JP2765156B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JP2765156B2 JP2765156B2 JP2021312A JP2131290A JP2765156B2 JP 2765156 B2 JP2765156 B2 JP 2765156B2 JP 2021312 A JP2021312 A JP 2021312A JP 2131290 A JP2131290 A JP 2131290A JP 2765156 B2 JP2765156 B2 JP 2765156B2
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- Japan
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- film
- signal detection
- bias
- magnetic field
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置，磁気テーブ装置及びフロ
ッピーディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド
（以下、MRヘッドと呼ぶ）に関する。
ッピーディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド
（以下、MRヘッドと呼ぶ）に関する。
MRヘッドはNiFe及びNiCo等磁気抵抗効果を有する膜
（以下、MR膜と呼ぶ）において、印加磁界により抵抗値
が変化する性質を利用して磁気ディスク上に記録された
磁化情報を読み出す磁気ヘッドであって、MR膜の線型応
答を得るために磁化の向きと電流の向きとが略45゜をな
すようにバイアスが加えられる。
（以下、MR膜と呼ぶ）において、印加磁界により抵抗値
が変化する性質を利用して磁気ディスク上に記録された
磁化情報を読み出す磁気ヘッドであって、MR膜の線型応
答を得るために磁化の向きと電流の向きとが略45゜をな
すようにバイアスが加えられる。
第３図は従来のMRヘッドを示す斜視図であり、１は下
シールド、２は上シールド、３はMR膜、４は中間膜、５
はバイアス膜、６は電極、７はセンス電流、10は下ギャ
ップ、11は上ギャップ及び12は信号検出幅である。第３
図において、MR膜３上には中間膜４及びバイアス膜５が
積層され、MR膜３を流れる電流により発生する磁界と、
MR膜３とハイアス膜５との磁気的な結合により、MR膜３
にバイアスが与えられる。また、中間膜４にはTi,Cr及
びＷ等の高抵抗金属が用いられ、更に、バイアス膜５に
はCoZrMo及びCoTa等のアモルファス軟磁性膜あるあは、
FeSi及びFeAlSi等の高抵抗軟磁性金属が用いられる。こ
れらMR膜3,中間膜４及びバイアス膜５の積層体は、信号
検出幅12以外の領域が電極６により覆われセンス電流７
が電極６に集中して流れるため、MR膜３の抵抗変化は信
号検出幅のみ出力に寄与する。また、信号検出幅12の領
域はほぼ等しい幅の下シールド1aと上シールド2aとによ
って挟まれており、長波長の出力を制限している。
シールド、２は上シールド、３はMR膜、４は中間膜、５
はバイアス膜、６は電極、７はセンス電流、10は下ギャ
ップ、11は上ギャップ及び12は信号検出幅である。第３
図において、MR膜３上には中間膜４及びバイアス膜５が
積層され、MR膜３を流れる電流により発生する磁界と、
MR膜３とハイアス膜５との磁気的な結合により、MR膜３
にバイアスが与えられる。また、中間膜４にはTi,Cr及
びＷ等の高抵抗金属が用いられ、更に、バイアス膜５に
はCoZrMo及びCoTa等のアモルファス軟磁性膜あるあは、
FeSi及びFeAlSi等の高抵抗軟磁性金属が用いられる。こ
れらMR膜3,中間膜４及びバイアス膜５の積層体は、信号
検出幅12以外の領域が電極６により覆われセンス電流７
が電極６に集中して流れるため、MR膜３の抵抗変化は信
号検出幅のみ出力に寄与する。また、信号検出幅12の領
域はほぼ等しい幅の下シールド1aと上シールド2aとによ
って挟まれており、長波長の出力を制限している。
第４図は従来のMRヘッドのバイアス膜の磁界，磁化を
示す平面図であり、８はバイアス膜に印加される磁界、
９はバイアス膜の磁化である。第４図において、電極６
が積層された領域では、センス電流７が電極６に集中し
て流れるためバイアス膜５には上向きの磁界８が印加さ
れる。一方、信号検出幅12の領域では、センス電流７は
MR膜３に集中して流れるため、バイアス膜５には下向き
の磁界８が印加される。この下向きの磁界８は、バイア
ス膜５とMR膜３との磁気的な結合により大きい。このた
め、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域で
は上方に回転し、また、信号検出幅12の領域では下向き
の磁界８に揃って下を向く。
示す平面図であり、８はバイアス膜に印加される磁界、
９はバイアス膜の磁化である。第４図において、電極６
が積層された領域では、センス電流７が電極６に集中し
て流れるためバイアス膜５には上向きの磁界８が印加さ
れる。一方、信号検出幅12の領域では、センス電流７は
MR膜３に集中して流れるため、バイアス膜５には下向き
の磁界８が印加される。この下向きの磁界８は、バイア
ス膜５とMR膜３との磁気的な結合により大きい。このた
