JP2803769B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【0001】 〔目 次〕 産業上の利用分野 従来の技術(図7) 発明が解決しようとする課題(図8) 課題を解決するための手段(図1,図2) 作用 実施例(図3〜図6) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するものであり、更に詳しくいえば、テープキャリ
アと半導体チップとを自動位置合わせして、テープキャ
リアのリードとチップのバンプとを自動接合するインナ
ーリードボンディング方法に関するものである。
に関するものであり、更に詳しくいえば、テープキャリ
アと半導体チップとを自動位置合わせして、テープキャ
リアのリードとチップのバンプとを自動接合するインナ
ーリードボンディング方法に関するものである。
【0003】近年、半導体集積回路装置(以下単にLS
Iという)は、高密度,高集積化に伴い半導体チップ上
のパッド(電極)の設置数の増加からテープキャリアの
インナーリードの超多ピン化及びファインピッチ化の傾
向にある。
Iという)は、高密度,高集積化に伴い半導体チップ上
のパッド(電極)の設置数の増加からテープキャリアの
インナーリードの超多ピン化及びファインピッチ化の傾
向にある。
【0004】これによれば、テープキャリアと半導体チ
ップとを自動位置合わせの際に、テープキャリア側のリ
ードの2点において、テープ群全体の中心座標やその配
置傾き量が算出され、また、半導体チップのバンプ群の
位置の認識処理に基づいてそのバンプ群とテープキャリ
アのリード群とが自動接続されている。
ップとを自動位置合わせの際に、テープキャリア側のリ
ードの2点において、テープ群全体の中心座標やその配
置傾き量が算出され、また、半導体チップのバンプ群の
位置の認識処理に基づいてそのバンプ群とテープキャリ
アのリード群とが自動接続されている。
【0005】このため、リードピッチが 100μm以下の
超多ピンになると、半導体チップのバンプ群とテープキ
ャリアのリード群との間に接合不良部を招く恐れがあ
る。また、テープキャリアの超多ピン化及びファインピ
ッチ化に伴い、バンプ群が比較的精度良く配置されるの
に対して、テープキャリアのリード群が変形し易く、わ
ずかなテープ変位であっても、リード座標が設計パター
ンと異なる場合がある。
超多ピンになると、半導体チップのバンプ群とテープキ
ャリアのリード群との間に接合不良部を招く恐れがあ
る。また、テープキャリアの超多ピン化及びファインピ
ッチ化に伴い、バンプ群が比較的精度良く配置されるの
に対して、テープキャリアのリード群が変形し易く、わ
ずかなテープ変位であっても、リード座標が設計パター
ンと異なる場合がある。
【0006】そこで、リード群が超多ピン化及びファイ
ンピッチ化した場合であっても、該リード群の認識アル
ゴリズムを工夫し、リード群の四辺の直角度を認識して
その良否を判定すること、及びリード群に対するバンプ
の位置ずれを補正して精度良いボンディング処理をする
ことができる方法が望まれている。
ンピッチ化した場合であっても、該リード群の認識アル
ゴリズムを工夫し、リード群の四辺の直角度を認識して
その良否を判定すること、及びリード群に対するバンプ
の位置ずれを補正して精度良いボンディング処理をする
ことができる方法が望まれている。
【0007】
【従来の技術】図7,8は、従来例に係る説明図であ
る。また、図7(a)は、従来例に係るインナーリード
ボンディング装置(以下ILB装置という)の構成図で
あり、図7(b)は、テープキャリアのインナーリード
部の状態図をそれぞれ示している。
る。また、図7(a)は、従来例に係るインナーリード
ボンディング装置(以下ILB装置という)の構成図で
あり、図7(b)は、テープキャリアのインナーリード
部の状態図をそれぞれ示している。
【0008】例えば、テープキャリア26と半導体チッ
プ17とを自動位置合わせをして、そのインナーリード
群とバンプ群とを自動接合するILB装置は、図7
(a)において、位置認識部1,接合処理部2及び制御
装置3から成る。
プ17とを自動位置合わせをして、そのインナーリード
群とバンプ群とを自動接合するILB装置は、図7
(a)において、位置認識部1,接合処理部2及び制御
装置3から成る。
【0009】当該装置の機能は、図7(a)の破線で囲
んだ制御装置3の処理フローチャートに示すように、ま
ず、ステップP1でテープキャリア26のインナーリー
ド群(以下単にリード群という)26Aの位置の認識処理
をする。この際に、テープキャリア側のリード26Aの2
点(対角コーナー2点)において、テープ群全体の中心
座標X,Yやその配置傾き量Δθが算出される。また、
全リードが確認されるとテープ群全体の中心座標X,Y
やその配置傾き量Δθが算出され、不良リード26Aの欠
損確認が行われる。
んだ制御装置3の処理フローチャートに示すように、ま
ず、ステップP1でテープキャリア26のインナーリー
ド群(以下単にリード群という)26Aの位置の認識処理
をする。この際に、テープキャリア側のリード26Aの2
点(対角コーナー2点)において、テープ群全体の中心
座標X,Yやその配置傾き量Δθが算出される。また、
全リードが確認されるとテープ群全体の中心座標X,Y
やその配置傾き量Δθが算出され、不良リード26Aの欠
損確認が行われる。
【0010】次に、ステップP2で半導体チップ17の
バンプ群27Aの位置の認識処理をする。この際に、半導
体チップ側の対角コーナ2点において基準位置が確認さ
れ、これに基づいてバンプ27Aの中心座標X,Yやその
配置傾き量Δθが算出される。
バンプ群27Aの位置の認識処理をする。この際に、半導
体チップ側の対角コーナ2点において基準位置が確認さ
れ、これに基づいてバンプ27Aの中心座標X,Yやその
配置傾き量Δθが算出される。
【0011】その後、ステップP3 でリード26Aに対向
するバンプ27Aとの位置合わせをして、両者の接合処理
をする。これにより、256 ピン程度の少ピン品種のリー
ド26Aとバンプ27Aとが接続される。
するバンプ27Aとの位置合わせをして、両者の接合処理
をする。これにより、256 ピン程度の少ピン品種のリー
ド26Aとバンプ27Aとが接続される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来例のIL
B装置によれば、テープキャリア側のリード26Aの2点
(対角コーナー2点)において、テープ群全体の中心座
標X,Yやその配置傾き量Δθが算出され、また、半導
体チップ17のバンプ群27Aの位置の認識処理に基づい
て半導体チップ17のバンプ群27Aとテープキャリア2
6のリード群26Aとが自動接続されている。
B装置によれば、テープキャリア側のリード26Aの2点
(対角コーナー2点)において、テープ群全体の中心座
標X,Yやその配置傾き量Δθが算出され、また、半導
体チップ17のバンプ群27Aの位置の認識処理に基づい
て半導体チップ17のバンプ群27Aとテープキャリア2
6のリード群26Aとが自動接続されている。
【0013】一方、半導体装置の高集積,高密度化に伴
い半導体チップ17が超多ピン化及びファインピッチ化
の傾向にある。例えば、図7(b)において、かかる傾
向からテープキャリア26のリード本数が256 ピンから
500ピン以上に設計せざるを得なくなると、そのリード
ピッチAが 150〜200 〔μm〕から70〜100 〔μm〕
のように狭くなる。また、そのリード幅Cも50〔μ
m〕から40〔μm〕のように一段と狭くなる。
い半導体チップ17が超多ピン化及びファインピッチ化
の傾向にある。例えば、図7(b)において、かかる傾
向からテープキャリア26のリード本数が256 ピンから
500ピン以上に設計せざるを得なくなると、そのリード
ピッチAが 150〜200 〔μm〕から70〜100 〔μm〕
のように狭くなる。また、そのリード幅Cも50〔μ
m〕から40〔μm〕のように一段と狭くなる。
【0014】このため、テープキャリア26のリードピ
ッチAが 100μm以下の超多ピンになると、半導体チッ
プ17のバンプ群27Aとテープキャリア26のリード群
26Aとの接合処理において、図8(a)に示すように接
合不良部4を招く恐れがある。
ッチAが 100μm以下の超多ピンになると、半導体チッ
プ17のバンプ群27Aとテープキャリア26のリード群
26Aとの接合処理において、図8(a)に示すように接
合不良部4を招く恐れがある。
【0015】これは、仮にテープキャリア26のリード
ピッチAがバラつき無く形成され、また、その1本のリ
ード幅Cがバラつき無く形成された場合であっても、一
辺のリード群のリード全ピッチBがバラついたり、四辺
の直角度(対向ずれ角)θが相違するために、バンプ群
27Aに対向するリード群26A間に位置ずれを起こし、バ
