JP2773553B2 - スタッドバンプ付きicチップの製造方法 - Google Patents

スタッドバンプ付きicチップの製造方法

Info

Publication number
JP2773553B2
JP2773553B2 JP4185070A JP18507092A JP2773553B2 JP 2773553 B2 JP2773553 B2 JP 2773553B2 JP 4185070 A JP4185070 A JP 4185070A JP 18507092 A JP18507092 A JP 18507092A JP 2773553 B2 JP2773553 B2 JP 2773553B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
carrier tape
manufacturing
die
bonder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4185070A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0629299A (ja
Inventor
一功 葛原
二郎 橋爪
宏 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP4185070A priority Critical patent/JP2773553B2/ja
Publication of JPH0629299A publication Critical patent/JPH0629299A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2773553B2 publication Critical patent/JP2773553B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スタッドバンプ付きI
Cチップの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3及び図4は従来例を示すもので、ス
タッドバンプ付きICチップの製造方法を示すものであ
る。
【0003】まず、図3に示すように、集積回路(I
C)が形成されたウェハー1をワイヤーボンダー(図示
せず)にセットし、金ワイヤー2をキャピラリー3を介
して送出することによりICチップ4上にスタッドバン
プ5を形成する。
【0004】次に、ICチップ4上にスタッドバンプ5
が形成されたウェハー1を、図4に示すように、ダイシ
ングソー6を用いてチップに分離することにより、バン
プ付きICチップを製造していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、ウェハー状態でなくチップ状態で外部か
ら受け入れたICチップのように、既にチップ状態に分
離されたICチップのアルミパッド部にスタッドバンプ
を形成することは容易でなかった。
【0006】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、チップ状態に分離された
ICチップにスタッドバンプを容易に形成することがで
きる製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るスタッドバンプ付きICチップの製造
方法は、ダイボンダー及びワイヤーボンダーによる搬送
が可能なように加工された湾曲可能な樹脂製キャリアテ
ープの所定位置に、ダイボンダーによって熱可塑性樹脂
を介してICチップをダイボンドする工程と、そのキャ
リアテープをワイヤーボンダーにセットし、スタッドバ
ンプをICチップのアルミパッド部に形成する工程と、
そのキャリアテープを前記熱可塑性樹脂の接着力が弱く
なる温度まで加熱するとともに湾曲させ、ICチップを
キャリアテープより剥離する工程とを含んで成ることを
特徴とするものである。
【0008】
【実施例】図1は本発明に係る製法の一例を示す簡略工
程図である。
【0009】まず、ワイヤーボンダー及びダイボンダー
による搬送が可能なように加工されたキャリアテープを
樹脂基板にて作る。この実施例では、0.5 mmのポリイミ
ド基板をワイヤーボンダー及びダイボンダーにセット可
能な形状に加工した。このキャリアテープは撓みやすい
ようにするため、厚みを0.3 〜1.0 mm程度にすることが
望ましい。
【0010】次に、このキャリアテープ11を図1
(a)に示すようにダイボンダー(図示せず)にセット
し、所定の位置に位置合わせして、熱可塑性樹脂12を
介してICチップ13をダイボンドする。ここで、熱可
塑性樹脂12は、接着強度が25℃で107kgf/cm2
250℃で1kgf/cm2 以下のものを用いた。なお、図
中、14は熱可塑性樹脂吐出管、15はダイボンダーの
ヘッドである。
【0011】次に、ICチップ13をダイボンドしたキ
ャリアテープ11を、図1(b)に示すように、ワイヤ
ーボンダー(図示せず)にセットし、スタッドバンプ1
6をICチップ13のアルミパッド部に形成する。な
お、図中、17はキャピラリーである。
【0012】その後、キャリアテープ11を熱可塑性樹
脂12の接着力が弱くなる温度まで加熱(この実施例で
は250℃に加熱)し、図1(c)に示すようにキャリ
アテープ11を湾曲させ、ICチップ13をキャリアテ
ープ11より剥離することにより、図1(d)に示すよ
うなバンプ付きICチップが得られる。
【0013】このようにして製造されたICチップ13
は、例えばフェイスダウンボンディングにより、図2に
示すように、半田18を介して回路基板19に実装され
て使用される。なお、同図において、20は回路基板1
9上に形成された銅配線である。
【0014】
【発明の効果】本発明に係る製法を用いれば、ICチッ
プのアルミパッド部にスタッドバンプを容易に形成でき
る。従って、本発明を用いれば、ウェハー状態でなくチ
ップ状態で外部から受け入れたICチップであっても、
そのアルミパッド部にスタッドバンプを容易に形成でき
る。また、キャリアテープを湾曲させるようにしている
ので、ICチップをキャリアテープから容易に剥離する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る製法の一例を示す簡略工程図であ
る。
【図2】本発明により製造されたICチップを回路基板
に実装した状態を示す断面図である。
【図3】従来例を示すもので、ウェハーの状態でICチ
ップ上にスタッドバンプを形成する状態を示す簡略図で
ある。
【図4】従来例を示すもので、上記ウェハーをダイシン
グソーによりチップに分離する状態を示す簡略図であ
る。
【符号の説明】
11 キャリアテープ 12 熱可塑性樹脂 13 ICチップ 14 熱可塑性樹脂吐出管 15 ダイボンダーのヘッド 16 スタッドバンプ 17 キャピラリー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−86551(JP,A) 特開 平2−54945(JP,A) 特開 昭61−269318(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/321 H01L 21/60

