JPH03225612A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH03225612A JPH03225612A JP2131290A JP2131290A JPH03225612A JP H03225612 A JPH03225612 A JP H03225612A JP 2131290 A JP2131290 A JP 2131290A JP 2131290 A JP2131290 A JP 2131290A JP H03225612 A JPH03225612 A JP H03225612A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 27
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 46
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 15
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置及びフロッ
ピーディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと呼ぶ）に関する。
ピーディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと呼ぶ）に関する。
ＭＲヘッドはＮｆ Ｆｅ及びＮｉＣｏ等磁気抵抗効果を
有する膜（以下、ＭＲ膜と呼ぶ）において、印加磁界に
より抵抗値が変化する性質を利用して磁気ディスク上に
記録された磁化情報を読み出す磁気ヘッドであって、Ｍ
Ｒ膜の線型応答を得るために磁化の向きと電流の向きと
が略４５″をなすようにバイアスが加えられる。
有する膜（以下、ＭＲ膜と呼ぶ）において、印加磁界に
より抵抗値が変化する性質を利用して磁気ディスク上に
記録された磁化情報を読み出す磁気ヘッドであって、Ｍ
Ｒ膜の線型応答を得るために磁化の向きと電流の向きと
が略４５″をなすようにバイアスが加えられる。
第３図は従来のＭＲヘッドを示す斜視図であり、１は下
シールド、２は上シールド、３はＭＲ膜、４は中間膜、
５はバイアス膜、６は電極、７はセンス電流、１０は下
ギャップ、１１は上ギャップ及び工２は信号検出幅であ
る。第３図において、ＭＲ膜膜上上は中間膜４及びバイ
アス膜５が積層され、ＭＲ膜３を流れる電流により発生
する磁界と、ＭＲ膜３とバイアス膜５との磁気的な結合
により、ＭＲ膜３にバイアスが与えられる。また、中間
膜４にはＴｉ＋Ｃｒ及びＷ等の高抵抗金属が用いられ、
更に、バイアス膜５にはＣｏＺｒＭｏ及びＣｏＴａ等の
アモルファス軟磁性膜あるあは、ＦｅＳ ｉ及びＦｅＡ
ｌＳｉ等の高抵抗軟磁性金属が用いられる。これらＭＲ
膜３．中間膜４及びバイアス膜５の積層体は、信号検出
幅１２以外の領域が電極６により覆われセンス電流７が
電極６に集中して流れるため、ＭＲ膜３の抵抗変化は信
号検出幅のみ出力に寄与する。また、信号検出幅１２の
領域は下シールド１と上シールド２とによって挟まれて
おり、長波長の出力を制限している。
シールド、２は上シールド、３はＭＲ膜、４は中間膜、
５はバイアス膜、６は電極、７はセンス電流、１０は下
ギャップ、１１は上ギャップ及び工２は信号検出幅であ
る。第３図において、ＭＲ膜膜上上は中間膜４及びバイ
アス膜５が積層され、ＭＲ膜３を流れる電流により発生
する磁界と、ＭＲ膜３とバイアス膜５との磁気的な結合
により、ＭＲ膜３にバイアスが与えられる。また、中間
膜４にはＴｉ＋Ｃｒ及びＷ等の高抵抗金属が用いられ、
更に、バイアス膜５にはＣｏＺｒＭｏ及びＣｏＴａ等の
アモルファス軟磁性膜あるあは、ＦｅＳ ｉ及びＦｅＡ
ｌＳｉ等の高抵抗軟磁性金属が用いられる。これらＭＲ
膜３．中間膜４及びバイアス膜５の積層体は、信号検出
幅１２以外の領域が電極６により覆われセンス電流７が
電極６に集中して流れるため、ＭＲ膜３の抵抗変化は信
号検出幅のみ出力に寄与する。また、信号検出幅１２の
領域は下シールド１と上シールド２とによって挟まれて
おり、長波長の出力を制限している。
第４図は従来のＭＲヘッドのバイアス膜の磁界。
磁化を示す平面図であり、８はバイアス膜に印加される
磁界、９はバイアス膜の磁化である。第４図において、
電極６が積層された領域では、センス電流７が電極６に
集中して流れるためバイアス膜５には上向きの磁界８が
印加される。一方、信号検出幅１２の領域では、センス
電流７はＭＲ膜３に集中して流れるため、バイアス膜５
には下向きの磁界８が印加される。この下向きの磁界８
は、バイアス膜５とＭＲ膜３との磁気的な結合により大
きい。このため、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層
された領域では上方に回転し、また、信号検出幅１２の
領域では下向きの磁界８に揃って下を向く。
磁界、９はバイアス膜の磁化である。第４図において、
電極６が積層された領域では、センス電流７が電極６に
集中して流れるためバイアス膜５には上向きの磁界８が
印加される。一方、信号検出幅１２の領域では、センス
電流７はＭＲ膜３に集中して流れるため、バイアス膜５
には下向きの磁界８が印加される。この下向きの磁界８
は、バイアス膜５とＭＲ膜３との磁気的な結合により大
きい。このため、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層
された領域では上方に回転し、また、信号検出幅１２の
領域では下向きの磁界８に揃って下を向く。
