KR100295013B1 - Organic PTC Thermistor and Fluorescent Lamp Overheating Device Using It - Google Patents

Organic PTC Thermistor and Fluorescent Lamp Overheating Device Using It Download PDF

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KR100295013B1
KR100295013B1 KR1019960030230A KR19960030230A KR100295013B1 KR 100295013 B1 KR100295013 B1 KR 100295013B1 KR 1019960030230 A KR1019960030230 A KR 1019960030230A KR 19960030230 A KR19960030230 A KR 19960030230A KR 100295013 B1 KR100295013 B1 KR 100295013B1
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무네미츠 하마다
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사토 히로시
티디케이 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 도전성 물질을 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 PTC 조성물과 적어도 한쌍의 전극을 구비하고, 상기 도전성 물질이 텅스텐 카바이드 분말이며; 또는 전극들이 각각 금속 망과 금속 층을 구비하는 정의 온도 저항률 계수를 가지는 유기질 PTC 더어미스터에 관한 것이다.The present invention comprises a PTC composition comprising an organic polymer in which a conductive material is dispersed and at least a pair of electrodes, wherein the conductive material is tungsten carbide powder; Or to an organic PTC thermistor having positive temperature resistivity coefficients in which the electrodes each have a metal mesh and a metal layer.

Description

유기질 PTC 더어미스터Organic PTC Thermistors

제1(a)도 및 제1(b)도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기질 PTC 더어미스터를 도시하며, 더어미스터는 금속 망이 그의 표면에 파묻힌 시이트형태를 가지는 것을 도시하는 도면.1 (a) and 1 (b) show an organic PTC thermistor according to a second embodiment of the present invention, wherein the thermistor shows that the metal mesh has a sheet form embedded in its surface.

제2(a)도, 제2(b)도 및 제2(c)도는 본 발명의 PTC 더어미스터가 사용된 과열 예방장치의 실예를 도시하는 도면.2 (a), 2 (b) and 2 (c) are diagrams showing examples of an overheat prevention apparatus using the PTC thermistor of the present invention.

제3도는 본 발명의 PTC 더어미스터가 사용된 과열 예방장치의 다른 실예를 도시하는 도면.3 is a view showing another example of the overheat prevention apparatus using the PTC thermistor of the present invention.

제4도는 본 발명의 PTC 더어미스터가 열 센서로서 사용되는 것을 보여주는 검출회로 다이어그램.4 is a detection circuit diagram showing that the PTC thermistor of the present invention is used as a thermal sensor.

제5도는 PTC 더어미스터가 형광램프의 전극과 직렬로 접속된 것을 보여주는 회로 다이어그램.5 is a circuit diagram showing that a PTC thermistor is connected in series with an electrode of a fluorescent lamp.

제6도는 본 발명의 PTC 더어미스터가 사용된 과열 예방장치의 다른 실예를 도시하는 도면.6 is a view showing another example of the overheat prevention apparatus using the PTC thermistor of the present invention.

제7도는 폴리불화 비닐리덴(PVDF) 내의 탄화텅스텐(WC)의 함량에 따른 체적 저항률 - 온도(ρ - T) 특성을 보여주는 그라프.FIG. 7 is a graph showing the volume resistivity-temperature (ρ-T) characteristics depending on the content of tungsten carbide (WC) in polyvinylidene fluoride (PVDF).

제8도는 PVDF 내의 WC의 평균입도에 따른 ρ - T특성을 보여주는 그라프.8 is a graph showing ρ-T characteristics according to the average particle size of WC in PVDF.

제9도는 여러가지 유기질 폴리머에서 관찰된 PTC의 ρ - T특성을 보여주는 그라프.FIG. 9 is a graph showing the ρ-T properties of PTC observed in various organic polymers.

제10도는 TiC 에서 관찰된 것과 비교하여 도전성 분말 WC 에서 관찰된 ρ - T특성을 보여주는 그라프.FIG. 10 is a graph showing the ρ-T characteristic observed in the conductive powder WC compared to that observed in TiC.

제11도는 Ni 또는 카본블랙에서 관찰된 것과 비교하여 도전성 분말 WC 에서 관찰된 ρ - T특성을 보여주는 그라프.FIG. 11 is a graph showing ρ-T characteristics observed in conductive powder WC compared to that observed in Ni or carbon black.

제12도는 미세한 도전성 분말 WC 가 0.1 내지 0.2 ㎛의 평균직경을 가질 때의 대표적인 ρ - T특성을 보여주는 그라프.FIG. 12 is a graph showing typical ρ − T characteristics when the fine conductive powder WC has an average diameter of 0.1 to 0.2 μm.

제13도는 실예 13 과 14 에서 관찰된 표면저항률 - 온도특성(R - T 특성)을 보여주는 그라프.13 is a graph showing surface resistivity-temperature characteristics (R-T characteristics) observed in Examples 13 and 14.

제14도는 실예 15 와 16 에서 관찰된 R - T특성을 보여주는 그라프.14 is a graph showing the R-T characteristics observed in Examples 15 and 16.

제15도는 실예 17 과 78 에서 관찰된 R - T특성을 보여주는 그라프.FIG. 15 is a graph showing the R-T characteristics observed in Examples 17 and 78.

제16도는 실예 15 와 비교 실예 2 에서 관찰된 R - T 특성을 보여주는 그라프.FIG. 16 is a graph showing the R-T characteristics observed in Example 15 and Comparative Example 2.

제17(a)도 및 제17(b)도는 종래의 PTC 더어미스터를 도시하는 도면.17 (a) and 17 (b) show a conventional PTC thermistor.

제18(a)도 및 제18(b)도는 종래의 PTC 더어미스터의 R - T 특성의 측정에서 열응력의 결과를 보여주는 도면.18 (a) and 18 (b) show the results of thermal stress in the measurement of the R-T characteristics of a conventional PTC thermistor.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 시이트 2 : 평직망1: sheet 2: plain weave

2a : 망 와이어의 교차점 3 : 금속 층2a: intersection of mesh wire 3: metal layer

11 : DC 전원 12 : 스위치11: DC power 12: switch

13 : 발광회로 14 : 형광 튜브13 light emitting circuit 14 fluorescent tube

15 : PTC 더어미스터 16 : 검출회로15 PTC thermistor 16 detection circuit

17, 18 : 전극17, 18: electrode

본 발명은 정(正)의 온도 저항률 계수(PTC)를 보여주는 유기질 폴리머 더어미스터(이하 유기질 PTC 더어미스터라 한다)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 자동차의 도어 로크 모터 또는 배터리의 과전류에 대한 예방부재로서 또는 역광 형광램프의 과열에 대한 예방부재로서 유용한 유기질 PTC 더어미스터에 관한 것이다.The present invention relates to organic polymer thermistors (hereinafter referred to as organic PTC thermistors) which exhibit a positive temperature resistivity coefficient (PTC). In particular, the present invention relates to an organic PTC thermistor useful as a preventive member against overcurrent of a door lock motor or battery of an automobile or as a preventive member against overheating of a backlight fluorescent lamp.

카본블랙 또는 금속성분말과 같은 그러한 도전성 분말을 그곳에 분산시킨 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌과 같은 그러한 유기질 폴리머를 구비하는 도전성 화합물은 PTC 특성을 보여준다. 이들 도전성 화합물들은 감소된 크기를 가지며 온도에 의해 높은 비율의 저항률변화를 보여주는 것으로 기대되는, 고전류 회로에서 사용될 수 있는, 종래의 세라믹 PTC 화합물과 비교할때 실온에서 낮은 체적 저항률을 가지는 것으로 알려져 있다(즉, 최대 저항률 / 실온 저항률). 공지된 유기질 도전성 화합물은 예를들면 미국 특허 제 3, 592, 525 호 및 제 3, 673, 121 호에 기술되어 있다.Conductive compounds with such organic polymers as polyethylene or polypropylene in which such conductive powders, such as carbon black or metallic powder, are dispersed, exhibit PTC properties. These conductive compounds are known to have a low volume resistivity at room temperature compared to conventional ceramic PTC compounds, which can be used in high current circuits, which are expected to show a high rate of resistivity change with temperature and have a reduced size (ie , Maximum resistivity / room temperature resistivity). Known organic conductive compounds are described, for example, in US Pat. Nos. 3,592, 525 and 3,673,121.

도전성 분말로서 TiC, TiB2, TiN, ZrC, ZrB2, ZrN, 및 NbC 와 같은 그러한 비산화물 세라믹 분말을 함유하는 유기질 폴리머를 구비하는 더머미스터는 예를들면 JP - A - 2 - 28687(여기서 사용된 용어 “JP - A”는 일본국 공개 특허공고를 의미한다), 저어널 오브 머티어리얼즈 사이언스 레터스, 넘버 9, pp. 611 - 612(1990), 및 같은 책, 넘버 26, pp. 145 - 154(1991)에 기술되어 있다.Dermistors having organic polymers containing such non-oxide ceramic powders such as TiC, TiB 2 , TiN, ZrC, ZrB 2 , ZrN, and NbC as conductive powders are described, for example, in JP-A-2-28687 Term “JP-A” refers to Japanese Patent Publication), Journal of Materials Science Letters, No. 9, pp. 611-612 (1990), and the same book, number 26, pp. 145-154 (1991).

이들 PTC 화합물들위에 전극을 형성하기 위한 공지의 기술들은 직접 금속 도금법(JP - B - 4 - 44401, 여기서 사용된 용어 “JP - B”는 일본국 특허공고를 의미한다), PTC 화합물내의 금속성 망전극(mesh electrode)을 파묻는 법(JP - B - 2 - 16002), 및 스퍼터링(JP - A - 62 - 85401)을 포함한다.Known techniques for forming electrodes on these PTC compounds include direct metal plating (JP-B-444401, the term “JP-B” used herein refers to Japanese patent publications), metallic networks in PTC compounds. Burying an electrode (JP-B-2-16002), and sputtering (JP-A-62-85401).

일반적으로, 자동차의 도어 로크 모터 또는 배터리의 과전류 예방부재로서 사용된 PTC 더어미스터가 다음의 방정식에 의해 표현된 바와같이 5 이상의 저항률변화의 비율과 1 Ω·cm 이하의 실온 체적저항률을 가지는 것이 바람직하다.In general, it is preferable that a PTC thermistor used as an overcurrent prevention member of a door lock motor or a battery of an automobile has a rate of resistivity change of 5 or more and a room temperature volume resistivity of 1 Ω · cm or less, as expressed by the following equation. Do.

저항률변화의 비율 =Ratio of resistivity change =

log10(최대 저항률 / 초기 저항률)log 10 (maximum resistivity / initial resistivity)

감소된 저항률을 갖는 것은 부재의 크기감소를 허용할 뿐만 아니라 정상작동 하에서 고전류 회로에 대한 적용도 허용한다. 도전성 물질 함량의 증가는 저항의 감소를 초래하지만, 저항률변화의 비율도 감소되는데, 이것은 비정상 상태인 경우에 전류를 차단하지 못하는 경향이 있다.Having a reduced resistivity not only allows the member to be reduced in size but also allows application to high current circuits under normal operation. Increasing the content of the conductive material results in a decrease in resistance, but the rate of change in resistivity is also reduced, which tends to fail to cut off the current in an abnormal state.

도전성 물질로서 카본블랙을 함유하는 실제로 유용한 유기질 더어미스터는 거의 더이상 낮아지지 않는 약 2 Ω·cm의 높은 실온 저항률을 가지며, 고전류 회로에서 사용하기에 부적합한 것으로 간주되어 왔다. 도전성 물질로서 금속성 분말을 사용하는 더어미스터는 감소된 실온 체적저항률을 성취하지만, 온 - 오프 테스트, 등에서 실제적인 부하에 대해 빈약한 내구성을 보여주는데, 이것은 비실용적인 것을 입증하는 것이다.Actually useful organic thermistors containing carbon black as the conductive material have a high room temperature resistivity of about 2 Ω · cm, which almost never lowers, and have been considered unsuitable for use in high current circuits. Thermistors using metallic powders as conductive materials achieve reduced room temperature volume resistivity, but show poor durability to practical loads in on-off tests, etc., which proves impractical.

비산화물 세라믹 분말을 여기에 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 상술한 더어미스터는 열저항, 기계적인 강도 및 화학적인 안정성이 탁월하고, 충전 또는 방전시 이차 배터리의 단락 또는 모터의 로크에 기인한 과전류의 예방을 위해 사용될 때 만족스런 반복성 및 안정성을 가지는 것으로 기대된다. 그러나, 유기질 폴리머에 함체된 비산화물 세라믹 분말은 카본블랙과 비교할때 이것이 상당히 증대된 량으로 첨가되지 않는 한 감소된 저항률을 가질 수 없다. 그러한 증대된 량의 비산화물 세라믹 분말의 사용은 교반 및 성형을 어렵게 한다. 게다가, 고전류 회로에 적합한 소형의 더어미스터를 얻는 것도 어려웠다.The above-mentioned thermistor having organic polymer in which non-oxide ceramic powder is dispersed therein is excellent in heat resistance, mechanical strength and chemical stability, and is caused by overcurrent due to short circuit of secondary battery or lock of motor during charging or discharging. It is expected to have satisfactory repeatability and stability when used for prevention. However, non-oxide ceramic powders embedded in organic polymers cannot have reduced resistivity unless they are added in significantly increased amounts when compared to carbon black. The use of such increased amounts of non-oxide ceramic powder makes it difficult to stir and form. In addition, it was also difficult to obtain a small thermistor suitable for a high current circuit.

