JP2763078B2 - ポリマー光導波路およびその形成方法 - Google Patents
ポリマー光導波路およびその形成方法Info
- Publication number
- JP2763078B2 JP2763078B2 JP3040823A JP4082391A JP2763078B2 JP 2763078 B2 JP2763078 B2 JP 2763078B2 JP 3040823 A JP3040823 A JP 3040823A JP 4082391 A JP4082391 A JP 4082391A JP 2763078 B2 JP2763078 B2 JP 2763078B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical waveguide
- refractive index
- exposed
- photosensitizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 114
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 28
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 23
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- UNKQPEQSAGXBEV-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound O=C.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 UNKQPEQSAGXBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 10
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 4
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 3
- -1 vinyl halide Chemical class 0.000 description 3
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.1.0]hexane Chemical compound C1CCC2OC21 GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 2
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OHNNZOOGWXZCPZ-RNGGSSJXSA-N (1R,2S,4R,5S)-3-oxatricyclo[3.2.1.02,4]octane Chemical compound C1C[C@H]2[C@@H]3O[C@@H]3[C@@H]1C2 OHNNZOOGWXZCPZ-RNGGSSJXSA-N 0.000 description 1
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INLLPKCGLOXCIV-UHFFFAOYSA-N bromoethene Chemical compound BrC=C INLLPKCGLOXCIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【0001】
【発明の分野】本発明は、ポリマー光導波路及びその形
成方法に関する。
成方法に関する。
【0002】
【先行技術の説明】基礎的な光導波路は、屈折率のより
低い物質によって取り囲まれた屈折率の高い物質からな
るストリップ構造体である。導波路の形状と成分の屈折
率の両方が導波路の光導波特性を決定するであろう。例
としては、屈折率のより低い物質は空気でさえあり得
る。しかしながら、このような導波路は、導波路と、被
覆媒体として作用するであろう空気との間の有りがちな
大きな屈折率差による損失があるであろう。さらにま
た、このような導波路には環境上の保護がないであろ
う。結果として、このような基礎的な光導波路への必要
な付加は、より低い屈折率を有する物質によって導波路
を被覆することであろう。明らかに、このような被覆を
実施するために簡単な方法を有することが望ましいであ
ろう。物質の単一のフィルムにパターンを描き、そして
被覆の屈折率を選択的に制御し得るある種の手段で変更
できるプレーナ方法は非常に望ましい手法であろう。こ
れは、当該技術分野において既に認識されている。
低い物質によって取り囲まれた屈折率の高い物質からな
るストリップ構造体である。導波路の形状と成分の屈折
率の両方が導波路の光導波特性を決定するであろう。例
としては、屈折率のより低い物質は空気でさえあり得
る。しかしながら、このような導波路は、導波路と、被
覆媒体として作用するであろう空気との間の有りがちな
大きな屈折率差による損失があるであろう。さらにま
た、このような導波路には環境上の保護がないであろ
う。結果として、このような基礎的な光導波路への必要
な付加は、より低い屈折率を有する物質によって導波路
を被覆することであろう。明らかに、このような被覆を
実施するために簡単な方法を有することが望ましいであ
ろう。物質の単一のフィルムにパターンを描き、そして
被覆の屈折率を選択的に制御し得るある種の手段で変更
できるプレーナ方法は非常に望ましい手法であろう。こ
れは、当該技術分野において既に認識されている。
【0003】先行技術は、ポリカーボネートフィルムを
モノマー、詳細にはメチルメタクリレートでドーピング
し、フィルムをリトグラフ的に露光し、そして最後にフ
ィルムを加熱して非露光領域中のモノマーを追い出すこ
とによって形成された光導波路を教示している。ポリカ
ーボネートフィルムの露光及び非露光領域の間の正味の
屈折率差が光を導くための手段を供給する結果となっ
た。この手法は以下の刊行物中に開示されている:“Op
tical Waveguide Intersections Without LightLeak"、
T.Kurokawaら、Appl.Opt.,16,1033(1977);“Fiber O
ptic Sheet Formation By Selective Photopolymerizat
ion"、T.Kurokawaら、Appl.Opt.17, 646(1978);“Po
lymer Optical Circuits For Multimode Optical Fiber
Systems"、T.Kurokawaら、Appl.Opt.19,3124(198
0);及び“Polymer Waveguide StarCoupler"、N.Takat
oら、Appl.Opt.,21,1940(1982)。
モノマー、詳細にはメチルメタクリレートでドーピング
し、フィルムをリトグラフ的に露光し、そして最後にフ
ィルムを加熱して非露光領域中のモノマーを追い出すこ
とによって形成された光導波路を教示している。ポリカ
ーボネートフィルムの露光及び非露光領域の間の正味の
屈折率差が光を導くための手段を供給する結果となっ
た。この手法は以下の刊行物中に開示されている:“Op
tical Waveguide Intersections Without LightLeak"、
T.Kurokawaら、Appl.Opt.,16,1033(1977);“Fiber O
ptic Sheet Formation By Selective Photopolymerizat
ion"、T.Kurokawaら、Appl.Opt.17, 646(1978);“Po
lymer Optical Circuits For Multimode Optical Fiber
Systems"、T.Kurokawaら、Appl.Opt.19,3124(198
0);及び“Polymer Waveguide StarCoupler"、N.Takat
oら、Appl.Opt.,21,1940(1982)。
【0004】Applied Optics、17巻、No.4を例に述べ
ると、開示されたポリカーボネート/メチルメタクリレ
ートシステムにおいては、ベンゾインエチルエーテルが
光増感剤として添加される。UV放射線に対するポリカ
ーボネートの選択的露光に際して、メチルメタクリレー
ト“ドーパント”は、UV光とベンゾインエチルエーテ
ル光増感剤との相互作用によって活性化される。非露光
領域においては、メチルメタクリレートは引き続いて熱
的に追い出され、結果として露光領域と非露光領域との
間の屈折率に差をもたらす。
ると、開示されたポリカーボネート/メチルメタクリレ
ートシステムにおいては、ベンゾインエチルエーテルが
光増感剤として添加される。UV放射線に対するポリカ
ーボネートの選択的露光に際して、メチルメタクリレー
ト“ドーパント”は、UV光とベンゾインエチルエーテ
ル光増感剤との相互作用によって活性化される。非露光
領域においては、メチルメタクリレートは引き続いて熱
的に追い出され、結果として露光領域と非露光領域との
間の屈折率に差をもたらす。
【0005】さらに最近には、パターン化されたフィル
ムを一部のより低い屈折率を有する別のポリマー、即
ち、ポリカーボネートでないものをオーバーコートする
簡単な手順を含む方法が開発された。“Low Loss Singl
e Mode Plastic Waveguide Fabricated By Photopolyme
rization”、K.Miuraら、論文MC3,Integrated GuidedW
ave Optics Conf.,Santa Fe,N.M.1988。
ムを一部のより低い屈折率を有する別のポリマー、即
ち、ポリカーボネートでないものをオーバーコートする
簡単な手順を含む方法が開発された。“Low Loss Singl
e Mode Plastic Waveguide Fabricated By Photopolyme
rization”、K.Miuraら、論文MC3,Integrated GuidedW
ave Optics Conf.,Santa Fe,N.M.1988。
