JP2002241554A - 半導電性混和物 - Google Patents
半導電性混和物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＰＴＣ素子の半導電性混和物からなるフィルム
と電極との接着性が高く、両者間の接触抵抗が低く、し
かも常温時の抵抗が低く、常温時と高温時の抵抗変化率
が１０4以上となるようにする。 【解決手段】分子末端が無水マレイン酸で変性された高
密度ポリエチレン１００重量部に対して、粒径２０〜３
０ｎｍ、比表面積１００〜１０００ｍ2／ｇのカーボン
ブラックＡと粒径５０〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５
０ｍ2／ｇのカーボンブラックＢとを合計で６０〜１２
０重量部配合してなる半導電性混和物を用い、この半導
電性混和物からなるフィルムの両面に電極を設ける。
と電極との接着性が高く、両者間の接触抵抗が低く、し
かも常温時の抵抗が低く、常温時と高温時の抵抗変化率
が１０4以上となるようにする。 【解決手段】分子末端が無水マレイン酸で変性された高
密度ポリエチレン１００重量部に対して、粒径２０〜３
０ｎｍ、比表面積１００〜１０００ｍ2／ｇのカーボン
ブラックＡと粒径５０〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５
０ｍ2／ｇのカーボンブラックＢとを合計で６０〜１２
０重量部配合してなる半導電性混和物を用い、この半導
電性混和物からなるフィルムの両面に電極を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導電性混和物
とこれを用いたＰＴＣ素子に関し、常温での電気抵抗と
高温での電気抵抗の比が大きく、しかも電極と半導電性
混和物からなるフィルムとの接着性を高めたものであ
る。
とこれを用いたＰＴＣ素子に関し、常温での電気抵抗と
高温での電気抵抗の比が大きく、しかも電極と半導電性
混和物からなるフィルムとの接着性を高めたものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣ（正温度係数）素子は、高密度ポ
リエチレンなどの結晶性ポリマーに、カーボンブラック
などの導電性粒子を配合、分散してなる半導電性混和物
のフィルムの表裏面に２枚の銅箔などの金属箔などから
なる電極を張り合わせてなるもので、常温での電極間の
抵抗率が数オームｃｍであり、１００から１２０℃の高
温時の抵抗率が１０4オームｃｍ程度に急激に上昇する
性質を有し、電気回路保護素子などとして広く使用され
ている。
リエチレンなどの結晶性ポリマーに、カーボンブラック
などの導電性粒子を配合、分散してなる半導電性混和物
のフィルムの表裏面に２枚の銅箔などの金属箔などから
なる電極を張り合わせてなるもので、常温での電極間の
抵抗率が数オームｃｍであり、１００から１２０℃の高
温時の抵抗率が１０4オームｃｍ程度に急激に上昇する
性質を有し、電気回路保護素子などとして広く使用され
ている。
【０００３】ところで、従来のＰＴＣ素子にあっては、
半導電性混和物からなるフィルムと電極との接着性が良
くなく、両者間でのオーム接触がなされていないため、
フィルムと電極との接触抵抗が高い欠点があった。この
ため、フィルムと電極との接着性を改善する手段とし
て、電極をなす金属箔の接着表面を機械的あるいは化学
的に粗面化するものが提案されているが、この方法では
粗面化のための工程が増え、コストが嵩む欠点がある。
半導電性混和物からなるフィルムと電極との接着性が良
くなく、両者間でのオーム接触がなされていないため、
フィルムと電極との接触抵抗が高い欠点があった。この
ため、フィルムと電極との接着性を改善する手段とし
て、電極をなす金属箔の接着表面を機械的あるいは化学
的に粗面化するものが提案されているが、この方法では
粗面化のための工程が増え、コストが嵩む欠点がある。
【０００４】また、電気回路保護素子としては、高温時
の抵抗率が常温時の抵抗率に比べて極めて高いことが安
全性の点から好ましいことになるが、現用のＰＴＣ素子
では、常温時と高温時との抵抗変化率がせいぜい１０4
