JP2810351B2 - 有機質正特性サーミスタ - Google Patents
有機質正特性サーミスタInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機ポリマーを用いた
正の抵抗温度特性（ＰＴＣ）を持つサーミスタに関す
る。
正の抵抗温度特性（ＰＴＣ）を持つサーミスタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ポリエチレンやポリプロピレン等の有機
ポリマーにカーボンブラックや金属粉等の導電性粉末を
分散混合した導電性組成物はＰＴＣ特性を発揮し、この
ような導電性組成物は、従来のセラミック系ＰＴＣ組成
物に比較して室温比抵抗値が低く、大電流用として用い
ることができ、小型化でき、さらに抵抗変化率（最大抵
抗値／室温抵抗値）が大きいという優れた特性と持つこ
とが知られている。このような組成物は、例えば米国特
許第３５９１５２６号、米国特許第３６７３１２１号に
開示されている。
ポリマーにカーボンブラックや金属粉等の導電性粉末を
分散混合した導電性組成物はＰＴＣ特性を発揮し、この
ような導電性組成物は、従来のセラミック系ＰＴＣ組成
物に比較して室温比抵抗値が低く、大電流用として用い
ることができ、小型化でき、さらに抵抗変化率（最大抵
抗値／室温抵抗値）が大きいという優れた特性と持つこ
とが知られている。このような組成物は、例えば米国特
許第３５９１５２６号、米国特許第３６７３１２１号に
開示されている。
【０００３】また、導電性粉末として、ＴｉＣ、ＴｉＢ
2、ＴｉＮ、ＺｒＣ、ＺｒＢ2 、ＺｒＮ、ＮｂＣ等の非
酸化物セラミック粉を有機ポリマーに添加して構成され
たサーミスタが、例えば特開平２−８６０８７号や、米
国文献である「ジャーナルオブ マテアリアルズ サイ
エンス レターズ」９号（１９９０年）の６１１〜６１
２頁および同文献の２６号（１９９１年）の１４５〜１
５４頁に開示されている。
2、ＴｉＮ、ＺｒＣ、ＺｒＢ2 、ＺｒＮ、ＮｂＣ等の非
酸化物セラミック粉を有機ポリマーに添加して構成され
たサーミスタが、例えば特開平２−８６０８７号や、米
国文献である「ジャーナルオブ マテアリアルズ サイ
エンス レターズ」９号（１９９０年）の６１１〜６１
２頁および同文献の２６号（１９９１年）の１４５〜１
５４頁に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記金属粉を
有機ポリマーに分散させたものは、作動による温度の上
昇、降下の繰り返しにより抵抗値が変化するという問題
点がある。また、カーボンブラック（以下ＣＢと称す）
を用いたものは、比較的室温抵抗値が高く、かつ前記抵
抗変化率が小さいという問題点があった。一方、前記非
酸化物セラミック粉を有機ポリマーに分散させたもの
は、耐熱性、機械的強度、化学的安定性において優れて
いるが、有機ポリマーに混入すると、ＣＢに比較し、添
加量をかなり増やさないと抵抗値が下がらず、過添加の
ために混練、成形が困難になるという問題点があった。
有機ポリマーに分散させたものは、作動による温度の上
昇、降下の繰り返しにより抵抗値が変化するという問題
点がある。また、カーボンブラック（以下ＣＢと称す）
を用いたものは、比較的室温抵抗値が高く、かつ前記抵
抗変化率が小さいという問題点があった。一方、前記非
酸化物セラミック粉を有機ポリマーに分散させたもの
は、耐熱性、機械的強度、化学的安定性において優れて
いるが、有機ポリマーに混入すると、ＣＢに比較し、添
加量をかなり増やさないと抵抗値が下がらず、過添加の
ために混練、成形が困難になるという問題点があった。
【０００５】すなわち、非酸化物セラミックを混入した
サーミスタは、二次電池の短絡等による充放電電流や、
モータのロック等による過電流防止等用いることによ
り、繰り返し性の良い安定性のあるサーミスタとして用
いることができるものと期待されているが、前記のよう
に添加量を増やさないと低い抵抗値が得られないことか
ら、混練や成形が困難になるという製造上の問題があ
り、大電流用で小型化されたものが得がたいという問題
点があった。
サーミスタは、二次電池の短絡等による充放電電流や、
モータのロック等による過電流防止等用いることによ
り、繰り返し性の良い安定性のあるサーミスタとして用
いることができるものと期待されているが、前記のよう
に添加量を増やさないと低い抵抗値が得られないことか
ら、混練や成形が困難になるという製造上の問題があ
り、大電流用で小型化されたものが得がたいという問題
点があった。
【０００６】本発明は、上記した問題点に鑑み、導電性
粉末の混練、成形が容易に行え、しかも室温抵抗値、抵
抗変化率、繰り返し性において優れた有機質正特性サー
ミスタを提供することを目的とする。
粉末の混練、成形が容易に行え、しかも室温抵抗値、抵
抗変化率、繰り返し性において優れた有機質正特性サー
ミスタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、この目的を達
成するため、有機ポリマーに混入する導電性粉末とし
て、非酸化物セラミック粉を用いたものを鋭意研究の結
果、炭化タングステン（以下ＷＣと称す）粉を有機ポリ
マーに添加する導電性粉末として用いることにより、他
の非酸化物セラミックに比較し、少ない添加量で室温抵
抗値を下げることができ、しかも大きな抵抗変化率が得
られ、繰り返し性の面でも優れていることを見いだした
ものである。すなわち、セラミック自体の室温における
比抵抗値がＷＣと殆ど同じである例えばＺｒＮをポリフ
ッ化ビニリデン（以下ＰＶＤＦと称す）に例えば３０体
積％ずつ混入し、所定のサイズに作製したサーミスタに
おいては、室温における抵抗値が２００ＭΩ以上とな
り、実用に供するものは得られなかったが、本発明にお
けるＷＣを３０体積％混入した同サイズのサーミスタの
室温における抵抗値は０．００７Ωとなり、他のセラミ
ックと比較にならない程の低い抵抗値が得られる。
成するため、有機ポリマーに混入する導電性粉末とし
て、非酸化物セラミック粉を用いたものを鋭意研究の結
果、炭化タングステン（以下ＷＣと称す）粉を有機ポリ
マーに添加する導電性粉末として用いることにより、他
の非酸化物セラミックに比較し、少ない添加量で室温抵
抗値を下げることができ、しかも大きな抵抗変化率が得
られ、繰り返し性の面でも優れていることを見いだした
