素分析の結果、生成物は式３の化合物が末端
のアミノ基の位置でＣ６０の１分子に平均２．１個付加
したものであることがわかった。上記生成物０．３ｇを
トルエン１００ｇに溶解して均一な溶液を調製した。こ
の溶液をシリコンウェハーにスピンコートし更に予備加
熱することにより、レジスト薄膜を２２．２ｎｍの膜厚
で形成した。このレジストにＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）を所定量露光した後にトルエンで１ｍｉ
ｎ現像することにより感度特性曲線を作成し、感度（数
値が小さいほど高感度）と解像度の目安であるγ値（数
値が大きいほど解像度が高い）を求めた。表１にレジス
ト性能の評価結果を示す。
【００２４】（比較例）フェノール１１．４ｇ、ｍ−ク
レゾール２６．１ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液２
８．５ｇ、シュウ酸二水物０．６１ｇ、イオン交換水
３．６ｇ、エチルセロソルブアセテート１２．０ｇを３
００ｍＬのセパラブルフラスコに仕込み、１１０℃で３
時間加熱攪拌し反応させた。後処理の後エチルセロソル
ブアセテートを蒸留除去してノボラック樹脂を回収し
た。平均分子量は１万３０００であった。このノボッラ
ック樹脂９０重量部に、ナフトキノンジアジド型ポジ型
感光剤１０重量部を均一に混合することによりポジ型レ
ジストを調製した。このレジストを１０重量％含むエチ
ルセロソルブアセテート溶液から、１２４０ｎｍの膜厚
の被膜を形成した。ＫｒＦエキシマレーザーで露光後に
アルカリ水溶液で１ｍｉｎ現像することにより、実施例
と同様にして感度とγ値を求めた。表１にレジスト性能
の評価結果を合わせて示す。
レゾール２６．１ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液２
８．５ｇ、シュウ酸二水物０．６１ｇ、イオン交換水
３．６ｇ、エチルセロソルブアセテート１２．０ｇを３
００ｍＬのセパラブルフラスコに仕込み、１１０℃で３
時間加熱攪拌し反応させた。後処理の後エチルセロソル
ブアセテートを蒸留除去してノボラック樹脂を回収し
た。平均分子量は１万３０００であった。このノボッラ
ック樹脂９０重量部に、ナフトキノンジアジド型ポジ型
感光剤１０重量部を均一に混合することによりポジ型レ
ジストを調製した。このレジストを１０重量％含むエチ
ルセロソルブアセテート溶液から、１２４０ｎｍの膜厚
の被膜を形成した。ＫｒＦエキシマレーザーで露光後に
アルカリ水溶液で１ｍｉｎ現像することにより、実施例
と同様にして感度とγ値を求めた。表１にレジスト性能
の評価結果を合わせて示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１からも明らかなように実施例のレジス
トはＫｒＦエキシマレーザー光源に対して極めて高い感
度と解像度を有していることが分かる。
トはＫｒＦエキシマレーザー光源に対して極めて高い感
度と解像度を有していることが分かる。
【００２７】〔ＣＦ4 反応性イオンエッチング試験〕試
験用の被膜はレジスト性能の評価の場合と同様にして作
製した。実施例のレジストはネガ型であるから感度相当
量のＫｒＦエキシマレーザーを露光しこれを現像したも
のを試験した。比較例のレジストはポジ型であるから未
露光で現像したものを試験した。試験はＳａｍｃｏ株式
会社製の反応性イオンエッチング装置ＲＩＥ−１を用い
てＣＦ4 ガス圧力０．１０ｔｏｒｒ、出力１００Ｗの条
件で行った。結果を表２に示す。
験用の被膜はレジスト性能の評価の場合と同様にして作
製した。実施例のレジストはネガ型であるから感度相当
量のＫｒＦエキシマレーザーを露光しこれを現像したも
のを試験した。比較例のレジストはポジ型であるから未
露光で現像したものを試験した。試験はＳａｍｃｏ株式
会社製の反応性イオンエッチング装置ＲＩＥ−１を用い
てＣＦ4 ガス圧力０．１０ｔｏｒｒ、出力１００Ｗの条
件で行った。結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２からも明らかのように実施例のレジス
トは比較例のレジストの約６０倍のエッチング耐性を有
している。このため、比較例のレジストに比してはるか
に薄い膜厚でもエッチングに耐える（膜厚がゼロになる
までの）時間の長さは同等である。
トは比較例のレジストの約６０倍のエッチング耐性を有
している。このため、比較例のレジストに比してはるか
に薄い膜厚でもエッチングに耐える（膜厚がゼロになる
までの）時間の長さは同等である。
【００３０】
【発明の効果】上述の通り本発明の感光材料はドライエ
ッチング耐性が極めて強いために極めて薄い膜厚で使用
でき、このため遠紫外光源に対して非常な高解像度と高
感度を示す。
ッチング耐性が極めて強いために極めて薄い膜厚で使用
でき、このため遠紫外光源に対して非常な高解像度と高
感度を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 ピリミジン基含有フラーレン誘導体。
- 【請求項２】 ピリミジン基含有フラーレン誘導体から
なる感光材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202514A JPH0733751A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フラーレン誘導体および感光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202514A JPH0733751A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フラーレン誘導体および感光材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733751A true JPH0733751A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16458755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202514A Pending JPH0733751A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フラーレン誘導体および感光材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733751A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09211862A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Agency Of Ind Science & Technol | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
| EP0903637A2 (en) * | 1997-09-22 | 1999-03-24 | JAPAN as represented by DIRECTOR GENERAL OF AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY | Electron beam resist |
| US6177231B1 (en) * | 1996-06-07 | 2001-01-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Resist material and fabrication method thereof |
| KR20030002739A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 포토레지스트 제조 방법 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP5202514A patent/JPH0733751A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09211862A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Agency Of Ind Science & Technol | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
| US6177231B1 (en) * | 1996-06-07 | 2001-01-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Resist material and fabrication method thereof |
| US6395447B1 (en) | 1996-06-07 | 2002-05-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Resist material and fabrication method thereof |
| EP0903637A2 (en) * | 1997-09-22 | 1999-03-24 | JAPAN as represented by DIRECTOR GENERAL OF AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY | Electron beam resist |
| EP0903637A3 (en) * | 1997-09-22 | 1999-07-14 | JAPAN as represented by DIRECTOR GENERAL OF AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY | Electron beam resist |
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