전극의 형성에 관련하여, PTC 화합물의 표면(제17도에 도시됨)에 금속제의 망 전극을 묻는 단계를 구비하는 방법은 PTC 화합물의 크기에 대한 저항률을 감소시키지 못하며 또한 저항률이 불안정하다는 단점을 가진다. 금속으로 직접 도금하는 것 또는 스퍼터링으로 이루어 진 방법은 제18도에 도시된 바와같이 PTC 화합물의 수축 또는 열팽창에 기인하여 PTC 화합물로 부터 전극필름의 분리 또는 전극필름에서의 주름 또는 크랙을 일으키는 경향이 있다.Regarding the formation of the electrode, the method comprising the step of burying a metal mesh electrode on the surface of the PTC compound (shown in FIG. 17) does not reduce the resistivity to the size of the PTC compound and the disadvantage that the resistivity is unstable. Have Plating or sputtering directly with a metal tends to cause separation of the electrode film from the PTC compound or wrinkles or cracks in the electrode film due to shrinkage or thermal expansion of the PTC compound as shown in FIG. have.

본 발명의 목적은 도전성 분말의 교반 또는 성형시에 어떠한 어려움도 없이 생산될 수 있고 실온 저항률, 저항률변화의 비율 및 반복성이 탁월한 유기질 PTC 더어미스터를 생산하는 것이다.It is an object of the present invention to produce organic PTC thermistors which can be produced without any difficulty in stirring or forming conductive powders and are excellent in room temperature resistivity, rate of resistivity change and repeatability.

본 발명의 다른 목적은 전극에 의해 야기될 수도 있는 저항률의 바람직하지 않은 증가 또는 저항률의 불안정성의 염려가 없는 유기질 PTC 더어미스터를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an organic PTC thermistor which is free from concerns of undesired increase in resistivity or instability of resistivity which may be caused by the electrode.

본 발명의 이들 목적 및 다른 목적들과 효과는 아래에 주어진 설명으로 부터 명백할 것이다.These and other objects and effects of the present invention will be apparent from the description given below.

본 발명은 그의 제1 실시예에서, 도전성 물질을 그곳에 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 PTC 화합물과 적어도 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 도전성 물질이 텅스텐 카바이드 분말인 정(正)의 온도 저항률 계수를 가지는 유기질 PTC 더어미스터를 제공한다.In a first embodiment thereof, the present invention provides a PTC compound having an organic polymer in which a conductive material is dispersed therein, and at least a pair of electrodes, the conductive material having a positive temperature resistivity coefficient of tungsten carbide powder. Provides organic PTC thermistors.

본 발명은 그의 제2 실시예에서, 도전성 물질을 그곳에 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 PTC 화합물과 적어도 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극들이 각각 금속 망과 금속 층을 구비하는 정의 온도 저항률 계수를 가지는 유기질 PTC 더어미스터를 제공한다.In a second embodiment of the present invention, there is provided a PTC compound having an organic polymer in which a conductive material is dispersed therein and at least one pair of electrodes, each electrode having a positive temperature resistivity coefficient having a metal mesh and a metal layer. Provides organic PTC thermistors.

제1 실시예에서의 전극은 제2 실시예에서와 같은 구조를 가지는 것이 바람직하다.It is preferable that the electrode in the first embodiment has the same structure as in the second embodiment.

본 발명의 제1 실시예가 아래에 설명될 것이다.A first embodiment of the present invention will be described below.

본 발명자들은 도전성 물질로서 비산화물 세라믹 분말을 그곳에 합체한 유기질 폴리머를 구비하는 유기질 PTC 더어미스터를 광범위하게 연구해 왔다. 이들은 그 결과 도전성 물질로서 탄화텅스텐(이후에 WC로 단축한다) 분말의 사용이 다른 비산화물 세라믹에 요구된 것보다 더 작은 함유량으로 실온 저항률을 감소시킬 수 있고 또 높은 비율의 저항률변화를 성취하는 한편 탁월한 반복성을 얻을 수 있게 한다는 것을 발견했다.The inventors have extensively studied organic PTC thermistors having an organic polymer incorporating non-oxide ceramic powder therein as a conductive material. As a result, the use of tungsten carbide (hereinafter abbreviated as WC) powder as the conductive material can reduce room temperature resistivity to a smaller content than required for other non-oxide ceramics, while achieving a high rate of resistivity change. It has been found that excellent repeatability can be obtained.

예를들면, 폴리불화 비닐리덴(이후에 PVDF로 단축한다) 과 실온에서의 체적 저항률이 WC의 것과 거의 같은 ZrN의 적절한 량, 예를들면 30체적%로 부터 준비된 규정된 크기의 모든 더어미스터는 200 MΩ 또는 그 이상의 실온 표면저항률을 가지는 데 이것은 비실용적인 것을 입증하는 것이다 반면에, WC 의 30체적%를 함유하는 같은 크기의 더어미스터의 실온 표면저항률은 0.007Ω 만큼 월등히 낮았다.For example, polyvinylidene fluoride (hereinafter abbreviated as PVDF) and all thermistors of the prescribed size prepared from an appropriate amount of ZrN, eg 30 vol%, with a volume resistivity at room temperature approximately equal to that of WC Having room temperature surface resistivity of 200 MΩ or more, which proves impractical, while the room temperature surface resistivity of the same sized thermistors containing 30% by volume of WC was significantly lower than 0.007Ω.

두 도전성 물질들의 체적저항률이 동일하고 합성저항이 동일함에도 불구하고 실온 저항률에서 그렇게 큰 차이가 발생되는 이유는 아직 명백해 지지 않았다. 이 차이는 도전성 물질과 유기질 폴리머 매트릭스 사이의 양립성에 기인하는 것 같다. 앞에서 언급한 바와 같이, 본 발명에서 의도된 사용을 위한 PTC 더어미스터의 바람직한 실온 체적저항률은 10Ω·cm 또는 그 이하이다. 본 발명의 제1 실시예에 따라서, 그러한 낮은 레벨의 실온 체적저항률은 더욱 작은 함유량으로 WC를 사용함으로써 쉽게 얻어질 수 있다.Although the volume resistivity of the two conductive materials is the same and the synthesis resistance is the same, it is not yet clear why such a large difference occurs in the room temperature resistivity. This difference is likely due to the compatibility between the conductive material and the organic polymer matrix. As mentioned above, the preferred room temperature volume resistivity of the PTC thermistor for use as intended in the present invention is 10 Ω · cm or less. According to the first embodiment of the present invention, such low level room temperature volume resistivity can be easily obtained by using WC in a smaller content.

즉, 본 발명은 실온(25℃)에서 체적저항률을 10Ω·cm 또는 그 이하까지 감소시키시 위해 WC 분말이 유기질 PTC 더어미스터에서 도전성물질로서 사용되는 것을 특징으로 한다.That is, the present invention is characterized in that the WC powder is used as the conductive material in the organic PTC thermistor to reduce the volume resistivity to 10 Ω · cm or less at room temperature (25 ° C.).

사용될 WC 분말은 양호하게는 규정된 낮은 브레이크다운 전압을 보장하기 위해 10㎛ 이하의 평균입도를 가지며, 또한 양호하게는 실온 저항률을 더욱 감소시키기 위해 1㎛ 이하의 입도를 가진다. 0.1㎛ 보다 더 작은 WC 분말은 값비싸고 교반하기 어렵다. 따라서, 양호한 평균입도는 0.1 내지 10㎛ 이며, 양호하게는 0.1 내지 1㎛ 이며, 더욱 양호하게는 0.5 내지 1㎛이다.The WC powder to be used preferably has an average particle size of 10 μm or less to ensure a defined low breakdown voltage, and preferably a particle size of 1 μm or less to further reduce the room temperature resistivity. WC powders smaller than 0.1 μm are expensive and difficult to stir. Therefore, a preferable average particle size is 0.1-10 micrometers, Preferably it is 0.1-1 micrometer, More preferably, it is 0.5-1 micrometer.

본 발명에서 사용된 유기질 폴리머는 이것이 열가소성 및 결정성 폴리머인한 특히 제한되지 않는다. 예를들면, 폴리불화 비닐리덴(PVDF) 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리비닐 아세테이트, 이오노머(ionomer), 또는 이들 폴리머들중 모노머(monomer)를 구비하는 코폴리머가 사용될 수 있다. 특히, PVDF 가 자기 소화특성(self - extinguishing properties)(화염의 공급원이 제거되면 연소가 그치는 성질)을 보여주기 때문에, 이것은 화재의 염려가 있는 곳에서 사용하기에 적합하다.The organic polymer used in the present invention is not particularly limited as long as it is a thermoplastic and crystalline polymer. For example, polyvinylidene fluoride (PVDF) polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ionomers, or copolymers having monomers of these polymers can be used. In particular, since PVDF exhibits self-extinguishing properties (the combustion stops when the source of flame is removed), it is suitable for use in areas where there is a risk of fire.

첨가될 WC 분말의 량은, PTC 화합물에 의거하여 20 내지 50 체적%, 양호하게는 23 내지 50 체적%, 더욱 양호하게는 25 내지 40 체적%의 범위를 가진다. WC함량이 20%이하라면, 실온 저항률의 상승이 관찰된다. 만일 이것이 50%를 초과하면, 폴리머에 대한 분말의 비율이 높아서 반죽에 요구되는 토크가 증가하는데, 이것은 반죽과 성형을 어렵게 하는 경향이 있다.The amount of WC powder to be added ranges from 20 to 50% by volume, preferably from 23 to 50% by volume, more preferably from 25 to 40% by volume, based on the PTC compound. If the WC content is less than 20%, an increase in room temperature resistivity is observed. If this exceeds 50%, the ratio of powder to polymer is high, which increases the torque required for the dough, which tends to make dough and molding difficult.

제1 실시예의 더어미스터가 제조공정에 의해 제한되지는 않지만, 다음의 공정이 전형적인 실예로서 언급될 수 있다. WC를 그곳에 분산시킨 결정성 폴리머를 구비하는 PTC 화합물은 밴버리 혼합기 또는 혼합 로울과 같은 그러한 반죽 기계에서 반죽된다. 표면활성제와 같은 그러한 산화방지제 또는 반죽 보조물이 이 단계에서 첨가될 수 있다. 그 결과 생성된 혼합물이 고온 프레스에 의해 시이트 또는 필름으로 성형된다. 반드시 그렇지는 않지만, 폴리머는 PTC 출현 후의 유동성을 억제하여 저항률을 안정화 시키기 위해 크로스링킹(crosslinking)에 노출될 수 있다. 크로스링킹은 크로스링킹 보조물(전자 광선의 효율 또는 크로스링킹 효율을 향상시키기 위해 첨가됨)(미국 특허 제 3, 269, 862 호 참조)이 존재하는 전자유도 크로스링킹, 케미칼 크로스링킹, 또는 시레인 합성물을 유리기 발생기(free radical generator)가 있는 결정성 폴리머로 그라프트 한다음, 그라프트 폴리머를 시라놀 응축 촉매가 있는 물 또는 수용성 매체와 접촉시키는 단계를 구비하는 물 - 유도 크로스링킹에 의해 수행될 수 있다(JP - B - 4 - 11575 참조).Although the demister of the first embodiment is not limited by the manufacturing process, the following process may be mentioned as a typical example. PTC compounds with crystalline polymers having WC dispersed therein are kneaded in such a kneading machine, such as a Banbury mixer or mixing roll. Such antioxidants or dough aids, such as surfactants, may be added at this stage. The resulting mixture is molded into a sheet or film by hot press. Although not necessarily, the polymer may be exposed to crosslinking to stabilize the resistivity by inhibiting fluidity after PTC appearance. Crosslinking is an electroinductive crosslinking, chemical crosslinking, or silane compound in which a crosslinking aid (added to improve the efficiency of the electron beam or crosslinking efficiency) (see US Pat. No. 3, 269, 862) is present. Is grafted into a crystalline polymer with a free radical generator and then contacted with the water or a water-soluble medium with a silanol condensation catalyst, followed by water-induced crosslinking. (See JP-B-4-11575).

전극은 가열하에서 금속판을 압축접착 하는 것(미국 특허 제4, 426, 633호 참조), 금속으로 도금하는 것(JP - B - 4 - 44401 참조), 도전성 반죽으로 코팅하는 것(JP - A - 59 - 213102 참조), 스퍼터링(JP - A - 62 - 85401 참조), 화염 분사코팅 JP - A - 62 - 92409 참조) 등에 의해 서로 마주보는 양쪽 주 측면들상에 형성된다. 특히, 각각의 전극은 이후에 기술되는 본 발명의 제2 실시예에 따른 구조, 즉 금속 망과 금속 층의 화합물을 가진다.The electrode is press-bonded to a metal plate under heating (see US Patent Nos. 4, 426, 633), plating with metal (see JP-B-444401), coating with conductive dough (JP-A- 59-213102), sputtering (see JP-A-62-85401), flame spray coating JP-A-62-92409) and the like on both main sides facing each other. In particular, each electrode has a structure according to a second embodiment of the invention described later, ie a compound of a metal net and a metal layer.