め、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域で
は上方に回転し、また、信号検出幅12の領域では下向き
の磁界８に揃って下を向く。
次に、信号検出幅12の両端、すなわち、電極６が積層
された領域との境界では、バイアス膜５の磁化は、90゜
以上の角度をなして接しているため磁壁が形成される。
このような磁壁が存在すると、磁気ディスク上に記録さ
れた記録磁化を読み出す際に磁界強度の変動により磁壁
移動を生じ、この磁壁移動によるバイアスの変化がMR膜
３の出力に雑音として重畳される。
された領域との境界では、バイアス膜５の磁化は、90゜
以上の角度をなして接しているため磁壁が形成される。
このような磁壁が存在すると、磁気ディスク上に記録さ
れた記録磁化を読み出す際に磁界強度の変動により磁壁
移動を生じ、この磁壁移動によるバイアスの変化がMR膜
３の出力に雑音として重畳される。
本発明によれば、信号検出部を構成する下シールド，
下ギャップ，磁気抵抗効果膜，中間膜，バイアス膜，電
極，上ギャップ及び上シールドが順次積層され、信号検
出幅のみ前記電極が除去されたシールド型磁気抵抗効果
ヘッドにおいて、前記上シールドの幅が前記信号検出幅
に等しく、且つ、前記下シールドの幅が前記信号検出幅
より大にすることで実現される。
下ギャップ，磁気抵抗効果膜，中間膜，バイアス膜，電
極，上ギャップ及び上シールドが順次積層され、信号検
出幅のみ前記電極が除去されたシールド型磁気抵抗効果
ヘッドにおいて、前記上シールドの幅が前記信号検出幅
に等しく、且つ、前記下シールドの幅が前記信号検出幅
より大にすることで実現される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。第１
図において、MR膜3,中間膜４及びバイアス膜５の積層体
は、信号検出幅12以外の領域で電極６に覆われており、
MR膜３の抵抗変化は信号検出幅12の領域のみで出力に寄
与する。また、上記積層体は信号検出幅12の領域で下シ
ールド１及び上シールド２により挟まれており、上シー
ルド２の幅は信号検出幅12に等しく、下シールド１の幅
は信号検出幅12より広い。下シールド１及び上シールド
２材質にはNiFeを用い、また、下ギャップ10及び上ギャ
ップ11にはAl2O3を用いる。更にはMR膜３にはNiFe、中
間膜４にはTi、バイアス膜５にはCoZrMo膜をそれぞれ用
いる。
図において、MR膜3,中間膜４及びバイアス膜５の積層体
は、信号検出幅12以外の領域で電極６に覆われており、
MR膜３の抵抗変化は信号検出幅12の領域のみで出力に寄
与する。また、上記積層体は信号検出幅12の領域で下シ
ールド１及び上シールド２により挟まれており、上シー
ルド２の幅は信号検出幅12に等しく、下シールド１の幅
は信号検出幅12より広い。下シールド１及び上シールド
２材質にはNiFeを用い、また、下ギャップ10及び上ギャ
ップ11にはAl2O3を用いる。更にはMR膜３にはNiFe、中
間膜４にはTi、バイアス膜５にはCoZrMo膜をそれぞれ用
いる。
第２図は本発明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜５
の磁化と磁界を示す平面図である。第２図において、電
極６が積層された領域では、センス電流７が電極６に集
中して流れる。この電流によって発生する磁界は、MR膜
3,中間膜4,バイアス膜５及び下シールド１に対して下向
きに印加される。また、下シールド１はMR膜３及びバイ
アス膜５に対して膜厚が10倍以上も厚いため、下シール
ド１の反磁界は非常に大きく、下シールド１によりバイ
アス膜５に印加される磁界の向きは、センス電流７が発
生する磁界とは逆向きになる。次に、センス電流７が発
生する磁界と下シールド１が発生する磁界との大きさを
比較すると、下シールド１が発生する磁界が大きいた
め、バイアス膜５には下向きの磁界８が印加される。一
方、信号検出幅12の領域ではセンサ電流７はMR膜３に集
中して流れるため、バイアス膜５には下向きの磁界８が
印加される。この下向きの磁界８は、バイアス膜５とMR
膜３の磁気的な結合により非常に大きい。このため、バ
イアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域では下方
に回転し、信号検出幅の領域では下向きの磁界８に揃っ
て下を向く。更に、信号検出幅12の両端、すなわち、電
極６が積層された領域との境界では、バイアス膜５の磁
化は90゜以下の角度で接するため磁壁が形成されない。
従って、磁壁移動による雑音の発生の恐れがない。
の磁化と磁界を示す平面図である。第２図において、電
極６が積層された領域では、センス電流７が電極６に集
中して流れる。この電流によって発生する磁界は、MR膜
3,中間膜4,バイアス膜５及び下シールド１に対して下向
きに印加される。また、下シールド１はMR膜３及びバイ
アス膜５に対して膜厚が10倍以上も厚いため、下シール
ド１の反磁界は非常に大きく、下シールド１によりバイ
アス膜５に印加される磁界の向きは、センス電流７が発
生する磁界とは逆向きになる。次に、センス電流７が発
生する磁界と下シールド１が発生する磁界との大きさを
比較すると、下シールド１が発生する磁界が大きいた
め、バイアス膜５には下向きの磁界８が印加される。一
方、信号検出幅12の領域ではセンサ電流７はMR膜３に集
中して流れるため、バイアス膜５には下向きの磁界８が
印加される。この下向きの磁界８は、バイアス膜５とMR