ンプ群27Aの一部のバンプとリード群26Aの一部とに接
合不良を生じるものと考えられる。
ピッチAがバラつき無く形成され、また、その1本のリ
ード幅Cがバラつき無く形成された場合であっても、一
辺のリード群のリード全ピッチBがバラついたり、四辺
の直角度(対向ずれ角)θが相違するために、バンプ群
27Aに対向するリード群26A間に位置ずれを起こし、バ
ンプ群27Aの一部のバンプとリード群26Aの一部とに接
合不良を生じるものと考えられる。
【0016】なお、四辺の直角度θとは、図8(b)に
示すように、上辺のリード群の中心座標Y1と下辺のリ
ード群の中心座標Y2とを結ぶ線分Y1−Y2と、これ
に交差する左辺のリード群の中心座標X1と右辺のリー
ド群の中心座標X2とを結ぶ線分X1−X2とのなす角
度をいう。この四辺の直角度θは、ある許容値を相対的
に満たさないこと、全辺の均等な位置合わせが困難にな
るものである。
示すように、上辺のリード群の中心座標Y1と下辺のリ
ード群の中心座標Y2とを結ぶ線分Y1−Y2と、これ
に交差する左辺のリード群の中心座標X1と右辺のリー
ド群の中心座標X2とを結ぶ線分X1−X2とのなす角
度をいう。この四辺の直角度θは、ある許容値を相対的
に満たさないこと、全辺の均等な位置合わせが困難にな
るものである。
【0017】例えば、四辺の直角度θが90度でない場
合には、バンプ群27Aとリード群26Aとの位置合わせは
困難となり、また、両者の接合が不可能となる。また、
テープキャリア26の超多ピン化及びファインピッチ化
に伴い、バンプ群27Aが比較的に精度良くダイ部27Aに
配置されるのに対して、テープキャリア26のリード群
26Aが変形し易く、わずかなテープ変位であっても、リ
ード座標が設計パターンと異なる場合がある。
合には、バンプ群27Aとリード群26Aとの位置合わせは
困難となり、また、両者の接合が不可能となる。また、
テープキャリア26の超多ピン化及びファインピッチ化
に伴い、バンプ群27Aが比較的に精度良くダイ部27Aに
配置されるのに対して、テープキャリア26のリード群
26Aが変形し易く、わずかなテープ変位であっても、リ
ード座標が設計パターンと異なる場合がある。
【0018】これにより、当該装置の自動認識精度の低
下を招いたり、不正確な位置合わせから精度良いボンデ
ィング処理の妨げとなるという問題がある。本発明は、
かかる従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、
リード群が超多ピン化及びファインピッチ化した場合で
あっても、該リード群の認識アルゴリズムを工夫し、リ
ード群の四辺の直角度を識別して良否を判定すること、
及びリード群に対するバンプの位置ずれを補正して精度
良いボンディング処理をすることが可能となる半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
下を招いたり、不正確な位置合わせから精度良いボンデ
ィング処理の妨げとなるという問題がある。本発明は、
かかる従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、
リード群が超多ピン化及びファインピッチ化した場合で
あっても、該リード群の認識アルゴリズムを工夫し、リ
ード群の四辺の直角度を識別して良否を判定すること、
及びリード群に対するバンプの位置ずれを補正して精度
良いボンディング処理をすることが可能となる半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】図1は、本発明に係る半
導体装置の製造方法に用いられる製造装置の構成図であ
り、図2(a)〜(c)は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の原理図である。
導体装置の製造方法に用いられる製造装置の構成図であ
り、図2(a)〜(c)は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の原理図である。
【0020】
【0021】
【0022】本発明の半導体装置の製造方法は、図2
(a)のフローチャートに示すように、まず、ステップ
P1で配線保持体16の配線群16Aの配置画像を取得
する第1の画像取得処理と、ステップP2で前記半導体
チップ17の電極群17Aの配置画像を取得する第2の
画像取得処理とをし、次いで、ステップP3で前記第
1,第2の画像取得処理に基づいて前記配線群16Aと
電極群17Aとの位置ずれ補正処理をし、その後ステッ
プP4で前記位置ずれ補正処理に基づいて配線群16A
と電極群17Aとを接続する半導体装置の製造方法であ
って、前記位置ズレ補正処理は回転方向の補正処理を含
み、該回転方向の補正処理は、前記第1の画像取得処理
により得たデータから前記配線群(16A)の各辺の基
準座標(X1,X2,Y1,Y2)を算出した後、前記
配線群(16A)の相互に対向する各辺同士の前記基準
座標(X1,X2)及び(Y1,Y2)を結んでできる
角度である直角度(θo )を算出し、該直角度(θo )
に基づいて前記配線群(16A)の全体の回転補正量を
算出して前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθte)
とする処理と、前記第2の画像処理により得たデータか
ら前記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )を算出
する処理と、前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθ
te)と前記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )と
から、 回転補正量(Δθct)=Δθte+Δθc (但し、Δθte,Δθc は、正又は負の符号を含む量で
あり、一定方向の回転を正とし、前記一定方向と逆方向
の回転を負とする。)を算出する処理とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され、第
2に、前記配線群16Aの各辺の基準座標X1,X2,
Y1,Y2は、それぞれ前記各辺の中心を示す座標であ
ることを特徴とする第1の発明に記載の半導体装置の製
造方法によって解決され、第3に、前記配線群16Aの
直角度θo を算出した後、該直角度θo と該直角度θo
の許容範囲θ±Δθr(θ=90°)とを比較して、前
記配線群16Aの良否の判定を行うことを特徴とする第
1又は第2の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決される。
(a)のフローチャートに示すように、まず、ステップ
P1で配線保持体16の配線群16Aの配置画像を取得
する第1の画像取得処理と、ステップP2で前記半導体
チップ17の電極群17Aの配置画像を取得する第2の
画像取得処理とをし、次いで、ステップP3で前記第
1,第2の画像取得処理に基づいて前記配線群16Aと
電極群17Aとの位置ずれ補正処理をし、その後ステッ
プP4で前記位置ずれ補正処理に基づいて配線群16A
と電極群17Aとを接続する半導体装置の製造方法であ
って、前記位置ズレ補正処理は回転方向の補正処理を含
み、該回転方向の補正処理は、前記第1の画像取得処理
により得たデータから前記配線群(16A)の各辺の基
準座標(X1,X2,Y1,Y2)を算出した後、前記
配線群(16A)の相互に対向する各辺同士の前記基準
座標(X1,X2)及び(Y1,Y2)を結んでできる
角度である直角度(θo )を算出し、該直角度(θo )
に基づいて前記配線群(16A)の全体の回転補正量を
算出して前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθte)
とする処理と、前記第2の画像処理により得たデータか
ら前記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )を算出
する処理と、前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθ
te)と前記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )と
から、 回転補正量(Δθct)=Δθte+Δθc (但し、Δθte,Δθc は、正又は負の符号を含む量で
あり、一定方向の回転を正とし、前記一定方向と逆方向
の回転を負とする。)を算出する処理とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され、第
2に、前記配線群16Aの各辺の基準座標X1,X2,
Y1,Y2は、それぞれ前記各辺の中心を示す座標であ
ることを特徴とする第1の発明に記載の半導体装置の製
造方法によって解決され、第3に、前記配線群16Aの
