JP2778076B2 - トランジスタのコレクタ抵杭の測定方法 - Google Patents
トランジスタのコレクタ抵杭の測定方法Info
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- JP2778076B2 JP2778076B2 JP3403389A JP3403389A JP2778076B2 JP 2778076 B2 JP2778076 B2 JP 2778076B2 JP 3403389 A JP3403389 A JP 3403389A JP 3403389 A JP3403389 A JP 3403389A JP 2778076 B2 JP2778076 B2 JP 2778076B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はバーイポーラ集積回路におけるトランジスタ
のパラメータ抽出方法に関し、特にトランジスタのコレ
クタ抵抗の測定方法に関する。
のパラメータ抽出方法に関し、特にトランジスタのコレ
クタ抵抗の測定方法に関する。
従来、この種のトランジスタのコレクタ抵抗測定方法
は、コレクタ電流一定としてコレクタ電流／ベース電流
の値を変化させた時の値、コレクタ電流／ベース電流の
値を一定としてコレクタ電流を変化させた時の値等がそ
れぞれの目的により異なっていた。
は、コレクタ電流一定としてコレクタ電流／ベース電流
の値を変化させた時の値、コレクタ電流／ベース電流の
値を一定としてコレクタ電流を変化させた時の値等がそ
れぞれの目的により異なっていた。
上述した従来のトランジスタのコレクタ抵抗値は、そ
の目的により測定方法が異なっており、それぞれ異なっ
た値が用いられ、真のコレクタ抵抗が得られなかった。
の目的により測定方法が異なっており、それぞれ異なっ
た値が用いられ、真のコレクタ抵抗が得られなかった。
本発明によれば、一導電型の半導体基板に他導電型領
域をコレクタとするトランジスタを有するバーイポーラ
集積回路内のトランジスタのコレクタ，ベース端子を接
地電位、半導体基板を基板−コレクタ間が逆バイアスさ
れる固定電位として、エミッタ電位を接地電位から前記
固定電位の方向に徐々に増加させ、半導体基板へベース
から電荷が注入され始める時の基板電流とそれに対応す
るベース−コレクタ電圧，コレクタ電流を測定し、ベー
ス−コレクタ電圧をコレクタ電流で割って得られる値を
コレクタ抵抗とするトランジスタのコレクタ抵抗の測定
方法を得る。
域をコレクタとするトランジスタを有するバーイポーラ
集積回路内のトランジスタのコレクタ，ベース端子を接
地電位、半導体基板を基板−コレクタ間が逆バイアスさ
れる固定電位として、エミッタ電位を接地電位から前記
固定電位の方向に徐々に増加させ、半導体基板へベース
から電荷が注入され始める時の基板電流とそれに対応す
るベース−コレクタ電圧，コレクタ電流を測定し、ベー
ス−コレクタ電圧をコレクタ電流で割って得られる値を
コレクタ抵抗とするトランジスタのコレクタ抵抗の測定
方法を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、同図（ａ）
にNPNトランジスタの断面図を測定回路と共に示し、同
図（ｂ）は縦軸を電流値、横軸をベース−エミッタ電圧
とした時のlnIC,lnIB,ln|ISUB|とVBEとの関係を示す。
にNPNトランジスタの断面図を測定回路と共に示し、同
図（ｂ）は縦軸を電流値、横軸をベース−エミッタ電圧
とした時のlnIC,lnIB,ln|ISUB|とVBEとの関係を示す。
101はＰ型半導体基板、102はアンチモンから成るN+型
埋込層、103はP+型絶縁層、104はＰ型ベース層、105はN
+型エミッタ層、106はN+型コレクタ電極層、107は可変
電源、108は固定電源で−1.0V固定とする。エミッタ電
位を接地電位に対して下げて行くと、コレクタ電流，ベ
ース電流，基板電流は第１図（ｂ）の様な変化を示す。
基板電流はVBE＝775mVの時立ち上がりVBE＝780mVの時約
１μＡ流れる。VBE−780mVの時コレクタ電流が2mA流れ
るとする。又、NPNトランジスタのベースをエミッタ、
コレクタをベース、基板をコレクタとするPNPトランジ
スタがベース−コレクタ間電圧（逆方向）1Vの時にコレ
クタに１μＡの電流が流れるエミッタ−ベース電圧（NP
Nトランジスタではベース−コレクタ電圧）を500mVとす
ると、NPNトランジスタのコレクタ抵抗は500mV/2mA＝25
0Ωと求まる。これが、物理的なコレクタ抵抗となる。
埋込層、103はP+型絶縁層、104はＰ型ベース層、105はN
+型エミッタ層、106はN+型コレクタ電極層、107は可変
電源、108は固定電源で−1.0V固定とする。エミッタ電
位を接地電位に対して下げて行くと、コレクタ電流，ベ
ース電流，基板電流は第１図（ｂ）の様な変化を示す。
基板電流はVBE＝775mVの時立ち上がりVBE＝780mVの時約
１μＡ流れる。VBE−780mVの時コレクタ電流が2mA流れ
るとする。又、NPNトランジスタのベースをエミッタ、
