JP2792877B2 - ラムダ値検出方法 - Google Patents
ラムダ値検出方法Info
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- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、無負荷状態でセンサ電圧を出力するラムダ
センサを用いて、ラムダ値を検出する方法であって、該
ラムダセンサは内部抵抗を有し、該内部抵抗は、ラムダ
センサの温度の関数として変化する形式の方法に関す
る。
センサを用いて、ラムダ値を検出する方法であって、該
ラムダセンサは内部抵抗を有し、該内部抵抗は、ラムダ
センサの温度の関数として変化する形式の方法に関す
る。
技術背景 ラムダセンサから送出される電圧の値は、センサの箇
所のラムダ値に依存するのみならず、その温度にも依存
する。特にリッチ領域では当該依存性が強い。温度特性
によって測定結果は大きく誤りを生じ、所定の温度以下
ではセンサから送出される電圧を制御に使用することが
できない程である。ラムダ値を使用することができるよ
うになる投入閾値を識別するため、例えばセンサの内部
抵抗が測定される。この内部抵抗は温度の上昇と共に減
少する。
所のラムダ値に依存するのみならず、その温度にも依存
する。特にリッチ領域では当該依存性が強い。温度特性
によって測定結果は大きく誤りを生じ、所定の温度以下
ではセンサから送出される電圧を制御に使用することが
できない程である。ラムダ値を使用することができるよ
うになる投入閾値を識別するため、例えばセンサの内部
抵抗が測定される。この内部抵抗は温度の上昇と共に減
少する。
内部抵抗測定のための方法は、本出願の優先日以降に
公開された特許出願EP0258543A2号明細書に記載されて
いる。センサ電圧は一度無負荷状態で、次に所定の抵抗
値を有する負荷抵抗による負荷下で測定される。２つの
電圧と既知の抵抗値から瞬時の内部抵抗が算出される。
これが閾値と比較され、瞬時値が閾値以下にあれば電圧
値がラムダ制御に使用される。
公開された特許出願EP0258543A2号明細書に記載されて
いる。センサ電圧は一度無負荷状態で、次に所定の抵抗
値を有する負荷抵抗による負荷下で測定される。２つの
電圧と既知の抵抗値から瞬時の内部抵抗が算出される。
これが閾値と比較され、瞬時値が閾値以下にあれば電圧
値がラムダ制御に使用される。
しかし内部抵抗の温度依存性を利用する簡便法では、
内部抵抗を具体的に算出する必要がない。これはDE3319
432A1号明細書（US4,528,957）から公知である。この公
知の方法は次の事実を利用している。すなわち、センサ
と直列に接続された負荷抵抗にて取出される電圧は、セ
ンサ電圧がラムダ値変動により変化するときに変化する
のみではなく、内部抵抗が変化した場合にも変化すると
いう事実を利用している。従って負荷抵抗によって内部
抵抗を算出する必要はまったくなく、負荷抵抗にて取出
される電圧を電圧閾値と比較してセンサの動作準備状態
を識別するだけで十分である。実際には２つの閾値が必
要である。というのは同じ内部抵抗の下でも２つの異な
る電圧が送出され得るからである。すなわち、センサに
ちょうど供給される排気ガスがリッチ混合気から由来し
たものかリーン混合気から由来したものかに依存して２
つの異なる電圧が送出され得る。
内部抵抗を具体的に算出する必要がない。これはDE3319
432A1号明細書（US4,528,957）から公知である。この公
知の方法は次の事実を利用している。すなわち、センサ
と直列に接続された負荷抵抗にて取出される電圧は、セ
ンサ電圧がラムダ値変動により変化するときに変化する
のみではなく、内部抵抗が変化した場合にも変化すると
いう事実を利用している。従って負荷抵抗によって内部
抵抗を算出する必要はまったくなく、負荷抵抗にて取出
される電圧を電圧閾値と比較してセンサの動作準備状態
を識別するだけで十分である。実際には２つの閾値が必
要である。というのは同じ内部抵抗の下でも２つの異な
る電圧が送出され得るからである。すなわち、センサに
ちょうど供給される排気ガスがリッチ混合気から由来し
たものかリーン混合気から由来したものかに依存して２
つの異なる電圧が送出され得る。
センサの動作準備性（スタンバイ）を識別するための
公知の方法では次のように閾値が設定される。すなわ
ち、内部抵抗が僅かにしか変化せず、従って測定結果を
誤るようなことが殆どないようなときに初めて、センサ
の制御スタンバイを識別するように設定される。
公知の方法では次のように閾値が設定される。すなわ
ち、内部抵抗が僅かにしか変化せず、従って測定結果を
誤るようなことが殆どないようなときに初めて、センサ
の制御スタンバイを識別するように設定される。
本発明の課題は、従来よりも低い温度でも確実に動作
するラムダ値検出方法を提供することである。本発明は
さらにこの方法に対する適用法を提供することを課題と
するものである。
するラムダ値検出方法を提供することである。本発明は
さらにこの方法に対する適用法を提供することを課題と
するものである。
発明の利点 上記課題は本発明により、センサ電圧を検出し、 前記ラムダセンサの内部抵抗を検出するために、該ラ
ムダセンサを時間間隔をおいて負荷抵抗により負荷し、
負荷されたラムダセンサの電圧を測定し、ここで前記負
荷抵抗の値を、内部抵抗の減少と共に低減するように
し、 前記内部抵抗を、負荷抵抗値、ラムダセンサの無負荷
状態の値、および負荷状態の値とから計算し、 特性フィールドを設け、該特性フィールドにはラムダ
値が前記センサ電圧と内部抵抗の関数として記憶してお
き、 前記特性フィールドを、前記センサ電圧と内部抵抗の
それぞれの値によりアドレシングし、 ラムダ値を特性フィールドから前記センサ電圧と内部
抵抗に相応して読み出すように構成して解決される。
ムダセンサを時間間隔をおいて負荷抵抗により負荷し、
負荷されたラムダセンサの電圧を測定し、ここで前記負
荷抵抗の値を、内部抵抗の減少と共に低減するように
し、 前記内部抵抗を、負荷抵抗値、ラムダセンサの無負荷
状態の値、および負荷状態の値とから計算し、 特性フィールドを設け、該特性フィールドにはラムダ
値が前記センサ電圧と内部抵抗の関数として記憶してお
き、 前記特性フィールドを、前記センサ電圧と内部抵抗の
それぞれの値によりアドレシングし、 ラムダ値を特性フィールドから前記センサ電圧と内部
抵抗に相応して読み出すように構成して解決される。
内部抵抗は簡単な構成上の手段により負荷抵抗を用い
て測定される。特に迅速な測定が、所定の外部電圧をセ
ンサに印加し、内部抵抗をこの電圧と流れる電流とから