ものである。すなわち、セラミック自体の室温における
比抵抗値がＷＣと殆ど同じである例えばＺｒＮをポリフ
ッ化ビニリデン（以下ＰＶＤＦと称す）に例えば３０体
積％ずつ混入し、所定のサイズに作製したサーミスタに
おいては、室温における抵抗値が２００ＭΩ以上とな
り、実用に供するものは得られなかったが、本発明にお
けるＷＣを３０体積％混入した同サイズのサーミスタの
室温における抵抗値は０．００７Ωとなり、他のセラミ
ックと比較にならない程の低い抵抗値が得られる。
【０００８】このように、導電性物質そのものの比抵抗
値が同じであるにもかかわらず、サーミスタとして構成
した場合には、同じ体積％で混入しても、室温抵抗値に
大差が生じる明確な理由については現在のところ不明で
あるが、有機ポリマーとの親和性の有無等に起因するの
ではないかと考えられる。本発明のように、ＷＣを用い
た場合の室温における比抵抗値は、好ましくは１０Ω・
ｃｍ以下であり、このような室温における比抵抗値は本
発明による場合には少ないＷＣ添加率で容易に得ること
ができる。すなわち本発明の特徴は、導電性物質が分散
混合され、かつ少なくとも１対の電極を有し、正の抵抗
温度特性を持つ有機質正特性サーミスタにおいて、前記
導電性物質としてＷＣ粉を用いたものであり、好ましく
は、室温（２５℃）における比抵抗値を１０Ω・ｃｍ以
下としたものである。
値が同じであるにもかかわらず、サーミスタとして構成
した場合には、同じ体積％で混入しても、室温抵抗値に
大差が生じる明確な理由については現在のところ不明で
あるが、有機ポリマーとの親和性の有無等に起因するの
ではないかと考えられる。本発明のように、ＷＣを用い
た場合の室温における比抵抗値は、好ましくは１０Ω・
ｃｍ以下であり、このような室温における比抵抗値は本
発明による場合には少ないＷＣ添加率で容易に得ること
ができる。すなわち本発明の特徴は、導電性物質が分散
混合され、かつ少なくとも１対の電極を有し、正の抵抗
温度特性を持つ有機質正特性サーミスタにおいて、前記
導電性物質としてＷＣ粉を用いたものであり、好ましく
は、室温（２５℃）における比抵抗値を１０Ω・ｃｍ以
下としたものである。
【０００９】本発明において、前記ＷＣ粉の平均粒径
は、所定の破壊電圧を確保するためには、１０μｍ以下
にすることが好ましく、また、室温抵抗値をより低くす
る上で、１μｍ以下とすることがさらに好ましい。ま
た、平均粒径が０．１μｍより小さいとＷＣが高価にな
り、しかも混練がしにくくなる。従って、平均粒径は好
ましくは０．１μｍ〜１０μｍ、さらに好ましくは０．
１μｍ〜１μｍである。また、本発明に用いる有機ポリ
マーとしては、熱可塑性のもので、結晶性重合体であれ
ば良く、特に制限はないが、例えばポリフッ化ビニリデ
ン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、アイオノマーまたはこれらの共重合体
のいずれかを用いることができる。特にポリフッ化ビニ
リデンは、自消性（着火しても炎を遠ざけると自然に消
火する性質）がある点において、着火の可能性のある箇
所において使用するものに適している。
は、所定の破壊電圧を確保するためには、１０μｍ以下
にすることが好ましく、また、室温抵抗値をより低くす
る上で、１μｍ以下とすることがさらに好ましい。ま
た、平均粒径が０．１μｍより小さいとＷＣが高価にな
り、しかも混練がしにくくなる。従って、平均粒径は好
ましくは０．１μｍ〜１０μｍ、さらに好ましくは０．
１μｍ〜１μｍである。また、本発明に用いる有機ポリ
マーとしては、熱可塑性のもので、結晶性重合体であれ
ば良く、特に制限はないが、例えばポリフッ化ビニリデ
ン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、アイオノマーまたはこれらの共重合体
のいずれかを用いることができる。特にポリフッ化ビニ
リデンは、自消性（着火しても炎を遠ざけると自然に消
火する性質）がある点において、着火の可能性のある箇
所において使用するものに適している。
【００１０】また、本発明における前記ＷＣ粉の添加量
は２０〜５０体積％であることが好ましい。ＷＣ粉の添
加量が２０体積％を下回ると、室温抵抗値の上昇が認め
られ、５０体積％を超えると、ポリマーに対する導電性
物質の量が大くなり、混練に要するトルクが上昇して混
練しにくくなる傾向や、成形しにくくなるという問題が
生じる。
は２０〜５０体積％であることが好ましい。ＷＣ粉の添
加量が２０体積％を下回ると、室温抵抗値の上昇が認め
られ、５０体積％を超えると、ポリマーに対する導電性
物質の量が大くなり、混練に要するトルクが上昇して混
練しにくくなる傾向や、成形しにくくなるという問題が
生じる。
【００１１】本発明によるサーミスタの製法について説
明すると、まず、結晶性重合体にＷＣを分散させてなる
ＰＴＣ組成物を、バンバリーミキサーあるいはミキシン
グロール等の混練機により混練する。この混練に当た
り、抗酸化剤や、界面活性剤等の混練助剤を添加しても
よい。このように混練したものを熱プレスによりシート
またはフィルム状に成形する。この場合必ずしも必要で
はないが、電子線や架橋の効率を高めるため、架橋助剤
を添加した電子線架橋（米国特許第３２６９８６２号）
や化学架橋、あるいはシラン化合物を遊離基発生剤の存
在下で結晶性重合体にグラフト化させた後、シラノール
縮合触媒の存在下で水あるいは水性媒体と接触させて行
う水架橋（特公平４−１１５７５号）等の方法により、
ＰＴＣ発現後の重合体の流動性を抑制し、抵抗値の安定
化が図られる。
明すると、まず、結晶性重合体にＷＣを分散させてなる
ＰＴＣ組成物を、バンバリーミキサーあるいはミキシン
グロール等の混練機により混練する。この混練に当た
り、抗酸化剤や、界面活性剤等の混練助剤を添加しても
よい。このように混練したものを熱プレスによりシート
またはフィルム状に成形する。この場合必ずしも必要で
はないが、電子線や架橋の効率を高めるため、架橋助剤
を添加した電子線架橋（米国特許第３２６９８６２号）
や化学架橋、あるいはシラン化合物を遊離基発生剤の存
在下で結晶性重合体にグラフト化させた後、シラノール
縮合触媒の存在下で水あるいは水性媒体と接触させて行
う水架橋（特公平４−１１５７５号）等の方法により、
ＰＴＣ発現後の重合体の流動性を抑制し、抵抗値の安定
化が図られる。