未満であり、抵抗変化率が十分といえるレベルに達して
いない問題もあった。また、抵抗変化率を大きくすると
常温時の抵抗が高くなってしまう問題もあった。
の抵抗率が常温時の抵抗率に比べて極めて高いことが安
全性の点から好ましいことになるが、現用のＰＴＣ素子
では、常温時と高温時との抵抗変化率がせいぜい１０4
未満であり、抵抗変化率が十分といえるレベルに達して
いない問題もあった。また、抵抗変化率を大きくすると
常温時の抵抗が高くなってしまう問題もあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、半導電性混和物からなるフィルムと電極との
接着性が高く、両者間の接触抵抗が低く、しかも常温時
の抵抗が低く、常温時と高温時の抵抗変化率が１０4以
上となるようにすることにある。
る課題は、半導電性混和物からなるフィルムと電極との
接着性が高く、両者間の接触抵抗が低く、しかも常温時
の抵抗が低く、常温時と高温時の抵抗変化率が１０4以
上となるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、分子末端
が無水マレイン酸で変性された高密度ポリエチレン１０
０重量部に対して、粒径２０〜３０ｎｍ、比表面積１０
０〜１０００ｍ2／ｇのカーボンブラックＡと粒径５０
〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５０ｍ2／ｇのカーボン
ブラックＢとを合計で６０〜１２０重量部配合してなる
半導電性混和物を用い、この半導電性混和物からなるフ
ィルムの両面に電極を設けてＰＴＣ素子とすることで解
決できる。
が無水マレイン酸で変性された高密度ポリエチレン１０
０重量部に対して、粒径２０〜３０ｎｍ、比表面積１０
０〜１０００ｍ2／ｇのカーボンブラックＡと粒径５０
〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５０ｍ2／ｇのカーボン
ブラックＢとを合計で６０〜１２０重量部配合してなる
半導電性混和物を用い、この半導電性混和物からなるフ
ィルムの両面に電極を設けてＰＴＣ素子とすることで解
決できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の半導電性混和物におけるベースポリマーとなる
高密度ポリエチレンは、その分子末端を無水マレイン酸
変性したもので、密度０．９４５〜０．９６５ｇ／ｃｍ
3、融点１２０〜１２５℃のものである。また、無水マ
レイン酸の結合量は、０．１〜１０モル％とされる。
本発明の半導電性混和物におけるベースポリマーとなる
高密度ポリエチレンは、その分子末端を無水マレイン酸
変性したもので、密度０．９４５〜０．９６５ｇ／ｃｍ
3、融点１２０〜１２５℃のものである。また、無水マ
レイン酸の結合量は、０．１〜１０モル％とされる。
【０００８】この無水マレイン酸変性高密度ポリエチレ
ンは、高密度ポリエチレンに無水マレイン酸、ベンゾイ
ルパーオキサイドなどの有機過酸化物からなるラジカル
重合開始剤を添加して、押出機などにより加熱、混練
し、溶融状態でグラフト重合する方法などで製造でき
る。また、市販品を使用することもできる。この無水マ
レイン酸変性高密度ポリエチレンは、分子末端に存在す
るマレイン酸残基によって、金属などに対する接着性が
極めて高いものとなっている。
ンは、高密度ポリエチレンに無水マレイン酸、ベンゾイ
ルパーオキサイドなどの有機過酸化物からなるラジカル
重合開始剤を添加して、押出機などにより加熱、混練
し、溶融状態でグラフト重合する方法などで製造でき
る。また、市販品を使用することもできる。この無水マ
レイン酸変性高密度ポリエチレンは、分子末端に存在す
るマレイン酸残基によって、金属などに対する接着性が
極めて高いものとなっている。
【０００９】本発明の半導電性混和物では、導電性粒子
として、２種のカーボンブラックＡとカーボンブラック
Ｂとを混合して使用する。カーボンブラックＡは、粒径
２０〜３０ｎｍ、比表面積１００〜１０００ｍ2／ｇの
比較的微粒のものである。カーボンブラックＢは、粒径