바람직하다면, 결과적인 PTC 시이트는 규정된 형상과 크기로 펀치 또는 절단되며, 금속성 도선이 각각의 전극에 용접된다. 바람직하다면, PTC 더어미스터는 절연수지로 캡슐화 되거나 또는 도전성 접착제가 전극에 적용될 수 있고, 이것을 거쳐 다른 금속으로 만들어진 단자가 접속될 수 있다.If desired, the resulting PTC sheet is punched or cut into defined shapes and sizes, and metallic leads are welded to each electrode. If desired, the PTC thermistor can be encapsulated in insulating resin or a conductive adhesive can be applied to the electrode, through which terminals made of other metals can be connected.

상술한 구조와는 달리, 더어미스터는 그 사이에 PTC 시이트와 함께 서로 대향하는 둘 또는 그 이상의 전극 쌍을 갖도록 다수의 PTC 시이트와 다수의 전극 층들이 교차하는 다층구조를 가질 수 있다. 그러한 구조는 시이팅(sheeting) 방법 또는 프린팅 방법에 의해, 또는 이들 방법들의 조합과 스퍼터링과 같은 그러한 얇은 막 형성기술에 의해 형성될 수 있다.Unlike the above-described structure, the demister may have a multilayer structure in which a plurality of PTC sheets and a plurality of electrode layers intersect so as to have two or more electrode pairs opposed to each other with the PTC sheet therebetween. Such structures may be formed by sheeting or printing methods, or by such thin film forming techniques such as a combination of these methods and sputtering.

본 발명의 제2 실시예에 따른 더어미스터가 아래에 설명될 것이다.The thermistor according to the second embodiment of the present invention will be described below.

제2 실시예의 유기질 PTC 더어미스터는 한쌍의 전극이 금속 망 및 금속 층의 조합으로 이루어진 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 이 전극 구조에 의해, PTC 더어미스터는 PTC 화합물의 크기에 대응하는 저항률을 가질 수 있으며 안정된 저항률을 보여준다.The organic PTC thermistor of the second embodiment is characterized in that the pair of electrodes has a structure composed of a combination of a metal network and a metal layer. By this electrode structure, the PTC thermistor can have a resistivity corresponding to the size of the PTC compound and show a stable resistivity.

금속 망은 양호하게는 그의 일부분이 노출된 상태로 PTC 화합물의 표면에 파묻음으로써 제공된다. 이 경우에, PTC 화합물의 초기 저항률은 감소하고, 열 변형에 의한 응력은 약해질 수 있는데, 이것은 PTC 화합물과 전극이 변형되거나 또는 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위한 기계적인 강도를 제공한다.The metal mesh is preferably provided by burying the surface of the PTC compound with a portion thereof exposed. In this case, the initial resistivity of the PTC compound is reduced and the stress due to thermal deformation can be weakened, which provides mechanical strength to prevent deformation or cracking of the PTC compound and the electrode.

양호하게는, 금속 망은 200 내지 600 메쉬의 구멍 크기를 가진다. 양호한 구멍크기를 가지는 금속 망은 낮은 비용으로 제조될 수 있고, 규정된 크기로 쉽게 펀치 또는 절단된다.Preferably, the metal mesh has a pore size of 200 to 600 mesh. Metal meshes with good hole sizes can be manufactured at low cost and are easily punched or cut to defined sizes.

금속 망은 양호하게는 평직망(plain weave mesh) 과 능직망(twilled weave mesh) 중 적어도 하나이며, 평직망은 압착(평평하게)되고, 능직망도 압착(평평하게)되며, 금속 망은 교차점에서 어떠한 레벨의 차이도 갖지 않는다. 이 경우에, 금속 망은 감소된 두께를 가지는 반면 PTC 화합물의 표면상에 금속의 증대된 노출영역을 제공하며, 따라서, 최종 제품은 감소된 두께를 가질 수 있고, 연마작업(이후에 설명된다)이 더욱 쉽다.The metal mesh is preferably at least one of a plain weave mesh and a twilled weave mesh, the plain weave mesh is crimped (flattened), the twill is crimped (flattened), and the metal mesh is crossed There is no difference in level at. In this case, the metal mesh has a reduced thickness while providing an increased exposure area of the metal on the surface of the PTC compound, so that the final product can have a reduced thickness and the polishing operation (described later) This is even easier.

금속 층은 양호하게는 화학도금에 의해 형성된 금속 층, 전기도금에 의해 형성된 금속 층, 진공 증기상태 침전물에 의해 형성된 금속 층, 및 화염 분무 코팅에 의해 형성된 금속 층중의 적어도 하나이다. 이 경우에, PTC 화합물은 감소된 초기 저항률을 가진다.The metal layer is preferably at least one of a metal layer formed by chemical plating, a metal layer formed by electroplating, a metal layer formed by vacuum vapor deposition, and a metal layer formed by flame spray coating. In this case, the PTC compound has a reduced initial resistivity.

금속 층은 양호하게는 상술한 금속 망이 그의 일부분이 노출된 상태로 파묻히고 노출된 금속 망을 포함하는 PTC 화합물의 표면이 망의 노출된 영역과 도전성 물질을 증대시키기 위해 연마된 후 형성된다. 이 경우에, 저항률은 안정화될 수 있고 더욱 감소된다.The metal layer is preferably formed after the above-described metal mesh is buried with a portion thereof exposed and the surface of the PTC compound comprising the exposed metal mesh is polished to increase the exposed area of the mesh and the conductive material. In this case, the resistivity can be stabilized and further reduced.

제2 실시예의 유기질 PTC 더어미스터에서의 유기질 폴리머는 특히 제한되지 않으며, 양호하게는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리불화 비닐리덴, 폴리염화비닐, 폴리비닐 아세테이트, 이오노머, 또는 이들 폴리머들의 모노머를 구비하는 코폴리머로 부터 선택될 수 있다. 도전성 물질은 양호하게는 카본블랙(예를들면, 로 블랙 또는 아세틸렌 블랙), 흑연, 카본섬유, 도전성 휘스커(whisker), 금속성 입자(예를들면, Ni, Cu, Ag, Fe 또는 Cr), 및 도전성 세라믹 분말로 두터 선택된다. 상술한 유기질 폴리머 및 도전성 물질을 사용함으로서, 저항률, 저항률변화의 비율, 파괴전압, 반복에 대한 저항률 - 온도(R - T) 특성의 안정도, 및 신뢰도가 향상된다.The organic polymer in the organic PTC thermistor of the second embodiment is not particularly limited and is preferably a nose comprising polyethylene, polypropylene, polyvinylidene fluoride, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ionomer, or monomers of these polymers. It can be selected from polymers. The conductive material is preferably carbon black (eg low black or acetylene black), graphite, carbon fiber, conductive whiskers, metallic particles (eg Ni, Cu, Ag, Fe or Cr), and It is selected as a conductive ceramic powder. By using the organic polymer and the conductive material described above, the resistivity, the rate of resistivity change, the breakdown voltage, the stability of the resistivity-temperature (R-T) characteristics against repetition, and the reliability are improved.

도전성 세라믹 분말들중, 텅스텐 카바이드(WC)가 특히 양호하다. WC 의 사용은 반복에 대한 R - T 특성의 탁월한 안정성과 감소된 저항률을 가지는 PTC 더어미스터를 제공하며, PTC 더어미스터의 크기를 감소시키는 것을 가능하게 한다.Among the conductive ceramic powders, tungsten carbide (WC) is particularly good. The use of WC provides PTC thermistors with excellent stability of R-T properties against repetition and reduced resistivity, making it possible to reduce the size of PTC thermistors.

제1(a)도는 시이트형태를 가지는 PTC 화합물의 표면에 금속망이 파묻힌 제2 실시예에 따른 유기질 PTC 더어미스터의 사시도이다. 제1(b)도는 선 A - A′를 따른 제1(a)도의 횡단면도이다.FIG. 1 (a) is a perspective view of an organic PTC thermistor according to the second embodiment in which a metal network is buried in the surface of a PTC compound having a sheet form. FIG. 1 (b) is a cross-sectional view of FIG. 1 (a) along the line A-A '.

제1(a)도 및 제1(b)도에서, 부호 1은 PTC 화합물의 본체를 가리키며, 2 는 금속 망을 가리키고, 2a는 금속 망의 교차점을 가리키며, 3은 금속 층을 가리킨다.In FIGS. 1 (a) and 1 (b), reference numeral 1 designates a body of the PTC compound, 2 designates a metal network, 2a designates an intersection point of the metal network, and 3 designates a metal layer.

제2 실시예의 더어미스터는 제조공정에 의해 제한되지 않는다. 예를들면, 이것은 유기질 폴리머와 도전성 물질을 반죽하고, 혼합물을 성형하고, 만약 원한다면 성형된 물건을 제1 실시예에서와 같은 방식으로 교차결합시킴으로서 제조된다. 그후, 금속 망은 예를들면 가열하의 압착접함에 의해 성형된 물건의 주 표면의 각각에 파묻힌다.The demister of the second embodiment is not limited by the manufacturing process. For example, it is prepared by kneading organic polymer and conductive material, shaping the mixture and, if desired, crosslinking the molded article in the same manner as in the first embodiment. Thereafter, the metal mesh is embedded in each of the major surfaces of the shaped article, for example by press welding under heating.

망이 바람직하게는 미세한 망을 가지지만, 극도의 미세한 성질을 가지는 금속 망은 그의 높은 제조비용 때문에 실제로는 거의 사용하지 못한다. 조잡한 금속 망은 보통의 금속 망에서 보다 더 큰 와이어두께를 가지므로, 전극 형성후의 스톡 시이트는 규정된 형상으로 펀치 또는 절단하는 데에 불충분한 가공성을 가진다. 게다가, 펀치 또는 절단시에 가장자리에서 버어(burr)가 형성되는 경향이 있다. 이러한 것들을 고려해 볼때, 망은 200 내지 600 메쉬의 개구 크기를 가지는 것이 바람직하다. 망 미세도의 단위로서 사용된 용어 “메쉬”는 1 제곱인치에서의 개구의 수를 의미한다.The mesh preferably has a fine mesh, but metal mesh with extremely fine properties is practically rarely used due to its high manufacturing cost. Since coarse metal meshes have a larger wire thickness than ordinary metal meshes, the stock sheets after electrode formation have insufficient processability to punch or cut into defined shapes. In addition, burrs tend to form at the edges during punching or cutting. Considering these things, it is preferable that the net has an opening size of 200 to 600 mesh. The term "mesh" used as a unit of network fineness refers to the number of openings in one square inch.

금속 망의 재료는 스테인레스 스틸, 구리, 철, 닉켈, 및 황동을 포함한다. 금속 망의 위이브(weave)는 평직(plain weave), 능직(twill weave), 및 불규칙적인 위이브를 포함한다. 망은 압착(평평하게) 되거나 또는 망은 다른 금속성 재료로 도금될 수 있다. 와이어들 사이의 레벨에서의 차이는 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 에칭 또는 펀칭에 의해 제조될 수 있는, 교차점에서의 레벨의 차이가 조금도 없는 망이 역시 유용하다.Materials of the metal net include stainless steel, copper, iron, nickle, and brass. Weaves of metal mesh include plain weave, twill weave, and irregular weave. The net may be crimped (flat) or the net may be plated with another metallic material. The difference in level between the wires is preferably as small as possible. Also useful are nets with no difference in levels at the intersections, which can be produced by etching or punching.

금속 망은 PIC 화합물의 표면아래에 완전히 파묻히는 것이 아니라 제1(b)도에 도시된 바와같이 PTC 화합물의 표면상에서 망의 상부부분이 균일하게 노출되도록 파묻히는 것이 바람직하다. 그후, PTC 화합물과 노출된 금속 망을 구비하는 표면은 망의 노출된 영역을 증가시키기 위해 샌드 페이퍼, 샌드 브라스트, 등으로 기계적인 연마에 의해, 또는 산에 의한 화학적인 연마에 의해 표면 연마처리를 받게된다.The metal net is preferably not buried completely beneath the surface of the PIC compound but rather buried so that the upper part of the net is uniformly exposed on the surface of the PTC compound as shown in Figure 1 (b). The surface with the PTC compound and the exposed metal mesh is then surface polished by mechanical polishing with sand paper, sand blast, or the like, or by chemical polishing with acid to increase the exposed area of the mesh. Will receive.

그 다음에 화학 도금, 전기도금, 진공 증기상태 침전물(진공 증발 또는 스퍼터링) 또는 화염 분사코팅에 의해 금속 망이 파묻힌 표면상에 금속 층이 형성된다. 도금 금속은 특히 제한되지는 않으며 Ni, Cu, Ag, Sn, 및 Cr을 포함한다.A metal layer is then formed on the surface where the metal mesh is buried by chemical plating, electroplating, vacuum vapor deposits (vacuum evaporation or sputtering) or flame spray coating. Plated metals are not particularly limited and include Ni, Cu, Ag, Sn, and Cr.