【００１２】この成形体の互いに反対面となる両主面に
対する電極の取付けは、該両主面に金属板を加熱圧着し
たり（米国特許４４２６６３３号）、金属メッキを施し
たり（特公平４−４４４０１号）、導電性ペーストを塗
布したり（特開昭５９−２１３１０２号）、あるいはス
パッタリング（特開昭６２−８５４０１号）や溶射（特
開昭６２−９２４０９号）等の方法により行う。
対する電極の取付けは、該両主面に金属板を加熱圧着し
たり（米国特許４４２６６３３号）、金属メッキを施し
たり（特公平４−４４４０１号）、導電性ペーストを塗
布したり（特開昭５９−２１３１０２号）、あるいはス
パッタリング（特開昭６２−８５４０１号）や溶射（特
開昭６２−９２４０９号）等の方法により行う。
【００１３】こうして得られたＰＴＣシートは必要に応
じて打ち抜きあるいはカッティングにより所望の大きさ
に加工される。さらに、両主面に金属リード線を半田付
けした後、外装として絶縁樹脂でモールドしたり、導電
性接着剤を電極に塗布後、他の金属からなる端子を接着
してもよい。
じて打ち抜きあるいはカッティングにより所望の大きさ
に加工される。さらに、両主面に金属リード線を半田付
けした後、外装として絶縁樹脂でモールドしたり、導電
性接着剤を電極に塗布後、他の金属からなる端子を接着
してもよい。
【００１４】上記構造と異なり、シート法または印刷法
あるいはこれらにスパッタリング等の薄膜形成技術を複
合させた技術により、ＰＴＣ組成物と電極を多層に積層
し、内部に対向する１組以上の電極をＰＴＣ層を介して
対向形成した積層体としてサーミスタを構成することも
可能である。
あるいはこれらにスパッタリング等の薄膜形成技術を複
合させた技術により、ＰＴＣ組成物と電極を多層に積層
し、内部に対向する１組以上の電極をＰＴＣ層を介して
対向形成した積層体としてサーミスタを構成することも
可能である。
【００１５】
【作用】本発明のように、導電性粉末としてＷＣ粉を用
いた場合には、他の非酸化物セラミックに比較して、Ｗ
Ｃ粉の少ない添加量ではるかに低い室温抵抗値が得られ
るので、ＷＣ粉の添加量を少なくすることができ、その
結果、導電性粉末とポリマーとの混練時におけるトルク
が小さく、また、ポリマー成分が多くなるために成形も
容易となる。
いた場合には、他の非酸化物セラミックに比較して、Ｗ
Ｃ粉の少ない添加量ではるかに低い室温抵抗値が得られ
るので、ＷＣ粉の添加量を少なくすることができ、その
結果、導電性粉末とポリマーとの混練時におけるトルク
が小さく、また、ポリマー成分が多くなるために成形も
容易となる。
【００１６】
【実施例】下記の工程で実施例１〜実施例１２のサンプ
ルを作製し、さらに比較のために、後述の比較例１〜８
のサンプルを作製した。 （実施例１）有機ポリマーとして、ＰＶＤＦ（米国エル
フ・アトケム・ノース・アメリカ社製カイナー７１１）
に、特公平４−１１５７５号に開示されているように、
シランカップリング剤（信越化学工業（株）製ＫＢＣ１
００３）を、ポリマー１００重量部に対して１０重量部
加え、また有機過酸化物である２，５−ジメチル−２，
５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシン）ヘキシン−３を１重
量部の割合で加え、２００℃に加熱しながら二軸押し出
し機でグラフト樹脂を作製した。次に、該グラフト樹脂
にＷＣ粉（日本新金属（株）製、ＷＣ−Ｆ、平均粒径
０．６５μｍ）が２０体積％となるように混合し、２０
０℃に加熱しながら混練機で２５ｒｐｍで１時間混練
し、ＰＴＣ組成物を得、その後、２００℃、３０ｋｇｆ
／ｃｍ2 にて熱プレスし、１ｍｍ厚程度のシート状成形
物を得た。その後、片面を粗面化したニッケル箔（福田
金属箔粉工業（株）製）を、粗面化した面が前記シート
状成形物に接触するように、シート状成形物の両主面に
付け、２００℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で加圧した後、室
温にて徐冷して電極を形成した後、最後に１０ｍｍの直
径に打ち抜いてサンプルを作製した。
ルを作製し、さらに比較のために、後述の比較例１〜８
のサンプルを作製した。 （実施例１）有機ポリマーとして、ＰＶＤＦ（米国エル
フ・アトケム・ノース・アメリカ社製カイナー７１１）
に、特公平４−１１５７５号に開示されているように、
シランカップリング剤（信越化学工業（株）製ＫＢＣ１
００３）を、ポリマー１００重量部に対して１０重量部
加え、また有機過酸化物である２，５−ジメチル−２，
５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシン）ヘキシン−３を１重
量部の割合で加え、２００℃に加熱しながら二軸押し出
し機でグラフト樹脂を作製した。次に、該グラフト樹脂
にＷＣ粉（日本新金属（株）製、ＷＣ−Ｆ、平均粒径
０．６５μｍ）が２０体積％となるように混合し、２０
０℃に加熱しながら混練機で２５ｒｐｍで１時間混練
し、ＰＴＣ組成物を得、その後、２００℃、３０ｋｇｆ
／ｃｍ2 にて熱プレスし、１ｍｍ厚程度のシート状成形
物を得た。その後、片面を粗面化したニッケル箔（福田
金属箔粉工業（株）製）を、粗面化した面が前記シート
状成形物に接触するように、シート状成形物の両主面に
付け、２００℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で加圧した後、室
温にて徐冷して電極を形成した後、最後に１０ｍｍの直
径に打ち抜いてサンプルを作製した。
【００１７】（実施例２）ＷＣの添加量を２５体積％と
した以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例３）ＷＣの添加量を３０体積％とした以外は実
施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例４）ＷＣの添加量を４０体積％とした以外は実
