JPH0897257A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0897257A JPH0897257A JP6227868A JP22786894A JPH0897257A JP H0897257 A JPH0897257 A JP H0897257A JP 6227868 A JP6227868 A JP 6227868A JP 22786894 A JP22786894 A JP 22786894A JP H0897257 A JPH0897257 A JP H0897257A
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＴＡＢアウターリードとフレームインナーリ
ードとの接合において、安定した接合が得ることがで
き、しかも接合箇所の位置ずれを矯正することができる
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子の接続電極をＴＡＢテープのイン
ナーリード５ａに接合する第１の工程と、前記ＴＡＢテ
ープのアウターリード５ｂをフレームインナーリード６
に接合する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法
において、予め、前記ＴＡＢテープのアウターリードの
先端に接合孔５ｃを設けると共に、前記フレームインナ
ーリード６の先端を上向きに折曲げて接合片９ａを設け
ておき、前記第２の工程は、前記フレームインナーリー
ドの接合片を前記ＴＡＢテープのアウターリードの接合
孔に係合させて、ボンディングツールにより熱圧着し
た。
ードとの接合において、安定した接合が得ることがで
き、しかも接合箇所の位置ずれを矯正することができる
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子の接続電極をＴＡＢテープのイン
ナーリード５ａに接合する第１の工程と、前記ＴＡＢテ
ープのアウターリード５ｂをフレームインナーリード６
に接合する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法
において、予め、前記ＴＡＢテープのアウターリードの
先端に接合孔５ｃを設けると共に、前記フレームインナ
ーリード６の先端を上向きに折曲げて接合片９ａを設け
ておき、前記第２の工程は、前記フレームインナーリー
ドの接合片を前記ＴＡＢテープのアウターリードの接合
孔に係合させて、ボンディングツールにより熱圧着し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を利用した例
えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等
の半導体装置の製造方法に関し、特にＴＡＢテープとフ
レームインナーリードを熱と荷重でボンディングする半
導体装置の製造方法に関する。
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を利用した例
えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等
の半導体装置の製造方法に関し、特にＴＡＢテープとフ
レームインナーリードを熱と荷重でボンディングする半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップをパッケージのリードフレ
ームに接合する場合の中間接続部品として、ＴＡＢテー
プを使用する技術は従来より既に知られている。
ームに接合する場合の中間接続部品として、ＴＡＢテー
プを使用する技術は従来より既に知られている。
【０００３】この主の技術を用いた従来の半導体装置
は、例えば図４に示すように、まず、アイランド１０１
上にマウント剤１０２によって接着され、表面にバンプ
１０３が設けられたＬＳＩチップ１０４を用意する。
は、例えば図４に示すように、まず、アイランド１０１
上にマウント剤１０２によって接着され、表面にバンプ
１０３が設けられたＬＳＩチップ１０４を用意する。
【０００４】そして、ポリイミドフィルム１０５上に銅
箔リード１０６がパターン形成されたＴＡＢテープ１０
７をＬＳＩチップ１０４のバンプ１０３に接合する。す
なわち、前記銅箔リード１０６のインナーリード部（Ｔ
ＡＢインナーリード）１０７ａを前記バンプ１０３に熱
圧着する。
箔リード１０６がパターン形成されたＴＡＢテープ１０
７をＬＳＩチップ１０４のバンプ１０３に接合する。す
なわち、前記銅箔リード１０６のインナーリード部（Ｔ
ＡＢインナーリード）１０７ａを前記バンプ１０３に熱
圧着する。
【０００５】さらに、ボンディングツールを用いて前記
銅箔リード１０６のアウターリード部（ＴＡＢアウター
リード）１０７ｂをフレームインナーリード１０８上に
熱圧着する。この時、ＴＡＢアウターリード１０７ｂ表
面の錫めっきとフレームインナーリード１０８表面の銀
めっきとの間に合金層が形成され接合される。
銅箔リード１０６のアウターリード部（ＴＡＢアウター
リード）１０７ｂをフレームインナーリード１０８上に
熱圧着する。この時、ＴＡＢアウターリード１０７ｂ表