直角度θo を算出した後、該直角度θo と該直角度θo
の許容範囲θ±Δθr(θ=90°)とを比較して、前
記配線群16Aの良否の判定を行うことを特徴とする第
1又は第2の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決される。
【0023】
【0024】また、前記半導体装置の製造方法におい
て、図2(a)のフローチャートや図2(c)に示すよ
うに、ステップP3AのA1で前記配線保持体16の配
線群16Aの中心座標X1,X2,Y1,Y2の検出処
理に基づいて該配線群16Aの直角度θo を算出し、さ
らに、該直角度θo に基づいて前記配線群16Aの全体
の回転補正量を算出して前記配線群16Aの配置傾き量
Δθteとし、ステップP3AのA2で前記配線群16A
の直角度θoを算出し、その直角度θoと直角度の許容
範囲θ±Δθrとを比較して、前記配線群16Aの良否
の判定を行うことを特徴とする第1又は第2の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって解決される。
て、図2(a)のフローチャートや図2(c)に示すよ
うに、ステップP3AのA1で前記配線保持体16の配
線群16Aの中心座標X1,X2,Y1,Y2の検出処
理に基づいて該配線群16Aの直角度θo を算出し、さ
らに、該直角度θo に基づいて前記配線群16Aの全体
の回転補正量を算出して前記配線群16Aの配置傾き量
Δθteとし、ステップP3AのA2で前記配線群16A
の直角度θoを算出し、その直角度θoと直角度の許容
範囲θ±Δθrとを比較して、前記配線群16Aの良否
の判定を行うことを特徴とする第1又は第2の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって解決される。
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法によれば、図2
(a)のフローチャートに示すように、ステップP3で
第1,第2の画像取得処理に基づいて配線群16Aと電
極群17Aの位置ずれ補正処理をし、その後、ステップ
P4で位置ずれ補正処理に基づいて配線群16Aと電極
群17Aとを接続している。
(a)のフローチャートに示すように、ステップP3で
第1,第2の画像取得処理に基づいて配線群16Aと電
極群17Aの位置ずれ補正処理をし、その後、ステップ
P4で位置ずれ補正処理に基づいて配線群16Aと電極
群17Aとを接続している。
【0030】すなわち、ステップP3で行う位置ずれ補
正処理のうち、回転方向の位置ずれを補正する場合、図
2(a)のフローチャートに示すように、ステップP3
Aで第1,第2の画像取得処理に基づいて配線保持体1
6の配線群16Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,
Y2と、半導体チップ17の電極群17Aの配置傾き量
Δθc と、配線保持体16の配線群16Aの配置傾き量
Δθteとが算出されると、その後、ステップP3Bで配
置傾き量Δθc と配置傾き量Δθteから、配線群16A
と電極群17Aの位置ずれを補正するための回転補正量
Δθctが算出される(図2(b),(c)参照)。
正処理のうち、回転方向の位置ずれを補正する場合、図
2(a)のフローチャートに示すように、ステップP3
Aで第1,第2の画像取得処理に基づいて配線保持体1
6の配線群16Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,
Y2と、半導体チップ17の電極群17Aの配置傾き量
Δθc と、配線保持体16の配線群16Aの配置傾き量
Δθteとが算出されると、その後、ステップP3Bで配
置傾き量Δθc と配置傾き量Δθteから、配線群16A
と電極群17Aの位置ずれを補正するための回転補正量
Δθctが算出される(図2(b),(c)参照)。
【0031】このため、回転補正量Δθctを調整するこ
とにより、例えば、四辺の直角度θo の許容範囲内で、
配線群16Aに電極群17Aを精度良く対向させること
ができるので、ステップP4で精度良く配線群16Aと
電極群17Aとを接続することができる。
とにより、例えば、四辺の直角度θo の許容範囲内で、
配線群16Aに電極群17Aを精度良く対向させること
ができるので、ステップP4で精度良く配線群16Aと
電極群17Aとを接続することができる。
【0032】なお、図2(a)のフローチャートに示す
ように、ステップP3AのA1で配線保持体16の配線
群16Aの中心座標X1,X2,Y1,Y2の検出に基
づいて該配線群16Aの直角度θo を算出し、さらに、
ステップP3AのA2で直角度θo と直角度の許容範囲
θ±Δθr とを比較している。
ように、ステップP3AのA1で配線保持体16の配線
群16Aの中心座標X1,X2,Y1,Y2の検出に基
づいて該配線群16Aの直角度θo を算出し、さらに、
ステップP3AのA2で直角度θo と直角度の許容範囲
θ±Δθr とを比較している。
【0033】そして、配線群16Aの直角度θo が許容
範囲θ±Δθrを越える場合には、それを不良品として
排除することができる。このことで、配線保持体16の
不良判定処理精度を向上させることが可能となる。
範囲θ±Δθrを越える場合には、それを不良品として
排除することができる。このことで、配線保持体16の
不良判定処理精度を向上させることが可能となる。
【0034】これにより、半導体集積回路装置の高集
積,高密度化に伴い配線保持体16のリードピッチが1
00μm以下のように超多ピン化された場合であって
も、従来例のような半導体チップ17の電極群17Aと
配線保持体16の配線群16Aとの間に生じていた接合
不良部が無くなり、精度良いボンディングを行うことが
可能となる。
積,高密度化に伴い配線保持体16のリードピッチが1
00μm以下のように超多ピン化された場合であって
も、従来例のような半導体チップ17の電極群17Aと
配線保持体16の配線群16Aとの間に生じていた接合
不良部が無くなり、精度良いボンディングを行うことが
可能となる。
【0035】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。図3は、本発明の実施例に係る半導体装
置の製造方法に用いられるインナーリードボンディング
装置の構成図である。
いて説明する。図3は、本発明の実施例に係る半導体装
置の製造方法に用いられるインナーリードボンディング
装置の構成図である。
【0036】例えば、テープキャリア26(配線保持体
16の一例)のインナーリード群26A(以下、単にリ
ード群という。配線群16Aの一例)と半導体チップ1
7のダイ部(以下単にダイ部という)27のパッド群2
7A(電極群17Aの一例)とを該リードの四辺の直角
度θo の補正(以下、θ補正という)をして、両者を自
動接続する装置は、図3において、第1,第2のカメラ
システム21,22,移動ステージ23,制御装置24
及びステージ駆動システム25からなる。
16の一例)のインナーリード群26A(以下、単にリ
ード群という。配線群16Aの一例)と半導体チップ1
7のダイ部(以下単にダイ部という)27のパッド群2
7A(電極群17Aの一例)とを該リードの四辺の直角
度θo の補正(以下、θ補正という)をして、両者を自
動接続する装置は、図3において、第1,第2のカメラ
システム21,22,移動ステージ23,制御装置24
及びステージ駆動システム25からなる。
【0037】すなわち、第1のカメラシステム21は第
1の画像取得手段11の一実施例であり、リード26Aの
配置画像を取得して第1の配置画像データD1を制御装
置24に出力するものである。なお、第1のカメラシス
テム21はテープキャリア26が搬送されてくる配線接
合領域上に設けられる。
1の画像取得手段11の一実施例であり、リード26Aの
配置画像を取得して第1の配置画像データD1を制御装
置24に出力するものである。なお、第1のカメラシス
テム21はテープキャリア26が搬送されてくる配線接
合領域上に設けられる。
【0038】第2のカメラシステム22は第2の画像取
得手段12の一実施例であり、パッド群27Aの配置画像
を取得して第2の配置画像データD2を制御装置24に
出力するものである。なお、第2のカメラシステム22
は配線接合領域から外れた画像取得領域に設けられる。
得手段12の一実施例であり、パッド群27Aの配置画像
を取得して第2の配置画像データD2を制御装置24に
出力するものである。なお、第2のカメラシステム22
は配線接合領域から外れた画像取得領域に設けられる。
【0039】移動ステージ23は配線接合手段13の一
実施例であり、パッド群27Aが形成された半導体チップ
17を保持するものである。また、該ステージ23は、
制御装置24から出力されるθ補正信号S1やその他の