算出することにより可能である。
て測定される。特に迅速な測定が、所定の外部電圧をセ
ンサに印加し、内部抵抗をこの電圧と流れる電流とから
算出することにより可能である。
本発明の方法は、ラムダ制御適用の際に比較的に良好
な制御結果と、測定装置に適用した際に比較的に信頼性
のある測定結果を、従来の方法に比較してもたらすもの
である。適用に対しては、別の温度領域で動作させ得る
と有利である。これを可能にするためにラムダ値測定の
ための有利な発展状態では、負荷抵抗による負荷を、異
なる抵抗値の抵抗を用い、センサのそれぞれ存在する内
部抵抗に依存して、すなわちそれぞれ存在する温度領域
に依存して行うのである。負荷抵抗の値はセンサが損傷
しないようにするため、それぞれセンサを過度に負荷し
ないように選択する。特に制御の適用例に対しては次の
ような発展形態が重要である。すなわち、再び無負荷と
されたセンサの電圧が次の走査検出までに十分回復する
ように負荷抵抗の値を選択するような発展形態が重要で
ある。
な制御結果と、測定装置に適用した際に比較的に信頼性
のある測定結果を、従来の方法に比較してもたらすもの
である。適用に対しては、別の温度領域で動作させ得る
と有利である。これを可能にするためにラムダ値測定の
ための有利な発展状態では、負荷抵抗による負荷を、異
なる抵抗値の抵抗を用い、センサのそれぞれ存在する内
部抵抗に依存して、すなわちそれぞれ存在する温度領域
に依存して行うのである。負荷抵抗の値はセンサが損傷
しないようにするため、それぞれセンサを過度に負荷し
ないように選択する。特に制御の適用例に対しては次の
ような発展形態が重要である。すなわち、再び無負荷と
されたセンサの電圧が次の走査検出までに十分回復する
ように負荷抵抗の値を選択するような発展形態が重要で
ある。
本発明による方法はセンサの全動作領域において、す
なわちリーン領域からリッチ領域まで適用可能である。
しかしリーン領域およびほぼラムダ＝１の領域の温度依
存性は比較的小さなものであるから、適用法の有利な発
展形態では、この領域での電圧値のラムダ値への変換計
算を線形に、温度依存性を考慮せずに行う。
なわちリーン領域からリッチ領域まで適用可能である。
しかしリーン領域およびほぼラムダ＝１の領域の温度依
存性は比較的小さなものであるから、適用法の有利な発
展形態では、この領域での電圧値のラムダ値への変換計
算を線形に、温度依存性を考慮せずに行う。
本発明を以下、図により示された実施例に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明による装置のブロック回路図、第２図
は全ラムダ領域に対して模式的に示した特性フィール
ド、第３図および第４図は比較的低いセンサ温度領域お
よび比較的高いセンサ温度領域でのそれぞれリッチ領域
に対する特性フィールド、第５図はラムダ値に対する種
々異なる検出領域を説明するための線図、第６図はラム
ダセンサの内部抵抗を考慮してラムダ値を検出すること
が重要な役割を果す適用例説明のためのブロック回路図
である。
は全ラムダ領域に対して模式的に示した特性フィール
ド、第３図および第４図は比較的低いセンサ温度領域お
よび比較的高いセンサ温度領域でのそれぞれリッチ領域
に対する特性フィールド、第５図はラムダ値に対する種
々異なる検出領域を説明するための線図、第６図はラム
ダセンサの内部抵抗を考慮してラムダ値を検出すること
が重要な役割を果す適用例説明のためのブロック回路図
である。
実施例の説明 本発明の方法は、ラムダセンサ、例えばネルンスト型
（加熱なしおよび加熱付き）ラムダセンサの、温度に強
く依存するリッチ領域とさほど依存しないリーン領域を
僅かなコストで利用することができる。本発明は、一義
的に再現可能な関係性が、センサ電圧US、センサ温度TS
およびラムダ値間に存在することを基礎とする。
（加熱なしおよび加熱付き）ラムダセンサの、温度に強
く依存するリッチ領域とさほど依存しないリーン領域を
僅かなコストで利用することができる。本発明は、一義
的に再現可能な関係性が、センサ電圧US、センサ温度TS
およびラムダ値間に存在することを基礎とする。
従ってUSおよびTSからのラムダ測定が次のようにして
可能である。すなわち、これら２つのパラメータを介し
て展開される、相応のラムダセンサの特性フィールドか
ら、それぞれ動作点におけるラムダ値を補間することに
より可能である。酸素センサの内部抵抗Riは同じ酸素セ
ンサの温度TSの関数でもあるから、酸素センサのUSとRi
を介して展開された特性フィールドをラムダ値の測定に
代用して使用することも可能である。この方法では第１
のステップで、センサ電圧USを無視し得る負荷の下でア
イドル電圧として測定し、第２ステップで、測定抵抗RL
により負荷した酸素センサのセンサ電圧ULを測定し、そ
こから簡単な計算ルーチンを用いて内部抵抗Riを検出す
るのである。
可能である。すなわち、これら２つのパラメータを介し
て展開される、相応のラムダセンサの特性フィールドか
ら、それぞれ動作点におけるラムダ値を補間することに
より可能である。酸素センサの内部抵抗Riは同じ酸素セ
ンサの温度TSの関数でもあるから、酸素センサのUSとRi
を介して展開された特性フィールドをラムダ値の測定に
代用して使用することも可能である。この方法では第１
のステップで、センサ電圧USを無視し得る負荷の下でア
イドル電圧として測定し、第２ステップで、測定抵抗RL
により負荷した酸素センサのセンサ電圧ULを測定し、そ
こから簡単な計算ルーチンを用いて内部抵抗Riを検出す
るのである。
次に第１図のブロック回路図に基づき、装置および該
装置により実施される方法について詳細に説明する。10
によりラムダセンサが示されている。センサはセンサ電
源（US）10a、センサの温度に依存する内部抵抗（Ri）1
0b、並びにラムダセンサを加熱すべき場合には電気的加
熱素子を有する。加熱素子によりセンサを必要な場合、
600℃〜800℃の通常動作温度に高温加熱することができ
る。センサの出力端子ＡとＢは、非常に高い内部抵抗を
有する差動増幅器16の２つの入力端子に接続されてい
る。この増幅器の２つの入力端子の一方（ここでは端子
18）は有利には車両アースと接続されている。出力端子
ＡとＢの間には電気制御可能なスイッチ12が接続されて
おり、その一方の切換区間13は抵抗値RLの負荷抵抗11を
介して出力端子Ａと接続されている。スイッチの他方の
切換区間14は増幅器16の入力側および車両アースと接続
されている。増幅器16の出力側は、マイクロプロセッサ
22の入出力（I/O）インターフェース21のアナログ／デ