【0006】先行技術におけるさらに別の提案は、アク
リレートを光重合することによってプレーナ導波路を形
成することを含んでいた。これらの導波路も、100℃
よりずっと高い温度に耐えることができなかった。Brit
ish Telecom及びDuPontからの製品文書、“Polyguide-P
hotopolymer Optical Waveguide Technology”,1988。
リレートを光重合することによってプレーナ導波路を形
成することを含んでいた。これらの導波路も、100℃
よりずっと高い温度に耐えることができなかった。Brit
ish Telecom及びDuPontからの製品文書、“Polyguide-P
hotopolymer Optical Waveguide Technology”,1988。
【0007】しかしながら、今日まで、低伝搬損失、妥
当な温度許容性及び電子パッケージングプロセス能力を
組み合わせた属性を有するプレーナ光導波路を製造する
際に包含される問題への成功する手法はいまだにない。
当な温度許容性及び電子パッケージングプロセス能力を
組み合わせた属性を有するプレーナ光導波路を製造する
際に包含される問題への成功する手法はいまだにない。
【0008】光導波路は、コンピュータシステムパッケ
ージング環境において使用することができる。例は、チ
ップの上の高密度光電子装置の間の接続を比較的より大
きな光ファイバーに供給する構造体、同じ光情報を数個
の場所に分配するのを可能にする再分配構造体、例えば
星形カプラー、及び回路タイミングの細かな同調のため
の光時間遅延要素を含む。
ージング環境において使用することができる。例は、チ
ップの上の高密度光電子装置の間の接続を比較的より大
きな光ファイバーに供給する構造体、同じ光情報を数個
の場所に分配するのを可能にする再分配構造体、例えば
星形カプラー、及び回路タイミングの細かな同調のため
の光時間遅延要素を含む。
【0009】光導波路は20年以上の間、検討されてき
たけれども、それらはほとんど用途を見い出さなかっ
た。これは、少なくとも一部は、試作の高性能光電子装
置はごく最近に開発され、そして良好な光学特性及び良
好なプロセス適合性を有する導波路物質を入手できなか
ったという事実に起因していた。
たけれども、それらはほとんど用途を見い出さなかっ
た。これは、少なくとも一部は、試作の高性能光電子装
置はごく最近に開発され、そして良好な光学特性及び良
好なプロセス適合性を有する導波路物質を入手できなか
ったという事実に起因していた。
【0010】ポリマー光導波路はまた、半導体プロセス
適合性も提供する。この領域における初期の仕事は、フ
ォトレジスト、ポリウレタン及びエポキシを検討するこ
とからなっていた。これらの物質は、光学的に損失があ
るかまたは比較的に低温度で損失があるようになるかの
いずれかであった。“Solution Deposited Thin Films
As Passive And Active Light Guides",R.Ulrichら、Ap
pl.Opt.,11,428(1972)及び“Optical Waveguide Inte
rsections Without Light Leak",T.Kurokawaら、Appl.O
pt.,16,1033(1977)は前に述べた。
適合性も提供する。この領域における初期の仕事は、フ
ォトレジスト、ポリウレタン及びエポキシを検討するこ
とからなっていた。これらの物質は、光学的に損失があ
るかまたは比較的に低温度で損失があるようになるかの
いずれかであった。“Solution Deposited Thin Films
As Passive And Active Light Guides",R.Ulrichら、Ap
pl.Opt.,11,428(1972)及び“Optical Waveguide Inte
rsections Without Light Leak",T.Kurokawaら、Appl.O
pt.,16,1033(1977)は前に述べた。
【0011】先行技術におけるその他のものはまた、商
業的に入手可能な感光性エポキシ樹脂に関して実験をし
た。再び、生成する導波路は、乏しい温度安定性に苦し
みそして約100℃以上で非常に損失があるようになっ
た。“Patterned Channel Waveguides On Printed Circ
uit Boards For Photonic Interconnection Applicatio
ns",D.Hartmanら、論文MC4,Integrated Guided Wave O
ptics Conf.,Santa Fe,N.M.1988。
業的に入手可能な感光性エポキシ樹脂に関して実験をし
た。再び、生成する導波路は、乏しい温度安定性に苦し
みそして約100℃以上で非常に損失があるようになっ
た。“Patterned Channel Waveguides On Printed Circ
uit Boards For Photonic Interconnection Applicatio
ns",D.Hartmanら、論文MC4,Integrated Guided Wave O
ptics Conf.,Santa Fe,N.M.1988。
【0012】Kawatsukiらの米国特許4,749,245
は、基体上に横たわるが少なくとも一つの中間層によっ
て基体から分離されている導波路層から成る薄膜導波路
を開示している。この導波路層は、第一の透明な高分子
量物質からなり、この少なくとも一つの中間層は、第一
の物質の溶解度とは異なる溶解度及び第一の物質の屈折
率より低い屈折率を有する第二の有機高分子量物質から
なり、そしてこの基体は、導波路及び一または複数の中
間層を支持するための、第一及び第二物質とは異なる第
三の高分子量物質からなる。
は、基体上に横たわるが少なくとも一つの中間層によっ
て基体から分離されている導波路層から成る薄膜導波路
を開示している。この導波路層は、第一の透明な高分子
量物質からなり、この少なくとも一つの中間層は、第一
の物質の溶解度とは異なる溶解度及び第一の物質の屈折
率より低い屈折率を有する第二の有機高分子量物質から
なり、そしてこの基体は、導波路及び一または複数の中
間層を支持するための、第一及び第二物質とは異なる第
三の高分子量物質からなる。
【0013】“Radiation Cured Polymer Optical Wave
guides On Printed Circuit BoardsFor Photonic Inter
connection Use",Hartmanら、Appl.Opt.,28,40(1989)
の中で、Hartmanらは、光相互連結応用のために印刷回
路カード物質上のパターン化されたチャンネル導波路の
製造及び評価を開示し、ここで導波路は商業的に入手可
能な紫外線硬化接着剤から製造される。
guides On Printed Circuit BoardsFor Photonic Inter
connection Use",Hartmanら、Appl.Opt.,28,40(1989)
の中で、Hartmanらは、光相互連結応用のために印刷回
路カード物質上のパターン化されたチャンネル導波路の
製造及び評価を開示し、ここで導波路は商業的に入手可
能な紫外線硬化接着剤から製造される。
【0014】“Optical Waveguide Circuits For Print
ed-Board Interconnections",C.Sullivan,SPIE Vol.99
4,Optoelectronic Materials,Devices,Packaging and I
nterconnections II,92(1988)の中では、ポリイミド
プロセス技術を基にした集積導波路媒体が述べられてい
る。
ed-Board Interconnections",C.Sullivan,SPIE Vol.99
4,Optoelectronic Materials,Devices,Packaging and I
nterconnections II,92(1988)の中では、ポリイミド
プロセス技術を基にした集積導波路媒体が述べられてい
る。
【0015】上記の導波路構造体のすべては、製造の問
題点に苦しみそして約120℃を越える温度では機能的
ではなかった。チップを電子パッケージ(即ち、基体)
にはんだ付けするために使用される温度が120℃を越
えるので、このような先行技術の温度安定性は受け入れ
ることができない。
題点に苦しみそして約120℃を越える温度では機能的
ではなかった。チップを電子パッケージ(即ち、基体)
にはんだ付けするために使用される温度が120℃を越
えるので、このような先行技術の温度安定性は受け入れ
ることができない。
【0016】
【発明の要旨】本発明は、感光性ポリマー組成物、なら
びに低伝搬損失、環境上の高安定性を示し、かつ平滑な
壁と高アスペクト比を有する光導波路をフォトリトグラ
フ的に画定する方法を提供する。このような導波路の製
造に使用される方法は、高性能電子パッケージの製造に
使用されるプレーナ方法と適合する。
びに低伝搬損失、環境上の高安定性を示し、かつ平滑な
壁と高アスペクト比を有する光導波路をフォトリトグラ
フ的に画定する方法を提供する。このような導波路の製
造に使用される方法は、高性能電子パッケージの製造に
使用されるプレーナ方法と適合する。
【0017】本発明は、一つの好ましい実施態様におい
て、活性な導波路物質が完全にエポキシ化されたビスフ
ェノールA−ホルムアルデヒドノボラックからなるポリ
マー光導波路を提供する。この完全にエポキシ化された
ノボラックは、架橋された形において、400nm〜2,
000nmで無視できる光吸収を有し、すなわち光学的に
透明であり、そしてλ=0.633μmで1.598±0.
002の屈折率を有する。
て、活性な導波路物質が完全にエポキシ化されたビスフ
ェノールA−ホルムアルデヒドノボラックからなるポリ
マー光導波路を提供する。この完全にエポキシ化された
ノボラックは、架橋された形において、400nm〜2,
000nmで無視できる光吸収を有し、すなわち光学的に
透明であり、そしてλ=0.633μmで1.598±0.