금속 망과 금속 층으로 구성된 전극이 PTC 화합물의 각 측면상에 형성된 후, 스톡 시이트는 펀치 또는 절단에 의해 원하는 크기로 가공되며, 금속성 도선은 각각의 전극에 용접된다. 원한다면, PTC 더어미스터는 절연수지로 캡슐화될 수 있으며, 또는 도전성 접착제가 전극에 적용될 수 있는데, 이것을 거쳐 외부의 금속성 단자가 접속될 수 있다.After an electrode composed of a metal mesh and a metal layer is formed on each side of the PTC compound, the stock sheet is processed to a desired size by punching or cutting, and the metallic conductor is welded to each electrode. If desired, the PTC thermistor can be encapsulated with an insulating resin, or a conductive adhesive can be applied to the electrode, through which external metallic terminals can be connected.

본 발명의 제1 및 제2 실시예의 유기질 PTC 더머미스터는 자동차의 도어 로크, 외측 밀러(도어 밀러)제어 및 파워 윈도우를 구동하기 위한 다양한 소형 D.C. 모터에서의 과전류 예방부재와; 리튬 배터리, 닉켈 - 수소 배터리 및 닉켈 - 카드뮴 배터리와 같은 그러한 2차 배터리로서 유용하다. 이들은 또한 역광 형광 램프에서 사용된 과열 예방장치에서와 같이 무선주파수 전류회로에서 과전류 예방부재로서 유용하다. 특히, 제1 실시예에 따른 더어미스터와 도전성 물질로서 텅스텐 카바이드를 또한 사용하는 제2 실시예에 따른 더어미스터가 무선주파수 영역에서 탁월한 저항 특성을 보여주므로, 이들은 양호하게는 역광 형광램프에서 사용된 과열 예방장치에서와 같이 무선주파수 전류회로에서 과전류 예방부재로서 사용된다.The organic PTC dermistors of the first and second embodiments of the present invention are various compact D.C. motors for driving door locks, outer miller (door miller) control and power windows of automobiles. An overcurrent preventing member in the motor; It is useful as such secondary batteries such as lithium batteries, nickel-hydrogen batteries and nickel-cadmium batteries. They are also useful as overcurrent protection members in radiofrequency current circuits, such as in overheat protection devices used in backlight fluorescent lamps. In particular, since the demister according to the second embodiment, which also uses tungsten carbide as the conductive material and the determinator according to the first embodiment, shows excellent resistance characteristics in the radio frequency region, they are preferably used in backlight fluorescent lamps. As in the overheat prevention device, it is used as an overcurrent prevention member in radio frequency current circuit.

역광 형광램프에서와 같이 무선주파수 전류회로에 본 발명의 더어미스터를 적용하는 것은 아래에서 더욱 상세히 설명될 것이다.The application of the thermistor of the present invention to a radiofrequency current circuit as in a backlight fluorescent lamp will be described in more detail below.

휴대용 개인컴퓨터 또는 워드 프로세스, 등 에서 사용된 액정 디스플레이용 역광 형광램프는 일반적으로 유리와 같은 그러한 투명재료로 만들어지며, 그의 내측벽은 형광물질로 코팅되고, 방전가스로 채워진다. 튜브의 각 단부에 위치된 전극들에 직류 또는 교류전류를 인가하면, 가스를 통해 방전이 일어난다. 수은 가스에 의해 여기된 253.7 nm의 파장을 갖는 자외선은 튜브의 내측벽상의 형광물질을 비추어 눈에 보이는 빛으로 전환했다. 이러한 종류의 형광램프용 전극은 열음극과 냉음극을 포함한다. 열음극의 경우에, 아크방전이 형광램프의 수명이 끝날무렵 글로방전으로 변화되면, 전극부분이 비정상적으로 열을 발생시키며, 보통 100℃ 이하의 튜브벽 온도가 액정을 포함하여 주변 장치의 손상을 초래할 수 있는 약 200℃ 까지 상승하는 경향이 있다.Backlit fluorescent lamps for liquid crystal displays used in portable personal computers or word processes, etc., are generally made of such transparent materials, such as glass, the inner walls of which are coated with fluorescent material and filled with discharge gas. When direct current or alternating current is applied to the electrodes located at each end of the tube, discharge occurs through the gas. Ultraviolet light with a wavelength of 253.7 nm excited by mercury gas was converted into visible light by illuminating a fluorescent material on the inner wall of the tube. Electrodes for fluorescent lamps of this kind include a hot cathode and a cold cathode. In the case of a hot cathode, if the arc discharge is changed to a glow discharge at the end of the life of the fluorescent lamp, the electrode portion abnormally generates heat, and a tube wall temperature of 100 ° C. or less may cause damage to peripheral devices including liquid crystals. Tends to rise to about 200 ° C.

열음극 램프가 액정 디스플레이용 역광으로서 사용되는 경우에 상기 현상에 대한 대책으로서, 샤프 기호(1994년 5월)는 비정상적인 열발생의 경우 회로가 파괴될수 있도록 온도 휴즈가 전극측과 접촉하게 되는 시스템을 사용하는 것을 제한한다. 그러나, 비정상적인 열발생의 경우에 온도 휴즈가 끊어진다면, 액정 디스플레이는 사용할 수 없게 되며, 형광램프와 온도 휴즈는 새것으로 교환되어야 한다.As a countermeasure against this phenomenon when a hot cathode lamp is used as a backlight for a liquid crystal display, the Sharp symbol (May 1994) uses a system in which a temperature fuse comes into contact with the electrode side so that a circuit can be destroyed in case of abnormal heat generation. Limit what you do. However, if the temperature fuse breaks in the event of abnormal heat generation, the liquid crystal display becomes unavailable and the fluorescent lamp and the temperature fuse must be replaced with a new one.

상기 상황 하에서, 무선주파수 전류를 제어할 수 있는 본 발명의 PTC 더어미스터는 형광램프와의 열접촉, 즉 형광램프의 전극부분과의 직접접촉을 수행하게 되는 과열 예방부재로서 사용될 수 있다. 전극부분에서의 비정상적인 열발생의 경우에, 더어미스터의 저항률이 상승할때, 회로를 통과하는 전류가 제한되어, 궁극적으로는 전극의 수명을 연장한다. 따라서, 본 발명의 더어미스터는 작고, 가볍고, 경제적인 형광램프용 과열 예방장치를 제공한다.Under the above circumstances, the PTC thermistor of the present invention which can control the radio frequency current can be used as an overheat prevention member that performs thermal contact with the fluorescent lamp, that is, direct contact with the electrode portion of the fluorescent lamp. In the case of abnormal heat generation in the electrode portion, when the resistivity of the thermistor rises, the current through the circuit is limited, ultimately extending the life of the electrode. Accordingly, the demister of the present invention provides a small, light and economical overheat prevention device for a fluorescent lamp.

장치의 양호한 형태로서, 더어미스터의 전극단자와 형광튜브의 한 전극 도선은 전기적으로 접속되며, 더어미스터는 형광램프의 발광회로에 직렬접속으로 통합된다. 장치의 양호한 다른 실시예에서, 더어미스터는 형광튜브의 발광회로에 따라 검출회로를 형성하며, 형광튜브의 비정상적인 과열에 기인한 더어미스터의 저항률의 증가가 검출된다.In a preferred form of the device, the electrode terminals of the thermistor and one electrode lead of the fluorescent tube are electrically connected, and the thermistor is integrated in series connection to the light emitting circuit of the fluorescent lamp. In another preferred embodiment of the device, the thermistor forms a detection circuit according to the light emitting circuit of the fluorescent tube, and an increase in the resistivity of the thermistor due to abnormal overheating of the fluorescent tube is detected.

본 발명의 더어미스터가 PTC 부재로서 사용된 형광튜브용 비정상적인 과열예방장치의 실예가 첨부도면을 참조하여 아래에서 설명된다.An example of an abnormal overheat prevention device for fluorescent tubes in which the demister of the present invention is used as a PTC member is described below with reference to the accompanying drawings.

제2도는 PTC 화합물을 실린더로 성형하고 형광튜브의 전극(18)에 설치된 Ni, Ag, 등의 전극(17)을 형성함으로써 제조된 PTC 더어미스터를 도시한다. 제3도는 PTC 화합물을 예를들면 용접에 의해 형광튜브의 단자 도선에 전기적으로 접속된 하소(calcination)에 의해 형성된 디스크로 형성함으로써 제조된 PTC 더어미스터를 도시한다. 양 실시예는 PTC 더어미스터가 형광튜브의 전극의 단부와 열접촉하는 것을 특징으로 한다. 원한다면, 열수축가능한 튜브가 더어미스터와 형광튜브 전극의 단부상에 배치되어 그사이에 밀접한 접촉을 가능하게 하도록 할 수있다.2 shows a PTC thermistor manufactured by molding a PTC compound into a cylinder and forming electrodes 17 such as Ni, Ag, and the like, which are installed on the electrodes 18 of the fluorescent tube. 3 shows a PTC thermistor made by forming a PTC compound into a disk formed by calcination electrically connected to a terminal lead of a fluorescent tube, for example by welding. Both embodiments are characterized in that the PTC thermistor is in thermal contact with the end of the electrode of the fluorescent tube. If desired, a heat shrinkable tube may be disposed on the ends of the demister and the fluorescent tube electrode to enable intimate contact therebetween.

수명이 끝날때쯤 형광튜브의 전극에 비정상적인 과열이 일어나는 경우에, PTC 더어미스터는 갑작스런 저항률의 상승을 보여주는데, 이것은 검출회로(16)에서 검출될 수 있다(제4도 참조). PTC 더어미스터가 형광튜브(14)의 전극에 직렬로 접속되면, 형광튜브의 발광회로(13)를 통과하는 전류는 PTC 더어미스터의 저항률 상승에 따라 제한되며, 따라서 형광튜브 전극에서의 열발생이 억제되고, 형광튜브의 수명이 연장될 수 있다(제5도 참조).In the event of abnormal overheating of the electrode of the fluorescent tube by the end of its lifetime, the PTC dearmistor shows a sudden rise in resistivity, which can be detected in the detection circuit 16 (see FIG. 4). When the PTC thermistor is connected in series with the electrode of the fluorescent tube 14, the current passing through the light emitting circuit 13 of the fluorescent tube is limited by the increase in resistivity of the PTC thermistor, so that heat generation at the fluorescent tube electrode is prevented. Can be suppressed and the life of the fluorescent tube can be extended (see FIG. 5).

제2도 내지 제5도에서, 부호 I1은 DC 전원을 나타내며, 부호 12는 스위치를 나타낸다.2 to 5, reference numeral I1 denotes a DC power supply and reference numeral 12 denotes a switch.

PTC 더어미스터는 형광램프의 전극부분에 제거가능하게 설치되도록 홀더에 의해 지지될 수 있다. 또한, 제6도에 도시된 바와같이, 시이트형태의 PTC 더어미스터는 형광램프의 단부의 주위에 감겨질 수 있다.The PTC thermistor may be supported by the holder to be removably installed in the electrode portion of the fluorescent lamp. Further, as shown in FIG. 6, the sheet-shaped PTC thermistor can be wound around the end of the fluorescent lamp.

형광램프가 그의 수명이 끝날때쯤에도, 비정상적인 과열예방장치로서 사용된 PTC 더어미서터 특성을 가지는 본 발명의 더어미스터 덕택에 빛이 차단되기 전 그것이 새것으로 바뀌어질 수 있다. PTC 더어미서터는 반복적으로 재사용될 수 있다. PTC 더어미스터가 전극부분에서 비정상적인 열발생을 방지하는 반면 아크 방전이 형광램프의 수명이 끝날때 쯤 글로 방전으로 바뀌므로, 이것은 액정을 포함하는 주변장치를 열손상으로 부터 보호하는 역할을 한다.Even at the end of its life, the fluorescent lamp of the present invention, which has the PTC thermal thermistor characteristic used as an abnormal overheat prevention device, can be changed to a new one before light is blocked. PTC thermistors can be reused repeatedly. While PTC thermistors prevent abnormal heat generation at the electrode, arc discharge turns into glow discharge at the end of the life of the fluorescent lamp, which protects peripheral devices including liquid crystals from thermal damage.

PTC 더어미스터가 형광램프 발광회로와 직렬로 접속되는 경우에, 전류가 비정상적인 열발생으로 인하여 더어미스터의 저항률이 상승함에 따라 제한되므로, 형광램프의 수명은 연장될 수 있다. 형광램프가 그의 수명이 끝나갈때 일어나는 것은 액정 디스플레이 스크린이 단지 어두워지는 것 뿐이며, 이것은 형광램프를 교체해야 하는 시기를 사용자에게 실제로 가르쳐 주는 것이다.When the PTC thermistor is connected in series with the fluorescent lamp light emitting circuit, since the current is limited as the resistivity of the thermistor increases due to abnormal heat generation, the lifetime of the fluorescent lamp can be extended. What happens when a fluorescent lamp ends its life is just a darkening of the liquid crystal display screen, which actually teaches the user when to replace the fluorescent lamp.