ィジタル（A/D）入力チャネル20に接続されている。増
幅器16は有利には強い帰還結合により低いしかしほぼ一
定の増幅度を有する。大きなI/Oインターフェース21は
通常さらに別のA/D入力側23を有する。マイクロプロセ
ッサ22の出力チャネル24は電気的スイッチ12の制御電極
15と接続されている。別の出力チャネル26は電気的スイ
ッチ27の相応の制御電極28と接続されており、スイッチ
の切換区間29と30は加熱素子10cと直列に接続されてお
り、供給電圧31に接続されている。加熱素子がない場合
には、他の上に述べた回路部も省略される。マイクロプ
ロセッサ22のI/Oインターフェース21は通常さらに、使
用者による制御のための別の接続部25を有する。
装置により実施される方法について詳細に説明する。10
によりラムダセンサが示されている。センサはセンサ電
源（US）10a、センサの温度に依存する内部抵抗（Ri）1
0b、並びにラムダセンサを加熱すべき場合には電気的加
熱素子を有する。加熱素子によりセンサを必要な場合、
600℃〜800℃の通常動作温度に高温加熱することができ
る。センサの出力端子ＡとＢは、非常に高い内部抵抗を
有する差動増幅器16の２つの入力端子に接続されてい
る。この増幅器の２つの入力端子の一方（ここでは端子
18）は有利には車両アースと接続されている。出力端子
ＡとＢの間には電気制御可能なスイッチ12が接続されて
おり、その一方の切換区間13は抵抗値RLの負荷抵抗11を
介して出力端子Ａと接続されている。スイッチの他方の
切換区間14は増幅器16の入力側および車両アースと接続
されている。増幅器16の出力側は、マイクロプロセッサ
22の入出力（I/O）インターフェース21のアナログ／デ
ィジタル（A/D）入力チャネル20に接続されている。増
幅器16は有利には強い帰還結合により低いしかしほぼ一
定の増幅度を有する。大きなI/Oインターフェース21は
通常さらに別のA/D入力側23を有する。マイクロプロセ
ッサ22の出力チャネル24は電気的スイッチ12の制御電極
15と接続されている。別の出力チャネル26は電気的スイ
ッチ27の相応の制御電極28と接続されており、スイッチ
の切換区間29と30は加熱素子10cと直列に接続されてお
り、供給電圧31に接続されている。加熱素子がない場合
には、他の上に述べた回路部も省略される。マイクロプ
ロセッサ22のI/Oインターフェース21は通常さらに、使
用者による制御のための別の接続部25を有する。
センサ電圧USは通常短時間の連続で、実際はほぼ10ms
毎に走査検出される。すなわち、A/D入力チャネル20を
介してマイクロプロセッサ22に読込まれ、そこでさらに
処理されて評価される。そこから発生する例えば100Hz
オーダのサンプリング周波数は、ラムダセンサの信号の
十分の時間的解像度を保証すると共に、センサ信号を排
気ガス制御に用いる場合に、相応に構成された排気ガス
制御回路の十分な限界周波数をも保証する。そこに含ま
れる制御器のダイナミック特性を著しく悪化させないた
めに、負荷抵抗RLによるラムダセンサの“試験負荷”
が、前述の、順次連続する規則的な２つのサンプリング
時点間の時間間隔中に行われる。すなわち、10ms以下の
接続時間中、例えば5msで行われる。使用するラムダセ
ンサの記憶効果（センサ特性を、先行する高い電流負荷
によって温度に依存して誤ること）が障害となる程には
作用しないようにするために、ラムダセンサの個々の試
験負荷間の時間的間隔を非常に大きく、例えば１秒のオ
ーダに選択する。それにより前記試験負荷の、1/2Hzの
回復周波数が得られる。従って例えば1/200以上の負荷
比が調整されれば、センサから取出される電流の平均値
が所望のように比較的に低くなり、その結果センサの電
流老化は僅かに留まる。
毎に走査検出される。すなわち、A/D入力チャネル20を
介してマイクロプロセッサ22に読込まれ、そこでさらに
処理されて評価される。そこから発生する例えば100Hz
オーダのサンプリング周波数は、ラムダセンサの信号の
十分の時間的解像度を保証すると共に、センサ信号を排
気ガス制御に用いる場合に、相応に構成された排気ガス
制御回路の十分な限界周波数をも保証する。そこに含ま
れる制御器のダイナミック特性を著しく悪化させないた
めに、負荷抵抗RLによるラムダセンサの“試験負荷”
が、前述の、順次連続する規則的な２つのサンプリング
時点間の時間間隔中に行われる。すなわち、10ms以下の
接続時間中、例えば5msで行われる。使用するラムダセ
ンサの記憶効果（センサ特性を、先行する高い電流負荷
によって温度に依存して誤ること）が障害となる程には
作用しないようにするために、ラムダセンサの個々の試
験負荷間の時間的間隔を非常に大きく、例えば１秒のオ
ーダに選択する。それにより前記試験負荷の、1/2Hzの
回復周波数が得られる。従って例えば1/200以上の負荷
比が調整されれば、センサから取出される電流の平均値
が所望のように比較的に低くなり、その結果センサの電
流老化は僅かに留まる。
温度で変化するラムダセンサの内部抵抗Riの測定は次
のようにして行われる。すなわち、２つの規則的なサン
プリング時間の間隔、すなわち例えば10msの間隔で測定
された２つの電流ULとUSを、以下の式に従い計算プログ
ラムによって結合するのである。
のようにして行われる。すなわち、２つの規則的なサン
プリング時間の間隔、すなわち例えば10msの間隔で測定
された２つの電流ULとUSを、以下の式に従い計算プログ
ラムによって結合するのである。
Ri＝RL（US−UL）/UL （１） その際、負荷下のセンサ電圧ULとそれに直接続いて測
定されたアイドル電圧USとは近似的に“同時”と見なさ
れる。これはラムダセンサの熱時定数が規則的なサンプ
リング持続期間に対して著しく大きなものであるから許
容される。
定されたアイドル電圧USとは近似的に“同時”と見なさ
れる。これはラムダセンサの熱時定数が規則的なサンプ
リング持続期間に対して著しく大きなものであるから許
容される。
算出したセンサ内部抵抗Riはパラメータとして特性フ
ィールドに用いる。特性フィールドにはラムダ値が測定
した無負荷電圧USに依存してファイルされている。この
ようなラムダ特性フィールドは第２図に模式的に示され
ている。測定された内部抵抗が、記憶されている２つの
特性曲線間にあるならば補間が行われる。これは周期的
に各サンプリング期間中に、最後に検出されたその都度
の内部抵抗値によって実行される。サンプリング帰還は
無負荷センサ電圧USの規則的な２つの検出間隔にあた
る。前記最後に検出された内部抵抗値は特性フィールド
に入力される補正量として、その都度次の、例えば遅く