施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例５）平均粒径が２．０９μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−２５）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例６）平均粒径が４．８２μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−５０）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例７）平均粒径が８．６０μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−９０）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例８）平均粒径が７５μｍのＷＣ粉（日本新金属
（株）製ＷＣ−Ｓ）を用いた以外は、実施例２と同じ条
件でサンプルを作製した。
した以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例３）ＷＣの添加量を３０体積％とした以外は実
施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例４）ＷＣの添加量を４０体積％とした以外は実
施例１と同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例５）平均粒径が２．０９μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−２５）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例６）平均粒径が４．８２μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−５０）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例７）平均粒径が８．６０μｍのＷＣ粉（日本新
金属（株）製ＷＣ−９０）を用いた以外は、実施例２と
同じ条件でサンプルを作製した。 （実施例８）平均粒径が７５μｍのＷＣ粉（日本新金属
（株）製ＷＣ−Ｓ）を用いた以外は、実施例２と同じ条
件でサンプルを作製した。
【００１８】（実施例９）有機ポリマーであるＰＶＤＦ
として、前記カイナー７１１の代わりに、同社製のカイ
ナー４６１とした以外は実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。なお、カイナー４６１と７１１とは溶融粘
度が異なり、モンサント キャピラリー粘度計を用いて
２３０℃における粘度を測定した場合、カイナー４６１
の場合、２８，０００ポイズ、カイナー７１１の場合
７，０００ポイズとなるものである。
として、前記カイナー７１１の代わりに、同社製のカイ
ナー４６１とした以外は実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。なお、カイナー４６１と７１１とは溶融粘
度が異なり、モンサント キャピラリー粘度計を用いて
２３０℃における粘度を測定した場合、カイナー４６１
の場合、２８，０００ポイズ、カイナー７１１の場合
７，０００ポイズとなるものである。
【００１９】（実施例１０）有機ポリマーとしてポリエ
チレン（以下ＰＥと称す）（三井石油化学工業（株）製
ＨｉＺｅｘ２１００Ｐ）を用い、シランカップリング剤
（信越化学工業（株）製ＫＢＥ１００３）をポリマー１
００重量部に対して１０重量部、有機過酸化物ジクミル
パーオキサイド（ＤＣＰ）を１重量部の割合で加え、１
４０℃に加熱しながら二軸押し出し機でグラフト樹脂を
作製した。その後、混練温度を１４０℃にした以外は実
施例２と同じ条件でサンプルを作製した。
チレン（以下ＰＥと称す）（三井石油化学工業（株）製
ＨｉＺｅｘ２１００Ｐ）を用い、シランカップリング剤
（信越化学工業（株）製ＫＢＥ１００３）をポリマー１
００重量部に対して１０重量部、有機過酸化物ジクミル
パーオキサイド（ＤＣＰ）を１重量部の割合で加え、１
４０℃に加熱しながら二軸押し出し機でグラフト樹脂を
作製した。その後、混練温度を１４０℃にした以外は実
施例２と同じ条件でサンプルを作製した。
【００２０】（実施例１１）有機ポリマーとしてエチレ
ン酢酸ビニル共重合体（以下ＥＶＡと称す）（三菱化学
（株）製ＬＶ１４０）を用い、シランカップリング剤
（信越化学工業（株）製ＫＢＥ１００３）をポリマー１
００重量部に対して１０重量部、有機過酸化物ＤＣＰを
１重量部の割合で加え、１２０℃に加熱しながら二軸押
し出し機でグラフト樹脂を作製した。その後、混練温度
を１２０℃にした以外は実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。 （実施例１２）ＷＣ粉として、平均粒径が０．１〜０．
２μｍの東京タングステン（株）製のＷＣ０２Ｎを用い
た以外は実施例３と同じ条件でサンプルを作製した。
ン酢酸ビニル共重合体（以下ＥＶＡと称す）（三菱化学
（株）製ＬＶ１４０）を用い、シランカップリング剤
（信越化学工業（株）製ＫＢＥ１００３）をポリマー１
００重量部に対して１０重量部、有機過酸化物ＤＣＰを
１重量部の割合で加え、１２０℃に加熱しながら二軸押
し出し機でグラフト樹脂を作製した。その後、混練温度
を１２０℃にした以外は実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。 （実施例１２）ＷＣ粉として、平均粒径が０．１〜０．
２μｍの東京タングステン（株）製のＷＣ０２Ｎを用い
た以外は実施例３と同じ条件でサンプルを作製した。
【００２１】上記した本発明の実施例を各種特性につい
て比較するため、下記のような比較例１〜８のサンプル
を作製した。以下の比較例１〜７においては、導電性粉
末やその添加量が異なる（ただし比較例６は添加量が実
施例２と同じ）以外は、実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。また、比較例８は前記実施例１におけるＷ
Ｃの添加量を異ならせたものである。
て比較するため、下記のような比較例１〜８のサンプル
を作製した。以下の比較例１〜７においては、導電性粉
末やその添加量が異なる（ただし比較例６は添加量が実
施例２と同じ）以外は、実施例２と同じ条件でサンプル
を作製した。また、比較例８は前記実施例１におけるＷ
Ｃの添加量を異ならせたものである。
【００２２】（比較例１）導電性粉末：窒化チタンＴｉ
Ｎ（日本新金属（株）製ＴｉＮ−０１、平均粒径１．３