５０〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５０ｍ2／ｇの比較
的粗粒のものである。
として、２種のカーボンブラックＡとカーボンブラック
Ｂとを混合して使用する。カーボンブラックＡは、粒径
２０〜３０ｎｍ、比表面積１００〜１０００ｍ2／ｇの
比較的微粒のものである。カーボンブラックＢは、粒径
５０〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５０ｍ2／ｇの比較
的粗粒のものである。
【００１０】また、カーボンブラックＡは、ファーネス
ブラックの１種であり、ＤＢＰ（ヂブチルフタレート）
吸油量が１〜１．５ｍｌ／ｇのものでもある。カーボン
ブラックＢは、サーマルブラックの１種であり、ＤＢＰ
吸油量は、０．３〜０．７ｍｌ／ｇのものでもある。比
表面積は、公知のＢＥＴ法によって測定されたものであ
る。
ブラックの１種であり、ＤＢＰ（ヂブチルフタレート）
吸油量が１〜１．５ｍｌ／ｇのものでもある。カーボン
ブラックＢは、サーマルブラックの１種であり、ＤＢＰ
吸油量は、０．３〜０．７ｍｌ／ｇのものでもある。比
表面積は、公知のＢＥＴ法によって測定されたものであ
る。
【００１１】カーボンブラックＡの粒径が２０ｎｍ未満
では、抵抗変化率が小さくなり、３０ｎｍを越えると常
温抵抗が大きくなる。また、カーボンブラックＡの比表
面積が１００ｍ2／ｇ未満では常温抵抗が大きくなり、
１０００ｍ2／ｇを越えると抵抗変化率が小さくなる。
また、カーボンブラックＢの粒径が５０ｎｍ未満では、
抵抗変化率が小さくなり、１００ｎｍを越えると常温抵
抗が大きくなる。また、カーボンブラックＢの比表面積
が１０ｍ2／ｇ未満では常温抵抗が大きくなり、５０ｍ2
／ｇを越えると抵抗変化率が小さくなる。
では、抵抗変化率が小さくなり、３０ｎｍを越えると常
温抵抗が大きくなる。また、カーボンブラックＡの比表
面積が１００ｍ2／ｇ未満では常温抵抗が大きくなり、
１０００ｍ2／ｇを越えると抵抗変化率が小さくなる。
また、カーボンブラックＢの粒径が５０ｎｍ未満では、
抵抗変化率が小さくなり、１００ｎｍを越えると常温抵
抗が大きくなる。また、カーボンブラックＢの比表面積
が１０ｍ2／ｇ未満では常温抵抗が大きくなり、５０ｍ2
／ｇを越えると抵抗変化率が小さくなる。
【００１２】カーボンブラックＡとカーボンブラックＢ
との混合比は、重量比で、カーボンブラックＡ１に対し
てカーボンブラックＢ０．０９〜１１、好ましくは０．
６〜１．２とされる。カーボンブラックＢの割合が０．
０９未満では常温と高温との抵抗変化率が１０4以下と
なり、１１を越えると常温での抵抗が高くなる。最も好
ましい混合比は、カーボンブラックＡ１に対してカーボ
ンブラックＢが１である。
との混合比は、重量比で、カーボンブラックＡ１に対し
てカーボンブラックＢ０．０９〜１１、好ましくは０．
６〜１．２とされる。カーボンブラックＢの割合が０．
０９未満では常温と高温との抵抗変化率が１０4以下と
なり、１１を越えると常温での抵抗が高くなる。最も好
ましい混合比は、カーボンブラックＡ１に対してカーボ
ンブラックＢが１である。
【００１３】カーボンブラックＡとカーボンブラックＢ
との混合物のベースポリマーに対する配合量は、無水マ
レイン酸変性高密度ポリエチレン１００重量部に対し
て、６０〜１２０重量部、好ましくは８０〜１００重量
部とされ、６０重量部未満では常温での抵抗が高くな
り、１２０重量部を越えると、抵抗変化率が小さくな
る。
との混合物のベースポリマーに対する配合量は、無水マ
レイン酸変性高密度ポリエチレン１００重量部に対し
て、６０〜１２０重量部、好ましくは８０〜１００重量
部とされ、６０重量部未満では常温での抵抗が高くな
り、１２０重量部を越えると、抵抗変化率が小さくな
る。
【００１４】本発明の半導電性混和物には、必要に応じ
て、ジクミルパーオキサイドなどの有機過酸化物からな
る架橋剤をベースポリマー１００重量部に対して、２〜
５重量部配合しておき、後述するＰＴＣ素子の製造の際
に加熱してこの混和物を架橋させて、得られるＰＴＣ素
子の耐熱性を高めることもできる。
て、ジクミルパーオキサイドなどの有機過酸化物からな