본 발명은 이제 비교 실예를 고려하여 실예를 참조하여 더욱 상세히 설명될 것이다. 그러나, 이것은 본 발명이 이것에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 다르게 표시하지 않는 한, 모든 부품들은 무게로 표시된다.The present invention will now be described in more detail with reference to examples in consideration of comparative examples. However, this should not be construed as limiting the invention to this. Unless indicated otherwise, all parts are marked by weight.

[실예 1]Example 1

JP - B - 4 - 11575의 설명에 따라서, PVDF(엘프 아토켐 노스 아메리카에 의해 제조된 KYNAR 711)의 100 이 시레인 커플렁 에이전트(신 - 에츠 캄파니 리미터드에 의해 제조된 KBC 1003)의 10 및 2,5 - dimethyl - 2,5 - di(t - butylperoxy)hexyn - 3의 1에 혼합되었고, 이 혼합물은 그라프트된 폴리머를 제조하기 위해 200℃에서 쌍스크류 압출기에서 반죽되었다.According to the description of JP-B-4-11575, 100 of the DFDF (KYNAR 711 manufactured by Elf Atochem North America) of the silane coupling agent (KBC 1003 manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.) was used. 10 and 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyn-3 were mixed, and the mixture was kneaded in a twin screw extruder at 200 ° C. to produce grafted polymer.

WC 분말(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 WC - F; 평균 입도 0.65 ㎛)이 결과적인 화합물을 바탕으로 한 20 체적%의 비율로 그라프트된 폴리머에 첨가되었고, 이 혼합물은 PTC 화합물을 제조하기 위해 200℃ 및 25 rpm에서 1시간 동안 반죽기계로 반죽 되었다. PTC 화합물은 약 1mm의 두께를 가지는 시이트를 얻기 위해 200℃ 및 30 kgf/cm2로 고온 압착 되었다.WC powder (WC-F manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd .; average particle size 0.65 μm) was added to the grafted polymer at a rate of 20% by volume based on the resulting compound, which mixture contained the PTC compound. It was kneaded with a kneading machine at 200 ° C. and 25 rpm for 1 hour to prepare. The PTC compound was hot pressed at 200 ° C. and 30 kgf / cm 2 to obtain a sheet having a thickness of about 1 mm.

한 면이 거칠게된 닉켈 호일(후쿠다 메탈 호일 앤드 파우더 캄파니 리미티드로 부터 입수가능함)이 그의 거친 면이 시이트와 접촉하는 상태로 시이트의 각 측면에 접착되었고, 실온에서 냉각시킴으로서 200℃ 및 30 kgf/cm2에서 압축 접합되었으며, 그 결과 한쌍의 전극층이 형성되었다. 전극을 갖는 시이트는 PTC 더어미스터를 얻기위해 직경 10 mm의 디스크로 펀치되었다.One side roughened Nickel foil (available from Fukuda Metal Foil and Powder Co., Ltd.) was adhered to each side of the sheet with its rough side in contact with the sheet and cooled at room temperature to 200 ° C. and 30 kgf / Compression bonding at cm 2 resulted in a pair of electrode layers. The sheet with the electrodes was punched into a disk 10 mm in diameter to obtain a PTC thermistor.

[실예 2 내지 4][Examples 2 to 4]

PTC 더어미스터는 PTC 화합물을 바탕으로 하여 25체적%, 30체적%, 또는 40체적%로 첨가된 WC의 량을 변경시키는 것을 제외하고는 실예 1 에서와 같은 방식으로 제조되었다.PTC thermistors were prepared in the same manner as in Example 1 except for changing the amount of WC added at 25 vol%, 30 vol%, or 40 vol% based on the PTC compound.

[실예 5 내지 8][Examples 5 to 8]

PTC 더어미스터는 2.09 ㎛(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 WC - 25), 4.82 ㎛(닛뽄 신진조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 WC - 50), 8.60 ㎛(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 WC - 90), 또는 75 ㎛(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 WC - S)의 평균 입도를 가지는 WC 분말을 사용하는 것을 제외하고는 실예 2 에서와 같은 방식으로 제조되었다.The PTC Thermistor is 2.09 μm (WC-25 manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd.), 4.82 μm (WC-50 manufactured by Nippon Shinjinjoku Co., Ltd.), 8.60 μm (Nippon Shinkinjoku Co., Ltd.) Was prepared in the same manner as in Example 2 except for using a WC powder having an average particle size of WC-90) or 75 µm (WC-S manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd.).

[실예 9]Example 9

PTC 더어미스터는 KYNAR 711을 동일한 제조업자에 의해 제조된 PVDF, KYNAR 461로 대치하는 것을 제외하고는 실예 2 에서와 같은 방식으로 제조되었다. KYNAR 461 과 KYNAR 711은 용해물 점도에서 다르다. KYNAR 461의 점도는 28,000 포이즈 인 반면, KYNAR 711의 점도는 7,000 포이즈 인데, 이들은 230℃ 에서 몬산트 캐피러리 비스코미터로 측정되었다.PTC thermistors were prepared in the same manner as in Example 2 except replacing KYNAR 711 with PVDF, KYNAR 461, manufactured by the same manufacturer. KYNAR 461 and KYNAR 711 differ in melt viscosity. The viscosity of KYNAR 461 was 28,000 poises, while the viscosity of KYNAR 711 was 7,000 poises, which were measured with a Monsant capillary bismeter at 230 ° C.

[실예 10]Example 10

폴리에틸렌(이후 PE로 단축됨)(미츠이 페트로케미칼 인더스트리 리미티드에 의해 제조된 HiZex 2100P)의 100 이 시레인 커플링 에이전트(신 - 에츠 케미칼 캄파니 리미티드에 의해 제조된 KBE1003)의 10 및 디카밀 페록사이드(DCP)의 1에 혼합되었고, 이 혼합물은 그라프트 폴리머를 제조하기 위해 140℃ 에서 쌍 스크류 압출기로 반죽되었다.10 and dicamyl peroxide of 100 silane coupling agent (KBE1003 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) of polyethylene (hereinafter abbreviated to PE) (HiZex 2100P manufactured by Mitsui Petrochemical Industries Limited) (DCP) was mixed in 1 and the mixture was kneaded with a twin screw extruder at 140 ° C. to produce a graft polymer.

PTC 더어미스터는 상기 제조된 그라프트 폴리머를 사용하고 반죽온도를 140℃로 설정하는 것을 제외하고는 실예 2 에서와 같은 방식으로 제조되었다.PTC thermistors were prepared in the same manner as in Example 2 except for using the prepared graft polymer and setting the kneading temperature to 140 ° C.

[실예 11]Example 11

에틸렌 - 비닐 아세테이트 코폴리머(이후 EVA로 단축됨)(미츠비시 가가쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 LV140)의 100 이 시레인 커플링 에이전트(KBE1003)의 10 및 CDP의 1에 혼합되었고, 이 혼합물은 그라프트 폴리머를 제조하기 위해 120℃ 에서 쌍 스크류 압출기로 반죽되었다.100 of the ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter abbreviated to EVA) (LV140 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) was mixed with 10 of the silane coupling agent (KBE1003) and 1 of the CDP. It was kneaded with a twin screw extruder at 120 ° C. to produce graft polymer.

PTC 더어미스터는 상기 제조된 그라프트 폴리머를 사용하고 반죽 온도를 120℃로 설정하는 것을 제외하고는 실예 2 에서와 같은 방식으로 제조되었다.PTC thermistors were prepared in the same manner as in Example 2 except using the graft polymer prepared above and setting the kneading temperature to 120 ° C.

[실예 12]Example 12

PTC 더어미스터는 0.1 내지 0.2 ㎛의 평균 입도를 가지는 WC 분말(도쿄 텅스텐 캄파니 리미티드에 의해 제조된 WC02N)을 사용하는 것을 제외하고는 실예 3 에서와 같은 방식으로 제조되었다.PTC thermistors were prepared in the same manner as in Example 3 except for using WC powder (WC02N manufactured by Tokyo Tungsten Company Limited) having an average particle size of 0.1 to 0.2 μm.

[비교 실예 1 내지 8][Comparative Examples 1 to 8]

PTC 더어미스터는 도전성 분말의 종류 및/또는 량을 다음과 같이 변경하는 것을 제외하고는 실예 1 에서와 같은 방식으로 제조되었다.PTC thermistor was manufactured in the same manner as in Example 1 except for changing the type and / or amount of the conductive powder as follows.

비교 실예 1 :Comparative Example 1:

질화 티타늄 TiN(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 TiN - 01; 평균 입도 : 1.37 ㎛)이 30체적%의 량(결과적인 PTC 화합물을 기초로 함; 이하 동일함)이 첨가됨.Titanium nitride TiN (TiN-01 manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd .; average particle size: 1.37 µm) was added in an amount of 30% by volume (based on the resulting PTC compound; the same below).

비교 실예 2 :Comparative Example 2:

질화 지르코늄 ZrN(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 ZrN; 평균 입도 : 1.19 ㎛)이 30체적%의 량으로 첨가됨.Zirconium nitride ZrN (ZrN manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd .; average particle size: 1.19 µm) was added in an amount of 30% by volume.

비교 실예 3 :Comparative Example 3:

탄화 티타늄 TiC(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 TiC - 007; 평균 입도 : 0.88 ㎛)가 40체적%의 량으로 첨가됨.Titanium carbide TiC (TiC-007 manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd .; average particle size: 0.88 μm) was added in an amount of 40% by volume.

비교 실예 4 :Comparative Example 4:

붕화 티타늄 TiB2(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 TiB2- PF; 평균 입도 1.80 ㎛)이 30체적%의 량으로 첨가됨.Titanium boride TiB 2 (Nippon sinkin joku whether or manufactured by the manufactured time TiB 2 - PF; average particle size of 1.80 ㎛) being added in an amount of 30% by volume.

비교 실예 5 :Comparative Example 5:

몰리브덴 실리사이드 MoSi2(닛뽄 신킨조쿠 가부시기 가이샤에 의해 제조된 MoSi2- F; 평균 입도 : 1.60 ㎛)가 40체적%의 량으로 첨가됨.Molybdenum silicide MoSi 2 (MoSi 2 -F manufactured by Nippon Shinkinjoku Co., Ltd .; average particle size: 1.60 μm) was added in an amount of 40% by volume.

비교 실예 6 :Comparative Example 6:

닉켈 Ni(INCO에 의해 제조된 실모양의 Ni 분말 #210; 평균 입도 : 0.5 내지 1.0 ㎛) 가 25체적%의 량으로 첨가됨.Nickel Ni (silk Ni powder # 210 manufactured by INCO; average particle size: 0.5 to 1.0 mu m) was added in an amount of 25% by volume.

비교 실예 7 :Comparative Example 7:

카본 블랙(CB)(도카이 카본 캄파니 리미티드에 의해 제조된 Toka Black #4500)이 30체적%의 량으로 첨가됨.Carbon black (CB) (Toka Black # 4500 manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.) was added in an amount of 30% by volume.

비교 실예 8 :Comparative Example 8:

텅스텐 카바이드 WC(WC - F)가 18체적%의 량으로 첨가됨.Tungsten carbide WC (WC-F) is added in an amount of 18% by volume.

실예 1 내지 12 및 비교 실예 1 내지 8 에서 제조된 PTC 더어미스터의 각각은 다음의 특성을 특정함으로서 평가되었다. 얻어진 결과치는 아래의 테이블 1 내지 3에 도시된다. 더어미스터에서 사용된 PTC 화합물의 화합물들이 또한 이 테이블에 도시되어 있다.Each of the PTC thermistors produced in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 8 was evaluated by specifying the following characteristics. The results obtained are shown in Tables 1 to 3 below. The compounds of the PTC compounds used in the thermistors are also shown in this table.

1) R25: 25℃ 에서 표면 저항률이 4 - 단자 방법에 의해 측정됨.1) R 25 : surface resistivity at 25 ° C. measured by 4- terminal method.

2) ρ25: 체적 저항률이 다음 방정식에 따라 R25및 주 표면영역 S와 PTC 화합물의 두께 t로 부터 계산됨.2) ρ 25 : The volume resistivity is calculated from R 25 and the major surface area S and the thickness t of the PTC compound according to the following equation.

ρ25= R25× ( S / t )ρ 25 = R 25 × (S / t)

3) R85/ R25:3) R 85 / R 25 :

25℃ 에서의 표면 저항률에 대한 85℃ 에서의 표면 저항률의 비.Ratio of surface resistivity at 85 ° C to surface resistivity at 25 ° C.

4) Hp: 다음의 방정식에 의해 얻어진 ρ25에 대한 최대 체적 저항률 ρmax의 비(숫자의 번호)에 의해 표현되고, 저항률 변화의 비 로서 취해서 PTC 특성도를 표시하는 인덱스.4) H p : Index indicating the PTC characteristic diagram expressed by the ratio (number of numbers) of the maximum volume resistivity ρ max to ρ 25 obtained by the following equation.

Hp= log(ρmax/ ρ25)H p = log (ρ max / ρ 25 )

5) Vb:5) V b :

PTC 화합물의 시이트가 스파크 또는 용융되는 시점에 전압을 판독하고 전압을 점진적으로 증가시키는 동안 전류를 모니터함으로써 측정된 브레이크다운 전압.Breakdown voltage measured by reading the voltage at the time the sheet of PTC compound is sparking or melting and monitoring the current while gradually increasing the voltage.