002の屈折率を有する。
【0018】本発明の一つの好ましいポリマー光導波路
物質は、重合度の異なる及びその結果として屈折率の異
なる予め選択された領域を有するエポキシ基を含む重合
性物質の層からなる。
物質は、重合度の異なる及びその結果として屈折率の異
なる予め選択された領域を有するエポキシ基を含む重合
性物質の層からなる。
【0019】本発明の別の好ましい実施態様において
は、フォトリトグラフ的にポリマー光導波路を画定した
後で、エポキシ基を含む重合性物質の非露光領域が現像
されポリマー光導波路を残す。
は、フォトリトグラフ的にポリマー光導波路を画定した
後で、エポキシ基を含む重合性物質の非露光領域が現像
されポリマー光導波路を残す。
【0020】本発明の方法によると、適当な基体は上で
述べた重合性物質によって被覆されそして次に重合性物
質中の屈折率が選択的に改変される。
述べた重合性物質によって被覆されそして次に重合性物
質中の屈折率が選択的に改変される。
【0021】
【好ましい実施態様の説明】本発明は、特に、低伝搬損
失かつ120℃を越える温度で安定性の光導波路を有す
るチップ及びチップ基体の最上層として有用な重合性層
及びこのような重合性層を製造する方法に関する。
失かつ120℃を越える温度で安定性の光導波路を有す
るチップ及びチップ基体の最上層として有用な重合性層
及びこのような重合性層を製造する方法に関する。
【0022】一般に、本発明によれば、光増感剤を露光
によりその後に架橋できる重合性物質に添加し、感光性
ポリマー組成物を得る。重合性物質/光増感剤の組み合
わせ(本明細書中では以後しばしば簡単に“感光性ポリ
マー組成物”)を適切な基体の上にコーティングした
後、この感光性ポリマー組成物を電磁放射線に選択的に
露光することにより、非照射領域に比較して照射領域に
おいて屈折率が変えられ、その結果光導波路が形成され
る。
によりその後に架橋できる重合性物質に添加し、感光性
ポリマー組成物を得る。重合性物質/光増感剤の組み合
わせ(本明細書中では以後しばしば簡単に“感光性ポリ
マー組成物”)を適切な基体の上にコーティングした
後、この感光性ポリマー組成物を電磁放射線に選択的に
露光することにより、非照射領域に比較して照射領域に
おいて屈折率が変えられ、その結果光導波路が形成され
る。
【0023】本発明の種々の面を以下に詳細に議論す
る。
る。
【0024】基体 本発明の光導波路の形成に使用される基体は、限定され
た形態ではない。典型的な基体はポリマー導波路を支持
するために適した、例えばガラス、石英、酸化シリコ
ン、及び光的に不透明な(または高屈折率の)基体、例
えばセラミック、シリコン、GaAsなど(即ちあらゆ
る表面)を包含する。
た形態ではない。典型的な基体はポリマー導波路を支持
するために適した、例えばガラス、石英、酸化シリコ
ン、及び光的に不透明な(または高屈折率の)基体、例
えばセラミック、シリコン、GaAsなど(即ちあらゆ
る表面)を包含する。
【0025】重合性物質 エチレン性不飽和モノマー(即ち二重結合を有する)か
ら作られたポリマー、例えばポリメチルメタクリレート
(PMMA)、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル(PV
C)などは光導波路を形成するために使用することがで
きる。これらの導波路は、高品質でありそして低い光損
失を示す傾向にある。これらの物質の一つの基本的な制
限は、それらが熱的に安定ではないということである。
これらの物質で作られた導波路は、120℃を越える温
度において光学的に不透明になるかまたは損失があるよ
うになる。それゆえ、チップを基体に結合するために典
型的には150℃を越える温度が使用される多くの光電
子工学的パッケージング応用においては、それらはほと
んど価値を持たない。
ら作られたポリマー、例えばポリメチルメタクリレート
(PMMA)、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル(PV
C)などは光導波路を形成するために使用することがで
きる。これらの導波路は、高品質でありそして低い光損
失を示す傾向にある。これらの物質の一つの基本的な制
限は、それらが熱的に安定ではないということである。
これらの物質で作られた導波路は、120℃を越える温
度において光学的に不透明になるかまたは損失があるよ
うになる。それゆえ、チップを基体に結合するために典
型的には150℃を越える温度が使用される多くの光電
子工学的パッケージング応用においては、それらはほと
んど価値を持たない。
【0026】本発明は、一実施態様において、この一般
的な種類のポリマーへの化学的変性を包含し、それはそ
れらのポリマーの光学特性(即ち作業波長における透明
性)を保持すると共にそれらの熱安定性を顕著に増加さ
せる。この化学的変性は、1または複数の脂環式エポキ
シアクリレート基を、1または複数のエチレン性不飽和
ポリマーに付加することからなる。
的な種類のポリマーへの化学的変性を包含し、それはそ
れらのポリマーの光学特性(即ち作業波長における透明
性)を保持すると共にそれらの熱安定性を顕著に増加さ
せる。この化学的変性は、1または複数の脂環式エポキ
シアクリレート基を、1または複数のエチレン性不飽和
ポリマーに付加することからなる。
【0027】本発明の別の実施態様においては、完全に
エポキシ化されたビスフェノールA−ホルムアルデヒド
ノボラック樹脂の使用を含む。1分子あたり平均6〜8
個のエポキシ基を有するそれらが最も有用である。当業
者にとって、1分子あたりの2個より多い任意の数のエ
ポキシ基を使用することができることが明らかであろ
う。しかしながら、6〜8個が好ましい数である。
エポキシ化されたビスフェノールA−ホルムアルデヒド
ノボラック樹脂の使用を含む。1分子あたり平均6〜8
個のエポキシ基を有するそれらが最も有用である。当業
者にとって、1分子あたりの2個より多い任意の数のエ
ポキシ基を使用することができることが明らかであろ
う。しかしながら、6〜8個が好ましい数である。
【0028】脂環式エポキシアクリレート基で変性され
たエチレン性不飽和モノマーから作られるポリマーは、
後に例示されるように光酸発生化合物で架橋できる。
たエチレン性不飽和モノマーから作られるポリマーは、
後に例示されるように光酸発生化合物で架橋できる。
【0029】本発明において光導波路の形成に有用なポ
リマーは、典型的には約5,000〜約100,000
(数平均)、さらに好ましくは約7,000〜約15,0
00の分子量を有する。
リマーは、典型的には約5,000〜約100,000
(数平均)、さらに好ましくは約7,000〜約15,0
00の分子量を有する。
【0030】エチレン性不飽和モノマーから作られたポ
リマーのモル比、エチレン性不飽和モノマー対脂環式エ
ポキシアクリレート基は、一般に約95:5〜約0:1
00、さらに好ましくは10:90〜25:75であ
る。
リマーのモル比、エチレン性不飽和モノマー対脂環式エ
ポキシアクリレート基は、一般に約95:5〜約0:1
00、さらに好ましくは10:90〜25:75であ
る。
【0031】このようなポリマーは、種々のエチレン性
不飽和モノマーのランダムコポリマーとして広く特徴づ
けることができる。これらのポリマーは非常に多種にわ
たって商業的に入手可能であるが、おそらく最も良く知
られているのはデュポンの(メタ)アクリレートポリマ
ーのELVACITE(R)ブランドであろう。これらのポリマー
はメチルメタクリレートとメタクリレートのコポリマー
であることが良く知られておりその他の異性体の範囲は
述べるにはあまりに多すぎる。(メタ)アクリレートに
関する化学を教示する引例は、Saunders,K.J.,“Organi
c Polymer Chemistry”Chap.6.Chapman & Hall Ltd.,Lo
ndon,1973;及びLenz,R.,“Organic Chemistry of Synt
hetic High Polymers”John Wiley & Sons,Inc.1967,Ch
aps.9-12であり、両方とも引用によって本明細書中に組
み込まれる。
不飽和モノマーのランダムコポリマーとして広く特徴づ
けることができる。これらのポリマーは非常に多種にわ
たって商業的に入手可能であるが、おそらく最も良く知
られているのはデュポンの(メタ)アクリレートポリマ
ーのELVACITE(R)ブランドであろう。これらのポリマー
はメチルメタクリレートとメタクリレートのコポリマー
であることが良く知られておりその他の異性体の範囲は
述べるにはあまりに多すぎる。(メタ)アクリレートに
関する化学を教示する引例は、Saunders,K.J.,“Organi
c Polymer Chemistry”Chap.6.Chapman & Hall Ltd.,Lo
ndon,1973;及びLenz,R.,“Organic Chemistry of Synt
hetic High Polymers”John Wiley & Sons,Inc.1967,Ch
aps.9-12であり、両方とも引用によって本明細書中に組
み込まれる。
【0032】脂環式エポキシアクリレート基という語
は、例えばシクロヘキセンモノオキシド、ジシクロペン
タジエンモノオキシド、シクロペンテンモノオキシド、
またはノルボルネンオキシド等の基を包含する。
は、例えばシクロヘキセンモノオキシド、ジシクロペン
タジエンモノオキシド、シクロペンテンモノオキシド、
またはノルボルネンオキシド等の基を包含する。
【0033】例えば、一酸化されたジシクロペンンタジ
エン(またはシクロヘキサン)アクリルまたはメタクリ
ルエステルとPMMAとを反応させることができる。こ
のコポリマーは低い光損失を有するが、しかしずっと高
い温度安定性、即ちPMMAの120℃に比較して22
5℃の温度安定性を有する。
エン(またはシクロヘキサン)アクリルまたはメタクリ
ルエステルとPMMAとを反応させることができる。こ
のコポリマーは低い光損失を有するが、しかしずっと高
い温度安定性、即ちPMMAの120℃に比較して22
5℃の温度安定性を有する。
【0034】以下の組み合わせは、本発明の光導波路を
形成するために有用な重合性物質として有用であろうと
考えられる。
形成するために有用な重合性物質として有用であろうと
考えられる。
【0035】 アクリレート: メタクリレート:
【化1】
【0036】
【化2】
【0037】その他:
【化3】
【0038】これらは、エチレン性不飽モノマーと共重
合することができる。共重合可能なエチレン性不飽モノ
マーは、例えば: CH2=C(R2)H 式中のR2が非置換または所望により通常的な1価の任
意の置換基、例えば−OH、−NH2、−COOH、−
Br、−F、−Clなどで置換されたフェニル基である
スチレン; 式中のR2がハロゲンである、ハロゲン化ビニル、例え
ば塩化ビニル、または臭化ビニル(ただしハロゲンは限
定されない); 式中のR2が
合することができる。共重合可能なエチレン性不飽モノ
マーは、例えば: CH2=C(R2)H 式中のR2が非置換または所望により通常的な1価の任
意の置換基、例えば−OH、−NH2、−COOH、−