７μｍ）、導電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例２）導電性粉末：窒化ジルコニウムＺｒＮ（日
本新金属（株）製ＺｒＮ、平均粒径１．１９μｍ）、導
電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例３）導電性粉末：炭化チタンＴｉＣ（日本新金
属（株）製ＴｉＣ−００７、平均粒径０．８８μｍ）、
導電性粉末の添加量：４０体積％ （比較例４）導電性粉末：ホウ化チタンＴｉＢ2（日本
新金属（株）製ＴｉＢ2−ＰＦ、平均粒径１．８０μ
ｍ）、導電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例５）導電性粉末：珪化モリブデンＭｏＳｉ
2（日本新金属（株）製ＭｏＳｉ2 −Ｆ、平均粒径１．
６０μｍ）、導電性粉末の添加量：４０体積％ （比較例６）導電性粉末：Ｎｉ（インコ（ＩＮＣＯ）社
製フィラメント状Ｎｉ粉＃２１０、平均粒径０．５〜
１．０μｍ）、導電性粉末の添加量：２５体積％ （比較例７）導電性粉末：ＣＢ（東海カーボン（株）製
トーカブラック＃４５００、平均粒径４０ｎｍ）、導電
性粉末の添加量：３０体積％ （比較例８）ＷＣの添加量を１８体積％にした以外は実
施例１と同じサンプルである。
Ｎ（日本新金属（株）製ＴｉＮ−０１、平均粒径１．３
７μｍ）、導電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例２）導電性粉末：窒化ジルコニウムＺｒＮ（日
本新金属（株）製ＺｒＮ、平均粒径１．１９μｍ）、導
電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例３）導電性粉末：炭化チタンＴｉＣ（日本新金
属（株）製ＴｉＣ−００７、平均粒径０．８８μｍ）、
導電性粉末の添加量：４０体積％ （比較例４）導電性粉末：ホウ化チタンＴｉＢ2（日本
新金属（株）製ＴｉＢ2−ＰＦ、平均粒径１．８０μ
ｍ）、導電性粉末の添加量：３０体積％ （比較例５）導電性粉末：珪化モリブデンＭｏＳｉ
2（日本新金属（株）製ＭｏＳｉ2 −Ｆ、平均粒径１．
６０μｍ）、導電性粉末の添加量：４０体積％ （比較例６）導電性粉末：Ｎｉ（インコ（ＩＮＣＯ）社
製フィラメント状Ｎｉ粉＃２１０、平均粒径０．５〜
１．０μｍ）、導電性粉末の添加量：２５体積％ （比較例７）導電性粉末：ＣＢ（東海カーボン（株）製
トーカブラック＃４５００、平均粒径４０ｎｍ）、導電
性粉末の添加量：３０体積％ （比較例８）ＷＣの添加量を１８体積％にした以外は実
施例１と同じサンプルである。
【００２３】［評価］上記実施例１〜１２、比較例１〜
８について、それぞれの組成や測定結果を表１ないし表
３に示す。なお、表１、表２において、実施例１２を除
いては、充填材に関するデータは日本新金属（株）の提
供による。（以下余白）
８について、それぞれの組成や測定結果を表１ないし表
３に示す。なお、表１、表２において、実施例１２を除
いては、充填材に関するデータは日本新金属（株）の提
供による。（以下余白）
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】以下評価項目について説明する。 Ｒ25：室温２５℃におけるサンプルの抵抗を４端子法に
よって測定した抵抗値である。 ρ25：Ｒ25値と、サンプルの電極を除く素子部の主表面
の面積Ｓと厚みｔとから次の式によって算出した比抵抗
値である。 ρ25＝Ｒ25×（Ｓ／ｔ） Ｒ85／Ｒ25：２５℃におけるサンプルの抵抗値に対する
８５℃におけるサンプルの抵抗値の比を示す。 Ｈp ：ＰＴＣ特性の大小を示す指数でであり、比抵抗−
温度特性において、Ｒ25に対する最大比抵抗値ρmax の
比（桁）で表し、次式で求められるもので、これを抵抗
変化率と称する。 Ｈp ＝log（ρmax ／ρ25） Ｖb ：サンプルの破壊電圧を示し、電圧を徐昇しながら
電流をチェックし、素子がスパークあるいは溶融した時
点の電圧をＶb とした。
よって測定した抵抗値である。 ρ25：Ｒ25値と、サンプルの電極を除く素子部の主表面
の面積Ｓと厚みｔとから次の式によって算出した比抵抗
値である。 ρ25＝Ｒ25×（Ｓ／ｔ） Ｒ85／Ｒ25：２５℃におけるサンプルの抵抗値に対する
８５℃におけるサンプルの抵抗値の比を示す。 Ｈp ：ＰＴＣ特性の大小を示す指数でであり、比抵抗−
温度特性において、Ｒ25に対する最大比抵抗値ρmax の
比（桁）で表し、次式で求められるもので、これを抵抗
変化率と称する。 Ｈp ＝log（ρmax ／ρ25） Ｖb ：サンプルの破壊電圧を示し、電圧を徐昇しながら
電流をチェックし、素子がスパークあるいは溶融した時
点の電圧をＶb とした。
【００２８】［他の導電性セラミック粉との比較］表１
の実施例１〜１２と表２の比較例との比較から明らかな
ように、ＷＣ以外の導電性セラミック粉を導電性粉末に
用いた比較例１〜５の場合、比較例３のＴｉＣを除いて
は、添加量を３０体積％あるいは４０体積％にしても、
サンプルの抵抗値は絶縁体に近い極めて高い抵抗値とな
る。ただしＴｉＣの場合、添加量を４０体積％と大きく
しても、比抵抗値が９８５と高い値を示す。一方本発明
のＷＣを用いれば、実施例１の２０体積％と少ない添加
量でも、ＴｉＣの４０体積％の場合よりはるかに低い抵
抗値を示す。図４にＴｉＣを４０体積％添加した場合
と、本発明によりＷＣを２５体積％添加した場合の比抵
抗値（ρ）−温度（Ｔ）特性を対比して示す。
の実施例１〜１２と表２の比較例との比較から明らかな
ように、ＷＣ以外の導電性セラミック粉を導電性粉末に
用いた比較例１〜５の場合、比較例３のＴｉＣを除いて
は、添加量を３０体積％あるいは４０体積％にしても、
サンプルの抵抗値は絶縁体に近い極めて高い抵抗値とな
る。ただしＴｉＣの場合、添加量を４０体積％と大きく
しても、比抵抗値が９８５と高い値を示す。一方本発明
のＷＣを用いれば、実施例１の２０体積％と少ない添加
量でも、ＴｉＣの４０体積％の場合よりはるかに低い抵
抗値を示す。図４にＴｉＣを４０体積％添加した場合
と、本発明によりＷＣを２５体積％添加した場合の比抵
抗値（ρ）−温度（Ｔ）特性を対比して示す。
【００２９】［ＷＣの添加量］図１は実施例１〜実施例
４および比較例８のρ−Ｔ特性を示す図であり、この特
性図と表１に示す測定結果から、１８体積％の添加量で
は室温抵抗値が３００ｋΩを超えてしまい、実用に供し