とも１秒後に新たに行われる検出まで有効である。新た
な検出が行われるとその瞬時のセンサ内部抵抗が新たな
特性フィールド入力補正量とされる。この手段により、
マイクロプロセッサひいてはセンサ電圧の補正が僅かし
か負荷されない。マイクロプロセッサは相応の排気ガス
制御回路の重要な構成部材であり、内部抵抗実現化のた
めの支点特性の実現化が、排気ガスの制御すべきラムダ
値に関して行われる。
ィールドに用いる。特性フィールドにはラムダ値が測定
した無負荷電圧USに依存してファイルされている。この
ようなラムダ特性フィールドは第２図に模式的に示され
ている。測定された内部抵抗が、記憶されている２つの
特性曲線間にあるならば補間が行われる。これは周期的
に各サンプリング期間中に、最後に検出されたその都度
の内部抵抗値によって実行される。サンプリング帰還は
無負荷センサ電圧USの規則的な２つの検出間隔にあた
る。前記最後に検出された内部抵抗値は特性フィールド
に入力される補正量として、その都度次の、例えば遅く
とも１秒後に新たに行われる検出まで有効である。新た
な検出が行われるとその瞬時のセンサ内部抵抗が新たな
特性フィールド入力補正量とされる。この手段により、
マイクロプロセッサひいてはセンサ電圧の補正が僅かし
か負荷されない。マイクロプロセッサは相応の排気ガス
制御回路の重要な構成部材であり、内部抵抗実現化のた
めの支点特性の実現化が、排気ガスの制御すべきラムダ
値に関して行われる。
第２図は全ラムダ領域に対する模式的特性フィールド
を示し、第３図および第４図はリッチ領域に対する具体
的な特性フィールド線図を２つの異なる温度領域に対し
て示す。第３図からわかるように温度の低い場合、すな
わち図示の例では500℃と550℃の間の温度の場合、内部
抵抗に依存するラムダ値の変化は僅かである。第４図の
線図によれば温度の高い場合、すなわち図示例では650
℃と900℃の間の温度の場合、前とは異なり変動は著し
い。無負荷センサで測定した900℃での860mVの電圧が約
0.75のラムダ値に相応すれば、センサ温度650℃での電
圧は約0.95のラムダ値に相応する。このことから、開示
された方法は既に従来よりも低い温度でラムダ値の確実
な検出を可能にするのみならず、従来の構成でもセンサ
が動作準備していた温度領域において、従来よりも正確
な測定結果を提出することができるのである。従って本
方法はリッチ領域においても常時制御を実行することが
でき、例えば暖機運転制御または全負荷制御にも使用す
ることができる。その他前述のラムダ検出は有利にはラ
ムダ測定装置に使用することができる。
を示し、第３図および第４図はリッチ領域に対する具体
的な特性フィールド線図を２つの異なる温度領域に対し
て示す。第３図からわかるように温度の低い場合、すな
わち図示の例では500℃と550℃の間の温度の場合、内部
抵抗に依存するラムダ値の変化は僅かである。第４図の
線図によれば温度の高い場合、すなわち図示例では650
℃と900℃の間の温度の場合、前とは異なり変動は著し
い。無負荷センサで測定した900℃での860mVの電圧が約
0.75のラムダ値に相応すれば、センサ温度650℃での電
圧は約0.95のラムダ値に相応する。このことから、開示
された方法は既に従来よりも低い温度でラムダ値の確実
な検出を可能にするのみならず、従来の構成でもセンサ
が動作準備していた温度領域において、従来よりも正確
な測定結果を提出することができるのである。従って本
方法はリッチ領域においても常時制御を実行することが
でき、例えば暖機運転制御または全負荷制御にも使用す
ることができる。その他前述のラムダ検出は有利にはラ
ムダ測定装置に使用することができる。
第３図と第４図には種々異なる内部抵抗に対してそれ
ぞれ３つの特性曲線のみがプロットされていることを述
べておく。実際上は、特に高温領域では変動が大きいか
ら、補間エラーが過度に大きくならないようにするため
より多数の特性曲線を使用する。多数の支点を横軸に沿
って使用することも可能である。支点の数と特性フィー
ルド毎の特性曲線の数は使用する特性フィールドメモリ
の容量により定められる。
ぞれ３つの特性曲線のみがプロットされていることを述
べておく。実際上は、特に高温領域では変動が大きいか
ら、補間エラーが過度に大きくならないようにするため
より多数の特性曲線を使用する。多数の支点を横軸に沿
って使用することも可能である。支点の数と特性フィー
ルド毎の特性曲線の数は使用する特性フィールドメモリ
の容量により定められる。
第５図には種々のセンサ温度に対するセンサ特性曲線
が示されている。図ではラムダ値が横軸、無負荷センサ
の電圧値が縦軸に示されている。すなわち、第２図〜第
４図に対しては正確に取換えられている。特性曲線は３
つの領域に分割されている。すなわち、リッチ領域ラム
ダ値に対する約650mV以上の上側電圧領域と、リーン領
域ラムダ値に対する約100mV以下の下側領域と、その間
にあるラムダ＝１に制御する領域である。下側領域およ
び中央領域では、特性曲線の温度依存性は僅かである。
従ってこれらの曲線はそれぞれの領域の唯一つの特性曲
線により代表される。これに対し上側領域では、前述の
ような、種々の温度領域に対する特性フィールドが使用
される。
が示されている。図ではラムダ値が横軸、無負荷センサ
の電圧値が縦軸に示されている。すなわち、第２図〜第
４図に対しては正確に取換えられている。特性曲線は３
つの領域に分割されている。すなわち、リッチ領域ラム
ダ値に対する約650mV以上の上側電圧領域と、リーン領
域ラムダ値に対する約100mV以下の下側領域と、その間
にあるラムダ＝１に制御する領域である。下側領域およ
び中央領域では、特性曲線の温度依存性は僅かである。
従ってこれらの曲線はそれぞれの領域の唯一つの特性曲
線により代表される。これに対し上側領域では、前述の
ような、種々の温度領域に対する特性フィールドが使用
される。
ラムダ値検査装置に対する機能回路図が第６図に示さ
れており以下に説明する。この装置は第５図による特性
曲線分割を使用する。
れており以下に説明する。この装置は第５図による特性
曲線分割を使用する。
第６図に含まれるセンサ10は選択的に３つの負荷抵抗
11o,11mまたは11uにより、内部抵抗Riが上側温度領域に
対するRioをとるか、中央温度領域に対する値Rimをとる
か、下側温度領域に対する値Riuをとるかに依存して負
荷可能である。実施例における負荷抵抗は500オーム、2
000オーム、ないし5000オームの抵抗値をそれぞれ上
側、中央、ないし下側温度領域に対して有する。しかし
これらの抵抗は、センサ電圧が第５図の特性曲線の上側