Br、−F、−Clなどで置換されたフェニル基である
スチレン; 式中のR2がハロゲンである、ハロゲン化ビニル、例え
ば塩化ビニル、または臭化ビニル(ただしハロゲンは限
定されない); 式中のR2が
【0039】
【化4】 である酢酸ビニル;または式中のR2が−OH、メタノ
ールまたはその他のアルコールの残基であるその他のビ
ニル化合物、例えばビニルアルコール; あるいは、例えば式: CH2=CH−COOR3 、 CH2=C(CH3)−COOR3 で表されるその他のアクリレートまたはメタクリレート
(式中、R3は例えば好ましくは6個の炭素原子を有す
る芳香族基、即ち
ールまたはその他のアルコールの残基であるその他のビ
ニル化合物、例えばビニルアルコール; あるいは、例えば式: CH2=CH−COOR3 、 CH2=C(CH3)−COOR3 で表されるその他のアクリレートまたはメタクリレート
(式中、R3は例えば好ましくは6個の炭素原子を有す
る芳香族基、即ち
【化5】 例えばベンゼンまたはフェノールなど;好ましくは2〜
6個の炭素原子を有する脂肪族基;好ましくは5〜10
個の炭素原子を有する環式脂肪族基であり、そしてこれ
らのR3は1またはそれより多い種々の基、例えばシク
ロヘキセンモノオキシド、シクロペンテンモノオキシ
ド、ノルボルネンモノオキシド、ジシクロペンタジエン
モノオキシドなどで置換することができる)などであ
る。
6個の炭素原子を有する脂肪族基;好ましくは5〜10
個の炭素原子を有する環式脂肪族基であり、そしてこれ
らのR3は1またはそれより多い種々の基、例えばシク
ロヘキセンモノオキシド、シクロペンテンモノオキシ
ド、ノルボルネンモノオキシド、ジシクロペンタジエン
モノオキシドなどで置換することができる)などであ
る。
【0040】架橋体は、ポリマーまたはコポリマーの熱
酸化劣化を抑制し、それらの非架橋形のものに比較して
本発明において有用であると考えられる。
酸化劣化を抑制し、それらの非架橋形のものに比較して
本発明において有用であると考えられる。
【0041】例えば、メチルメタクリレートをジシクロ
ペンタジエンモノオキシドメチルメタクリレートと架橋
することができる。
ペンタジエンモノオキシドメチルメタクリレートと架橋
することができる。
【0042】
【化6】
【0043】光増感剤との組み合わせで使用される重合
性物質はエポキシ基を含有するので、このエポキシ基は
既知先行技術のポリマー光導波路の熱安定性の限度であ
る120℃を越える温度における重合性物質の熱安定性
を実質的に増加させる。
性物質はエポキシ基を含有するので、このエポキシ基は
既知先行技術のポリマー光導波路の熱安定性の限度であ
る120℃を越える温度における重合性物質の熱安定性
を実質的に増加させる。
【0044】加えて、エポキシ基を含有する重合性物質
は、光導波路領域中の垂直な直線側壁が50μmまたは
それより厚い厚さ通して得られることを可能にする。
は、光導波路領域中の垂直な直線側壁が50μmまたは
それより厚い厚さ通して得られることを可能にする。
【0045】本発明における使用にもっとも好ましい重
合性物質は、1分子あたり平均で8個のエポキシ基を有
する完全にエポキシ化されたビスフェノールA−ホルム
アルデヒドノボラックである。これは、Hi-Tech Polyme
rs社からEpirez(R)SU8として商業的に入手できる。
合性物質は、1分子あたり平均で8個のエポキシ基を有
する完全にエポキシ化されたビスフェノールA−ホルム
アルデヒドノボラックである。これは、Hi-Tech Polyme
rs社からEpirez(R)SU8として商業的に入手できる。
【0046】この重合性物質は、式:
【化7】 によって表すことができる。
【0047】非露光Epirez SU8の屈折率は、λ=0.6
33μmで1.603±0.002であると測定された。
露光しそして重合した(架橋した)Epirez SU8は、非露
光Epirez SU8よりも低い屈折率を有する。屈折率におけ
るこの差、nは、熱固定後のさらなる放射線への露光が
△nを変えないという意味で熱的に固定される。△nの
値は固定温度によって影響される。固定温度は後で議論
する。
33μmで1.603±0.002であると測定された。
露光しそして重合した(架橋した)Epirez SU8は、非露
光Epirez SU8よりも低い屈折率を有する。屈折率におけ
るこの差、nは、熱固定後のさらなる放射線への露光が
△nを変えないという意味で熱的に固定される。△nの
値は固定温度によって影響される。固定温度は後で議論
する。
【0048】150℃の固定温度が、図2(f)中に示す
ような埋め込まれたEpirez SU8ポリマー導波路に使用さ
れた時、△nはλ=0.633μmで0.005であると
測定された。異なる被覆が使用される場合には、コアと
被覆との間の△nをかなり変動することができ、例え
ば、本発明によるポリマー光導波路と被覆としての空気
とに関しては、△nは0.6程度であろう。
ような埋め込まれたEpirez SU8ポリマー導波路に使用さ
れた時、△nはλ=0.633μmで0.005であると
測定された。異なる被覆が使用される場合には、コアと
被覆との間の△nをかなり変動することができ、例え
ば、本発明によるポリマー光導波路と被覆としての空気
とに関しては、△nは0.6程度であろう。
【0049】光増感剤 本発明の重合性物質は、エポキシ基含有重合性物質であ
り、それらに光酸発生化合物、例えば、アリールジアゾ
ニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールス
ルホニウム塩などを添加することにより感光性にするこ
とができる。これらの物質は、一般に、“オニウム”塩
と呼ばれる。好ましい物質は、トリアリールスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネートの混合異性体からな
る、General Electric社のUVE(R)1014である。有用な物
質は、“Photoinitiated CationicPolymerization", J.
V.Crivello, in UV Curing: Science及びTechnology (2
ndprinting), S.P.Pappas, Editor, Technology Market
ing Corporation, Norwalk,CT 1980中に開示されてお
り、引用によって本明細書中に組み込まれる。
り、それらに光酸発生化合物、例えば、アリールジアゾ
ニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールス
ルホニウム塩などを添加することにより感光性にするこ
とができる。これらの物質は、一般に、“オニウム”塩
と呼ばれる。好ましい物質は、トリアリールスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネートの混合異性体からな
る、General Electric社のUVE(R)1014である。有用な物
質は、“Photoinitiated CationicPolymerization", J.
V.Crivello, in UV Curing: Science及びTechnology (2
ndprinting), S.P.Pappas, Editor, Technology Market
ing Corporation, Norwalk,CT 1980中に開示されてお
り、引用によって本明細書中に組み込まれる。
【0050】トリアリールスルホニウム塩は、式: (Ar)3S+X- (式中、Arはアリール例えばフェニルまたはジフェニ
ルスルフィド:
ルスルフィド:
【化8】 であり、そしてX-はアニオン例えばBF4 -、As
F6 -、PF6 -、SbF6 -などである)で表される。
F6 -、PF6 -、SbF6 -などである)で表される。
【0051】重合性物質対光増感剤の比 重合性物質に対する光増感剤の量は、像様露光及び加熱
による十分な架橋が包含される実施態様により、所望の
屈折率または重合性物質の露光領域と非露光領域との間
の所望の屈折率差△nを与える限り、非常に重要ではな
い。最良の量は、二三の実験操作によって経験的に決定
することができる。重合性物質(固体として)を基にし
て約2〜約10重量%の量の光増感剤が一般的に有効で
あり、そして5重量%が特に好ましい。
による十分な架橋が包含される実施態様により、所望の
屈折率または重合性物質の露光領域と非露光領域との間
の所望の屈折率差△nを与える限り、非常に重要ではな
い。最良の量は、二三の実験操作によって経験的に決定
することができる。重合性物質(固体として)を基にし
て約2〜約10重量%の量の光増感剤が一般的に有効で
あり、そして5重量%が特に好ましい。
【0052】光重合性物質と光増感剤との間の相互作用 1または複数の光酸発生化合物と組み合わせた光重合性
物質、好ましくはエポキシ樹脂は、電磁放射線が、1つ
のエポキシ基の他への架橋または化学的結合をもたらす
化学反応を誘発する結果として感光性になる。この放射
線は好ましくはUV放射線であるが、その他のタイプの
放射線、例えば、レーザー、X線、E−ビームなども使
用することができる。現在のところ、約300〜約40
0Å、313、337、365Åで最強強度の波長を有
する、当該技術において一般的に受け入れられる中間U
V放射線を使用することが好ましい。
物質、好ましくはエポキシ樹脂は、電磁放射線が、1つ
のエポキシ基の他への架橋または化学的結合をもたらす
化学反応を誘発する結果として感光性になる。この放射
線は好ましくはUV放射線であるが、その他のタイプの
放射線、例えば、レーザー、X線、E−ビームなども使
用することができる。現在のところ、約300〜約40
0Å、313、337、365Åで最強強度の波長を有
する、当該技術において一般的に受け入れられる中間U
V放射線を使用することが好ましい。
【0053】この放射線、好ましくはUV放射線は、光
酸(オニウム塩)から酸を発生させる。
酸(オニウム塩)から酸を発生させる。
【0054】重合性物質を加熱すると、それらの中に酸
を含む領域は、酸を含まない領域とは異なって重合し、
そして異なって重合した領域は異なる屈折率を有する、
即ち、露光されかくして重合した重合性物質は、非露光
の重合性物質よりも低い屈折率を有する。
を含む領域は、酸を含まない領域とは異なって重合し、
そして異なって重合した領域は異なる屈折率を有する、
即ち、露光されかくして重合した重合性物質は、非露光
の重合性物質よりも低い屈折率を有する。
【0055】架橋の程度 架橋は、所望の屈折率または露光領域と非露光領域との
間の所望の△nを達成するために行われ、そして当業者
は、製造されている任意の特定のポリマー導波路と組み
合わせて任意の特定の装置のための必要な条件を容易に
決定することができる。
間の所望の△nを達成するために行われ、そして当業者
は、製造されている任意の特定のポリマー導波路と組み
合わせて任意の特定の装置のための必要な条件を容易に
決定することができる。
【0056】例えば、150℃で熱固定した50μm厚
さの重合性物質層に、約650mJ/cm2(100秒間6.