[테이블 1][Table 1]

[테이블 2][Table 2]

[테이블 3][Table 3]

다른 세라믹 분말과의 비교 :Comparison with other ceramic powders:

테이블 1의 실예와 테이블 2의 비교 실예 사이의 비교로 부터 명백한 바와 같이, WC(TiC를 사용하는 비교 실예 3을 제외한 비교 실예 1 내지 5) 보다 다른 도전성 세라믹 분말을 사용하는 샘플들은 도전성 분말 함량이 30체적% 또는 40체적% 까지 증대되는 절연재와 마찬가지로 매우 높은 표면 저항률을 가진다. TiC를 사용하는 비교 실예 3의 샘플은, 비록 40체적% 까지 증대된 량으로 첨가된다 할찌라도, 985 Ω·cm 만큼 높은 체적 저항률을 가진다. 대조적으로, WC를 사용하는 이들 샘플들의 저항률은 첨가된 WC의 량이 23체적% 만큼 작을 때에도 훨씬 낮다. 제10도에는 WC(실예 2)의 25체적%를 함유하는 샘플과 TiC(비교 실예 3)의 40체적%를 함유하는 샘플의 온도(T) 대 체적 저항률(ρ) 특성이 도시된다.As is apparent from the comparison between the examples in Table 1 and the comparative examples in Table 2, samples using conductive ceramic powders other than WC (Comparative Examples 1 to 5 except for Comparative Example 3 using TiC) have a conductive powder content. Like insulating materials that increase to 30% or 40% by volume, they have very high surface resistivity. The sample of Comparative Example 3 using TiC has a volume resistivity as high as 985 Ω · cm, even if added in an increased amount up to 40% by volume. In contrast, the resistivity of these samples using WC is much lower even when the amount of added WC is as small as 23 vol%. FIG. 10 shows the temperature (T) versus volume resistivity (ρ) characteristics of a sample containing 25 volume% of WC (Example 2) and a sample containing 40 volume% of TiC (Comparative Example 3).

WC 함량 :WC content:

제7도는 실예 1 내지 4 와 비교 실예 8의 ρ - T 특성을 도시한다. 제7도의 그라프와 테이블 1의 결과치로 부터 명백한 바와같이, 실온 표면저항률은 18체적%의 WC 함량에서 300 MΩ을 초과하는데, 이것은 실제적인 사용에는 너무 높다. 실제적인 실용성을 보장하기 위한 양호한 WC 함량은 23 체적% 또는 그 이상이며, 실온 표면저항률은 WC 함량이 증가할때 낮아진다. 한편, 반죽 토오크는 WC 함량이 증가할때 더욱 커진다. 제7도 또는 테이블 1 에서 도시되지는 않았지만, WC 함량이 50 체적%를 초과하면 반죽과 성형이 어렵게 되는 것으로 입증되었다. 그러므로, 첨가될 양호한 WC의 량은 PTC 화합물을 기초로 할때 20 내지 50 체적%, 양호하게는 23 내지 50 체적%, 더욱 양호하게는 25 내지 40 체적%의 범위에 들어간다.7 shows the ρ-T characteristics of Examples 1 to 4 and Comparative Example 8. FIG. As is evident from the graph of FIG. 7 and the results of Table 1, the room temperature surface resistivity exceeds 300 MΩ at a 18% by volume WC content, which is too high for practical use. Good WC content to ensure practical utility is 23% by volume or more, and room temperature surface resistivity decreases as the WC content increases. Dough torque, on the other hand, becomes larger as the WC content increases. Although not shown in FIG. 7 or Table 1, the WC content of more than 50% by volume proved to be difficult to knead and mold. Therefore, the amount of good WC to be added is in the range of 20 to 50% by volume, preferably 23 to 50% by volume, more preferably 25 to 40% by volume, based on the PTC compound.

평균 입도 :Average particle size:

제8도는 WC의 평균 입도에 따른 ρ - T 특성을 도시하는 그라프이다. 실예 2, 5 내지 8 및 12의 데이타와 제8도로 부터 알수 있는 바와같이, 실온 표면 저항률은 WC의 평균 입도가 증가할때 증가한다. 평균 입도가 너무 크면, 저항률의 불안정성의 증가가 관찰된다. 평균 입도가 실예 8 에서와 같이 50㎛를 초과하면, 브레이크다운 전압 Vb는 심각하게 낮아지는 것이 밝혀졌다. 180 V 이상의 높은 브레이크다운 전압을 보장하기 위해, 실예 1 내지 7의 결과치로부터 명백한 바와같이 WC 가 10㎛ 이하의 평균 입도를 가지는 것이 바람직하다. 또한, 실예 1 내지 4 에서 도시된 바와같이, WC 평균입도가 1㎛ 이하인 경우, 25 체적% 에서 30 체적% 까지의 WC 함량의 증가는 하나 이상의 숫자만큼 저항률의 감소를 초래하며 저항률 변화 Hp 또는 브레이크다운 전압 Vb의 비율에 대해 어떠한 불리한 영향을 주지 않는다. 따라서, WC의 양호한 평균 입도는 1㎛ 보다 더 크지않다.8 is a graph showing the ρ-T characteristics according to the average particle size of the WC. As can be seen from the data of Examples 2, 5-8 and 12 and FIG. 8, room temperature surface resistivity increases as the average particle size of WC increases. If the average particle size is too large, an increase in the instability of the resistivity is observed. It was found that when the average particle size exceeds 50 mu m as in Example 8, the breakdown voltage V b is seriously lowered. In order to ensure a high breakdown voltage of 180 V or higher, it is preferable that the WC has an average particle size of 10 μm or less, as is apparent from the results of Examples 1-7. In addition, as shown in Examples 1 to 4, when the WC average particle size is 1 μm or less, an increase in the WC content from 25% by volume to 30% by volume results in a decrease in resistivity by one or more numbers and the change in resistivity Hp or brake There is no adverse effect on the ratio of the down voltage V b . Thus, the good average particle size of the WC is no greater than 1 μm.

0.1㎛ 보다 더 작은 평균입도를 가지는 WC 분말은 값비쌀 뿐 아니라, 반죽 토크의 증가를 초래하여 반죽을 어렵게 하며, 따라서 양호한 평균입도는 0.1㎛ 또는 이보다 더 크다. 평균입도가 양호한 정도로 작은 경우에, PVDF의 종류가 실예 9 에서 처럼 변경된다고 할찌라도 또는 PVDF 가 테이블 1 및 제9도에서 도시된 바와같이 PE 또는 EVA 와 같은 그러한 다른 유기질 폴리머로 교체된다면, 상술한 바와 같은 성능이 보장될 수 있다. 이들 경우에 WC 평균입도에서의 증가가 PVDF로 관찰된 바와같은 저항률 안정성, 브레이크다운 전압, 및 저항률에 관해 같은 경향을 초래한다는 것이 확인되었다.WC powders having an average particle size smaller than 0.1 μm are not only expensive, but also lead to an increase in dough torque, making the dough difficult, and thus a good average particle size is 0.1 μm or larger. If the average particle size is small to a good degree, the type of PVDF may be changed as in Example 9 or if PVDF is replaced with such other organic polymers as PE or EVA as shown in Tables 1 and 9, Performance as can be guaranteed. In these cases it was confirmed that the increase in WC mean particle size leads to the same trends in resistivity stability, breakdown voltage, and resistivity as observed with PVDF.

Ni 분말과의 비교 :Comparison with Ni powder:

제11도는 WC로 관찰된 ρ - T특성을 Ni 또는 CB로 관찰된 것들과 비교하여 도시하는 그라프이다. 제11도 및 비교 실예 6의 데이타로 부터 알수 있는 바와 같이, 도전성 물질로서 Ni 분말을 사용하는 샘플은 초기 실온 저항률과 저항률 변화의 비율의 관점에서 WC - 함유 샘플과 동일하지만, 낮은 브레이크다운 전압(Vb= 130 V)를 가진다. Ni - 함유 샘플은 저항률과 같은 그러한 열저항 및 신뢰도에 있어서 열등한 것으로 밝혀졌다. 즉, 테이블 3 에서 도시된 바와같이, 샘플들이 ρ - T 특성(실온으로 부터 200℃ 까지)의 측정용 3 열 사이클을 받았을 때, 열 히스토리 후의 것에 대한 초기 실온 체적저항률(ρ25)의 비율은 실예 3 에서 약 22% 인 반면, Ni을 사용한 비교 실예 6의 것은 약 + 900% 이상만큼 높았고, 이것은 반복성이 빈약한 것을 가리킨다.11 is a graph showing the ρ − T characteristics observed with WC compared to those observed with Ni or CB. As can be seen from the data of FIG. 11 and Comparative Example 6, the sample using Ni powder as the conductive material is the same as the WC-containing sample in terms of the ratio of the initial room temperature resistivity and the resistivity change, but the low breakdown voltage ( V b = 130 V). Ni-containing samples were found to be inferior in such thermal resistance and reliability, such as resistivity. That is, as shown in Table 3, when the samples received three heat cycles for the measurement of the ρ-T characteristic (from room temperature to 200 ° C.), the ratio of the initial room temperature volume resistivity (ρ 25 ) to that after the thermal history is While in Example 3 it is about 22%, that of Comparative Example 6 using Ni was as high as about + 900% or more, indicating poor repeatability.

CB 와의 비교 :Comparison with CB:

도전성 물질로서 CB 가 사용된 비교 실예 7 에서, 3 ρ - T 후의 ρ25에서의 변화율은 테이블 3 에서 도시된 바와같이 약 18% 인데, 이것은 실예 2의 결과와 그리 다르지 않다. 그러나, 테이블 2 와 제11도로 부터 알수 있는 바와같이, CB - 함유 샘플은 초기 실온 저항률이 하나 이상의 숫자 만큼 Ni - 또는 WC - 함유 샘플의 것보다 더 높으며 저항률 변화 Hp의 율은 약 숫자 4 만큼 낮아지는 그러한 경향을 보여준다. 실온 저항률을 낮추기 위한 시도로서 CB 함량의 증가는 Ni - 또는 WC - 함유 샘플의 레벨을 성취할수 없었다; 대조적으로, 저항률 변화 Hp의 율에서의 더 이상의 감소가 야기되었다.In Comparative Example 7 in which CB was used as the conductive material, the rate of change at ρ 25 after 3 ρ − T is about 18%, as shown in Table 3, which is not very different from the result of Example 2. However, as can be seen from Tables 2 and 11, CB-containing samples have an initial room temperature resistivity higher than that of Ni- or WC-containing samples by one or more numbers, and the rate of resistivity change Hp is lower by about number four. Loss is a trend. Increasing CB content in an attempt to lower room temperature resistivity could not achieve levels of Ni-or WC-containing samples; In contrast, further reduction in the rate of resistivity change Hp was caused.

[실예 13]Example 13

PTC 화합물의 시이트는 30체적% 까지 WC 함량을 증가시키는 것을 제외하고는 실예 1 에서와 같은 방법으로 제조되었다.The sheet of PTC compound was prepared in the same manner as in Example 1 except that the WC content was increased to 30% by volume.

200 메쉬의 개구 크기를 갖는 스테인레스 스틸로 만들어진 평직망은 30kgf/cm3의 하중 하에서 200℃ 에서 시이트의 각 측면상에 파묻혔다. 실온까지 냉각시킨 후, 시이트의 양 측면은 1 내지 2 ㎛의 두께까지 Ni로 무전해 도금되었다. 시이트는 PTC 부재를 얻기위해 10 mm의 직경을 가지는 디스크로 펀치되었다.Plain weave made of stainless steel with an opening size of 200 mesh was buried on each side of the sheet at 200 ° C. under a load of 30 kgf / cm 3 . After cooling to room temperature, both sides of the sheet were electroless plated with Ni to a thickness of 1 to 2 μm. The sheet was punched into a disk having a diameter of 10 mm to obtain a PTC member.

[실예 14]Example 14

메쉬의 노출된 영역을 증대시키기 위해 Ni 도금하기 전 시이트의 각 표면이 망이 파묻힌 상태로 샌드 페이퍼로 연마되는 것을 제외하고는 실예 13 과 같은 방식으로 제조되었다.In order to increase the exposed area of the mesh, each surface of the sheet was prepared in the same manner as in Example 13 except that each surface of the sheet was polished with sand paper while the mesh was buried.

[실예 15]Example 15

PTC 부재는 1 내지 2 ㎛의 두께를 가지는 Cu 층을 형성하기 위해 Ni 무전해 도금이 160℃의 챔버온도에서 Cu의 진공증발로 대치되는 것을 제외하고는 실예 13 과 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was manufactured in the same manner as in Example 13 except that Ni electroless plating was replaced by Cu evaporation of Cu at a chamber temperature of 160 ° C. to form a Cu layer having a thickness of 1 to 2 μm.