領域にあるとき、すなわち650mV以上のときにのみセン
サ10に接続される。この条件は第６図に、AND素子32で
の入力条件として示されている。AND素子の他方の入力
側へはクロック電圧が供給される。クロック電圧は5ms
間ハイレベルであり、次に１秒間ローレベルとなる信号
により定められる。従って負荷抵抗を接続するためのス
イッチ12は、センサ電圧が650mV以上であるとき１秒毎
に5msの間、スイッチ制御部33により閉成される。既に
第１図に基づき説明したように、スイッチ制御部はマイ
クロプロセッサ22の一部である。
11o,11mまたは11uにより、内部抵抗Riが上側温度領域に
対するRioをとるか、中央温度領域に対する値Rimをとる
か、下側温度領域に対する値Riuをとるかに依存して負
荷可能である。実施例における負荷抵抗は500オーム、2
000オーム、ないし5000オームの抵抗値をそれぞれ上
側、中央、ないし下側温度領域に対して有する。しかし
これらの抵抗は、センサ電圧が第５図の特性曲線の上側
領域にあるとき、すなわち650mV以上のときにのみセン
サ10に接続される。この条件は第６図に、AND素子32で
の入力条件として示されている。AND素子の他方の入力
側へはクロック電圧が供給される。クロック電圧は5ms
間ハイレベルであり、次に１秒間ローレベルとなる信号
により定められる。従って負荷抵抗を接続するためのス
イッチ12は、センサ電圧が650mV以上であるとき１秒毎
に5msの間、スイッチ制御部33により閉成される。既に
第１図に基づき説明したように、スイッチ制御部はマイ
クロプロセッサ22の一部である。
センサ10にて取出される電圧は増幅器16により増幅さ
れ、電圧スイッチ34を介して計算手段35に送出される。
電圧スイッチ34は負荷抵抗スイッチ12と共に接続され
る。従って負荷が接続された際、計算手段35は、負荷下
で検出された電圧ULを受取り、それ以外では無負荷のセ
ンサの電圧USを受取る。これらの値から上に述べた式
（１）に従いセンサの内部抵抗Riが算出される。内部抵
抗の値に依存して、上述のように、センサ10の負荷抵抗
11o,11mまたは11uのうちの１つの接続される。同様にこ
の値に依存して３つの特性フィールドのうちの１つがリ
ッチ・スイッチ37に接続される。３つの特性フィールド
36o,36mまたは36uもまた上側、中央、下側温度領域に相
応する。従って特性フィールド36uは第３図の特性フィ
ールドに相応し、特性フィールド36oは第４図の特性フ
ィールドに相応する。
れ、電圧スイッチ34を介して計算手段35に送出される。
電圧スイッチ34は負荷抵抗スイッチ12と共に接続され
る。従って負荷が接続された際、計算手段35は、負荷下
で検出された電圧ULを受取り、それ以外では無負荷のセ
ンサの電圧USを受取る。これらの値から上に述べた式
（１）に従いセンサの内部抵抗Riが算出される。内部抵
抗の値に依存して、上述のように、センサ10の負荷抵抗
11o,11mまたは11uのうちの１つの接続される。同様にこ
の値に依存して３つの特性フィールドのうちの１つがリ
ッチ・スイッチ37に接続される。３つの特性フィールド
36o,36mまたは36uもまた上側、中央、下側温度領域に相
応する。従って特性フィールド36uは第３図の特性フィ
ールドに相応し、特性フィールド36oは第４図の特性フ
ィールドに相応する。
無負荷センサの電圧USは計算手段35および特性フィー
ルド36iに供給されるだけでなく、ラムダ＝１に対する
線形化テーブル38およびリーン領域線形化テーブル39に
も供給される。これらのテーブルは第５図に基づき説明
した線形化を行う。それらの出力値は約ラムダ＝１の値
に対するスイッチ40とリーン・スイッチ41に送出され
る。リッチ・スイッチ37、ラムダが約１の値に対するス
イッチ40、およびリーン・スイッチ41は、第６図による
ラムダ値検出装置の出力側42と接続されている。３つの
スイッチのうちのどれが閉成されるかは、無負荷センサ
の電圧値USに依存している。650mV以上の電圧ではリッ
チ・スイッチ37が、100mV以下の電圧ではリーン・スイ
ッチ41が、その間の電圧ではラムダ＝約１の値に対する
スイッチ４が閉成される。
ルド36iに供給されるだけでなく、ラムダ＝１に対する
線形化テーブル38およびリーン領域線形化テーブル39に
も供給される。これらのテーブルは第５図に基づき説明
した線形化を行う。それらの出力値は約ラムダ＝１の値
に対するスイッチ40とリーン・スイッチ41に送出され
る。リッチ・スイッチ37、ラムダが約１の値に対するス
イッチ40、およびリーン・スイッチ41は、第６図による
ラムダ値検出装置の出力側42と接続されている。３つの
スイッチのうちのどれが閉成されるかは、無負荷センサ
の電圧値USに依存している。650mV以上の電圧ではリッ
チ・スイッチ37が、100mV以下の電圧ではリーン・スイ
ッチ41が、その間の電圧ではラムダ＝約１の値に対する
スイッチ４が閉成される。
従って装置は100mV以下の電圧の場合、リーン領域線
形化テーブル39からラムダ値を送出する。これに対して
100mVと650mVの間の電圧の場合、ラムダ＝１に対する線
形化テーブル38からラムダ値を送出し、650mV以上の電
圧に対しては特性フィールド36iから送出する。つま
り、どの温度領域、すなわちどの内部抵抗領域にちょう
どあるかに依存して送出する。
形化テーブル39からラムダ値を送出する。これに対して
100mVと650mVの間の電圧の場合、ラムダ＝１に対する線
形化テーブル38からラムダ値を送出し、650mV以上の電
圧に対しては特性フィールド36iから送出する。つま
り、どの温度領域、すなわちどの内部抵抗領域にちょう
どあるかに依存して送出する。
第６図の装置の機能ブロックは可能な限り第１図のマ
イクロプロセッサ22に集積化する。
イクロプロセッサ22に集積化する。
上述のようにセンサは全１秒毎にのみそれぞれ5msの
間負荷される。これに対して無負荷センサは全10ms毎に
走査される。このことは、無負荷センサの電圧の次の走
査に対して、測定された値が先行する負荷によって誤ら
ないように、センサ電圧は負荷後比較的急速に回復しな
ければならないことを意味する。急速な回復に対する要
求は次のようにして可能とされる。すなわち内部抵抗領
域が異なれば異なる値の負荷抵抗を選択する。すなわち
負荷抵抗が高ければ高い程、内部抵抗も高い。従って適
用される負荷抵抗領域の数はセンサの回復速度およびサ
ンプリング速度に依存する。従って実施例よりも多いま
たは少ない領域、すなわち３つ以上または以下の領域を
使用することもできる。