5mW/cm2)の露光は、露光領域と非露光領域との間に
0.005の△nを与える。このようにして、完全架橋
は、熱処理後の露光領域中でλ=0.633μmにおける
△n=0.005を達成した。
さの重合性物質層に、約650mJ/cm2(100秒間6.
5mW/cm2)の露光は、露光領域と非露光領域との間に
0.005の△nを与える。このようにして、完全架橋
は、熱処理後の露光領域中でλ=0.633μmにおける
△n=0.005を達成した。
【0057】露光領域は、一般に、熱処理後に完全架橋
し、一方非露光領域は部分的に架橋するに過ぎない。部
分的な架橋度は、ポリマー導波路が非露光領域であり、
そして露光領域が被覆としての役割を果す図2(a)〜2
(f)において図示されるような実施態様において、露光
領域と非露光領域との間の所望の△nが達成される限り
重要ではない。
し、一方非露光領域は部分的に架橋するに過ぎない。部
分的な架橋度は、ポリマー導波路が非露光領域であり、
そして露光領域が被覆としての役割を果す図2(a)〜2
(f)において図示されるような実施態様において、露光
領域と非露光領域との間の所望の△nが達成される限り
重要ではない。
【0058】非露光領域がポリマー被覆を代表しそして
別の被覆層が使用される場合の、例えば図3(a)中に示
されるような実施態様においても、再び露光後に重要な
のは△nである。
別の被覆層が使用される場合の、例えば図3(a)中に示
されるような実施態様においても、再び露光後に重要な
のは△nである。
【0059】熱固定 後で議論するように、本発明の重合性物質は、それが像
様露光またはフラッド露光のいずれであっても、電磁放
射線への露光に引き続いて熱固定される。
様露光またはフラッド露光のいずれであっても、電磁放
射線への露光に引き続いて熱固定される。
【0060】熱固定は、約120℃を越える温度におい
て行うのが典型的である。一般に、約150℃を大きく
越える温度での熱固定はしばしば考慮されない。
て行うのが典型的である。一般に、約150℃を大きく
越える温度での熱固定はしばしば考慮されない。
【0061】しかしながら、典型的には、約150℃に
おいて熱固定し、光開始剤を本質的に分解する。その結
果として、後続の露光は屈折率を変化させない。150
℃を大きく越える温度での加熱は、重合または架橋反応
をゆっくりと生起させ、それによって本発明の一つの実
施態様における露光領域と非露光領域との間の屈折率差
を減少させる。
おいて熱固定し、光開始剤を本質的に分解する。その結
果として、後続の露光は屈折率を変化させない。150
℃を大きく越える温度での加熱は、重合または架橋反応
をゆっくりと生起させ、それによって本発明の一つの実
施態様における露光領域と非露光領域との間の屈折率差
を減少させる。
【0062】例えば、熱固定温度が150℃においては
△nは0.005であり、そして200℃では△nはご
くわずかになる。温度が150℃より高くなるにつれ
て、屈折率差はそれだけ小さくなる。
△nは0.005であり、そして200℃では△nはご
くわずかになる。温度が150℃より高くなるにつれ
て、屈折率差はそれだけ小さくなる。
【0063】溶媒 後で追い出される溶媒中の重合性物質及び光増感剤は、
一般に、層の形に塗布される。この溶媒は、重合性物質
及び光増感剤の均一な溶液が得られることを可能にし、
妥当な低温度、例えば、約60〜約110℃の線の温度
で追い出し可能であり、かつ重合性物質、光増感剤また
は基体に有害な影響を持たない限り、重要ではない。有
用な溶媒は、メチルエチルケトン、メチルイソプロピル
ケトン、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、グ
リコールメチルエーテルアセテート(ジグリム)などを
含むはずである。
一般に、層の形に塗布される。この溶媒は、重合性物質
及び光増感剤の均一な溶液が得られることを可能にし、
妥当な低温度、例えば、約60〜約110℃の線の温度
で追い出し可能であり、かつ重合性物質、光増感剤また
は基体に有害な影響を持たない限り、重要ではない。有
用な溶媒は、メチルエチルケトン、メチルイソプロピル
ケトン、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、グ
リコールメチルエーテルアセテート(ジグリム)などを
含むはずである。
【0064】必要に応じた添加剤 スピンコーティングなどを助けるために、慣用の界面活
性剤、例えば3M社からのFC430(R)をコーティン
グ助剤として添加してよい。
性剤、例えば3M社からのFC430(R)をコーティン
グ助剤として添加してよい。
【0065】プロセス 一般的実施態様 図1(a)〜1(e)において図示される一つの実施態様に
おいて、本発明に従ってポリマー光導波路を製造するプ
ロセス順序は、まず第一に、図1(a)中に示す適当な基
体10を図1(b)中に示す被覆物質、例えば石英、ガラ
ス、ポリマーなどの層20でコーティングすることから
成る。この被覆層は、本発明のコアまたはポリマー導波
路物質よりも低屈折率を有し、そして光学的に透明であ
る。本明細書に開示する感光性ポリマー組成物の一つと
同様にこれらの基準に適合する任意の従来の被覆も使用
することができ、そして後で図3中に示すある種の実施
態様においては、被覆物質は本発明の露光された重合性
物質であり、そしてコアまたはポリマー導波路は本発明
の非露光重合性物質である。同様の説明が図2(f)にも
当て嵌まる。約1μm〜約50μmの程度の厚さを有する
被覆層が最も一般的な応用であることが証明されるであ
ろうが、この厚さの範囲は臨界的ではない。もし所望な
らば、感光性ポリマー組成物に関して後で例示するよう
な技術、溶媒及びベーキング条件を使用してポリマー被
覆層を形成することができる。
おいて、本発明に従ってポリマー光導波路を製造するプ
ロセス順序は、まず第一に、図1(a)中に示す適当な基
体10を図1(b)中に示す被覆物質、例えば石英、ガラ
ス、ポリマーなどの層20でコーティングすることから
成る。この被覆層は、本発明のコアまたはポリマー導波
路物質よりも低屈折率を有し、そして光学的に透明であ
る。本明細書に開示する感光性ポリマー組成物の一つと
同様にこれらの基準に適合する任意の従来の被覆も使用
することができ、そして後で図3中に示すある種の実施
態様においては、被覆物質は本発明の露光された重合性
物質であり、そしてコアまたはポリマー導波路は本発明
の非露光重合性物質である。同様の説明が図2(f)にも
当て嵌まる。約1μm〜約50μmの程度の厚さを有する
被覆層が最も一般的な応用であることが証明されるであ
ろうが、この厚さの範囲は臨界的ではない。もし所望な
らば、感光性ポリマー組成物に関して後で例示するよう
な技術、溶媒及びベーキング条件を使用してポリマー被
覆層を形成することができる。
【0066】当業者であれば理解するであろうように、
被覆とコアとの間の△nは大幅に変動することができそ
して制限されない。例えば、図3(e)中に示されるよう
な構造体に関しては、△nは0.005であろうし、そ
して図3(a)中に示されるような空気被覆に関しては、
△nは0.6の程度であり得る。一般則としては、△n
が小さければ小さいほど良い。
被覆とコアとの間の△nは大幅に変動することができそ
して制限されない。例えば、図3(e)中に示されるよう
な構造体に関しては、△nは0.005であろうし、そ
して図3(a)中に示されるような空気被覆に関しては、
△nは0.6の程度であり得る。一般則としては、△n
が小さければ小さいほど良い。
【0067】光学的に透明な低屈折率の基体に対して
は、付加的な被覆層は随意である。しかしながら、いく
つかの応用のためには、セラミック(ICチップ担体に
使用される)、ガラスエポキシ(印刷回路基板に使用さ
れる)または金属のような“光学的に不透明な”基体
が、より高屈折率を有する絶縁基体と同様に使用できる
ことを要求する。重合性であるこのような基体層または
被覆層は、また基体を平坦化するためにも使用すること
ができる。
は、付加的な被覆層は随意である。しかしながら、いく
つかの応用のためには、セラミック(ICチップ担体に
使用される)、ガラスエポキシ(印刷回路基板に使用さ
れる)または金属のような“光学的に不透明な”基体
が、より高屈折率を有する絶縁基体と同様に使用できる
ことを要求する。重合性であるこのような基体層または
被覆層は、また基体を平坦化するためにも使用すること
ができる。
【0068】図1(c)中に示すように、次に、感光性ポ
リマー組成物、典型的には光増感剤と共にEpirez SU8の
層30を塗布する。コーティングは、スピン塗布、ドク
ターブレード塗布、または任意のその他の慣用の技術に
よることができる。基体上に塗布したコーティングを、
次に、90℃で数分間の第一ベーキングを施す。典型的
には、このベーキングは、約60〜約110℃で約5分
〜約240分の間である。このベーキングの目的は溶媒
の追い出しである。通常は、ベーキングは大気圧下、空
気中においてであるが、その他の雰囲気、例えば窒素、
真空、アルゴンなど、または大気圧より低いまたは高い
圧力が使用できないという理由はない。しかしながら、
現在のところ、このような変更には何らの利点も見られ
ない。
リマー組成物、典型的には光増感剤と共にEpirez SU8の