る架橋剤をベースポリマー１００重量部に対して、２〜
５重量部配合しておき、後述するＰＴＣ素子の製造の際
に加熱してこの混和物を架橋させて、得られるＰＴＣ素
子の耐熱性を高めることもできる。
【００１５】本発明のＰＴＣ素子は、上述の半導電性混
和物を押出機などにより加熱、混練して、厚み１００〜
１０００μｍのフィルム状に成形し、このフィルムの両
面に銅、ニッケルなどの金属箔を加熱加圧して、張り合
わせたり、あるいは銀ペーストなどの導電性塗料を塗
布、乾燥したりする手段によって、そのフィルム両面に
厚さ１０〜１００μｍの電極を設けたものである。この
ＰＴＣ素子は、円形、角形などに打ち抜かれて、電気回
路保護素子などとされる。
和物を押出機などにより加熱、混練して、厚み１００〜
１０００μｍのフィルム状に成形し、このフィルムの両
面に銅、ニッケルなどの金属箔を加熱加圧して、張り合
わせたり、あるいは銀ペーストなどの導電性塗料を塗
布、乾燥したりする手段によって、そのフィルム両面に
厚さ１０〜１００μｍの電極を設けたものである。この
ＰＴＣ素子は、円形、角形などに打ち抜かれて、電気回
路保護素子などとされる。
【００１６】このようなＰＴＣ素子にあっては、ＰＴＣ
特性を示す半導電性混和物のベースポリマーが、分子末
端が無水マレイン酸変性された高密度ポリエチレンであ
るので、電極に対する接着性が優れ、オーム接触が可能
となって、接触抵抗が低いものとなる。このため、従来
のように電極表面を粗面化するなどの必要はなく、安価
に製造することができる。
特性を示す半導電性混和物のベースポリマーが、分子末
端が無水マレイン酸変性された高密度ポリエチレンであ
るので、電極に対する接着性が優れ、オーム接触が可能
となって、接触抵抗が低いものとなる。このため、従来
のように電極表面を粗面化するなどの必要はなく、安価
に製造することができる。
【００１７】また、半導電性混和物に配合される導電性
微粒子として、比較的微粒のカーボンブラックＡと比較
的粗粒のカーボンブラックＢとの混合物を用いたため、
常温での電気抵抗が低く導電性が高く、しかも高温時
（トリップ時）の電気抵抗が極めて高く、その変化率が
１０4〜１０6となり、保護スイッチなどとして信頼性が
高いものとなる。
微粒子として、比較的微粒のカーボンブラックＡと比較
的粗粒のカーボンブラックＢとの混合物を用いたため、
常温での電気抵抗が低く導電性が高く、しかも高温時
（トリップ時）の電気抵抗が極めて高く、その変化率が
１０4〜１０6となり、保護スイッチなどとして信頼性が
高いものとなる。
【００１８】さらに、半導電性混和物に架橋剤を添加し
ておき、ＰＴＣ素子の製造時に加熱して半導電性混和物
を架橋したものでは、ＰＴＣ素子がベースポリマーの融
点を超える温度に加熱されても、高い電気抵抗を維持す
るとともにフィルムが溶融して変形することがなく、耐
熱性の高いＰＴＣ素子を得ることができる。
ておき、ＰＴＣ素子の製造時に加熱して半導電性混和物
を架橋したものでは、ＰＴＣ素子がベースポリマーの融
点を超える温度に加熱されても、高い電気抵抗を維持す
るとともにフィルムが溶融して変形することがなく、耐
熱性の高いＰＴＣ素子を得ることができる。
【００１９】以下、具体例を説明する。 （実験例１）表１ないし表３に示した配合組成の半導電
性混和物を用意し、これを押出機にて加熱、混練して、
厚さ３００μｍのフィルムとした。このフィルムの両面
に厚さ１００μｍの電解銅箔を加熱加圧して接合し、Ｐ
ＴＣ素子とした。このＰＴＣ素子の２０℃での抵抗率と
１２０℃での抵抗率とを測定し、抵抗率の変化率を求め
た。
性混和物を用意し、これを押出機にて加熱、混練して、
厚さ３００μｍのフィルムとした。このフィルムの両面
に厚さ１００μｍの電解銅箔を加熱加圧して接合し、Ｐ
ＴＣ素子とした。このＰＴＣ素子の２０℃での抵抗率と
１２０℃での抵抗率とを測定し、抵抗率の変化率を求め
た。
【００２０】これらの表において、「ＡＭ−ＨＤＰＥ」
とは、密度０．９５ｇ／ｃｍ3、融点１２７℃、無水マ
レイン酸結合量１．５モル％の分子末端を無水マレイン
酸で変性した高密度ポリエチレンを言う。また、「ＣＢ
−Ａ」とは、粒径２５ｎｍ、比表面積１２０ｍ2／ｇの