[실예 16]Example 16

PTC 부재는 망의 노출된 영역을 증대시키기 위해 Cu 침전 이전에 망이 파묻힌 상태로 시이트의 각각의 표면이 샌드 페이퍼로 연마되는 것을 제외하고는 실예 15 와 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was fabricated in the same manner as in Example 15 except that each surface of the sheet was ground with sand paper with the mesh embedded prior to Cu precipitation to increase the exposed area of the mesh.

[실예 17]Example 17

PTC 부재는 망의 개구 크기를 400 메쉬까지 변화시키는 것을 제외하고는 실예 15 와 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was manufactured in the same manner as in Example 15 except for changing the opening size of the mesh to 400 mesh.

[실예 18]Example 18

PTC 부재는 200 메쉬와 개구 크기를 갖는 망을 400 메쉬의 개구 크기를 가지며 교차점에서 어떠한 레벨의 차이도 갖지 않는 스테인레스 스틸로 만들어진 망으로 교체되는 것을 제외하고는 실예 15 와 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was manufactured in the same manner as in Example 15 except that the mesh having an opening size of 200 mesh and that of the mesh was replaced with a mesh made of stainless steel having an opening size of 400 mesh and having no level difference at the intersection.

[참조 실예 1]Reference Example 1

PTC 부재는 각각의 전극이 금속 망을 사용하지 않고 Ni 도금 만으로 형성된 것을 제외하고는 실예 13과 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was manufactured in the same manner as in Example 13 except that each electrode was formed only by Ni plating without using a metal mesh.

[참조 실예 2][Reference Example 2]

PTC 부재는 Ni 도금이 수행되지 않은 것을 제외하고는 실예 13 과 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was manufactured in the same manner as in Example 13 except that Ni plating was not performed.

[참조 실예 3][Reference Example 3]

PTC 부재는 각각의 전극이 금속 망을 사용하지 않고 Cu 진공증발 만으로 형성된 것을 제외하고는 실예 15 와 같은 방식으로 제조되었다.The PTC member was produced in the same manner as in Example 15 except that each electrode was formed only by Cu vacuum evaporation without using a metal mesh.

실예 12 내지 17 및 비교 실예 1 내지 3 에서 얻어진 PTC 부재들의 각각은 다음과 같이 평가되었다.Each of the PTC members obtained in Examples 12 to 17 and Comparative Examples 1 to 3 was evaluated as follows.

얻어진 결과치들은 테이블 4 와 제12도 내지 제15도에서 도시된다.The results obtained are shown in Table 4 and in Figures 12-15.

1) 초기 표면저항률 :1) Initial Surface Resistivity:

4 - 단자 방법에 의해 측정됨.4-measured by the terminal method.

2) 전극의 접착 :2) adhesion of electrodes:

접착 테이프(소니 케미칼 캄파니 리미티드에 의해 제조된 T4000)가 전극의 전체표면에 접착되었고 신속하게 벗겨졌다. 전극의 접착은 전극이 벗겨졌는지의 여부에 의해 판단되었다.An adhesive tape (T4000 manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.) was adhered to the entire surface of the electrode and peeled off quickly. The adhesion of the electrode was judged by whether the electrode was peeled off.

3) R - T 특성 :3) R-T characteristics:

표면 저항 - 온도(R - T) 특성은 실온(25℃) 에서 200℃ 까지의 온도범위에서 측정되었다. 측정 후, 시이트는 주름 또는 크랙의 전개 또는 어떠한 변형이 일어났는지를 알기 위해 관찰되었다.Surface resistance-temperature (R-T) characteristics were measured in the temperature range from room temperature (25 ° C) to 200 ° C. After the measurement, the sheet was observed to see if any deformation or development of wrinkles or cracks occurred.

[테이블 4][Table 4]

전극이 도금 또는 진공증발(비교 실예 1 및 3) 만으로 형성된 PTC 부재는 전극과 PTC 시이트 사이에서 약한 접착을 보여 주었고 높은 초기 저항률을 가졌다. 전극이 금속 망을 파묻는것(비교 실예 2) 만으로 형성된 부재는 비교 실예 1 과 3에 비해 기계적인 강도가 향상한 것을 보여 주었지만, 높은 초기 저항률을 가졌고 제16도에 도시된 바와같이 불안정했다.The PTC member, in which the electrode was formed only by plating or vacuum evaporation (Comparative Examples 1 and 3), showed a weak adhesion between the electrode and the PTC sheet and had a high initial resistivity. The member formed only by embedding the metal mesh (Comparative Example 2) showed an improvement in mechanical strength compared to Comparative Examples 1 and 3, but had a high initial resistivity and was unstable as shown in FIG. .

한편, 도금 또는 진공증발에 뒤이어 금속 망을 파묻음으로서 형성된 전극 구조는 초기 저항률을 감소시키는데 효과적인 한편, 열응력에 기인한 응력을 완화시키고 이것에 의해 PTC 시이트와 전극의 기계적인 강도를 향상시키며 크랙, 등의 전개 또는 변형을 방지하는데 효과적인 것으로 입증되었다(실예 13, 15 및 17).On the other hand, the electrode structure formed by burying the metal net following plating or vacuum evaporation is effective in reducing the initial resistivity, while relieving stress due to thermal stress, thereby improving the mechanical strength of the PTC sheet and the electrode and cracking it. Has been proven effective in preventing the development or modification of, etc. (Examples 13, 15 and 17).

이들 효과들은 교차점에서 어떠한 레벨의 차이도 갖지 않는 금속 망(실예 18)을 사용함으로써 또는 파묻힌 금속 망과 PTC 시이트를 연마하여 PTC 화합물(실예 14 및 16) 에서의 도전성 입자와 망의 노출된 영역을 증대시킴으로서 더욱 향상될 수 있다. 이 경우에, 초기 표면 저항률은 제13도 내지 제15도에 도시된 바와같이 낮아질 수 있다.These effects can be achieved by using a metal mesh (Example 18) having no level difference at the intersection or by polishing the embedded metal mesh and the PTC sheet to remove the exposed areas of the conductive particles and the mesh in the PTC compound (Examples 14 and 16). By increasing it can be further improved. In this case, the initial surface resistivity can be lowered as shown in FIGS. 13 to 15.

평직망(2)이 고온 프레스 접합에 의해 PTC 시이트에서 단순히 파묻히는 제17(b)도에 도시된 바와같은 종래의 전극 형성방법에 따르면, 시이트(1)의 표면상에 노출되는 것은 단지 망 와이어의 교차점(2a)들 뿐이다. 그러므로, 망과 도금 또는 진공증발에 의해 그 위에 형성된 금속 층(3) 사이의 접촉영역은 제한되고, 그결과 초기 저항률의 증가를 초래하게 된다. 한편, 망(2)을 파묻은 후에 표면연마가 수행되는 제1(b)도에 도시된 본 발명에 따른 실예에서, 망의 교차점(2a)에 대응하는 노출된 영역이 연장될 수 있다. 그 결과, 금속 층(3)을 갖는 접촉영역이 그렇게 증대되며, 이것은 초기 저항률의 감소를 초래한다.According to the conventional electrode forming method as shown in FIG. 17 (b) in which the plain weave mesh 2 is simply buried in the PTC sheet by hot press bonding, only the wires exposed on the surface of the sheet 1 are exposed. Are only intersections 2a of. Therefore, the contact area between the mesh and the metal layer 3 formed thereon by plating or vacuum evaporation is limited, resulting in an increase in the initial resistivity. On the other hand, in the embodiment according to the invention shown in FIG. 1 (b) in which surface polishing is performed after embedding the net 2, the exposed area corresponding to the intersection point 2a of the net may be extended. As a result, the contact area with the metal layer 3 is thus increased, which leads to a decrease in the initial resistivity.

전극이 제18(b)도에 도시된 바와같이 도금 또는 진공증발에 의해 형성된 금속 층(3)만으로 이루어지는 경우(비교 실예 1 및 3), PTC 시이트(1) 또는 금속 층(3)은 선팽창계수에 있어서의 PTC 시이트와 금속 층 사이의 차이에 기인한 주름 또는 크랙의 전개 또는 변형을 겪는 경향이 있다. 실예에 있어서 파묻힌 망(2)은 망의 개구에서의 응력을 완화시키며 또한 소위 앵커 효과를 일으키는 금속 층(3)의 지지체로서 작용한다. 따라서, 금속 층(3)으로만 형성된 전극에서 일어 날 수도 있는 문제점들이 해결될 수 있다When the electrode consists only of the metal layer 3 formed by plating or vacuum evaporation as shown in Fig. 18 (b) (Comparative Examples 1 and 3), the PTC sheet 1 or the metal layer 3 has a coefficient of linear expansion. There is a tendency to suffer from the development or deformation of wrinkles or cracks due to the difference between the PTC sheet and the metal layer in. The embedded net 2 in the example acts as a support for the metal layer 3 which relieves the stress at the opening of the net and also causes the so-called anchor effect. Thus, problems that may arise in the electrode formed only of the metal layer 3 can be solved.

본 발명의 제1 실시예에 따라서, WC 가 유기질 폴리머에 합체될 도전성 분말로서 사용되는 경우, 다른 도전성 세라믹 분말에서 요구된 것보다 더 작은 량의 도전성 분말의 첨가에 의해 낮은 저항률이 얻어질 수 있다. 그 결과, 고전류 회로용 소형 더어미스터의 생산을 용이하게 하기위해 유기질 폴리머로 반죽하고 그후 성형하는 것이 더욱 쉽게 수행될 수 있다.According to the first embodiment of the present invention, when WC is used as the conductive powder to be incorporated into the organic polymer, a low resistivity can be obtained by the addition of a smaller amount of the conductive powder than required in other conductive ceramic powders. . As a result, kneading with an organic polymer and then molding can be performed more easily in order to facilitate the production of small thermistors for high current circuits.

또한, 도전성 세라믹 분말이 금속보다 화학적으로 더욱 안정되고 금속 또는 카본블랙보다 열에 더욱 잘 견디고 더욱 강하므로, 이것은 탁월한 기계적인 강도, 안정한 저항률, 열 사이클의 반복에 대한 성능의 안정성, 및 높은 브레이크다운 전압을 가지는 매우 신뢰할 만한 더어미스터를 제공한다. CB - 함유 더어미스터와 비교할때, 본 발명의 WC - 함유 더어미스터는 실온에서의 낮은 저항률과 온도에 의한 더 큰 저항률 변화를 보여준다.In addition, since conductive ceramic powders are more chemically stable than metals, and are more resistant to heat and stronger than metals or carbon black, they have excellent mechanical strength, stable resistivity, stability of performance against repeated thermal cycles, and high breakdown voltages. It provides a very reliable thermistor with. Compared with CB-containing thermistors, the WC-containing thermistors of the present invention show a lower resistivity at room temperature and a larger resistivity change with temperature.

이들 장점들 때문에, 본 발명의 더어미스터는 예를들면 2차 배터리의 충전 또는 방전회로의 단락에 기인한 과전류의 방지, 자동차의 도어 로크 모터에 의해 전형적으로 나타나는 모터의 로크에 기인한 과전류의 방지, 및 원격통신회로의 단락에 기인한 과전류의 방지를 위해 더욱 낮은 전기저항과 더욱 높은 열저항이 요구되는 곳에 사용할 때 효과적이다.Because of these advantages, the thermistor of the present invention prevents overcurrent due to, for example, short circuit of the secondary battery's charge or discharge circuit, and prevents overcurrent due to the lock of the motor, which is typically represented by the door lock motor of an automobile. It is effective when used in places where lower electrical resistance and higher thermal resistance are required for the prevention of overcurrent caused by short circuit, and short circuit of telecommunication circuit.

제1 실시예의 양호한 형태로서, 반죽의 어려움은 0.1㎛ 이상의 평균 입도를 가지는 WC 분말과 낮은 실온 저항률을 가지는 더어미스터를 사용함으로써 피할 수 있고, 큰 저항률 변화와 높은 브레이크다운 전압은 10㎛ 이하의 평균 입도를 가지는 WC 분말을 사용함으로써 얻어질 수 있다.As a preferred form of the first embodiment, the difficulty of kneading can be avoided by using WC powder having an average particle size of 0.1 mu m or more and a demister having a low room temperature resistivity; It can be obtained by using a WC powder having a particle size.

제1 실시예의 다른 양호한 형태로서, 예를들면, 폴리불화 비닐리덴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리비닐 아세테이트, 이오노머, 또는 이들 폴리머들의 모노머를 구비하는 코폴리머가 WC 가 반죽되는 유기질 폴리머로서 선택되고, 이것에 의해 실온 저항률, 저항률 변화의 비율, 브레이크다운 전압, 반복성, 및 신뢰성에서 탁월한 더어미스터가 얻어질 수 있다.As another preferred form of the first embodiment, for example, polyvinylidene fluoride, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ionomers, or organic polymers wherein the copolymer comprising monomers of these polymers is kneaded with WC It is selected as, whereby a dermistor excellent in room temperature resistivity, rate of resistivity change, breakdown voltage, repeatability, and reliability can be obtained.