間負荷される。これに対して無負荷センサは全10ms毎に
走査される。このことは、無負荷センサの電圧の次の走
査に対して、測定された値が先行する負荷によって誤ら
ないように、センサ電圧は負荷後比較的急速に回復しな
ければならないことを意味する。急速な回復に対する要
求は次のようにして可能とされる。すなわち内部抵抗領
域が異なれば異なる値の負荷抵抗を選択する。すなわち
負荷抵抗が高ければ高い程、内部抵抗も高い。従って適
用される負荷抵抗領域の数はセンサの回復速度およびサ
ンプリング速度に依存する。従って実施例よりも多いま
たは少ない領域、すなわち３つ以上または以下の領域を
使用することもできる。
内部抵抗算出は必ずしも前述の式（１）に従って行う
必要はなく、これはセンサの回路に依存している。従っ
て内部抵抗測定を任意の負荷回路網によって、例えばEP
0258543A2に記載されているような負荷回路網によって
行うことができる。
必要はなく、これはセンサの回路に依存している。従っ
て内部抵抗測定を任意の負荷回路網によって、例えばEP
0258543A2に記載されているような負荷回路網によって
行うことができる。
実施例では、センサ内部抵抗を考慮してのラムダ値検
出はリッチ領域のラムダ値に対してのみ実行される。こ
れは使用されるセンサ型式に関連するものである。この
センサはリーン領域では僅かな温度依存性しか有しな
い。しかし既に述べたように本方法はすべての測定領域
に使用することができる。
出はリッチ領域のラムダ値に対してのみ実行される。こ
れは使用されるセンサ型式に関連するものである。この
センサはリーン領域では僅かな温度依存性しか有しな
い。しかし既に述べたように本方法はすべての測定領域
に使用することができる。
前述の実施例での大きな利点は、内部抵抗を測定する
ために、既に備わっているマイクロプロセッサの他に単
に負荷抵抗11およびスイッチ12を必要とするだけであ
る。問題となるのは、センサが負荷から完全に回復して
いない際にセンサを測定すると無負荷センサの電圧が不
正確に測定されることである。無負荷状態の電圧USと負
荷状態の電圧ULとは同時に測定されるのではなく、順次
連続して測定されるものを同時に測定するとみなしてい
ることにも注意すべきである。この処理過程はリーン領
域のラムダ値およびリッチ領域のラムダ値では殆ど問題
ではない。というのは、これらの領域内においてセンサ
電圧は時間的測定間隔内では著しく変化しないからであ
る。しかしラムダ＝約１の領域では２つの測定間の僅か
な時間的ずれの間に、顕著な跳躍特性を有するセンサを
使用している場合に激しい電圧跳躍が発生し得る。
ために、既に備わっているマイクロプロセッサの他に単
に負荷抵抗11およびスイッチ12を必要とするだけであ
る。問題となるのは、センサが負荷から完全に回復して
いない際にセンサを測定すると無負荷センサの電圧が不
正確に測定されることである。無負荷状態の電圧USと負
荷状態の電圧ULとは同時に測定されるのではなく、順次
連続して測定されるものを同時に測定するとみなしてい
ることにも注意すべきである。この処理過程はリーン領
域のラムダ値およびリッチ領域のラムダ値では殆ど問題
ではない。というのは、これらの領域内においてセンサ
電圧は時間的測定間隔内では著しく変化しないからであ
る。しかしラムダ＝約１の領域では２つの測定間の僅か
な時間的ずれの間に、顕著な跳躍特性を有するセンサを
使用している場合に激しい電圧跳躍が発生し得る。
このような時間的問題は次のようにして解消される。
すなわち、センサの内部抵抗を同じセンサの負荷によっ
て測定するのではなく別個に、センサに所定の電圧を印
加し、このセンサを流れる電流を測定し、所定の電圧と
測定した電流とからセンサの内部抵抗を算出するように
して解消される。有利には電圧として例えば2000Hzの交
流電圧を用いる。流れる交流は容易に、センサEMKによ
り惹起される電流から分離され、評価することができ
る。この方法による内部抵抗検出は数秒、例えば２秒の
間隔を置いて行うことができる。これはセンサ内部抵抗
が比較的緩慢にしか変化しないからである。これに対し
無負荷センサのセンサ電圧はこれよりも非常に頻繁に、
例えば10ms毎に走査検出される。測定されたセンサ電圧
は決して先行する負荷によって誤ることはない。
すなわち、センサの内部抵抗を同じセンサの負荷によっ
て測定するのではなく別個に、センサに所定の電圧を印
加し、このセンサを流れる電流を測定し、所定の電圧と
測定した電流とからセンサの内部抵抗を算出するように
して解消される。有利には電圧として例えば2000Hzの交
流電圧を用いる。流れる交流は容易に、センサEMKによ
り惹起される電流から分離され、評価することができ
る。この方法による内部抵抗検出は数秒、例えば２秒の
間隔を置いて行うことができる。これはセンサ内部抵抗
が比較的緩慢にしか変化しないからである。これに対し
無負荷センサのセンサ電圧はこれよりも非常に頻繁に、
例えば10ms毎に走査検出される。測定されたセンサ電圧
は決して先行する負荷によって誤ることはない。
このことは、既知の実効値を有する交流をセンサに流
し、実効電圧をセンサまたは補助抵抗にて測定し、電流
および電圧からセンサの内部抵抗を計算する場合にもあ
てはまる。
し、実効電圧をセンサまたは補助抵抗にて測定し、電流
および電圧からセンサの内部抵抗を計算する場合にもあ
てはまる。
実施例ではラムダ値を特性フィールドから読出すこと
を前提としている。この手段は計算コストが僅かである
という利点を有する。しかし理論的には、測定したセン
サ電圧を内部抵抗を考慮し数学的関数を用いて補正する
こともまた可能である。その場合数学的関数は内部抵抗
とセンサ電圧の関係を表す。相応して、センサの無負荷
状態で測定したセンサ電圧からまずラムダ値を検出し、
この値を数学的関数によって補正することも可能であ
る。この場合、関数はラムダ値と内部抵抗との間の関数
を表す。
を前提としている。この手段は計算コストが僅かである
という利点を有する。しかし理論的には、測定したセン
サ電圧を内部抵抗を考慮し数学的関数を用いて補正する
こともまた可能である。その場合数学的関数は内部抵抗
とセンサ電圧の関係を表す。相応して、センサの無負荷
状態で測定したセンサ電圧からまずラムダ値を検出し、
この値を数学的関数によって補正することも可能であ
る。この場合、関数はラムダ値と内部抵抗との間の関数
を表す。
フロントページの続き (72)発明者 ヴエスタードルフ，ミヒヤエル ドイツ連邦共和国 Ｄ‐7141 メークリ ンゲン ホーエンシユタウフエンシユト ラーセ 38 (56)参考文献 特開 昭58−10644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−39549（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 27/409