得るものが得られず、実用に供し得る程度のＷＣの好ま
しい添加量は２０体積％以上であり、ＷＣ添加量が増え
るほど室温抵抗値が低くなる。一方、ＷＣは添加量が増
えるほど混練トルクが大となり、図１、表１には表示し
ていないが、５０体積％を超えると、混練、成形が困難
となることが判明しているので、好ましいＷＣの添加量
は２０体積％〜５０体積％、より好ましくは２５体積％
〜４０体積％である。
４および比較例８のρ−Ｔ特性を示す図であり、この特
性図と表１に示す測定結果から、１８体積％の添加量で
は室温抵抗値が３００ｋΩを超えてしまい、実用に供し
得るものが得られず、実用に供し得る程度のＷＣの好ま
しい添加量は２０体積％以上であり、ＷＣ添加量が増え
るほど室温抵抗値が低くなる。一方、ＷＣは添加量が増
えるほど混練トルクが大となり、図１、表１には表示し
ていないが、５０体積％を超えると、混練、成形が困難
となることが判明しているので、好ましいＷＣの添加量
は２０体積％〜５０体積％、より好ましくは２５体積％
〜４０体積％である。
【００３０】［平均粒径］表１の実施例２、５〜８およ
び１２のデータの対比と、粒径に対応したρ−Ｔ特性を
比較した図２と、実施例１２のρ−Ｔ特性である図６に
示すように、ＷＣの平均粒径が大きくなるほど、室温抵
抗値が増大する。また、平均粒径があまり大きくなる
と、抵抗値の不安定性の増大が認められ、５０μｍを超
えると、実施例８の場合について表１に示すように、破
壊電圧Ｖb が著るしく劣ることが判明した。また、１８
０Ｖ以上の高い破壊電圧Ｖb を確保するには、実施例１
〜７の対比からも明らかなように、ＷＣの平均粒径が１
０μｍ以下であることがより好ましい。さらに、実施例
１〜４に示すように、ＷＣの平均粒径が１μｍ以下では
２５体積％から３０体積％に添加量を増やすと、抵抗値
を１桁以上下げることが可能となり、しかも抵抗変化率
Ｈp や破壊電圧Ｖbの低下も認められなかった。従っ
て、ＷＣの平均粒径は１μｍ以下であることがさらに好
ましい。
び１２のデータの対比と、粒径に対応したρ−Ｔ特性を
比較した図２と、実施例１２のρ−Ｔ特性である図６に
示すように、ＷＣの平均粒径が大きくなるほど、室温抵
抗値が増大する。また、平均粒径があまり大きくなる
と、抵抗値の不安定性の増大が認められ、５０μｍを超
えると、実施例８の場合について表１に示すように、破
壊電圧Ｖb が著るしく劣ることが判明した。また、１８
０Ｖ以上の高い破壊電圧Ｖb を確保するには、実施例１
〜７の対比からも明らかなように、ＷＣの平均粒径が１
０μｍ以下であることがより好ましい。さらに、実施例
１〜４に示すように、ＷＣの平均粒径が１μｍ以下では
２５体積％から３０体積％に添加量を増やすと、抵抗値
を１桁以上下げることが可能となり、しかも抵抗変化率
Ｈp や破壊電圧Ｖbの低下も認められなかった。従っ
て、ＷＣの平均粒径は１μｍ以下であることがさらに好
ましい。
【００３１】一方、平均粒径が０．１μｍより小さいと
高価になり、しかも混練トルク上昇により混練がしにく
くなるので、平均粒径は０．１μｍ以上であることが好
ましい。このように平均粒径が小さいと、実施例９のよ
うに、ＰＶＤＦの種類を変えても、また、実施例１０、
実施例１１について、表１、図３に示すように、ＰＶＤ
Ｆ以外のＰＥ、ＥＶＡ等の他の有機ポリマーでも前記と
同様な性能が得られ、また、平均粒径が大きくなると、
破壊電圧、抵抗値、抵抗値の安定性について、ＰＶＤＦ
と同様の傾向が得られることが確認された。
高価になり、しかも混練トルク上昇により混練がしにく
くなるので、平均粒径は０．１μｍ以上であることが好
ましい。このように平均粒径が小さいと、実施例９のよ
うに、ＰＶＤＦの種類を変えても、また、実施例１０、
実施例１１について、表１、図３に示すように、ＰＶＤ
Ｆ以外のＰＥ、ＥＶＡ等の他の有機ポリマーでも前記と
同様な性能が得られ、また、平均粒径が大きくなると、
破壊電圧、抵抗値、抵抗値の安定性について、ＰＶＤＦ
と同様の傾向が得られることが確認された。
【００３２】［Ｎｉ粉との比較］導電性粉末としてＮｉ
粉を用いた場合には、表２の比較例６および図５のρ−
Ｔ特性図に示すように、初期の室温抵抗値と抵抗変化率
についてはＷＣ系と同様の特性が得られるが、破壊電圧
が低く（Ｖb＝１３０Ｖ）、また、耐熱性、繰り返し性
等の信頼性の面でＷＣ系に劣ることが分かった。すなわ
ち、表３に示すように、ρ−Ｔ特性の熱履歴（室温〜２
００℃の繰り返し）において、３回のρ−Ｔのサイクル
を繰り返した後の室温抵抗値に対する初期の比抵抗値の
変化率は、実施例３では＋２２％程度であるのに対し、
Ｎｉを用いた比較例６においては、約＋９００％以上に
も及び、繰り返し性が悪いことが判明した。
粉を用いた場合には、表２の比較例６および図５のρ−
Ｔ特性図に示すように、初期の室温抵抗値と抵抗変化率
についてはＷＣ系と同様の特性が得られるが、破壊電圧
が低く（Ｖb＝１３０Ｖ）、また、耐熱性、繰り返し性
等の信頼性の面でＷＣ系に劣ることが分かった。すなわ
ち、表３に示すように、ρ−Ｔ特性の熱履歴（室温〜２
００℃の繰り返し）において、３回のρ−Ｔのサイクル
を繰り返した後の室温抵抗値に対する初期の比抵抗値の
変化率は、実施例３では＋２２％程度であるのに対し、
Ｎｉを用いた比較例６においては、約＋９００％以上に
も及び、繰り返し性が悪いことが判明した。
【００３３】［ＣＢとの比較］導電性粉末としてＣＢを
用いた場合には、表３に示すように、前記ρ−Ｔサイク
ルを行った後の比抵抗値の変化率は約１８％であり、本
発明による場合と大差は無いが、表２の比較例７および
図５のρ−Ｔ特性図に示すように、初期室温抵抗値がＮ
ｉ系、ＷＣ系よりも１桁以上高く、また、抵抗変化率Ｈ
pも４桁程度小さくなる傾向を示した。ＣＢの場合、さ
らに室温抵抗値を下げるために、ＣＢの添加量を増やし
ても、Ｎｉ系、ＷＣ系のレベルまでは下がらず、逆に抵
抗変化率Ｈp のさらなる低下が認められた。
用いた場合には、表３に示すように、前記ρ−Ｔサイク
ルを行った後の比抵抗値の変化率は約１８％であり、本
発明による場合と大差は無いが、表２の比較例７および
図５のρ−Ｔ特性図に示すように、初期室温抵抗値がＮ
ｉ系、ＷＣ系よりも１桁以上高く、また、抵抗変化率Ｈ
pも４桁程度小さくなる傾向を示した。ＣＢの場合、さ
らに室温抵抗値を下げるために、ＣＢの添加量を増やし
ても、Ｎｉ系、ＷＣ系のレベルまでは下がらず、逆に抵