カーボンブラックを言う。「ＣＢ−Ｂ」とは、粒径５５
ｎｍ、比表面積３０ｍ2／ｇのカーボンブラックを言
う。
とは、密度０．９５ｇ／ｃｍ3、融点１２７℃、無水マ
レイン酸結合量１．５モル％の分子末端を無水マレイン
酸で変性した高密度ポリエチレンを言う。また、「ＣＢ
−Ａ」とは、粒径２５ｎｍ、比表面積１２０ｍ2／ｇの
カーボンブラックを言う。「ＣＢ−Ｂ」とは、粒径５５
ｎｍ、比表面積３０ｍ2／ｇのカーボンブラックを言
う。
【００２１】結果を表１ないし表３に示す。
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】これらの結果から、比較的粗粒のカーボン
ブラックＢのみを添加したものでは、常温での比抵抗が
大きく、比較的微粒のカーボンブラックＡのみを用いた
ものでは抵抗の変化率が小さくなることがわかる。ま
た、２種のカーボンブラックを合計で８０〜１２０重量
部配合したものではＰＴＣ特性が良好で、カーボンブラ
ックＡとカーボンブラックＢを等量用いたものが、特性
が優れていることがわかる。
ブラックＢのみを添加したものでは、常温での比抵抗が
大きく、比較的微粒のカーボンブラックＡのみを用いた
ものでは抵抗の変化率が小さくなることがわかる。ま
た、２種のカーボンブラックを合計で８０〜１２０重量
部配合したものではＰＴＣ特性が良好で、カーボンブラ
ックＡとカーボンブラックＢを等量用いたものが、特性
が優れていることがわかる。
【００２５】（実験例２）次に、密度０．９５ｇ／ｃｍ
3、融点１２７℃、無水マレイン酸結合量１．５モル％
の無水マレイン酸変性高密度ポリエチレン１００重量部
に対して、カーボンブラックＡ５０重量部とカーボンブ
ラックＢ５０重量部を配合して半導電性混和物とした。
3、融点１２７℃、無水マレイン酸結合量１．５モル％
の無水マレイン酸変性高密度ポリエチレン１００重量部
に対して、カーボンブラックＡ５０重量部とカーボンブ
ラックＢ５０重量部を配合して半導電性混和物とした。
【００２６】この時、カーボンブラックＡとして、粒
径１０ｎｍ、比表面積２０００ｍ2／ｇのもの、粒径
５０ｎｍ、比表面積５０ｍ2／ｇのものの２種を使用
し、カーボンブラックＢとして、粒径３０ｎｍ、比表
面積１００ｍ2／ｇのもの、粒径２００ｎｍ、比表面
積５ｍ2／ｇのものの２種を使用し、これらを表４に示
すように組み合わせた。
径１０ｎｍ、比表面積２０００ｍ2／ｇのもの、粒径
５０ｎｍ、比表面積５０ｍ2／ｇのものの２種を使用
し、カーボンブラックＢとして、粒径３０ｎｍ、比表
面積１００ｍ2／ｇのもの、粒径２００ｎｍ、比表面
積５ｍ2／ｇのものの２種を使用し、これらを表４に示
すように組み合わせた。
【００２７】この半導電性混和物から、先の例と同様に
してＰＴＣ素子を作成し、同様にして常温での抵抗率と
抵抗変化率を測定した。結果を表４に示す。
してＰＴＣ素子を作成し、同様にして常温での抵抗率と
抵抗変化率を測定した。結果を表４に示す。
【００２８】
【表４】
【００２９】表４の結果から、カーボンブラックＡある
いはＢとして、先に述べた特定の粒径および比表面積を
有しないものを混合して配合しても、得られるＰＣＴ素
子の特性は良いものとは言えないことがわかる。
いはＢとして、先に述べた特定の粒径および比表面積を
有しないものを混合して配合しても、得られるＰＣＴ素
子の特性は良いものとは言えないことがわかる。
【００３０】また、実験例１および２のＰＴＣ素子につ
いて、その銅箔とフィルムとの接着性を測定したとこ
ろ、すべてＴ型剥離強度で５ｋｇ／２５ｍｍ幅以上を示
し、極めて高い接着性を示した。一方、ベースポリマー
として、密度０．９６０ｇ／ｃｍ3の高密度ポリエチレ
ンを用いたものでは、そのＴ型剥離強度が０．５〜１ｋ
ｇ／２５ｍｍ幅で、手で簡単に引き剥がせる程度の接着
性しか得られず、接触抵抗が大きいものであった。
いて、その銅箔とフィルムとの接着性を測定したとこ
ろ、すべてＴ型剥離強度で５ｋｇ／２５ｍｍ幅以上を示
し、極めて高い接着性を示した。一方、ベースポリマー
として、密度０．９６０ｇ／ｃｍ3の高密度ポリエチレ
ンを用いたものでは、そのＴ型剥離強度が０．５〜１ｋ
ｇ／２５ｍｍ幅で、手で簡単に引き剥がせる程度の接着