Claims (13)
- 【請求項１】無負荷状態でセンサ電圧USを出力するラム
ダセンサを用いて、ラムダ値を検出する方法であって、 該ラムダセンサは内部抵抗Riを有し、 該内部抵抗Riは、ラムダセンサの温度TSの関数として変
化する形式の方法において、 センサ電圧USを検出し、 前記ラムダセンサの内部抵抗Riを検出するために、該ラ
ムダセンサを時間間隔をおいて負荷抵抗により負荷し、
負荷されたラムダセンサの電圧ULを測定し、ここで前記
負荷抵抗の値を、内部抵抗Riの減少と共に低減するよう
にし、 前記内部抵抗Riを、負荷抵抗値、ラムダセンサの無負荷
状態の値US、および負荷状態の値ULとから計算し、 特性フィールドを設け、該特性フィールドにはラムダ値
が前記センサ電圧USと内部抵抗Riの関数として記憶して
おき、 前記特性フィールドを、前記センサ電圧USと内部抵抗Ri
のそれぞれの値によりアドレシングし、 ラムダ値を特性フィールドから前記センサ電圧USと内部
抵抗Riに相応して読み出す、 ことを特徴とするラムダ値検出方法。 - 【請求項２】負荷抵抗の低減は、それぞれ所定の抵抗値
を有する種々異なる抵抗の負荷接続によって行う、請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】負荷抵抗のそれぞれの値を、再び無負荷状
態になったラムダセンサの電圧が次回に走査検出までに
十分回復するように選定する、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】リッチ領域において指示を行う表示装置に
対してラムダ値検出を行い、特性フィールド（36u,36m,
36o）をそれぞれの負荷抵抗（11u,11m,11o）に割り当て
る、請求項２記載の方法。 - 【請求項５】リッチ領域におけるラムダ制御のためのラ
ムダ値検出に用いる、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】約１の周りのラムダ領域および／またはリ
ーン領域においてはラムダ値検出を、負荷なしで測定さ
れたセンサ電圧USをラムダ値に線形変換することによっ
て行う、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】前記特性フィールドは種々異なる値のセン
サ温度に対する一連の曲線を含み、前記ラムダ値を前記
曲線間の補間によって読み出す、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】内部抵抗Riを検出するために既知の電流を
センサに供給し、センサの電圧を測定し、内部抵抗Riを
既知の電流と測定されたセンサ電圧とから算出する、請
求項１記載の方法。 - 【請求項９】負荷抵抗の所定の値を、再び無負荷となっ
たセンサの電圧が次回の走査検出までに実質的に回復す
るように選定する、請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】さらに、センサ電圧を監視し、該センサ
電圧がリッチ領域での動作を表す所定のレベルを越える
ときに前記特性フィールドに供給し、非リッチ領域また
はリーン領域での動作を表す所定のレベルを下回るとき
に前記センサ電圧を線形化テーブルに供給する、請求項
１記載の方法。 - 【請求項１１】無負荷状態でセンサ電圧USを出力するラ
ムダセンサを用いて、ラムダ値を検出する方法であっ
て、 該ラムダセンサは内部抵抗Riを有し、 該内部抵抗Riは、ラムダセンサの温度TSの関数として変
化する形式の方法において、 センサ電圧USを検出し、 前記ラムダセンサの内部抵抗Riを検出し、 特性フィールドを設け、該特性フィールドにはラムダ値
が前記センサ電圧USと内部抵抗Riの関数として記憶して
おき、 前記特性フィールドを、前記センサ電圧USと内部抵抗Ri
のそれぞれの値によりアドレシングし、 ラムダ値を特性フィールドから前記センサ電圧USと内部
抵抗Riに相応して読み出し、 前記センサ電圧を監視し、該センサ電圧がリッチ領域で
の動作を表す所定のレベルを越えるときに前記特性フィ
ールドに供給し、 前記センサ電圧が非リッチ領域またはリーン領域での動
作を表す所定のレベルを下回るときに線形化テーブルに
供給する、 ことを特徴とするラムダ値検出方法。 - 【請求項１２】無負荷状態でセンサ電圧USを出力するラ
ムダセンサを用いて、ラムダ値を検出する方法であっ
て、 該ラムダセンサは内部抵抗Riを有し、 該内部抵抗Riは、ラムダセンサの温度TSの関数として変
化する形式の方法において、 センサ電圧USを検出し、 前記ラムダセンサの内部抵抗Riを検出し、 当該検出は、所定の電圧を前記センサに供給し、前記セ
ンサを流れる電流を測定し、前記所定の電圧を測定され
た電流とから算出することにより行い、 特性フィールドを設け、該特性フィールドにはラムダ値
が前記センサ電圧USと内部抵抗Riの関数として記憶して
おき、 前記特性フィールドを、前記センサ電圧USと内部抵抗Ri
のそれぞれの値によりアドレシングし、 ラムダ値を特性フィールドから前記センサ電圧USと内部
抵抗Riに相応して読み出し、 前記センサ電圧を監視し、該センサ電圧がリッチ領域で
の動作を表す所定のレベルを越えるときに前記特性フィ
ールドに供給し、 前記センサ電圧が非リッチ領域またはリーン領域での動
作を表す所定のレベルを下回るときに線形化テーブルに
供給する、 ことを特徴とするラムダ値検出方法。 - 【請求項１３】前記線形化テーブルはλ≒１の領域に対
して設けられており、別の線形化テーブルをリーン領域
に対して設ける、請求項12記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3727573.9 | 1987-08-19 | ||
| DE19873727573 DE3727573A1 (de) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | Verfahren und einrichtung zur warmlauf-, vollast- und magerregelung einer brennkraftmaschine bei vorgegebenem lambda-wert |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02504674A JPH02504674A (ja) | 1990-12-27 |