膜３の磁気的な結合により非常に大きい。このため、バ
イアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域では下方
に回転し、信号検出幅の領域では下向きの磁界８に揃っ
て下を向く。更に、信号検出幅12の両端、すなわち、電
極６が積層された領域との境界では、バイアス膜５の磁
化は90゜以下の角度で接するため磁壁が形成されない。
従って、磁壁移動による雑音の発生の恐れがない。
尚、MR膜３には、信号検出幅12の領域では上向きのバ
イアス磁界が印加され、電極６が積層された領域で印加
される磁界の向きとは逆向きとなるが、MR膜３において
は、磁化の回転は略45゜となるように設定されるため、
信号検出幅12と電極６の積層領域との境界における磁化
の向きの変化は90゜以下となって磁壁は形成されない。
イアス磁界が印加され、電極６が積層された領域で印加
される磁界の向きとは逆向きとなるが、MR膜３において
は、磁化の回転は略45゜となるように設定されるため、
信号検出幅12と電極６の積層領域との境界における磁化
の向きの変化は90゜以下となって磁壁は形成されない。
以上説明したように本発明では、下シールドの幅を信
号検出領域より広げることにより、バイアス膜の磁化の
向きの変化を押え、磁壁の発生を抑制することができ
る。これにより、雑音発生の少ない磁気抵抗効果ヘッド
を得ることができる。
号検出領域より広げることにより、バイアス膜の磁化の
向きの変化を押え、磁壁の発生を抑制することができ
る。これにより、雑音発生の少ない磁気抵抗効果ヘッド
を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜に印加される磁界
を示す平面図、第３図は従来例を示す斜視図、第４図は
従来例においてバイアス膜に印加される磁界を示す平面
図である。 1,1a……下シールド、2,2a……上シールド、３……MR
膜、４……中間膜、５……バイアス膜、６……電極、７
……センス電流、８……バイアス膜に印加される磁界、
９……バイアス膜、10……下ギャップ、11……上ギャッ
プ、12……信号検出幅。
明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜に印加される磁界
を示す平面図、第３図は従来例を示す斜視図、第４図は
従来例においてバイアス膜に印加される磁界を示す平面
図である。 1,1a……下シールド、2,2a……上シールド、３……MR
膜、４……中間膜、５……バイアス膜、６……電極、７
……センス電流、８……バイアス膜に印加される磁界、
９……バイアス膜、10……下ギャップ、11……上ギャッ
プ、12……信号検出幅。
Claims (1)
- 【請求項１】信号検出部を構成する下シールド，下ギャ
ップ，磁気抵抗効果膜，中間膜，バイアス膜，電極，上
ギャップ及び上シールドが順次積層され、信号検出幅の
み前記電極が除去されたシールド型磁気抵抗効果ヘッド
において、前記上シールドの幅が前記信号検出幅に等し
く、且つ、前記下シールドの幅が前記信号検出幅より大
であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021312A JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021312A JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225612A JPH03225612A (ja) | 1991-10-04 |
| JP2765156B2 true JP2765156B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=12051638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021312A Expired - Lifetime JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765156B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2747499B1 (fr) * | 1996-04-12 | 1998-07-17 | Silmag Sa | Tete magnetique horizontale a magnetoresistance perfectionnee |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918554A (en) * | 1988-09-27 | 1990-04-17 | International Business Machines Corporation | Process for making a shielded magnetoresistive sensor |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2021312A patent/JP2765156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03225612A (ja) | 1991-10-04 |
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