次に、信号検出幅１２の両端、すなわち、電極６が積層
された領域との境界では、バイアス膜５の磁化は、９０
°以上の角度をなして接しているため磁壁が形成される
。このような磁壁が存在すると、磁気ディスク上に記録
された記録磁化を読み出す際に磁界強度の変動により磁
壁移動を生じ、この磁壁移動によるバイアスの変化がＭ
Ｒ膜３の出力に雑音として重畳される。
された領域との境界では、バイアス膜５の磁化は、９０
°以上の角度をなして接しているため磁壁が形成される
。このような磁壁が存在すると、磁気ディスク上に記録
された記録磁化を読み出す際に磁界強度の変動により磁
壁移動を生じ、この磁壁移動によるバイアスの変化がＭ
Ｒ膜３の出力に雑音として重畳される。
本発明によれば、信号検出部を構成する下シールド、下
ギャップ、磁気抵抗効果膜、中間膜、バイアス膜、電極
、上ギャップ及び上シールドが順次積層され、信号検出
幅のみ前記電極が除去されたシールド型磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、前記上シールドの幅が前記信号検出幅に
等しく、且つ、前記下シールドの幅が前記信号検出幅よ
り大にすることで実現される。
ギャップ、磁気抵抗効果膜、中間膜、バイアス膜、電極
、上ギャップ及び上シールドが順次積層され、信号検出
幅のみ前記電極が除去されたシールド型磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、前記上シールドの幅が前記信号検出幅に
等しく、且つ、前記下シールドの幅が前記信号検出幅よ
り大にすることで実現される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。第１図
において、ＭＲ膜３．中間膜４及びバイアス膜５の積層
体は、信号検出幅１２以外の領域で電極６に覆われてお
り、ＭＲ膜３の抵抗変化は信号検出幅１２の領域のみで
出力に寄与する。
において、ＭＲ膜３．中間膜４及びバイアス膜５の積層
体は、信号検出幅１２以外の領域で電極６に覆われてお
り、ＭＲ膜３の抵抗変化は信号検出幅１２の領域のみで
出力に寄与する。
また、上記積層体は信号検出幅１２の領域で下シールド
１及び上シールド２により挟まれており、上シールド２
の幅は信号検出幅１２に等しく、下シールド１の幅は信
号検出幅１２より広い。下シールド１及び上シールド２
材質にはＮｉ Ｆｅを用い、また、下ギャップ１０及び
上ギャップ１１にはＡｌ２Ｏ５を用いる。更にはＭＲ膜
３にはＮｉＦ ｅ Ｎ中間膜４にはＴｉ１バイアス膜５
にはＣＯＺ ｒ Ｍ ｏ膜をそれぞれ用いる。
１及び上シールド２により挟まれており、上シールド２
の幅は信号検出幅１２に等しく、下シールド１の幅は信
号検出幅１２より広い。下シールド１及び上シールド２
材質にはＮｉ Ｆｅを用い、また、下ギャップ１０及び
上ギャップ１１にはＡｌ２Ｏ５を用いる。更にはＭＲ膜
３にはＮｉＦ ｅ Ｎ中間膜４にはＴｉ１バイアス膜５
にはＣＯＺ ｒ Ｍ ｏ膜をそれぞれ用いる。
第２図は本発明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜５の
磁化と磁界を示す平面図である。第２図において、電極
６が積層された領域では、センス電流７が電極６に集中
して流れる。この電流によって発生する磁界は、ＭＲ膜
３．中間膜４．バイアス膜５及び下シールド１に対して
下向きに印加される。また、下シールド１はＭＲ膜３及
びバイアス膜５に対して膜厚が１０倍以上も厚いため、
下シールド１の反磁界は非常に大きく、下シールド１に
よりバイアス膜５に印加される磁界の向きは、センス電
流７が発生する磁界とは逆向きになる。次に、センス電
流７が発生する磁界と下シールド１が発生する磁界との
大きさを比較すると、下シールド１が発生する磁界が大
きいため、バイアス膜５には下向きの磁界８が印加され
る。
磁化と磁界を示す平面図である。第２図において、電極
６が積層された領域では、センス電流７が電極６に集中
して流れる。この電流によって発生する磁界は、ＭＲ膜
３．中間膜４．バイアス膜５及び下シールド１に対して
下向きに印加される。また、下シールド１はＭＲ膜３及
びバイアス膜５に対して膜厚が１０倍以上も厚いため、
下シールド１の反磁界は非常に大きく、下シールド１に
よりバイアス膜５に印加される磁界の向きは、センス電
流７が発生する磁界とは逆向きになる。次に、センス電
流７が発生する磁界と下シールド１が発生する磁界との
大きさを比較すると、下シールド１が発生する磁界が大
きいため、バイアス膜５には下向きの磁界８が印加され
る。
方、信号検出幅１２の領域ではセンス電流７はＭＲ膜３
に集中して流れるため、バイアス膜５には下向きの磁界
８が印加される。この下向きの磁界８は、バイアス膜５
とＭＲ膜３の磁気的な結合により非常に大きい。このた
め、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域で
は下方に回転し、信号検出幅の領域では下向きの磁界８
に揃って下を向く。更に、信号検出幅１２の両端、すな
わち、電極８が積層された領域との境界では、バイアス
膜５の磁化は９０”以下の角度で接するため磁壁が形成
されない。従って、磁壁移動による雑音の発生の恐れが
ない。
に集中して流れるため、バイアス膜５には下向きの磁界
８が印加される。この下向きの磁界８は、バイアス膜５
とＭＲ膜３の磁気的な結合により非常に大きい。このた
め、バイアス膜５の磁化９は電極６が積層された領域で
は下方に回転し、信号検出幅の領域では下向きの磁界８