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイボンダー及びワイヤーボンダーによ
    る搬送が可能なように加工された湾曲可能な樹脂製キャ
    リアテープの所定位置に、ダイボンダーによって熱可塑
    性樹脂を介してICチップをダイボンドする工程と、そ
    のキャリアテープをワイヤーボンダーにセットし、スタ
    ッドバンプをICチップのアルミパッド部に形成する工
    程と、そのキャリアテープを前記熱可塑性樹脂の接着力
    が弱くなる温度まで加熱するとともに湾曲させ、ICチ
    ップをキャリアテープより剥離する工程とを含んで成る
    スタッドバンプ付きICチップの製造方法。
JP4185070A 1992-07-13 1992-07-13 スタッドバンプ付きicチップの製造方法 Expired - Lifetime JP2773553B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4185070A JP2773553B2 (ja) 1992-07-13 1992-07-13 スタッドバンプ付きicチップの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4185070A JP2773553B2 (ja) 1992-07-13 1992-07-13 スタッドバンプ付きicチップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0629299A JPH0629299A (ja) 1994-02-04
JP2773553B2 true JP2773553B2 (ja) 1998-07-09

Family

ID=16164288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4185070A Expired - Lifetime JP2773553B2 (ja) 1992-07-13 1992-07-13 スタッドバンプ付きicチップの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2773553B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433857B1 (ko) * 1996-09-17 2004-06-04 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 아이씨칩의 조립 방법, 조립장치 및 그에 사용하는 테이프형 지지체

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61269318A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd 電子装置およびその再生製造方法
JPS6386551A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp バンプ形成方法
JPH0254945A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Toshiba Corp 電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0629299A (ja) 1994-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3255646B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3535879B2 (ja) 半導体パッケージアセンブリ方法
JP2773553B2 (ja) スタッドバンプ付きicチップの製造方法
JP2888385B2 (ja) 受発光素子アレイのフリップチップ接続構造
US20070278659A1 (en) Semiconductor package substrate and semiconductor package having the same
JPH0357236A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3508478B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01231333A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0430563A (ja) 半導体集積回路装置
JP2681145B2 (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH10214918A (ja) 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板
JP3192238B2 (ja) 半導体装置の組立方法
JPH01231332A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09223767A (ja) リードフレーム
JPH0626222B2 (ja) 半導体チツプのダイボンデイング方法
JPH05183102A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3434226B2 (ja) 固定リードフレームおよびその製造方法
JP3550946B2 (ja) Tab型半導体装置
JPH065646A (ja) 樹脂封止半導体装置およびその製造方法
JPH0119268B2 (ja)
JPH0897257A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06124975A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH05206214A (ja) フィルムキャリアテープ及びその製造方法
JPH0258245A (ja) 半導体装置