제1 실시예의 또 다른 양호한 형태로서, 낮은 실온 저항률과 저항률 변화의 높은 비율을 가지는 더어미스터는 WC의 적어도 20 체적%를 첨가함으로써 얻어질 수 있고, 반죽과 성형의 용이성은 기껏해야 50체적%로 첨가된 WC의 량을 제한함으로서 더어미스터의 생산을 용이하게 하기 위해 보장될 수 있다.As another preferred form of the first embodiment, the demister having a low room temperature resistivity and a high rate of resistivity change can be obtained by adding at least 20% by volume of WC, and the ease of kneading and forming is at most 50% by volume. It can be ensured to facilitate the production of thermistors by limiting the amount of WC added.

본 발명의 제2 실시예에 따라서, 성형된 PTC 화합물의 크기에 부합하는 저항률을 가지며 저항률의 안정성을 보여주며 2차 배터리의 충전회로의 단락, 자동차의 도어 로크 모터에 의해 전형적으로 나타나는 모터의 로크, 또는 원격통신 회로 또는 OA 장치의 단락에 기인한 과전류와 방지에 유용한 유기질 PTC 더어미스터가 제공된다.According to the second embodiment of the present invention, the locking of the motor, which has a resistivity corresponding to the size of the molded PTC compound, shows the stability of the resistivity, is short-circuited in the charging circuit of the secondary battery, and is typically represented by the door lock motor of the motor vehicle. Organic PTC thermistors are provided that are useful for preventing overcurrent and / or resulting from short circuits in telecommunication circuits or OA devices.

제2 실시예의 양호한 형태로서, 금속 망의 일부분이 PTC 화합물의 표면상에 노출되며, 이것에 의해 초기 저항률이 더욱 낮아질 수 있고, 열 응력에 기인한 응력은 전극에서의 주름 또는 크랙의 전개 또는 PTC 화합물의 변형에 대한 기계적인 강도를 주기 위해 완화될 수 있다.In a preferred form of the second embodiment, a portion of the metal network is exposed on the surface of the PTC compound, whereby the initial resistivity can be further lowered, and the stress due to thermal stress is due to the development of wrinkles or cracks in the electrode or PTC. It can be relaxed to give mechanical strength against deformation of the compound.

제2 실시예의 다른 양호한 형태로서, 사용된 금속 망은 200 내지 600 메쉬의 개구 크기를 가지며, 이것에 의해 결과적인 스톡 시이트는 낮은 비용으로 용이하게 펀치 또는 절단될 수 있다.As another preferred form of the second embodiment, the metal mesh used has an opening size of 200 to 600 mesh, whereby the resulting stock sheet can be easily punched or cut at low cost.

제2 실시예의 또 다른 양호한 형태로서, 사용된 금속 망은 평직망, 능직망, 압착(평평하게)된 평직망, 압착(평평하게)된 능직망, 및 그의 교차점에서 어떤 레벨차이도 갖지 않는 망으로 부터 선택되며, 이것에 의해 더 이상 감소된 두께를 가지는 PTC 부재가 제조될 수 있고, 연마작업이 더욱 용이하며, 제조공정이 단순화 될수 있다.As another preferred form of the second embodiment, the metal mesh used is a plain weave, a twill weave, a crimped flat weave, a crimped twill weave, and a net having no level difference at the intersection thereof. From this, a PTC member with a further reduced thickness can be produced, the polishing operation is easier and the manufacturing process can be simplified.

제2 실시예의 또 다른 양호한 형태로서, 금속 층은 화학 도금, 전기 도금, 진공 증기상태 침전물 또는 화염 분사코팅에 의해 형성되며, 이것에 의해 초기 저항률이 낮아질 수 있다.In another preferred form of the second embodiment, the metal layer is formed by chemical plating, electroplating, vacuum vapor deposition or flame spray coating, whereby the initial resistivity can be lowered.

제2 실시예의 또 다른 양호한 형태로서, 금속 층은 파묻힌 금속 망을 포함하는 PTC 화합물의 연마된 표면상에 형성되고, 이것에 의해 표면 저항률이 안정화 되고 더욱 낮아진다.In another preferred form of the second embodiment, a metal layer is formed on the polished surface of the PTC compound comprising buried metal mesh, thereby stabilizing and further lowering the surface resistivity.

제2 실시예의 또 다른 양호한 형태로서, WC는 도전성 물질로서 사용되며, 이것에 의해 저항률, 저항률변화의 비율, 브레이크다운 전압, R - T 특성의 반복 안정성, 및 신뢰성에서 탁월한 PTC 더어미스터가 얻어질 수 있다.As another preferred form of the second embodiment, WC is used as the conductive material, whereby PTC thermistors excellent in resistivity, rate of resistivity change, breakdown voltage, repeatability of R-T characteristics, and reliability are obtained. Can be.

지금까지 본 발명이 특정 실예를 참조하여 상세히 설명되었지만, 당해 기술분야에 숙련된 자가 본 발명의 정신 및 범주를 벗어나지 않고 다양하게 본 발명을 변경 및 수정하는 것이 물론 가능하다.While the present invention has been described in detail with reference to specific examples, it is of course possible for those skilled in the art to make various changes and modifications to the invention without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (18)

  1. 도전성 물질을 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 PTC 조성물과 적어도 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 도전성 물질이 텅스텐 카바이드 분말인 정의 온도 저항률 계수를 가지며, 상기 텅스텐 카바이드 분말은 0.1 내지 10㎛의 평균 입도를 가지고, 또한 상기 텅스텐 카바이드 분말은 PTC 조성물의 총 체적에 의거한 20 내지 50체적%의 량으로 존재하는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.A PTC composition comprising an organic polymer in which a conductive material is dispersed and at least a pair of electrodes, wherein the conductive material has a positive temperature resistivity coefficient of tungsten carbide powder, and the tungsten carbide powder has an average particle size of 0.1 to 10 μm. And the tungsten carbide powder is present in an amount of 20 to 50% by volume based on the total volume of the PTC composition.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기질 폴리머는 폴리불화 비닐리덴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리비닐 아세테이트, 이오노머, 및 이들 폴리머들의 모노머들을 구비하는 코폴리머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 폴리머인 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.The method of claim 1, wherein the organic polymer is at least one polymer selected from the group consisting of polyvinylidene fluoride, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ionomer, and a copolymer having monomers of these polymers. Organic PTC thermistors, characterized in that.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극은 각각 금속 망 및 금속 층으로 이루어진 구조를 가짐을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.The organic PTC thermistor of claim 1, wherein the electrode has a structure consisting of a metal network and a metal layer, respectively.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속 망은 상기 PTC 조성물의 표면에 파묻히며, 상기 금속 망의 일부분이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.4. The organic PTC thermistor of claim 3, wherein the metal mesh is embedded in the surface of the PTC composition and a portion of the metal mesh is exposed.
  5. 제3항에 있어서, 상기 금속 망은 200 내지 600 메쉬의 개구 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.4. The organic PTC thermistor of claim 3, wherein the metal mesh has an opening size of 200 to 600 mesh.
  6. 제3항에 있어서, 상기 금속 망은 평직망, 능직망, 압착된 평직망, 압착된 능직망 및 그의 교차점에서 어면 레벨차이도 갖지 않는 망 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.4. The organic PTC thermistor of claim 3, wherein the metal mesh is at least one of a plain weave, a twill weave, a crimped weave, a crimped twill, and a net having no surface level difference at the intersection thereof.
  7. 제3항에 있어서, 상기 금속 층은 화학도금, 전기도금, 진공 증기상태 침전물 또는 화염분사코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.The organic PTC thermistor of claim 3, wherein the metal layer is formed by chemical plating, electroplating, vacuum vapor deposition, or flame spray coating.
  8. 제3항에 있어서, 상기 금속 층은 상기 금속 망을 포함하여 상기 PTC 조성물의 연마된 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.4. The organic PTC thermistor of claim 3, wherein the metal layer is formed on the polished surface of the PTC composition including the metal mesh.
  9. 도전성 물질을 분산시킨 유기질 폴리머를 구비하는 PTC 조성물과 적어도 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극들이 각각 금속 망과 금속 층을 구비하는 정의 온도 저항률 계수를 가지며, 상기 텅스텐 카바이드 분말은 0.1 내지 10㎛의 평균 입도를 가지고, 또한 상기 텅스텐 카바이드 분말은 PTC 조성물의 총 체적에 의거한 20 내지 50체적%의 량으로 존재하는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.A PTC composition comprising an organic polymer dispersed therein and at least one pair of electrodes, the electrodes each having a positive temperature resistivity coefficient comprising a metal mesh and a metal layer, wherein the tungsten carbide powder has a thickness of 0.1 to 10 μm. And the tungsten carbide powder is present in an amount of 20 to 50% by volume based on the total volume of the PTC composition.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속 망은 상기 PTC 조성물의 표면에 파묻히며, 상기 금속 망의 일부분이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.10. The organic PTC thermistor of claim 9, wherein the metal mesh is embedded in the surface of the PTC composition and a portion of the metal mesh is exposed.
  11. 제9항에 있어서, 상기 금속 망은 200 내지 600 메쉬의 개구 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.10. The organic PTC thermistor of claim 9, wherein the metal mesh has an opening size of 200 to 600 mesh.
  12. 제9항에 있어서, 상기 금속 망은 평직망, 능직망, 압착된 평직망, 압착된 능직망, 및 그의 교차점에서 어떤 레벨차이도 갖지 않는 망 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.10. The organic PTC thermistor of claim 9, wherein the metal mesh is at least one of plain weave, twill weave, crimped weave weave, crimped twill weave, and a net having no level difference at the intersection thereof.
  13. 제9항에 있어서, 상기 금속 층은 화학도금, 전기도금, 진공증기상태 침전물 또는 화염분사코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.10. The organic PTC thermistor of claim 9, wherein the metal layer is formed by chemical plating, electroplating, vacuum vapor deposition, or flame spray coating.
  14. 제9항에 있어서, 상기 금속 층은 상기 금속 망을 포함하여 상기 PTC 조성물의 연마된 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.10. The organic PTC thermistor of claim 9, wherein the metal layer is formed on the polished surface of the PTC composition including the metal mesh.
  15. 제9항에 있어서, 상기 유기질 폴리머는 폴리불화 비닐리덴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리비닐 아세테이트, 이오노머 및 이들 폴리머들의 모노머들을 구비하는 코폴리머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 부재이며, 상기 도전성 물질은 카본블랙, 흑연, 카본섬유, 도전성 휘스커, 금속성 입자 및 도전성 세라믹 분말로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나이상의 부재인 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 더어미스터.The method of claim 9, wherein the organic polymer is at least one member selected from the group consisting of polyvinylidene fluoride, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ionomer and a copolymer having monomers of these polymers, The conductive material is at least one member selected from the group consisting of carbon black, graphite, carbon fiber, conductive whiskers, metallic particles and conductive ceramic powder.
  16. 형광램프의 비정상적인 과열을 방지하기 위한 장치에 있어서, 형광램프 및 상기 형광램프와 열접촉하는 정의 온도 저항률 계수를 가지는 유기질 PTC 더어미스터를 구비하며, 상기 더어미스터 부재는 도전성 물질을 분산시킨 유기질 폴리머와 적어도 한쌍의 전극을 구비하는 PTC 조성물을 구비하며, 상기 도전성 물질은 텅스텐 카바이드 분말이며, 상기 텅스텐 카바이드 분말은 0.1 내지 10㎛의 평균 입도를 가지고, 또한 상기 텅스텐 카바이드 분말은 PTC 조성물의 총 체적에 의거한 20 내지 50체적%의 량으로 존재하는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 조성물을 이용한 형광램프 과열방지장치.An apparatus for preventing abnormal overheating of a fluorescent lamp, the apparatus comprising a fluorescent lamp and an organic PTC thermistor having a positive temperature resistivity coefficient in thermal contact with the fluorescent lamp, wherein the thermistor member comprises: an organic polymer in which a conductive material is dispersed; A PTC composition having at least a pair of electrodes, wherein the conductive material is tungsten carbide powder, the tungsten carbide powder has an average particle size of 0.1 to 10 μm, and the tungsten carbide powder is based on the total volume of the PTC composition. Fluorescent lamp overheat prevention device using an organic PTC composition, characterized in that present in an amount of 20 to 50% by volume.
  17. 제16항에 있어서, 상기 더어미스터 부재의 한 전극 단자와 상기 형광램프의 한 전극도선은 전기적으로 접속되며, 상기 더어미스터 부재는 직렬 접속으로 상기 형광램프의 발광 회로에 통합되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 조성물을 이용한 형광램프 과열방지장치.17. The organic material according to claim 16, wherein one electrode terminal of the demister member and one electrode lead of the fluorescent lamp are electrically connected, and the demister member is integrated into the light emitting circuit of the fluorescent lamp in series connection. Fluorescent lamp overheat prevention device using a PTC composition.
  18. 제16항에 있어서, 상기 형광램프의 비정상적인 과열로 인한 상기 더어미스터의 저항률의 증가가 상기 형광램프의 발광회로에 따라 검출회로에서 검출되는 것을 특징으로 하는 유기질 PTC 조성물을 이용한 형광램프 과열방지장치.The apparatus of claim 16, wherein an increase in resistivity of the demister is caused by a detection circuit according to a light emitting circuit of the fluorescent lamp due to abnormal overheating of the fluorescent lamp.
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