| JP2792877B2 true JP2792877B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=6334015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63506773A Expired - Fee Related JP2792877B2 (ja) | 1987-08-19 | 1988-08-18 | ラムダ値検出方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5140535A (ja) |
| EP (1) | EP0377600B1 (ja) |
| JP (1) | JP2792877B2 (ja) |
| KR (1) | KR970003279B1 (ja) |
| DE (2) | DE3727573A1 (ja) |
| WO (1) | WO1989001623A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758275B2 (ja) * | 1987-10-05 | 1995-06-21 | 株式会社日立製作所 | 酸素センサ |
| DE3836045A1 (de) * | 1988-10-22 | 1990-04-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und vorrichtung zur lambdasonden-innenwiderstandsbestimmung und zur heizungsregelung mit hilfe des innenwiderstandes |
| DE3942298A1 (de) * | 1989-12-21 | 1991-06-27 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur bestimmung der drehzahl und einer weiteren betriebskenngroesse einer brennkraftmaschine mittels eines sensors |
| US5230322A (en) * | 1992-11-06 | 1993-07-27 | Ford Motor Company | Method and apparatus for compensating for errors associated with a fuel type sensor |
| GB2283320B (en) * | 1993-10-04 | 1997-12-10 | Ford Motor Co | Diagnostic technique for exhaust gas oxygen sensor operation |
| US5390651A (en) * | 1993-10-29 | 1995-02-21 | Precision Engine Controls Corporation | Air/fuel ratio controller for larger internal combustion engines |
| DE4344961B4 (de) * | 1993-12-30 | 2004-05-06 | Robert Bosch Gmbh | Auswertevorrichtung für das Signal einer Sauerstoffsonde |
| DE19625899C2 (de) * | 1996-06-27 | 2002-11-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben einer Sauerstoffsonde |
| DE19629552C1 (de) * | 1996-07-22 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Kompensieren der Temperaturdrift einer Abgassonde |
| DE19636226B4 (de) * | 1996-09-06 | 2005-06-02 | Robert Bosch Gmbh | Lambdasondeninnenwiderstandsbestimmung |
| US6837227B2 (en) * | 2001-01-31 | 2005-01-04 | Cummins, Inc. | System and method for estimating EGR mass flow and EGR fraction |
| JP2003148235A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-21 | Hitachi Unisia Automotive Ltd | エンジンの空燃比検出装置 |
| US7036982B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-05-02 | Delphi Technologies, Inc. | Method and apparatus to control an exhaust gas sensor to a predetermined termperature |
| DE102004056861A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-08 | Kuka Roboter Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln, Steuern von Manipulatoren |
| DE102006053110B3 (de) * | 2006-11-10 | 2008-04-03 | Audi Ag | Verfahren zur Überprüfung des von einer binären Lambdasonde angezeigten Lambdawertes |
| DE102008005110B4 (de) * | 2008-01-15 | 2018-10-25 | Volkswagen Ag | Verfahren und Steuerung zum Betreiben und Einstellen einer Lambda-Sonde |
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