層30を塗布する。コーティングは、スピン塗布、ドク
ターブレード塗布、または任意のその他の慣用の技術に
よることができる。基体上に塗布したコーティングを、
次に、90℃で数分間の第一ベーキングを施す。典型的
には、このベーキングは、約60〜約110℃で約5分
〜約240分の間である。このベーキングの目的は溶媒
の追い出しである。通常は、ベーキングは大気圧下、空
気中においてであるが、その他の雰囲気、例えば窒素、
真空、アルゴンなど、または大気圧より低いまたは高い
圧力が使用できないという理由はない。しかしながら、
現在のところ、このような変更には何らの利点も見られ
ない。
【0069】得られるフィルム厚さは、勿論、所望の応
用に依存するであろう。典型的には、1ミクロン未満か
ら数100ミクロンまでであり、そして約1ミクロン〜
約125ミクロンが、光電子パッケージングへのほとん
どの商業的用途に十分である。
用に依存するであろう。典型的には、1ミクロン未満か
ら数100ミクロンまでであり、そして約1ミクロン〜
約125ミクロンが、光電子パッケージングへのほとん
どの商業的用途に十分である。
【0070】本プロセスの次のステップは、典型的に
は、架橋反応を引き起こす光酸を生成させるために形成
したフィルムをリトグラフ的に露光して、図1(d)中に
示すように導波路をパターン化する。露光は通常のリト
グラフのマスクを通してでき、そして典型的には、図1
(d)中に示す露光領域40及び非露光領域50の所望の
パターンを生成させるネガのフォトマスクを通して標準
的な中間UV放射線を使用して実施する(露光の光は矢
印によって示される)。その代わりに、リトグラフのパ
ターン付けは、その他の適当なエネルギー源、例えばレ
ーザー、X線、Eビームなどを使用して実施することも
できる。
は、架橋反応を引き起こす光酸を生成させるために形成
したフィルムをリトグラフ的に露光して、図1(d)中に
示すように導波路をパターン化する。露光は通常のリト
グラフのマスクを通してでき、そして典型的には、図1
(d)中に示す露光領域40及び非露光領域50の所望の
パターンを生成させるネガのフォトマスクを通して標準
的な中間UV放射線を使用して実施する(露光の光は矢
印によって示される)。その代わりに、リトグラフのパ
ターン付けは、その他の適当なエネルギー源、例えばレ
ーザー、X線、Eビームなどを使用して実施することも
できる。
【0071】露光の程度は、露光された領域において架
橋を完了することができる限り、非常に重要ではない
が、典型的には約200〜約1000mJ/cm2の程度、
好ましくは650mJ/cm2である。代案として、上で議
論したような放射線の二つの異なるタイプの組み合わ
せ、例えば慣用のリトグラフィー及びレーザーの組み合
わせを像様露光のために使用することができる。
橋を完了することができる限り、非常に重要ではない
が、典型的には約200〜約1000mJ/cm2の程度、
好ましくは650mJ/cm2である。代案として、上で議
論したような放射線の二つの異なるタイプの組み合わ
せ、例えば慣用のリトグラフィー及びレーザーの組み合
わせを像様露光のために使用することができる。
【0072】リトグラフ的な露光に続き、次に、このフ
ィルムを、空気中でまたは窒素雰囲気下、約90℃で約
10分間熱固定する。導波路を現像するこの第二の加熱
工程は、約70℃〜約110℃の温度で約5分〜約30
分である。空気または窒素以外のその他の雰囲気、例え
ば、真空、アルゴンなども使用することができる。通常
は、このベークは大気圧下であるが、現在のところ大気
圧より低いまたは高い圧力を禁止する理由はない。上述
の加熱に続いて、このフィルムを通常の方法で冷却し、
そしてこの実施態様においては次に、現像液例えばプロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートまたはその
他の慣用の現像液、例えば前に述べた溶媒を使用して現
像し、図1(e)中に示す製品とする。現像は、非露光領
域50を除去し、本発明のポリマー導波路として機能す
る露光領域40を残留させる。
ィルムを、空気中でまたは窒素雰囲気下、約90℃で約
10分間熱固定する。導波路を現像するこの第二の加熱
工程は、約70℃〜約110℃の温度で約5分〜約30
分である。空気または窒素以外のその他の雰囲気、例え
ば、真空、アルゴンなども使用することができる。通常
は、このベークは大気圧下であるが、現在のところ大気
圧より低いまたは高い圧力を禁止する理由はない。上述
の加熱に続いて、このフィルムを通常の方法で冷却し、
そしてこの実施態様においては次に、現像液例えばプロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートまたはその
他の慣用の現像液、例えば前に述べた溶媒を使用して現
像し、図1(e)中に示す製品とする。現像は、非露光領
域50を除去し、本発明のポリマー導波路として機能す
る露光領域40を残留させる。
【0073】現像は、慣用の条件が使用され、例えば、
現像技術(スプレーまたは単純な浸漬)に依存して、空
気中、室温で約数秒〜約数分の時間、一般的に容易に実
施することができ、そして当業者によって容易に選択さ
れ得る。
現像技術(スプレーまたは単純な浸漬)に依存して、空
気中、室温で約数秒〜約数分の時間、一般的に容易に実
施することができ、そして当業者によって容易に選択さ
れ得る。
【0074】最後のステップは、一般的に、イソプロピ
ルアルコール、エチルアルコールなどのような物質によ
るリンスまたは清掃である。
ルアルコール、エチルアルコールなどのような物質によ
るリンスまたは清掃である。
【0075】このように形成したポリマー導波路は、先
行技術と比較して非常に簡単な方法で形成され、これは
本発明の主要な利点であり、そしてポリマー導波路とし
て優れた特性を示す非常に平滑な垂直構造体から成る。
行技術と比較して非常に簡単な方法で形成され、これは
本発明の主要な利点であり、そしてポリマー導波路とし
て優れた特性を示す非常に平滑な垂直構造体から成る。
【0076】埋め込まれたポリマー導波路の実施態様 本発明によるポリマー導波路を形成する代替のプロセス
順序においては、埋め込まれたチャンネルポリマー導波
路を形成することができる。このプロセスを図2中に図
式的に示し、そして変形例を図3(c)、3(d)及び3
(e)中に示す。
順序においては、埋め込まれたチャンネルポリマー導波
路を形成することができる。このプロセスを図2中に図
式的に示し、そして変形例を図3(c)、3(d)及び3
(e)中に示す。
【0077】以下の説明を、図2(a)〜2(f)に関連し
て提供する。
て提供する。
【0078】図2(a)において、基体100を、層11
0で示す感光性ポリマー組成物のスピンコーティングな
どによる層またはフィルムによりコートする。コーティ
ングに続いて、全体の組立体を、空気、窒素、アルゴ
ン、真空などのような雰囲気中、約90℃で数分間、例
えば15分間ベークする。この条件は、一般的実施態様
の下でポリマー光導波路をリトグラフ的に画定する前述
した第一ベークと一般的に同じである。
0で示す感光性ポリマー組成物のスピンコーティングな
どによる層またはフィルムによりコートする。コーティ
ングに続いて、全体の組立体を、空気、窒素、アルゴ
ン、真空などのような雰囲気中、約90℃で数分間、例
えば15分間ベークする。この条件は、一般的実施態様
の下でポリマー光導波路をリトグラフ的に画定する前述
した第一ベークと一般的に同じである。
【0079】上述のベーキングに続いて、図2(b)中に
示すように、この組立体を、矢印(番号をつけていな
い)で示す中間UV放射線を使用して全体のフィルム1
10にフラッド露光を施す。一般的実施態様に関する像
様露光に使用するような条件が適当である。次に、図2
(b)の形成物に、図2(a)に例示したベーキングステッ
プに使用したような雰囲気下、常圧下に約120℃で数
分間、典型的には約70℃〜約110℃で約5分〜約3
0分間加熱することにより熱固定を施す。
示すように、この組立体を、矢印(番号をつけていな
い)で示す中間UV放射線を使用して全体のフィルム1
10にフラッド露光を施す。一般的実施態様に関する像
様露光に使用するような条件が適当である。次に、図2
(b)の形成物に、図2(a)に例示したベーキングステッ
プに使用したような雰囲気下、常圧下に約120℃で数
分間、典型的には約70℃〜約110℃で約5分〜約3
0分間加熱することにより熱固定を施す。
【0080】上の処理に続いて、図2(c)中に示すよう
に、感光性ポリマー組成物の第二層を層110上にコー
トするが、第二の光増感剤を伴う重合性物質の層を図2
(c)中に層120で示す。
に、感光性ポリマー組成物の第二層を層110上にコー
トするが、第二の光増感剤を伴う重合性物質の層を図2
(c)中に層120で示す。
【0081】典型的には、図2(c)中に示す第一層11
0の厚さは、約1〜約50μmであり、そして図2(c)
中に示す第二層120の厚さは、約1〜約50μmであ
るが、最終用途が正確な厚さを決定する。
0の厚さは、約1〜約50μmであり、そして図2(c)
中に示す第二層120の厚さは、約1〜約50μmであ
るが、最終用途が正確な厚さを決定する。
【0082】図2(c)の手順に続いて、次に、図2(d)
中に示すように、例えば、中間UV光によるリトグラフ