信号に基づいてそのダイ部27の中心を軸にして回転を
したり、半導体チップ17を保持した状態でX,Y,Z
方向に移動する機能を有している。
実施例であり、パッド群27Aが形成された半導体チップ
17を保持するものである。また、該ステージ23は、
制御装置24から出力されるθ補正信号S1やその他の
信号に基づいてそのダイ部27の中心を軸にして回転を
したり、半導体チップ17を保持した状態でX,Y,Z
方向に移動する機能を有している。
【0040】さらに、移動ステージ23は画像取得領域
から配線接合領域に移動されると、それがテープキャリ
ア26のリード群26Aの方向に上昇(ZUP)され、該
リード群26Aとパッド群27Aとを熱接合するものであ
る。
から配線接合領域に移動されると、それがテープキャリ
ア26のリード群26Aの方向に上昇(ZUP)され、該
リード群26Aとパッド群27Aとを熱接合するものであ
る。
【0041】制御装置24は制御手段14の一実施例で
あり、第1,第2のカメラシステム21,22,移動ス
テージ23及びステージ駆動システム25の入出力を制
御するものである。例えば、制御装置24は演算部24
A,比較部24B,メモリ部24C及びその他の処理部24D
から成る。
あり、第1,第2のカメラシステム21,22,移動ス
テージ23及びステージ駆動システム25の入出力を制
御するものである。例えば、制御装置24は演算部24
A,比較部24B,メモリ部24C及びその他の処理部24D
から成る。
【0042】演算部24Aは、第1,第2の配置画像デ
ータD1,D2に基づいてリード群26Aやパッド群2
7Aに係るX,Y座標を演算したり、直角度θ0 や配置
傾き量Δθteを演算するものである。比較部24Bはθ
補正時のボンディング条件を比較するものである。メモ
リ部24Cは、リード群26Aやパッド群27Aに係る
X,Y座標検出データΔX,ΔYやその補正ベクトルデ
ータ等を一時記憶するものである。
ータD1,D2に基づいてリード群26Aやパッド群2
7Aに係るX,Y座標を演算したり、直角度θ0 や配置
傾き量Δθteを演算するものである。比較部24Bはθ
補正時のボンディング条件を比較するものである。メモ
リ部24Cは、リード群26Aやパッド群27Aに係る
X,Y座標検出データΔX,ΔYやその補正ベクトルデ
ータ等を一時記憶するものである。
【0043】その他の処理部24Dは、演算部24A,比較
部24B及びメモリ部24Cの入出力を補助するものであ
る。なお、本発明の実施例では、制御装置24が第1,
第2の配置画像データD1,D2に基づいてリード群26
Aに対向するパッド群27Aとの位置ずれを補正する。例
えば、制御装置24から移動ステージ23にθ補正信号
S1やステージ駆動システム24に移動制御信号S2等
がそれぞれ出力される。また、インナーリードのθ補正
方法については、図4において詳述し、その一例を図5
において説明をする。
部24B及びメモリ部24Cの入出力を補助するものであ
る。なお、本発明の実施例では、制御装置24が第1,
第2の配置画像データD1,D2に基づいてリード群26
Aに対向するパッド群27Aとの位置ずれを補正する。例
えば、制御装置24から移動ステージ23にθ補正信号
S1やステージ駆動システム24に移動制御信号S2等
がそれぞれ出力される。また、インナーリードのθ補正
方法については、図4において詳述し、その一例を図5
において説明をする。
【0044】また、ステージ駆動システム25は移動手
段15の一実施例であり、移動制御信号S2に基づいて
画像取得領域から第1のカメラシステム直下の配線接合
領域に半導体チップ17を移動するものである。
段15の一実施例であり、移動制御信号S2に基づいて
画像取得領域から第1のカメラシステム直下の配線接合
領域に半導体チップ17を移動するものである。
【0045】図4(a)〜(c)は本発明の実施例に係
るインナーリードの四辺の直角度の説明図であり、図4
(a)は配置ずれを生じたインナーリードの四辺の状態
図を示している。
るインナーリードの四辺の直角度の説明図であり、図4
(a)は配置ずれを生じたインナーリードの四辺の状態
図を示している。
【0046】本発明の実施例で取り扱うテープキャリア
26は、図4(a)において、例えば、半導体チップが
接合される領域の上辺,下辺,左辺及び右辺にインナー
リード群を有しているものである。
26は、図4(a)において、例えば、半導体チップが
接合される領域の上辺,下辺,左辺及び右辺にインナー
リード群を有しているものである。
【0047】また、図4(b)はインナーリードの四辺
の直角度のずれを示す状態図である。図4(b)におい
て、該リードの四辺の直角度のずれ量θ1 ,θ2 は、リ
ード群26Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,Y2
から求めた直角度θ0 から四辺の直角度θ=90°を差
し引くことにより算出することができる。
の直角度のずれを示す状態図である。図4(b)におい
て、該リードの四辺の直角度のずれ量θ1 ,θ2 は、リ
ード群26Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,Y2
から求めた直角度θ0 から四辺の直角度θ=90°を差
し引くことにより算出することができる。
【0048】例えば、上下・左右の四辺に配置ずれを生
じたインナーリード26Aが設けられたテープキャリア
26では、直角度θ0 が四辺の直角度θ=90°よりも
小さくなる場合がある。これは、上辺のリード群の中心
座標Y1と下辺のリード群の中心座標Y2とを結ぶ線分
Y1−Y2と、これに交差する左辺のリード群の中心座
標X1と右辺のリード群の中心座標X2とを結ぶ線分X
1−X2との成す角度が直角(θ=90°)にならない
場合である(図4(b)参照)。
じたインナーリード26Aが設けられたテープキャリア
26では、直角度θ0 が四辺の直角度θ=90°よりも
小さくなる場合がある。これは、上辺のリード群の中心
座標Y1と下辺のリード群の中心座標Y2とを結ぶ線分
Y1−Y2と、これに交差する左辺のリード群の中心座
標X1と右辺のリード群の中心座標X2とを結ぶ線分X
1−X2との成す角度が直角(θ=90°)にならない
場合である(図4(b)参照)。
【0049】さらに、図4(c)に示すような上下・左
右の四辺に配置ずれを生じたインナーリード26Aが設
けられたテープキャリア26では、直角度θ0 が四辺の
直角度θ=90°よりも大きくなる場合である。
右の四辺に配置ずれを生じたインナーリード26Aが設
けられたテープキャリア26では、直角度θ0 が四辺の
直角度θ=90°よりも大きくなる場合である。
【0050】従って、テープキャリア26の直角度θ0
を補正する場合、まず、X,Y方向の各辺毎に中心座標
データX1,X2,Y1,Y2を検出する。また、X,
Y方向の各辺毎に直角度θ0 に係るθ補正ベクトル値θ
1 ,θ2 を算出する。これにより、総合θ補正ベクトル
値を算出する。ここで、総合θ補正ベクトル値をΔθと
すれば、(1)式により算出することができる。
を補正する場合、まず、X,Y方向の各辺毎に中心座標
データX1,X2,Y1,Y2を検出する。また、X,
Y方向の各辺毎に直角度θ0 に係るθ補正ベクトル値θ
1 ,θ2 を算出する。これにより、総合θ補正ベクトル
値を算出する。ここで、総合θ補正ベクトル値をΔθと
すれば、(1)式により算出することができる。
【0051】Δθ=(θ1+θ2)/2………(1) また、X,Y方向の位置補正ベクトル値を算出する。こ
こで、位置補正ベクトル値をΔX,ΔYとすれば、
(2),(3)式により算出する。
こで、位置補正ベクトル値をΔX,ΔYとすれば、
(2),(3)式により算出する。
【0052】 ΔX=(X1+X2)/2・・・・(2) ΔY=(Y1+Y2)/2・・・・(3) なお、テープキャリア26のリード群26Aの各辺の中
心座標X1,X2,Y1,Y2と、半導体チップ17の
パッド群27Aの配置傾き量Δθc とを検出し、リード
群26Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,Y2から
リード群26Aの配置傾き量Δθteを算出し、さらにリ
ード群26Aの配置傾き量Δθteとパッド群27Aの配
置傾き量Δθc とにより、リード群26Aと、これと対
向するパッド群27Aとの位置ずれを補正する回転補正
量(θ補正量ともいう)Δθctを算出する。
心座標X1,X2,Y1,Y2と、半導体チップ17の
パッド群27Aの配置傾き量Δθc とを検出し、リード
群26Aの各辺の中心座標X1,X2,Y1,Y2から
リード群26Aの配置傾き量Δθteを算出し、さらにリ
ード群26Aの配置傾き量Δθteとパッド群27Aの配
置傾き量Δθc とにより、リード群26Aと、これと対
向するパッド群27Aとの位置ずれを補正する回転補正