面の錫めっきとフレームインナーリード１０８表面の銀
めっきとの間に合金層が形成され接合される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造方法では、上述したようにＴＡＢ
アウターリード１０７ｂとフレームインナーリード１０
８との接合は、ボンディングツール１１１により外部か
ら熱と荷重を加えることにより行っているため、ボンデ
ィングツールの温度変化や高熱による接合で、図４に示
すようにボンディングツール１１１の先端に錫酸化物等
の異物１１２が付着することがある。このような場合
は、この異物によってＴＡＢアウターリード１０７ｂに
圧痕１１２ａが生じ、接合性の低下、接合箇所の劣化と
いう問題が生じていた。
来の半導体装置の製造方法では、上述したようにＴＡＢ
アウターリード１０７ｂとフレームインナーリード１０
８との接合は、ボンディングツール１１１により外部か
ら熱と荷重を加えることにより行っているため、ボンデ
ィングツールの温度変化や高熱による接合で、図４に示
すようにボンディングツール１１１の先端に錫酸化物等
の異物１１２が付着することがある。このような場合
は、この異物によってＴＡＢアウターリード１０７ｂに
圧痕１１２ａが生じ、接合性の低下、接合箇所の劣化と
いう問題が生じていた。
【０００７】さらに、ＴＡＢアウターリード１０７ｂと
フレームインナーリード１０８との接合箇所の位置ずれ
が生じた場合は、これを矯正することはできなかった。
フレームインナーリード１０８との接合箇所の位置ずれ
が生じた場合は、これを矯正することはできなかった。
【０００８】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、ＴＡＢアウタ
ーリードとフレームインナーリードとの接合において、
安定した接合が得ることができる半導体装置の製造方法
を提供することである。またその他の目的は、ＴＡＢア
ウターリードとフレームインナーリードとの接合におい
て、接合箇所の位置ずれを矯正することができる半導体
装置の製造方法を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、ＴＡＢアウタ
ーリードとフレームインナーリードとの接合において、
安定した接合が得ることができる半導体装置の製造方法
を提供することである。またその他の目的は、ＴＡＢア
ウターリードとフレームインナーリードとの接合におい
て、接合箇所の位置ずれを矯正することができる半導体
装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、半導体素子の接続電極をＴＡＢテ
ープのインナーリードに接合する第１の工程と、前記Ｔ
ＡＢテープのアウターリードをフレームインナーリード
に接合する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法
において、予め、前記ＴＡＢテープのアウターリードの
先端に接合孔を設けると共に、前記フレームインナーリ
ードの先端を上向きに折曲げて接合片を設けておき、前
記第２の工程は、前記フレームインナーリードの接合片
を前記ＴＡＢテープのアウターリードの接合孔に係合さ
せて、ボンディングツールにより熱圧着したものであ
る。
に、本発明の特徴は、半導体素子の接続電極をＴＡＢテ
ープのインナーリードに接合する第１の工程と、前記Ｔ
ＡＢテープのアウターリードをフレームインナーリード
に接合する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法
において、予め、前記ＴＡＢテープのアウターリードの
先端に接合孔を設けると共に、前記フレームインナーリ
ードの先端を上向きに折曲げて接合片を設けておき、前
記第２の工程は、前記フレームインナーリードの接合片
を前記ＴＡＢテープのアウターリードの接合孔に係合さ
せて、ボンディングツールにより熱圧着したものであ
る。
【００１０】また、上記発明において、前記フレームイ
ンナーリードの先端を下向きに折曲げて接合片を設ける
ようにしてもよい。
ンナーリードの先端を下向きに折曲げて接合片を設ける
ようにしてもよい。
【００１１】
【作用】上述の如き構成によれば、半導体素子の接続電
極をＴＡＢテープのインナーリードに接合した後、フレ
ームインナーリードの接合片をＴＡＢテープのアウター
リードの接合孔に係合させて、ボンディングツールによ
り熱圧着するようにしたので、ＴＡＢアウターリードと
フレームインナーリードとの接合において、従来のよう
な圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得ることが
でき、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正することがで
きる。
極をＴＡＢテープのインナーリードに接合した後、フレ
ームインナーリードの接合片をＴＡＢテープのアウター
リードの接合孔に係合させて、ボンディングツールによ
り熱圧着するようにしたので、ＴＡＢアウターリードと
フレームインナーリードとの接合において、従来のよう
な圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得ることが