抗変化率Ｈp のさらなる低下が認められた。
【００３４】
【発明の効果】請求項１によれば、有機ポリマーに混入
する導電性粉末としてＷＣを用いたので、他の導電性セ
ラミック粉を導電性粉末として用いる場合に比較し、少
ない添加量で低い抵抗値を得ることができ、このため、
有機ポリマーとの混練、成形が容易に行え、製造が容易
となり、導電性セラミック粉を用いた小型大電流用のサ
ーミスタが得られる。また、導電性セラミック粉は金属
に比較して化学的に安定し、かつ金属やＣＢに比較して
高硬度で、耐熱性に優れているため、機械的強度に優
れ、抵抗値が安定し、温度サイクルの繰り返しによる性
能の劣化が少ない上、破壊電圧が高いので、信頼性の高
いサーミスタが得られる。また、ＣＢをポリマーに添加
したサーミスタに比較して低い室温抵抗値と大きな抵抗
変化率が得られる。本発明によるサーミスタは、このよ
うな特性を有するため、より低抵抗で耐熱性が要求され
る用途、例えば電池の充放電回路の短絡による過電流防
止、自動車のドアロックモータに代表されるモータのロ
ック等による過電流防止、さらには電話通信回線の短絡
等の過電流防止の用途に有効である。
する導電性粉末としてＷＣを用いたので、他の導電性セ
ラミック粉を導電性粉末として用いる場合に比較し、少
ない添加量で低い抵抗値を得ることができ、このため、
有機ポリマーとの混練、成形が容易に行え、製造が容易
となり、導電性セラミック粉を用いた小型大電流用のサ
ーミスタが得られる。また、導電性セラミック粉は金属
に比較して化学的に安定し、かつ金属やＣＢに比較して
高硬度で、耐熱性に優れているため、機械的強度に優
れ、抵抗値が安定し、温度サイクルの繰り返しによる性
能の劣化が少ない上、破壊電圧が高いので、信頼性の高
いサーミスタが得られる。また、ＣＢをポリマーに添加
したサーミスタに比較して低い室温抵抗値と大きな抵抗
変化率が得られる。本発明によるサーミスタは、このよ
うな特性を有するため、より低抵抗で耐熱性が要求され
る用途、例えば電池の充放電回路の短絡による過電流防
止、自動車のドアロックモータに代表されるモータのロ
ック等による過電流防止、さらには電話通信回線の短絡
等の過電流防止の用途に有効である。
【００３５】請求項２によれば、ＷＣ粉の平均粒径を
０．１μｍ以上としたので、平均粒径が細か過ぎること
による混練の困難さがなく、また１０μｍ以下としたの
で、室温抵抗値が低く、抵抗変化率が大きく、しかも高
い破壊電圧が得られる。
０．１μｍ以上としたので、平均粒径が細か過ぎること
による混練の困難さがなく、また１０μｍ以下としたの
で、室温抵抗値が低く、抵抗変化率が大きく、しかも高
い破壊電圧が得られる。
【００３６】請求項３によれば、前記有機ポリマーとし
て、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、アイオノマー
またはこれらの共重合体のいずれかを用いたので、ＷＣ
と混練した場合に、サーミスタとして前記室温抵抗値、
抵抗変化率、破壊電圧、繰り返し性、信頼性の面で優れ
たものが得られる。
て、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、アイオノマー
またはこれらの共重合体のいずれかを用いたので、ＷＣ
と混練した場合に、サーミスタとして前記室温抵抗値、
抵抗変化率、破壊電圧、繰り返し性、信頼性の面で優れ
たものが得られる。
【００３７】請求項４によれば、ＷＣの添加量を２０体
積％以上としたので、低い室温抵抗値、大きな抵抗変化
率が得られると共に、ＷＣの添加量を５０体積％以下と
したので、混練、成形が容易であり、製造が容易とな
る。
積％以上としたので、低い室温抵抗値、大きな抵抗変化
率が得られると共に、ＷＣの添加量を５０体積％以下と
したので、混練、成形が容易であり、製造が容易とな
る。
【図１】本発明において、有機ポリマーであるＰＶＤＦ
に対するＷＣ添加量別のρ−Ｔ特性を示す図である。
に対するＷＣ添加量別のρ−Ｔ特性を示す図である。
【図２】本発明において、有機ポリマーとしてＰＶＤＦ
を用い、ＷＣの平均粒径を種々に変化させた場合のρ−
Ｔ特性を示す図である。
を用い、ＷＣの平均粒径を種々に変化させた場合のρ−
Ｔ特性を示す図である。
【図３】本発明において、種々の有機ポリマーを用いた
場合の各ρ−Ｔ特性を示す図である。
場合の各ρ−Ｔ特性を示す図である。
【図４】本発明のように導電性粉末としてＷＣを用いた
場合と、ＴｉＣを用いた場合の各ρ−Ｔ特性を示す図で
ある。
場合と、ＴｉＣを用いた場合の各ρ−Ｔ特性を示す図で
ある。
【図５】本発明のように導電性粉末としてＷＣを用いた
場合と、Ｎｉ、ＣＢを用いた場合の各ρ−Ｔ特性を示す
図である。
場合と、Ｎｉ、ＣＢを用いた場合の各ρ−Ｔ特性を示す
図である。
【図６】本発明において、平均粒径が０．１〜０．２μ
ｍと超微粉のＷＣを用いた場合のρ−Ｔ特性の代表例で
ある。
ｍと超微粉のＷＣを用いた場合のρ−Ｔ特性の代表例で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小更 恆 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィ−ディ−ケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−176605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−31203（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−218117（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−504784（ＪＰ，Ａ) 特表 平７−509347（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (4)
- 【請求項１】有機ポリマーに導電性物質が分散混合さ
れ、かつ少なくとも１対の電極を有し、正の抵抗温度特
性を持つ有機質正特性サーミスタにおいて、 前記導電性物質として炭化タングステン粉を用いたこと
を特徴とする有機質正特性サーミスタ。 - 【請求項２】請求項１において、前記炭化タングステン