量(θ補正量ともいう)Δθctを算出する。
【0053】また、θ補正時のボンディング条件は、リ
ード群26Aの四辺の直角度θに許容傾き量±Δθr を
加えた角度を上限値A及び下限値Bとして設定する。例
えば、許容傾き量をΔθr =0.05 °とすると、リード
群26Aの直角度θo の上限値Aは90.05 °であり、そ
の下限値Bは89.95 °となる。
ード群26Aの四辺の直角度θに許容傾き量±Δθr を
加えた角度を上限値A及び下限値Bとして設定する。例
えば、許容傾き量をΔθr =0.05 °とすると、リード
群26Aの直角度θo の上限値Aは90.05 °であり、そ
の下限値Bは89.95 °となる。
【0054】これにより、B<θo <Aの関係を満足す
る場合には、θ補正処理に移行し、これ以外はθ補正処
理に移行せずに不良とする。なお、上・下限値A,Bは
品種毎に設定をし、このボンディング条件は、リード群
26Aの直角度θo と許容直角度θ±Δθr とを比較す
ることにより実行する。また、このリード群26Aの配
置傾き量θteが、ある許容傾き量±Δθr を相対的に満
たした場合に、全辺の均等な位置合わせを行うことも可
能となる。
る場合には、θ補正処理に移行し、これ以外はθ補正処
理に移行せずに不良とする。なお、上・下限値A,Bは
品種毎に設定をし、このボンディング条件は、リード群
26Aの直角度θo と許容直角度θ±Δθr とを比較す
ることにより実行する。また、このリード群26Aの配
置傾き量θteが、ある許容傾き量±Δθr を相対的に満
たした場合に、全辺の均等な位置合わせを行うことも可
能となる。
【0055】このようにして、本発明の実施例に係るイ
ンナーリードボンディング装置によれば、図3に示すよ
うに第1,第2のカメラシステム21,22,移動ステ
ージ23,制御装置24及びステージ駆動システム25
が具備され、該制御装置24により、第1,第2の配置
画像データD1,D2に基づいてリード群26Aに対向す
るパッド群27Aとの位置ずれが補正される。
ンナーリードボンディング装置によれば、図3に示すよ
うに第1,第2のカメラシステム21,22,移動ステ
ージ23,制御装置24及びステージ駆動システム25
が具備され、該制御装置24により、第1,第2の配置
画像データD1,D2に基づいてリード群26Aに対向す
るパッド群27Aとの位置ずれが補正される。
【0056】例えば、テープキャリア26のリード群26
Aの配置画像が第1のカメラシステム21により取得さ
れると、その第1の配置画像データD1が制御装置24
に出力される。また、半導体チップ17のパッド群27A
の配置画像が第2のカメラシステム22により取得され
ると、その第2の配置画像データD2が制御装置24に
出力される。
Aの配置画像が第1のカメラシステム21により取得さ
れると、その第1の配置画像データD1が制御装置24
に出力される。また、半導体チップ17のパッド群27A
の配置画像が第2のカメラシステム22により取得され
ると、その第2の配置画像データD2が制御装置24に
出力される。
【0057】このため、該制御装置24では、第1,第
2の配置画像データD1,D2に基づいてリード群26A
に対向するパッド群27Aとの位置ずれが補正される。ま
た、制御装置24を介してステージ駆動システム25に
より半導体チップ17が画像取得領域から配線接合領域
に移動されると、テープキャリア26のリード群26Aと
半導体チップ17のパッド群27Aとが移動ステージ23
により自動接続される。この際に、制御装置24で位置
ずれが補正されたリード群26Aと、これに対向するパッ
ド群27Aとが位置合わせされ、必要に応じて、再位置ず
れ補正処理が行われる。
2の配置画像データD1,D2に基づいてリード群26A
に対向するパッド群27Aとの位置ずれが補正される。ま
た、制御装置24を介してステージ駆動システム25に
より半導体チップ17が画像取得領域から配線接合領域
に移動されると、テープキャリア26のリード群26Aと
半導体チップ17のパッド群27Aとが移動ステージ23
により自動接続される。この際に、制御装置24で位置
ずれが補正されたリード群26Aと、これに対向するパッ
ド群27Aとが位置合わせされ、必要に応じて、再位置ず
れ補正処理が行われる。
【0058】これにより、当該装置の自動認識精度の向
上が図られ、リード群26Aとパッド群27Aとの正確な位
置合わせを行うことができる。このことから精度良いボ
ンディング処理の実行することが可能となる。
上が図られ、リード群26Aとパッド群27Aとの正確な位
置合わせを行うことができる。このことから精度良いボ
ンディング処理の実行することが可能となる。
【0059】次に、本発明の実施例に係るインナーリー
ドボンディング方法について当該装置の動作を補足しな
がら説明をする。図5は、本発明の実施例に係るインナ
ーリードとバンプとの接合処理フローチャートであり、
図6(a),(b)はそれの補足説明図を示している。
ドボンディング方法について当該装置の動作を補足しな
がら説明をする。図5は、本発明の実施例に係るインナ
ーリードとバンプとの接合処理フローチャートであり、
図6(a),(b)はそれの補足説明図を示している。
【0060】例えば、図6(a)に示すような4辺に設
けられたリード群26Aと図6(b)に示すような4辺に
設けられたパッド群27Aとを第1,第2の配置画像デー
タD1,D2に基づいて両者の直角度の補正(以下θ補
正という)をして、該リード群26Aに対向するパッド群
27Aとを自動接続する場合、図5において、まず、ステ
ップP1〜P4でテープキャリア26のリード群26Aに
係る配置画像の取得処理(第1の画像取得処理)に基づ
いて、該リード群26Aに係る全ピンの認識をし、その検
出データの転送処理をする。
けられたリード群26Aと図6(b)に示すような4辺に
設けられたパッド群27Aとを第1,第2の配置画像デー
タD1,D2に基づいて両者の直角度の補正(以下θ補
正という)をして、該リード群26Aに対向するパッド群
27Aとを自動接続する場合、図5において、まず、ステ
ップP1〜P4でテープキャリア26のリード群26Aに
係る配置画像の取得処理(第1の画像取得処理)に基づ
いて、該リード群26Aに係る全ピンの認識をし、その検
出データの転送処理をする。
【0061】すなわち、ステップP1でテープキャリア
26の第1点目の隅位置(以下第1の隅位置という)p
1の検出をする。この際に、第1の画像取得データD1
に基づいて第1の隅位置p1のX,Y座標として,例え
ば、検出量ΔXt1,ΔYt1が得られる。
26の第1点目の隅位置(以下第1の隅位置という)p
1の検出をする。この際に、第1の画像取得データD1
に基づいて第1の隅位置p1のX,Y座標として,例え
ば、検出量ΔXt1,ΔYt1が得られる。
【0062】次いで、ステップP2でテープキャリア2
6の第1の隅位置p1の対角隅となる第2点目の隅位置
(以下第2の隅位置という)p2の検出をする。この際
に、第1の画像取得データD1に基づいて第2の隅位置
p2のX,Y座標として,例えば、検出量ΔXt2,ΔY
t2が得られる。
6の第1の隅位置p1の対角隅となる第2点目の隅位置
(以下第2の隅位置という)p2の検出をする。この際
に、第1の画像取得データD1に基づいて第2の隅位置
p2のX,Y座標として,例えば、検出量ΔXt2,ΔY
t2が得られる。
【0063】次に、ステップP3で第1,第2の隅位置
p1,p2の2点補正による補正量ΔXt,ΔYtの計
算をする。この際に、第1の隅位置p1の検出量ΔXt
1,ΔYt1と第2の隅位置p2の検出量ΔXt2,ΔYt2
から補正量ΔXt,ΔYtが制御装置24の演算部24A
を介して(4),(5)式より算出される。
p1,p2の2点補正による補正量ΔXt,ΔYtの計
算をする。この際に、第1の隅位置p1の検出量ΔXt
1,ΔYt1と第2の隅位置p2の検出量ΔXt2,ΔYt2
から補正量ΔXt,ΔYtが制御装置24の演算部24A
を介して(4),(5)式より算出される。
【0064】 ΔXt=(ΔXt1+ΔXt2)/2・・・・(4) ΔYt=(ΔYt1+ΔYt2)/2・・・・(5) その後、ステップP4でテープキャリア26のリード群
26Aに係る全ピンの認識をする。この際に、テープキ
ャリア26の各辺のX,Y方向の中心座標検出データ
(平均座標)ΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrを得るこ
とにより全ピンが認識される。
26Aに係る全ピンの認識をする。この際に、テープキ
ャリア26の各辺のX,Y方向の中心座標検出データ
(平均座標)ΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrを得るこ
とにより全ピンが認識される。
【0065】ここで、テープキャリア26の上辺のリー