に揃って下を向く。更に、信号検出幅１２の両端、すな
わち、電極８が積層された領域との境界では、バイアス
膜５の磁化は９０”以下の角度で接するため磁壁が形成
されない。従って、磁壁移動による雑音の発生の恐れが
ない。
尚、ＭＲ膜３には、信号検出幅１２の領域では上向きの
バイアス磁界が印加され、電極８が積層された領域で印
加される磁界の向きとは逆向きとなるが、ＭＲ膜３にお
いては、磁化の回転は略４５°となるように設定される
ため、信号検出幅１２と電極６の積層領域との境界にお
ける磁化の向きの変化は９０°以下となって磁壁は形成
されない。
バイアス磁界が印加され、電極８が積層された領域で印
加される磁界の向きとは逆向きとなるが、ＭＲ膜３にお
いては、磁化の回転は略４５°となるように設定される
ため、信号検出幅１２と電極６の積層領域との境界にお
ける磁化の向きの変化は９０°以下となって磁壁は形成
されない。
以上説明したように本発明では、下シールドの幅を信号
検出領域より広げることにより、バイアス膜の磁化の向
きの変化を押え、磁壁の発生を抑制することができる。
検出領域より広げることにより、バイアス膜の磁化の向
きの変化を押え、磁壁の発生を抑制することができる。
これにより、雑音発生の少ない磁気抵抗効果ヘッドを得
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜に印加される磁界
を示す平面図、第３図は従来例を示す斜視図、第４図は
従来例においてバイアス膜に印加される磁界を示す平面
図である。 １・・・下シールド、２・・・上シールド、３・・・Ｍ
Ｒ膜、４・・・中間膜、５・・・バイアス膜、６・・・
電極、７・・・センス電流、８・・・バイアス膜に印加
される磁界、９・・・バイアス膜、１０・・・下ギャッ
プ、１１・・・上ギャップ、１２・・・信号検出幅。
明の磁気抵抗効果ヘッドのバイアス膜に印加される磁界
を示す平面図、第３図は従来例を示す斜視図、第４図は
従来例においてバイアス膜に印加される磁界を示す平面
図である。 １・・・下シールド、２・・・上シールド、３・・・Ｍ
Ｒ膜、４・・・中間膜、５・・・バイアス膜、６・・・
電極、７・・・センス電流、８・・・バイアス膜に印加
される磁界、９・・・バイアス膜、１０・・・下ギャッ
プ、１１・・・上ギャップ、１２・・・信号検出幅。
Claims (1)
- 信号検出部を構成する下シールド、下ギャップ、磁気抵
抗効果膜、中間膜、バイアス膜、電極、上ギャップ及び
上シールドが順次積層され、信号検出幅のみ前記電極が
除去されたシールド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前
記上シールドの幅が前記信号検出幅に等しく、且つ、前
記下シールドの幅が前記信号検出幅より大であることを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021312A JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021312A JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225612A true JPH03225612A (ja) | 1991-10-04 |
| JP2765156B2 JP2765156B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=12051638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021312A Expired - Lifetime JP2765156B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765156B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116009A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-04-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 遮蔽磁気抵抗センサの製造方法 |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2021312A patent/JP2765156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116009A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-04-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 遮蔽磁気抵抗センサの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
| FR2747499A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-17 | Silmag Sa | Tete magnetique horizontale a magnetoresistance perfectionnee |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2765156B2 (ja) | 1998-06-11 |
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