的な(または像様)露光を実施して導波路をパターン化
する。図2(d)中の矢印(番号が付いていない)によっ
て示す中間UV放射線による像様露光は、結果として、
層120の露光領域の、加熱時の重合をもたらし、これ
によって層110及び層120の組み合わせは、図2
(d)中に140で表される架橋した重合性物質領域及び
図2(d)中に150で表される非露光(そしてそれ故架
橋されていない)領域に転換される。一般的な実施態様
中で使用される条件が、一般的に好適である。
中に示すように、例えば、中間UV光によるリトグラフ
的な(または像様)露光を実施して導波路をパターン化
する。図2(d)中の矢印(番号が付いていない)によっ
て示す中間UV放射線による像様露光は、結果として、
層120の露光領域の、加熱時の重合をもたらし、これ
によって層110及び層120の組み合わせは、図2
(d)中に140で表される架橋した重合性物質領域及び
図2(d)中に150で表される非露光(そしてそれ故架
橋されていない)領域に転換される。一般的な実施態様
中で使用される条件が、一般的に好適である。
【0083】図2(d)中に示す形成物はまた、前述した
同じ条件で熱固定される。
同じ条件で熱固定される。
【0084】図2(d)の手順に続いて、もし所望ならば
または必要ならば、次に、図2(e)中に示すように層1
50上に感光性ポリマー組成物のもう一つの層を再びコ
ーティングして最上層160を形成する。典型的には、
この最上層160は、約1〜約50μmの程度の厚さを
有する。
または必要ならば、次に、図2(e)中に示すように層1
50上に感光性ポリマー組成物のもう一つの層を再びコ
ーティングして最上層160を形成する。典型的には、
この最上層160は、約1〜約50μmの程度の厚さを
有する。
【0085】図2(f)中に矢印(番号を付けていない)
で示す中間UV放射線によるフラッド露光を再び実施
し、これによって層160を架橋させ、図2(f)中に示
す導波路要素150を包囲し、かつ保護しそして被覆と
しての役割を果す、埋め込み用の露光した感光性ポリマ
ー組成物170を形成する。
で示す中間UV放射線によるフラッド露光を再び実施
し、これによって層160を架橋させ、図2(f)中に示
す導波路要素150を包囲し、かつ保護しそして被覆と
しての役割を果す、埋め込み用の露光した感光性ポリマ
ー組成物170を形成する。
【0086】非露光領域140が一緒に露光されないよ
うなフラッド露光の制御は、熱固定後には問題にならな
い。
うなフラッド露光の制御は、熱固定後には問題にならな
い。
【0087】上述のフラッド露光に続いて、前に規定し
たような条件を使用して熱固定を実施する。
たような条件を使用して熱固定を実施する。
【0088】上で述べた図2(c)〜2(f)の手順を繰り
返すことによって、多層導波路を製造することができ
る。
返すことによって、多層導波路を製造することができ
る。
【0089】図3(a)〜3(e)は、一般的な実施態様及
び埋め込まれた導波路の実施態様の変形例を提示する。
び埋め込まれた導波路の実施態様の変形例を提示する。
【0090】図3(a)に、第一被覆層210上に形成し
たポリマー導波路220を示す。このポリマー導波路2
20は、一般的な実施態様の手順を使用して形成しても
よい。被覆層210は、ポリマー導波路と被覆層との間
の所望の△nが達成される限り、任意の慣用の物質、例
えばガラス、石英、ポリマーなどで形成してもよい。図
3(a)において、被覆210はまた、基体としての役割
も果す。それは、本質的に、ポリマー導波路220より
も低屈折率を有しそして所望の光学的透明度を示す任意
の物質でよい。
たポリマー導波路220を示す。このポリマー導波路2
20は、一般的な実施態様の手順を使用して形成しても
よい。被覆層210は、ポリマー導波路と被覆層との間
の所望の△nが達成される限り、任意の慣用の物質、例
えばガラス、石英、ポリマーなどで形成してもよい。図
3(a)において、被覆210はまた、基体としての役割
も果す。それは、本質的に、ポリマー導波路220より
も低屈折率を有しそして所望の光学的透明度を示す任意
の物質でよい。
【0091】図3(b)において、ポリマー導波路220
を担持している第一被覆層210を、基体200上に支
持する。任意の通常の基体を使用してよい。
を担持している第一被覆層210を、基体200上に支
持する。任意の通常の基体を使用してよい。
【0092】図3(c)において、第二ポリマー被覆層2
30を、ポリマー導波路220及び第一ポリマー被覆層
210の露光領域上に形成する。この第二ポリマー被覆
層230を、典型的には、溶液の形で付与し、次に通常
の方法でスピンコートし、そして次に、前に与えられた
感光性ポリマー組成物層に使用される条件でベークし
て、すべての番号を前に定義した図3(c)中に示すオー
バコートした導波路構造体を結果として得る。第二ポリ
マー被覆層230は、ポリマー導波路220の形成に使
用したものと同じ感光性ポリマー組成物から形成しても
または形成しなくてもよい。それはまた、本発明による
感光性ポリマー組成物である必要もない。
30を、ポリマー導波路220及び第一ポリマー被覆層
210の露光領域上に形成する。この第二ポリマー被覆
層230を、典型的には、溶液の形で付与し、次に通常
の方法でスピンコートし、そして次に、前に与えられた
感光性ポリマー組成物層に使用される条件でベークし
て、すべての番号を前に定義した図3(c)中に示すオー
バコートした導波路構造体を結果として得る。第二ポリ
マー被覆層230は、ポリマー導波路220の形成に使
用したものと同じ感光性ポリマー組成物から形成しても
または形成しなくてもよい。それはまた、本発明による
感光性ポリマー組成物である必要もない。
【0093】図3(d)は、図2(f)のものと同様な埋め
込まれた導波路を図示するが、図3(d)において、導波
路としての役割を果す非露光感光性ポリマー組成物領域
220は、露光された感光性ポリマー組成物230中に
埋め込まれ、そして導波路220の形成に使用した感光
性ポリマー組成物及び埋め込み物質230とは異なる被
覆物質の下方の層または第一被覆層上に支持されてい
る。埋め込み物質は、本発明による感光性ポリマー組成
物であってもまたはなくてもよく、そして図3(c)によ
るように、異なる感光性ポリマー組成物で形成してもよ
い。
込まれた導波路を図示するが、図3(d)において、導波
路としての役割を果す非露光感光性ポリマー組成物領域
220は、露光された感光性ポリマー組成物230中に
埋め込まれ、そして導波路220の形成に使用した感光
性ポリマー組成物及び埋め込み物質230とは異なる被
覆物質の下方の層または第一被覆層上に支持されてい
る。埋め込み物質は、本発明による感光性ポリマー組成
物であってもまたはなくてもよく、そして図3(c)によ
るように、異なる感光性ポリマー組成物で形成してもよ
い。
【0094】第一被覆層はポリマー被覆層である必要は
なく、基体に接着しかつ感光性ポリマー組成物がそれに
接着する任意の物質、例えば、石英、ガラス、ポリマー
などで形成できる。第二被覆層は、塗布及び平坦化の容
易さのために、一般的にはポリマー組成物で形成され
る。
なく、基体に接着しかつ感光性ポリマー組成物がそれに
接着する任意の物質、例えば、石英、ガラス、ポリマー
などで形成できる。第二被覆層は、塗布及び平坦化の容
易さのために、一般的にはポリマー組成物で形成され
る。
【0095】例として、ポリマー導波路は前に例示した
ようなEpirez SU8でよく、そして第一及び第
二被覆層は前に議論したようなエポキシ官能化したPM
MAでよい;エポキシ官能化したPMMAはエポキシ基
のために所望の熱安定性を示し、Epirez SU8
より低屈折率を有しそしてPMMAの良好な光学的透明
性を保留する。
ようなEpirez SU8でよく、そして第一及び第
二被覆層は前に議論したようなエポキシ官能化したPM
MAでよい;エポキシ官能化したPMMAはエポキシ基
のために所望の熱安定性を示し、Epirez SU8
より低屈折率を有しそしてPMMAの良好な光学的透明
性を保留する。
【0096】図3(e)は、図3(d)中に示す第一ポリマ
ー被覆層210が図3(d)中に示す第二ポリマー被覆層
230と本質的に同じであり、その結果として、図2
(f)の“保護”層170と機能において類似である本質
的に均一なポリマー被覆層240を与える、ポリマー被
覆の概念を図示する。その他の番号は図3(d)中と同じ
意味を有する。
ー被覆層210が図3(d)中に示す第二ポリマー被覆層
230と本質的に同じであり、その結果として、図2
(f)の“保護”層170と機能において類似である本質
的に均一なポリマー被覆層240を与える、ポリマー被
覆の概念を図示する。その他の番号は図3(d)中と同じ
意味を有する。
【0097】当業者には明らかであろうように、支持体
は光学的に不透明でよくまたは導波路要素のそれよりも
高い屈折率を有してもよい。
は光学的に不透明でよくまたは導波路要素のそれよりも
高い屈折率を有してもよい。
【0098】本発明のプロセスは、後述の実施例2に示
すように、相互に12μmの中心−中心間隔を有する6
μm幅の導波路を形成するために成功裏に実施された。
各々が平行でかつ上から見たときに長方形である3つの
導波路(分離;導波路間、12μm)を考慮して、1.