ド数をk,下辺のリード数をl,左辺のリード数をm,
下辺のリード数をnとし、上辺のリード1本毎のX座標
をΔXtu1〜ΔXtuk,下辺のリード1本毎のX座標を
ΔXtd1〜ΔXtdl,左辺のリード1本毎のY座標をΔ
Ytl1〜ΔYtlm,下辺のリード1本毎のY座標をΔY
tr1〜ΔYtrnとすると、その各辺のリードのX,Y方
向の中心座標ΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrは(6)
〜(9)式により算出される。
ド数をk,下辺のリード数をl,左辺のリード数をm,
下辺のリード数をnとし、上辺のリード1本毎のX座標
をΔXtu1〜ΔXtuk,下辺のリード1本毎のX座標を
ΔXtd1〜ΔXtdl,左辺のリード1本毎のY座標をΔ
Ytl1〜ΔYtlm,下辺のリード1本毎のY座標をΔY
tr1〜ΔYtrnとすると、その各辺のリードのX,Y方
向の中心座標ΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrは(6)
〜(9)式により算出される。
【0066】 ΔXtu=(ΔXtu1+ΔXtu2+・・・+ΔXtuk)/k・・・・(6) ΔXtd=(ΔXtd1+ΔXtd2+・・・+ΔXtdl)/l・・・・(7) ΔYtl=(ΔYtl1+ΔYtl2+・・・+ΔYtlm)/m・・・・(8) ΔYtr=(ΔYtr1+ΔYtr2+・・・+ΔYtrn)/n・・・・(9) さらに、ステップP5で第1,第2の隅位置p1,p2
の2点補正による補正量ΔXt,ΔYt及び全ピンの認
識による中心座標検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,
ΔYtrの転送処理をする。この際に、ダイ部27の補正
処理(補正サブルーチンブロック)に移行する場合に
は、該検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrに補
正量ΔXt,ΔYtを加算して転送する。
の2点補正による補正量ΔXt,ΔYt及び全ピンの認
識による中心座標検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,
ΔYtrの転送処理をする。この際に、ダイ部27の補正
処理(補正サブルーチンブロック)に移行する場合に
は、該検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrに補
正量ΔXt,ΔYtを加算して転送する。
【0067】これに並行して、ステップP6〜P8で半
導体チップ17のパッド群27Aに係る配置画像の取得処
理(第2の画像取得処理)に基づいてダイ部27のθ計
算をする。
導体チップ17のパッド群27Aに係る配置画像の取得処
理(第2の画像取得処理)に基づいてダイ部27のθ計
算をする。
【0068】すなわち、ステップP6でダイ部27の第
1点目の隅位置(以下第1の隅位置という)q1の検出
をする。この際に、第2の画像取得データD2に基づい
て第1の隅位置q1のX,Y座標として,例えば、検出
量ΔXc1,ΔYc1が得られる。
1点目の隅位置(以下第1の隅位置という)q1の検出
をする。この際に、第2の画像取得データD2に基づい
て第1の隅位置q1のX,Y座標として,例えば、検出
量ΔXc1,ΔYc1が得られる。
【0069】次いで、ステップP7でダイ部27の第1
の隅位置q1の対角隅となる第2点目の隅位置(以下第
2の隅位置という)q2の検出をする。この際に、第2
の画像取得データD2に基づいて第2の隅位置q2の
X,Y座標として,例えば、検出量ΔXc2,ΔYc2が得
られる。
の隅位置q1の対角隅となる第2点目の隅位置(以下第
2の隅位置という)q2の検出をする。この際に、第2
の画像取得データD2に基づいて第2の隅位置q2の
X,Y座標として,例えば、検出量ΔXc2,ΔYc2が得
られる。
【0070】その後、ステップP8でダイ部27の配置
傾き量Δθcの計算(θ計算)をする。この際に、第1
の隅位置q1の検出量ΔXc1,ΔYc1と第2の隅位置q
2の検出量ΔXc2,ΔYc2から補正量Δθcが制御装置
24の演算部24Aを介して算出される。
傾き量Δθcの計算(θ計算)をする。この際に、第1
の隅位置q1の検出量ΔXc1,ΔYc1と第2の隅位置q
2の検出量ΔXc2,ΔYc2から補正量Δθcが制御装置
24の演算部24Aを介して算出される。
【0071】さらに、ステップP9で第1,第2の隅位
置p1,p2の2点補正による補正量ΔXt ,ΔYt 及
び全ピンの認識による中心座標検出データΔXtu,ΔX
td,ΔYtl,ΔYtrの転送を受けて、演算部24Aはテ
ープキャリア26の補正量Δθteの計算(θ計算)をす
る。
置p1,p2の2点補正による補正量ΔXt ,ΔYt 及
び全ピンの認識による中心座標検出データΔXtu,ΔX
td,ΔYtl,ΔYtrの転送を受けて、演算部24Aはテ
ープキャリア26の補正量Δθteの計算(θ計算)をす
る。
【0072】この際に、全ピンの認識による水平方向の
傾き量をΔθhor とし、これによる垂直方向の傾き量を
Δθver とすると、テープキャリア26の補正量(平均
傾き量)Δθteは(10)式により算出される。
傾き量をΔθhor とし、これによる垂直方向の傾き量を
Δθver とすると、テープキャリア26の補正量(平均
傾き量)Δθteは(10)式により算出される。
【0073】 Δθte=(Δθhor +Δθver )/2………(10) その後、ステップP10で移動ステージ23のθ回転をす
る。この際に、ダイ部27の配置傾き量Δθcとテープ
キャリア26の補正量Δθteから移動ステージ23の回
転量Δθctが(11)式により算出される。
る。この際に、ダイ部27の配置傾き量Δθcとテープ
キャリア26の補正量Δθteから移動ステージ23の回
転量Δθctが(11)式により算出される。
【0074】Δθct=Δθc+Δθte………(11) 次に、ステップP11でダイ部27の第3点目の隅位置
(以下第3の隅位置という)q3の検出をする。この第
3の隅位置q3の検出は、移動ステージ23の回転後の
位置を特定するためである。この際に、第2の画像取得
データD2に基づいて第3の隅位置q3のX,Y座標と
して,例えば、検出量ΔXc3,ΔYc3が得られる。
(以下第3の隅位置という)q3の検出をする。この第
3の隅位置q3の検出は、移動ステージ23の回転後の
位置を特定するためである。この際に、第2の画像取得
データD2に基づいて第3の隅位置q3のX,Y座標と
して,例えば、検出量ΔXc3,ΔYc3が得られる。
【0075】さらに、ステップP12でボンド点に移動ス
テージ23を移動する。この際に、移動制御信号S2に
基づいてステージ駆動システム25により半導体チップ
17を載置した移動ステージ23が画像取得領域からボ
ンド点(配線接合領域)に移動される。ここで、移動ス
テージ23のX,Y方向及びθ回転に係る移動量XBP,
YBP,θBPは、制御装置24の演算部24Aにより(12)
〜(14)式により算出される。
テージ23を移動する。この際に、移動制御信号S2に
基づいてステージ駆動システム25により半導体チップ
17を載置した移動ステージ23が画像取得領域からボ
ンド点(配線接合領域)に移動される。ここで、移動ス
テージ23のX,Y方向及びθ回転に係る移動量XBP,
YBP,θBPは、制御装置24の演算部24Aにより(12)
〜(14)式により算出される。
【0076】 XBP=BPX+OFFSETx +ΔXc3+ΔXte+ΔXt………(12) YBP=BPY+OFFSETy +ΔYc3+ΔYte+ΔYt………(13) θBP=BPθ+OFFSETθ+Δθc+Δθte………(14) 但し、BPX+OFFSETx ,BPY+OFFSETy 及びBPθ+OFFS
ETθはステージ駆動システム25や移動ステージ23の
微少量の調整座標データ(プログラムパラメータ)であ
る。また、ΔXte,ΔYteはテープキャリア26のθ補
正ベクトル値であり、(15),(16)式により算出され
る。
ETθはステージ駆動システム25や移動ステージ23の
微少量の調整座標データ(プログラムパラメータ)であ
る。また、ΔXte,ΔYteはテープキャリア26のθ補
正ベクトル値であり、(15),(16)式により算出され
る。
【0077】 ΔXte=(ΔXtu+ΔXtd)/2………(15) ΔYte=(ΔYtl+ΔYtr)/2………(16) また、ボンド点においてステップP13〜P18で移動ステ
ージ23のθ回転に基づいてリード群26Aに対向するパ
ッド群27Aとの位置合わせをした状態で位置ずれ補正処
理をする。
ージ23のθ回転に基づいてリード群26Aに対向するパ
ッド群27Aとの位置合わせをした状態で位置ずれ補正処
理をする。
【0078】すなわち、ステップP13でボンド点におけ