性しか得られず、接触抵抗が大きいものであった。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導電性
混和物を用いたＰＴＣ素子にあっては、無水マレイン酸
変性高密度ポリエチレンをベースポリマーとする半導電
性混和物を用いているため、この半導電性混和物からな
るフィルムと電極との接着性が優れ、オーム接触が可能
となって、接触抵抗の低いものとなる。このため、従来
のように表面を粗面化した電極を使用したりするなどの
必要がない。
混和物を用いたＰＴＣ素子にあっては、無水マレイン酸
変性高密度ポリエチレンをベースポリマーとする半導電
性混和物を用いているため、この半導電性混和物からな
るフィルムと電極との接着性が優れ、オーム接触が可能
となって、接触抵抗の低いものとなる。このため、従来
のように表面を粗面化した電極を使用したりするなどの
必要がない。
【００３２】また、２種の比較的微粒のカーボンブラッ
クＡと比較的粗粒のカーボンブラックＢとを混合して使
用しているので、常温での電気抵抗が低く、かつ常温時
と高温時の電気抵抗の変化率が大きく、１０4以上とす
ることができる。このため、電気回路保護素子などとし
たときの信頼性が高いものとなる。
クＡと比較的粗粒のカーボンブラックＢとを混合して使
用しているので、常温での電気抵抗が低く、かつ常温時
と高温時の電気抵抗の変化率が大きく、１０4以上とす
ることができる。このため、電気回路保護素子などとし
たときの信頼性が高いものとなる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年２月２０日（２００１．２．２
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
Claims (3)
- 【請求項１】分子末端が無水マレイン酸で変性された高
密度ポリエチレン１００重量部に対して、粒径２０〜３
０ｎｍ、比表面積１００〜１０００ｍ2／ｇのカーボン
ブラックＡと粒径５０〜１００ｎｍ、比表面積１０〜５
０ｍ2／ｇのカーボンブラックＢとを合計で６０〜１２
０重量部配合してなる半導電性混和物。 - 【請求項２】カーボンブラックＡとカーボンブラックＢ
との混合割合が、重量比で、カーボンブラックＡ１に対
してカーボンブラックＢが０．０１〜１１である請求項
１記載の半導電性混和物。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の半導電性
混和物からなるフィルムの表面に電極を設けてなるＰＴ
Ｃ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001036119A JP2002241554A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導電性混和物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001036119A JP2002241554A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導電性混和物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002241554A true JP2002241554A (ja) | 2002-08-28 |
Family
ID=18899441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001036119A Withdrawn JP2002241554A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導電性混和物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002241554A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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