でき、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正することがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法を実施
して製造されたＬＳＩパッケージの構成を示す断面図で
ある。
明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法を実施
して製造されたＬＳＩパッケージの構成を示す断面図で
ある。
【００１３】このＬＳＩパッケージは、パッケージの４
辺を利用して複数のリードを引出したＱＦＰパッケージ
であって、アイランド１上にマウント剤２を介して搭載
され且つ表面にバンプ３が形成されたＬＳＩチップ４を
有している。
辺を利用して複数のリードを引出したＱＦＰパッケージ
であって、アイランド１上にマウント剤２を介して搭載
され且つ表面にバンプ３が形成されたＬＳＩチップ４を
有している。
【００１４】このＬＳＩチップ４は、連続したＴＡＢテ
ープ５から切り離された１コマＴＡＢテープ５の中央部
に搭載され、このＴＡＢテープ５を介してフレームイン
ナーリード６が接続されている。すなわち、ＬＳＩチッ
プ４表面に形成されたバンプ３には、ＴＡＢテープ５の
インナーリード部（ＴＡＢインナーリード５ａ）が接合
され、ＴＡＢテープ５のアウターリード部（ＴＡＢアウ
ターリード５ｂ）が所定角で折曲げられて、フレームイ
ンナーリード６に接合されている。
ープ５から切り離された１コマＴＡＢテープ５の中央部
に搭載され、このＴＡＢテープ５を介してフレームイン
ナーリード６が接続されている。すなわち、ＬＳＩチッ
プ４表面に形成されたバンプ３には、ＴＡＢテープ５の
インナーリード部（ＴＡＢインナーリード５ａ）が接合
され、ＴＡＢテープ５のアウターリード部（ＴＡＢアウ
ターリード５ｂ）が所定角で折曲げられて、フレームイ
ンナーリード６に接合されている。
【００１５】このように、本実施例のＴＡＢテープ５
は、ＬＳＩチップ４をパッケージのリードフレームに接
合する場合の中間接続部品として使用されている。
は、ＬＳＩチップ４をパッケージのリードフレームに接
合する場合の中間接続部品として使用されている。
【００１６】ここで、ＴＡＢテープ５は、従来と同様
に、ポリイミドフィルム７に銅箔リード８がパターン形
成された２層構造を成し、銅箔リード８のインナリード
部がＴＡＢインナーリード５ａとして形成されると共
に、銅箔リード８のアウターリード部がＴＡＢアウター
リード５ｂとして形成されている。
に、ポリイミドフィルム７に銅箔リード８がパターン形
成された２層構造を成し、銅箔リード８のインナリード
部がＴＡＢインナーリード５ａとして形成されると共
に、銅箔リード８のアウターリード部がＴＡＢアウター
リード５ｂとして形成されている。
【００１７】また、ＴＡＢアウターリード５ｂとフレー
ムインナーリード６の接合部９（本発明の特徴部分）
は、後述するように係合熱圧着が施され、そしてパッケ
ージの４辺からリードを引出すようにＬＳＩチップ４全
体がモールド樹脂１０によって樹脂封止されている。
ムインナーリード６の接合部９（本発明の特徴部分）
は、後述するように係合熱圧着が施され、そしてパッケ
ージの４辺からリードを引出すようにＬＳＩチップ４全
体がモールド樹脂１０によって樹脂封止されている。
【００１８】次に、上述のように構成される本実施例の
半導体装置の製造方法を図２及び図３を用いて説明す
る。
半導体装置の製造方法を図２及び図３を用いて説明す
る。
【００１９】まず、本実施例のＬＳＩチップ４を構成す
るＬＳＩウェーハの表面の電極パッド上に、ＡｌやＡｕ
などのバンプ３をめっきや蒸着法によって形成し、さら
に例えばダイシングソー方式により、該ウェーハを個々
のＬＳＩチップ４に分割する。
るＬＳＩウェーハの表面の電極パッド上に、ＡｌやＡｕ
などのバンプ３をめっきや蒸着法によって形成し、さら
に例えばダイシングソー方式により、該ウェーハを個々
のＬＳＩチップ４に分割する。
【００２０】そして、分割された個々のＬＳＩチップ４
を、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金等のマウント剤２によりアイラ
ンド１上に接着する。
を、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金等のマウント剤２によりアイラ
ンド１上に接着する。
【００２１】このようなＬＳＩチップ４を用意してお
き、さらに、連続するＴＡＢテープ５を用意する。但
し、このＴＡＢテープ５における各１コマの複数のＴＡ
Ｂアウターリード５ｂの先端部には、既に、後で行うフ
レームインナーリード６との係合圧着のための接合孔５
ｃがそれぞれ設けられている。
き、さらに、連続するＴＡＢテープ５を用意する。但
し、このＴＡＢテープ５における各１コマの複数のＴＡ
Ｂアウターリード５ｂの先端部には、既に、後で行うフ
レームインナーリード６との係合圧着のための接合孔５
ｃがそれぞれ設けられている。
【００２２】そして、図２に示すように、ＬＳＩチップ
４の全バンプ３上にＴＡＢインナーリード５ａをそれぞ
れセットし、サーモードを降下して加圧・加熱して、Ｌ