コレクタをベース、基板をコレクタとするPNPトランジ
スタがベース−コレクタ間電圧（逆方向）1Vの時にコレ
クタに１μＡの電流が流れるエミッタ−ベース電圧（NP
Nトランジスタではベース−コレクタ電圧）を500mVとす
ると、NPNトランジスタのコレクタ抵抗は500mV/2mA＝25
0Ωと求まる。これが、物理的なコレクタ抵抗となる。
以上説明したように本発明は集積回路中のバーイポー
ラトランジスタのベース，コレクタ端子を共に接地電位
とし、基板電位を負の値に固定し、エミッタ電位を負の
方向に増加させ、基板電流の流れ始めるバイアス条件を
求めることにより物理定数としてのコレクタ抵抗を求め
ることができる。又、シミュレーションに用いるパラメ
ータの内、コレクタ抵抗として正確な値を入力すること
もできる。
ラトランジスタのベース，コレクタ端子を共に接地電位
とし、基板電位を負の値に固定し、エミッタ電位を負の
方向に増加させ、基板電流の流れ始めるバイアス条件を
求めることにより物理定数としてのコレクタ抵抗を求め
ることができる。又、シミュレーションに用いるパラメ
ータの内、コレクタ抵抗として正確な値を入力すること
もできる。
第１図（ａ）は本発明のNPNトランジスタコレクタ抵抗
を求めるためのNPNトランジスタの接続関係を示すため
の断面図、第１図（ｂ）はベース−エミッタ電圧を変化
させた時のコレクタ電流，ベース電流，基板電流の変化
を示すグラフである。 101……Ｐ型半導体基板、102……N+型埋込層、103……P
+型絶縁層、104……Ｐ型ベース層、105……N+型エミッ
タ層、106……N+型コレクタ電極層、107……可変電源、
108……固定電源、109……コレクタ抵抗。
を求めるためのNPNトランジスタの接続関係を示すため
の断面図、第１図（ｂ）はベース−エミッタ電圧を変化
させた時のコレクタ電流，ベース電流，基板電流の変化
を示すグラフである。 101……Ｐ型半導体基板、102……N+型埋込層、103……P
+型絶縁層、104……Ｐ型ベース層、105……N+型エミッ
タ層、106……N+型コレクタ電極層、107……可変電源、
108……固定電源、109……コレクタ抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板に他導電型領域をコ
レクタとするトランジスタを含むバーイポーラ集積回路
の該トランジスタのコレクタ，ベース端子を接地電位、
前記半導体基板を前記半導体基板と前記他導電型領域間
が逆バイアスされる固定電位として、エミッタ電位を接
地電位から前記固定電位の方向に徐々に増加させ、前記
半導体基板へベースから電荷が注入され始める時の基板
電流とそれに対応するベース−コレクタ電圧，コレクタ
電流を測定し、ベース−コレクタ電圧をコレクタ電流で
割って得られる値をコレクタ抵抗とすることを特徴とす
るトランジスタのコレクタ抵抗の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3403389A JP2778076B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | トランジスタのコレクタ抵杭の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3403389A JP2778076B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | トランジスタのコレクタ抵杭の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212776A JPH02212776A (ja) | 1990-08-23 |
| JP2778076B2 true JP2778076B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=12403030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3403389A Expired - Lifetime JP2778076B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | トランジスタのコレクタ抵杭の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778076B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5217907A (en) * | 1992-01-28 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP3403389A patent/JP2778076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02212776A (ja) | 1990-08-23 |
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