るテープキャリア26とダイ部27とが位置合わせされ
た状態において、ダイ部27の第1の隅位置q1の検出
をする。この際に、移動制御信号S2に基づいてステー
ジ駆動システム25により半導体チップ17を載置した
移動ステージ23がZ方向に上昇される。
るテープキャリア26とダイ部27とが位置合わせされ
た状態において、ダイ部27の第1の隅位置q1の検出
をする。この際に、移動制御信号S2に基づいてステー
ジ駆動システム25により半導体チップ17を載置した
移動ステージ23がZ方向に上昇される。
【0079】また、第1のカメラシステム21により第
1の画像取得データD1が取得され、該データD1に基
づいて第1の隅位置q1のX,Y座標として、例えば検
出量ΔXc1,ΔYc1が得られる。
1の画像取得データD1が取得され、該データD1に基
づいて第1の隅位置q1のX,Y座標として、例えば検
出量ΔXc1,ΔYc1が得られる。
【0080】さらに、ステップP14でボンド点におけ
るダイ部27の第1の隅位置q1の対角隅となる第2の
隅位置q2を検出する。この際に、第2の画像取得デー
タD2に基づいて第2の隅位置q2のX,Y座標とし
て、例えば検出量ΔXc2,ΔYc2が得られる。
るダイ部27の第1の隅位置q1の対角隅となる第2の
隅位置q2を検出する。この際に、第2の画像取得デー
タD2に基づいて第2の隅位置q2のX,Y座標とし
て、例えば検出量ΔXc2,ΔYc2が得られる。
【0081】その後、ステップP15でボンド点におけ
るダイ部27の補正量ΔXc,ΔYc,Δθcを計算す
る。この際に、リード群26Aと、これに対向するパッ
ド群27Aとを位置合わせした状態において、その対向
ずれの許容値と比較し、テープキャリア26の良否を判
別する。
るダイ部27の補正量ΔXc,ΔYc,Δθcを計算す
る。この際に、リード群26Aと、これに対向するパッ
ド群27Aとを位置合わせした状態において、その対向
ずれの許容値と比較し、テープキャリア26の良否を判
別する。
【0082】次に、ステップP16でステージ降下をした
後、ダイ部27の位置補正をしてステージを再上昇す
る。この際に、移動制御信号S2に基づいてステージ駆
動システム25により半導体チップ17を載置した移動
ステージ23がZ方向に上下をする。
後、ダイ部27の位置補正をしてステージを再上昇す
る。この際に、移動制御信号S2に基づいてステージ駆
動システム25により半導体チップ17を載置した移動
ステージ23がZ方向に上下をする。
【0083】その後、ステップP17でボンド点におけ
るダイ部27の第3の隅位置q3を検出する。この際
に、第1の画像取得データD1に基づいて第3の隅位置
q3のX,Y座標として、例えば検出量ΔXc2,ΔYc2
が得られる。
るダイ部27の第3の隅位置q3を検出する。この際
に、第1の画像取得データD1に基づいて第3の隅位置
q3のX,Y座標として、例えば検出量ΔXc2,ΔYc2
が得られる。
【0084】次いで、ステップP18で再度ステージを
降下させ、ダイ部27の再位置補正をしてステージを再
上昇させる(ボンディング条件判定)。これは、θ補正
動作の有無を選択するためであり、θ回転軸中心とダイ
部27の中心座標の差が大きい場合に必要となる。
降下させ、ダイ部27の再位置補正をしてステージを再
上昇させる(ボンディング条件判定)。これは、θ補正
動作の有無を選択するためであり、θ回転軸中心とダイ
部27の中心座標の差が大きい場合に必要となる。
【0085】そして、ステップP19で位置ずれ補正処理
に基づいてリード群26Aとパッド群27Aとのボンディン
グ処理をする。この際のボンディング処理は、 400〔°
C〕程度の過熱雰囲気下において熱接合される。
に基づいてリード群26Aとパッド群27Aとのボンディン
グ処理をする。この際のボンディング処理は、 400〔°
C〕程度の過熱雰囲気下において熱接合される。
【0086】これにより、四辺の直角度の許容範囲内に
おいて、全辺の均等な位置合わせを行うことが可能とな
る。このようにして本発明の実施例に係るインナーリー
ドボンディング方法によれば、図5のフローチャートに
示すように、ステップP1〜P10で第1,第2の画像取
得処理に基づいてリード群26Aに対向するパッド群27A
との位置ずれ補正処理をし、その後、ステップP4で位
置ずれ補正処理に基づいてリード群26Aとパッド群27A
との接続処理をしている。
おいて、全辺の均等な位置合わせを行うことが可能とな
る。このようにして本発明の実施例に係るインナーリー
ドボンディング方法によれば、図5のフローチャートに
示すように、ステップP1〜P10で第1,第2の画像取
得処理に基づいてリード群26Aに対向するパッド群27A
との位置ずれ補正処理をし、その後、ステップP4で位
置ずれ補正処理に基づいてリード群26Aとパッド群27A
との接続処理をしている。
【0087】例えば、図5のフローチャートに示すよう
に、第1,第2の画像取得処理に基づいてステップP4
でテープキャリア26のリード群26Aの全ピンの認識
処理に基づいて、各辺のリードのX,Y方向の中心座標
検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrと、ステッ
プP8で半導体チップ17のパッド群27Aの補正量Δ
θc とが検出され、その後、中心座標検出データΔXt
u,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrからステップP9でテープ
キャリア26の配置傾き量Δθteを算出し、さらに、ス
テップP10でこの検出に基づいてリード群26Aとこ
れに対向するパッド群27Aとの位置ずれを補正するた
めの回転補正量Δθctが算出されている(図2(b),
(c)参照)。
に、第1,第2の画像取得処理に基づいてステップP4
でテープキャリア26のリード群26Aの全ピンの認識
処理に基づいて、各辺のリードのX,Y方向の中心座標
検出データΔXtu,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrと、ステッ
プP8で半導体チップ17のパッド群27Aの補正量Δ
θc とが検出され、その後、中心座標検出データΔXt
u,ΔXtd,ΔYtl,ΔYtrからステップP9でテープ
キャリア26の配置傾き量Δθteを算出し、さらに、ス
テップP10でこの検出に基づいてリード群26Aとこ
れに対向するパッド群27Aとの位置ずれを補正するた
めの回転補正量Δθctが算出されている(図2(b),
(c)参照)。
【0088】このため、回転補正量Δθctが零になるよ
うにテープキャリア26又はダイ部27を回転させるこ
とにより、リード群26Aとパッド群27Aとの間の位
置ずれが許容範囲内に収まるように補正できる。したが
って、リード群26Aの四辺の直角度θの許容範囲内
で、リード群26Aにパッド群27Aを対向させること
ができるので、ステップP4で精度良くリード群26A
とパッド群27Aとを接続することができる。
うにテープキャリア26又はダイ部27を回転させるこ
とにより、リード群26Aとパッド群27Aとの間の位
置ずれが許容範囲内に収まるように補正できる。したが
って、リード群26Aの四辺の直角度θの許容範囲内
で、リード群26Aにパッド群27Aを対向させること
ができるので、ステップP4で精度良くリード群26A
とパッド群27Aとを接続することができる。
【0089】なお、図5のフローチャートに示すよう
に、ステップP17でボンド点におけるダイ部27の第3
の隅位置q3が検出され、さらに、ステップP18でθ補
正量Δθctと許容傾き量±Δθrとが比較処理される。
に、ステップP17でボンド点におけるダイ部27の第3
の隅位置q3が検出され、さらに、ステップP18でθ補
正量Δθctと許容傾き量±Δθrとが比較処理される。
【0090】このため、リード群26Aのθ補正量Δθct
が許容傾き量±Δθrを越える場合には、それを不良品
として排除することができる。このことで、テープキャ
リア26の良否判定処理をすることが可能となる。
が許容傾き量±Δθrを越える場合には、それを不良品
として排除することができる。このことで、テープキャ
リア26の良否判定処理をすることが可能となる。
【0091】これにより、半導体集積回路装置の高集
積,高密度化に伴いテープキャリア26のリードピッチ
が 100μm以下のように超多ピン化された場合であって
も、従来例のような半導体チップ17のパッド群27Aと
テープキャリア26のリード群26Aとの間に生じていた
接合不良部が無くなり、精度良いボンディング処理を行
うことが可能となる。
積,高密度化に伴いテープキャリア26のリードピッチ
が 100μm以下のように超多ピン化された場合であって
も、従来例のような半導体チップ17のパッド群27Aと
テープキャリア26のリード群26Aとの間に生じていた
接合不良部が無くなり、精度良いボンディング処理を行