粉の平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴
とする有機質正特性サーミスタ。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記有機ポリ
マーとして、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、アイ
オノマーまたはこれらの共重合体のいずれかを用いたこ
とを特徴とする有機質正特性サーミスタ。 - 【請求項４】請求項１から３までのいずれかにおいて、
前記炭化タングステン粉の添加量が２０〜５０体積％で
あることを特徴とする有機質正特性サーミスタ。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17423196A JP2810351B2 (ja) | 1995-09-27 | 1996-06-13 | 有機質正特性サーミスタ |
| US08/682,301 US5793276A (en) | 1995-07-25 | 1996-07-17 | Organic PTC thermistor |
| DE69633547T DE69633547T2 (de) | 1995-07-25 | 1996-07-22 | Organischer PTC-Thermistor |
| EP96111794A EP0758131B1 (en) | 1995-07-25 | 1996-07-22 | Organic PTC thermistor |
| NO19963059A NO318126B1 (no) | 1995-07-25 | 1996-07-23 | Organisk termistor med positiv temperaturkoeffisient og forebyggende anordning mot overoppvarming med sadant PTK-termistorelement |
| MYPI96003041A MY115034A (en) | 1995-07-25 | 1996-07-24 | Organic ptc thermistor |
| TW085109112A TW312794B (ja) | 1995-07-25 | 1996-07-24 | |
| CN96112244A CN1090797C (zh) | 1995-07-25 | 1996-07-25 | 有机正温度系数热敏电阻器 |
| KR1019960030230A KR100295013B1 (ko) | 1995-07-25 | 1996-07-25 | 유기질ptc더어미스터및이것을이용한형광램프과열방지장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-273550 | 1995-09-27 | ||
| JP27355095 | 1995-09-27 | ||
| JP17423196A JP2810351B2 (ja) | 1995-09-27 | 1996-06-13 | 有機質正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153402A JPH09153402A (ja) | 1997-06-10 |
| JP2810351B2 true JP2810351B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=26495924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17423196A Expired - Lifetime JP2810351B2 (ja) | 1995-07-25 | 1996-06-13 | 有機質正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810351B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW344828B (en) * | 1997-02-28 | 1998-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | Organic positive temperature coefficient composition and a circuit protection device using such composition |
| JP2001035640A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Tokin Corp | Ｐｔｃ素子及びその製造方法 |
| TWI268517B (en) | 2002-02-08 | 2006-12-11 | Tdk Corp | Thermistor with positive temperature coefficient and its manufacturing method having high-polymer base body with alkene series high-polymer compound that has a melting temperature 85 to 95 DEG C |
| CN101887766A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-11-17 | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 | 具有电阻正温度系数的导电复合材料及过电流保护元件 |
| CN101973031B (zh) | 2010-08-24 | 2013-07-24 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 云机器人系统及实现方法 |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP17423196A patent/JP2810351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09153402A (ja) | 1997-06-10 |
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