ＳＩチップ４の全バンプ３とＴＡＢインナーリード５ａ
とを同時に接合する。このとき、サーモードは、３００
〜６００℃の高温に加熱され、このサーモードをＴＡＢ
インナーリード５ａに押し付けてＴＡＢインナーリード
５ａとＬＳＩチップ４のバンプ３を加圧しながら熱圧着
する。
４の全バンプ３上にＴＡＢインナーリード５ａをそれぞ
れセットし、サーモードを降下して加圧・加熱して、Ｌ
ＳＩチップ４の全バンプ３とＴＡＢインナーリード５ａ
とを同時に接合する。このとき、サーモードは、３００
〜６００℃の高温に加熱され、このサーモードをＴＡＢ
インナーリード５ａに押し付けてＴＡＢインナーリード
５ａとＬＳＩチップ４のバンプ３を加圧しながら熱圧着
する。
【００２３】その後、該ＬＳＩチップ４が搭載されたＴ
ＡＢテープ５の１コマを切り離すと共に、前記接合孔５
ｃが形成された各ＴＡＢアウターリード５ｂの先端部を
所定角で折曲げる（図２参照）。
ＡＢテープ５の１コマを切り離すと共に、前記接合孔５
ｃが形成された各ＴＡＢアウターリード５ｂの先端部を
所定角で折曲げる（図２参照）。
【００２４】次いで、図３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、先端を上向きにＬ字折曲して形成された接合片９ａ
を有するフレームインナーリード６を用意し、このフレ
ームインナーリード６の接合片９ａを前記ＴＡＢアウタ
ーリード５ｂの接合孔５ｃに差し込む。そして、前記フ
レームインナーリード６の接合片９ａに嵌合する凹形状
の先端部が設けられたボンディングツール１１を３００
〜６００℃の高温に加熱しておき、このボンディングツ
ール１１を前記フレームインナーリード６の接合片９ａ
へ下降し、その先端部によって該接合片９ａを押し付け
て荷重を加える。この時のボンディング荷重は例えば
５．１〜７．６ＭＰａ程度とする。
に、先端を上向きにＬ字折曲して形成された接合片９ａ
を有するフレームインナーリード６を用意し、このフレ
ームインナーリード６の接合片９ａを前記ＴＡＢアウタ
ーリード５ｂの接合孔５ｃに差し込む。そして、前記フ
レームインナーリード６の接合片９ａに嵌合する凹形状
の先端部が設けられたボンディングツール１１を３００
〜６００℃の高温に加熱しておき、このボンディングツ
ール１１を前記フレームインナーリード６の接合片９ａ
へ下降し、その先端部によって該接合片９ａを押し付け
て荷重を加える。この時のボンディング荷重は例えば
５．１〜７．６ＭＰａ程度とする。
【００２５】これによって、フレームインナーリード６
の接合片９ａが折曲げられ、ＴＡＢアウターリード５ｂ
とフレームインナーリード６とが熱圧着ボンディングさ
れる。
の接合片９ａが折曲げられ、ＴＡＢアウターリード５ｂ
とフレームインナーリード６とが熱圧着ボンディングさ
れる。
【００２６】このボンディング工程が終了した後は、例
えばトランスファーモールド法により樹脂封止を行う。
えばトランスファーモールド法により樹脂封止を行う。
【００２７】すなわち、専用成形機に取り付けられた金
型に、フレームインナーリード６にＴＡＢテープ５を介
してボンディングされたＬＳＩチップ４を装填し、型締
めを行う。さらに、既に成形温度（１７０℃）に加熱さ
れた金型に、モールド樹脂１０を装入して硬化させれ
ば、図１に示すＬＳＩパッケージが得られる。
型に、フレームインナーリード６にＴＡＢテープ５を介
してボンディングされたＬＳＩチップ４を装填し、型締
めを行う。さらに、既に成形温度（１７０℃）に加熱さ
れた金型に、モールド樹脂１０を装入して硬化させれ
ば、図１に示すＬＳＩパッケージが得られる。
【００２８】このように、本実施例では、フレームイン
ナーリード６の接合片９ａをＴＡＢアウターリード５ｂ
の接合孔５ｃに差し込み、ボンディングツール１１によ
り加圧・加熱して接合したので、ＴＡＢアウターリード
５ｂとフレームインナーリード６との接合において、従
来のような圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得
ることができ、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正する
ことができる。
ナーリード６の接合片９ａをＴＡＢアウターリード５ｂ
の接合孔５ｃに差し込み、ボンディングツール１１によ
り加圧・加熱して接合したので、ＴＡＢアウターリード
５ｂとフレームインナーリード６との接合において、従
来のような圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得
ることができ、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正する
ことができる。
【００２９】また、ＴＡＢアウターリード５ｂとフレー
ムインナーリード６との接合後において、その接合部９
の潰れ具合やＬ字接合片９ａの傾きに度合によって、ボ
ンディングツール１１を外さなくともツール先端部の欠
けや摩耗を確認することができる。
ムインナーリード６との接合後において、その接合部９
の潰れ具合やＬ字接合片９ａの傾きに度合によって、ボ
ンディングツール１１を外さなくともツール先端部の欠
けや摩耗を確認することができる。