うことが可能となる。
【0092】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法では、第1,第2の画像取得処理に基づい
て配線保持体の配線群の各辺の中心座標と、半導体チッ
プの電極群の配置傾き量と、配線保持体の配線群の配置
傾き量とが検出されると、その後、配線群の配置傾き量
と電極群の配置傾き量から配線群と電極群の位置ずれを
補正するため回転補正量が算出されている。
置の製造方法では、第1,第2の画像取得処理に基づい
て配線保持体の配線群の各辺の中心座標と、半導体チッ
プの電極群の配置傾き量と、配線保持体の配線群の配置
傾き量とが検出されると、その後、配線群の配置傾き量
と電極群の配置傾き量から配線群と電極群の位置ずれを
補正するため回転補正量が算出されている。
【0093】このため、回転補正量が零になるように配
線保持体又は半導体チップを回転させることにより、配
線群と電極群の位置ずれが許容範囲内に収まるように回
転方向の位置ずれが補正できる。したがって、配線群の
四辺の直角度の許容範囲内で、配線群と電極群を対向さ
せることができるので、精度良く配線群と電極群とを接
続することができる。
線保持体又は半導体チップを回転させることにより、配
線群と電極群の位置ずれが許容範囲内に収まるように回
転方向の位置ずれが補正できる。したがって、配線群の
四辺の直角度の許容範囲内で、配線群と電極群を対向さ
せることができるので、精度良く配線群と電極群とを接
続することができる。
【0094】また、本発明の半導体装置の製造方法では
配線保持体の配線群の中心座標の検出処理に基づいて該
配線群の直角度が算出され、さらに、該直角度と許容傾
き量とが比較されている。
配線保持体の配線群の中心座標の検出処理に基づいて該
配線群の直角度が算出され、さらに、該直角度と許容傾
き量とが比較されている。
【0095】このため、配線群の直角度が許容範囲を越
える場合には、このような配線保持体を不良品として排
除することができるので、半導体製造装置における不良
判定精度が向上する。
える場合には、このような配線保持体を不良品として排
除することができるので、半導体製造装置における不良
判定精度が向上する。
【0096】これにより、半導体集積回路装置の高集
積、高密度化に伴う配線保持体のリードピッチが多ピン
化された場合であっても、従来例に比べて精度良くボン
ディング処理を行うことができる。また、高性能かつ高
信頼度のインナーリードボンディング装置等の提供に寄
与するところが大きい。
積、高密度化に伴う配線保持体のリードピッチが多ピン
化された場合であっても、従来例に比べて精度良くボン
ディング処理を行うことができる。また、高性能かつ高
信頼度のインナーリードボンディング装置等の提供に寄
与するところが大きい。
【0097】これにより、半導体集積回路装置の高集
積,高密度化に伴う配線保持体のリードピッチが超多ピ
ン化された場合であっても、従来例に比べて精度良いボ
ンディング処理を行うことが可能となる。また、高性能
かつ高信頼度のインナーリードボンディング装置等の提
供に寄与するところが大きい。
積,高密度化に伴う配線保持体のリードピッチが超多ピ
ン化された場合であっても、従来例に比べて精度良いボ
ンディング処理を行うことが可能となる。また、高性能
かつ高信頼度のインナーリードボンディング装置等の提
供に寄与するところが大きい。
【図1】半導体装置の製造装置の原理図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の製造方法の原理図で
ある。
ある。
【図3】インナーリードボンディング装置の構成図であ
る。
る。
【図4】本発明の実施例に係るインナーリードの四辺の
直角度の説明図である。
直角度の説明図である。
【図5】本発明の実施例に係るインナーリードとバンプ
との接合処理フローチャートである。
との接合処理フローチャートである。
【図6】本発明の実施例に係る接合処理フローチャート
の補足説明図である。
の補足説明図である。
【図7】従来例に係るインナーリードボンディング装置
の説明図である。
の説明図である。
【図8】従来例に係る問題点を説明するインナーリード
どバンプとの接合状態図である。
どバンプとの接合状態図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 配線保持体(16)の配線群(16A)
の配置画像を取得する第1の画像取得処理と、半導体チ
ップ(17)の電極群(17A)の配置画像を取得する
第2の画像処理とに基づいて前記配線群(16A)と前
記電極群(17A)の位置ズレを補正し、前記位置ズレ
補正処理の後に、前記配線群(16A)と前記電極群
(17A)とを接続する半導体装置の製造方法であっ
て、 前記位置ズレ補正処理は回転方向の補正処理を含み、該
回転方向の補正処理は、前記第1の画像取得処理により
得たデータから前記配線群(16A)の各辺の基準座標
(X1,X2,Y1,Y2)を算出した後、前記配線群
(16A)の相互に対向する各辺同士の前記基準座標
(X1,X2)及び(Y1,Y2)を結んでできる角度
である直角度(θo )を算出し、該直角度(θo )に基
づいて前記配線群(16A)の全体の回転補正量を算出
して前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθte)とす
る処理と、前記第2の画像処理により得たデータから前
記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )を算出する
処理と、前記配線群(16A)の配置傾き量(Δθte)
と前記電極群(17A)の配置傾き量(Δθc )とか
ら、 回転補正量(Δθct)=Δθte+Δθc (但し、Δθte,Δθc は、正又は負の符号を含む量で
あり、一定方向の回転を正とし、前記一定方向と逆方向
の回転を負とする。)を算出する処理とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記配線群(16A)の各辺の基準座標
(X1,X2,Y1,Y2)は、それぞれ前記各辺の中
心を示す座標であることを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記配線群(16A)の直角度(θo )
を算出した後、該直角度(θo )と該直角度(θo )の
許容範囲(θ±Δθr(θ=90°))とを比較して、
前記配線群(16A)の良否の判定を行うことを特徴と
する請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3293117A JP2803769B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3293117A JP2803769B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136210A JPH05136210A (ja) | 1993-06-01 |
JP2803769B2 true JP2803769B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17790652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3293117A Expired - Fee Related JP2803769B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2803769B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4521496B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2010-08-11 | ソニー株式会社 | マウント精度測定方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03129844A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Shinkawa Ltd | インナーリードボンデイング装置 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293117A patent/JP2803769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05136210A (ja) | 1993-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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