【００３０】なお、上記実施例では、フレームインナー
リード６の先端を上向きに折曲げて接合片９ａを形成し
たが、これを下向きに折曲して接合片９ａを形成しても
よい。
リード６の先端を上向きに折曲げて接合片９ａを形成し
たが、これを下向きに折曲して接合片９ａを形成しても
よい。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、半導体素子の接続電極をＴＡＢテープのインナーリ
ードに接合する第１の工程と、前記ＴＡＢテープのアウ
ターリードをフレームインナーリードに接合する第２の
工程とを有する半導体装置の製造方法において、予め、
前記ＴＡＢテープのアウターリードの先端に接合孔を設
けると共に、前記フレームインナーリードの先端を上向
きに折曲げて接合片を設けておき、前記第２の工程は、
前記フレームインナーリードの接合片を前記ＴＡＢテー
プのアウターリードの接合孔に係合させて、ボンディン
グツールにより熱圧着したので、ＴＡＢアウターリード
とフレームインナーリードとの接合において、従来のよ
うな圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得ること
が可能となり、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正する
ことができる。
ば、半導体素子の接続電極をＴＡＢテープのインナーリ
ードに接合する第１の工程と、前記ＴＡＢテープのアウ
ターリードをフレームインナーリードに接合する第２の
工程とを有する半導体装置の製造方法において、予め、
前記ＴＡＢテープのアウターリードの先端に接合孔を設
けると共に、前記フレームインナーリードの先端を上向
きに折曲げて接合片を設けておき、前記第２の工程は、
前記フレームインナーリードの接合片を前記ＴＡＢテー
プのアウターリードの接合孔に係合させて、ボンディン
グツールにより熱圧着したので、ＴＡＢアウターリード
とフレームインナーリードとの接合において、従来のよ
うな圧痕が生ずることがなく、安定した接合が得ること
が可能となり、しかも、接合箇所の位置ずれを矯正する
ことができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を実施して製造
されたＬＳＩパッケージの構成を示す断面図である。
されたＬＳＩパッケージの構成を示す断面図である。
【図２】実施例の製造工程を示す図である。
【図３】実施例の製造工程を示す図である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を説明するための
図である。
図である。
１ アイランド ２ マウント剤 ３ バンプ ４ ＬＳＩチップ ５ ＴＡＢテープ ５ａ ＴＡＢインナーリード ５ｂ ＴＡＢアウターリード ５ｃ 接合孔 ６ フレームインナーリード ７ ポリイミドフィルム ８ 銅箔リード ９ 接合部 ９ａ 接合片 １０ モールド樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子の接続電極をＴＡＢテープの
インナーリードに接合する第１の工程と、前記ＴＡＢテ
ープのアウターリードをフレームインナーリードに接合
する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法におい
て、 予め、前記ＴＡＢテープのアウターリードの先端に接合
孔を設けると共に、前記フレームインナーリードの先端
を上向きに折曲げて接合片を設けておき、 前記第２の工程は、 前記フレームインナーリードの接合片を前記ＴＡＢテー
プのアウターリードの接合孔に係合させて、ボンディン
グツールにより熱圧着したことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記フレームインナーリードの先端を下
向きに折曲げて接合片を設けたことを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227868A JPH0897257A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227868A JPH0897257A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897257A true JPH0897257A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16867617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227868A Pending JPH0897257A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897257A (ja) |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP6227868A patent/JPH0897257A/ja active Pending
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