3μmの光を中央の導波路中に導入した。それがこの導
波路を出ることを見出した。隣の導波路から出る光のな
いことは、これらの導波路が光学的情報の低い混線及び
良好な閉じ込めを示すことに関して高品質のものである
ことを立証した。約2μmまでの狭い幅のポリマー導波
路を容易に達成することができると信じられるが、これ
は、感光性ポリマー組成物ではなくて利用可能なフォト
リトグラフ装置によって主に決定される。当業者が認識
しているように、より大きな幅は、得るのがずっと簡単
である。
すように、相互に12μmの中心−中心間隔を有する6
μm幅の導波路を形成するために成功裏に実施された。
各々が平行でかつ上から見たときに長方形である3つの
導波路(分離;導波路間、12μm)を考慮して、1.
3μmの光を中央の導波路中に導入した。それがこの導
波路を出ることを見出した。隣の導波路から出る光のな
いことは、これらの導波路が光学的情報の低い混線及び
良好な閉じ込めを示すことに関して高品質のものである
ことを立証した。約2μmまでの狭い幅のポリマー導波
路を容易に達成することができると信じられるが、これ
は、感光性ポリマー組成物ではなくて利用可能なフォト
リトグラフ装置によって主に決定される。当業者が認識
しているように、より大きな幅は、得るのがずっと簡単
である。
【0099】実施例2で得られた本発明の導波路の上述
のテスト結果は、下記の特性を立証した。 低伝搬損失を示すこと; 低伝搬損失:λ=1.3μmで<0.3dB/cm(この数字
は、当該技術の最善の現状のTi:LiO3導波路の数
字λ=1.3μmで:≦0.1dB/cmと好ましく比較され
る)非常に高い分解能及び非常に高いアスペクト比を有
してリトグラフ的にパターン化できること; 中心−中心間隔:12μm;幅:6μm(使用装置によ
り2μmまで可能); 400〜2,000nmの波長範囲にわたって光学的に透
明であること; 235℃までλ=1.3μmで光学的に透明である; 光学的に誘発された屈折率変化を有し、それは安定であ
ること; △n=0.005; 露光領域と非露光領域との間の屈折率差を有し、それは
200℃より高い温度では無視できるようになること; 非常に滑らかな側壁、即ち、導波路の低伝搬損失のため
に必要な特性を有すること;および 酸素の非存在下で処理することによって〜270℃まで
拡張することができる光学的劣化温度を有すること。
のテスト結果は、下記の特性を立証した。 低伝搬損失を示すこと; 低伝搬損失:λ=1.3μmで<0.3dB/cm(この数字
は、当該技術の最善の現状のTi:LiO3導波路の数
字λ=1.3μmで:≦0.1dB/cmと好ましく比較され
る)非常に高い分解能及び非常に高いアスペクト比を有
してリトグラフ的にパターン化できること; 中心−中心間隔:12μm;幅:6μm(使用装置によ
り2μmまで可能); 400〜2,000nmの波長範囲にわたって光学的に透
明であること; 235℃までλ=1.3μmで光学的に透明である; 光学的に誘発された屈折率変化を有し、それは安定であ
ること; △n=0.005; 露光領域と非露光領域との間の屈折率差を有し、それは
200℃より高い温度では無視できるようになること; 非常に滑らかな側壁、即ち、導波路の低伝搬損失のため
に必要な特性を有すること;および 酸素の非存在下で処理することによって〜270℃まで
拡張することができる光学的劣化温度を有すること。
【0100】本発明に従って得られる数個の主な利点は
以下の通りである: ポリマー光導波路を、露光領域と非露光領域との間の屈
折率の正味の差を与えるリトグラフの露光技術によっ
て、重合性物質、もっとも好ましくは感光性エポキシ樹
脂中に直接形成することができる; この屈折率差は熱的に安定化でき、そしてこのプロセス
を繰り返して単一の重合性物質を使用して完全に包囲さ
れたまたは埋め込まれた導波路を形成できる; このプロセスはガラス、セラミック、シリコンなどを含
む任意の担体上の導波路構造体の形成に使用することが
できる;そして 固定する温度を変えて屈折率差を制御すること、及びリ
トグラフィー条件を変えてポリマー導波路のサイズを制
御することを使用して多重または単一モードのポリマー
導波路構造体を形成できる。
以下の通りである: ポリマー光導波路を、露光領域と非露光領域との間の屈
折率の正味の差を与えるリトグラフの露光技術によっ
て、重合性物質、もっとも好ましくは感光性エポキシ樹
脂中に直接形成することができる; この屈折率差は熱的に安定化でき、そしてこのプロセス
を繰り返して単一の重合性物質を使用して完全に包囲さ
れたまたは埋め込まれた導波路を形成できる; このプロセスはガラス、セラミック、シリコンなどを含
む任意の担体上の導波路構造体の形成に使用することが
できる;そして 固定する温度を変えて屈折率差を制御すること、及びリ
トグラフィー条件を変えてポリマー導波路のサイズを制
御することを使用して多重または単一モードのポリマー
導波路構造体を形成できる。
【0101】このように本発明を一般的に説明してきた
が、本発明を実施する現在のところ好ましい最良の方式
を例示する以下の非限定的な実施例を提供する。
が、本発明を実施する現在のところ好ましい最良の方式
を例示する以下の非限定的な実施例を提供する。
【0102】
【実施例】実施例1 この実施例は、前に説明した一般的実施態様を使用して
図1中に図示されるようなポリマー導波路の生成を示
す。
図1中に図示されるようなポリマー導波路の生成を示
す。
【0103】その上に4μmの厚さのSiO2層を有す
る通常のシリコン基体を、ジグリム中の光増感刊剤とし
て5重量%のUVE1014(エポキシ重量を基にし
て)を含むEpirez SU8(溶液重量基準で固形
分として78重量%エポキシ)で50μmの厚さのフィ
ルムをドクタ−ブレ−ドでコ−トした。
る通常のシリコン基体を、ジグリム中の光増感刊剤とし
て5重量%のUVE1014(エポキシ重量を基にし
て)を含むEpirez SU8(溶液重量基準で固形
分として78重量%エポキシ)で50μmの厚さのフィ
ルムをドクタ−ブレ−ドでコ−トした。
【0104】次に、この組立体を、大気圧下、空気中で
90℃において30分間ベ−クし、そして次に365nm
の中間UVを用いて650mJ/cm2のエネルギー流量で
通常のネガのフォトマスクを通して露光した。
90℃において30分間ベ−クし、そして次に365nm
の中間UVを用いて650mJ/cm2のエネルギー流量で
通常のネガのフォトマスクを通して露光した。
【0105】形成した露光領域は50μm幅、50μm
厚さであり、そして露光領域の中心−中心間隔は250
μmであった。
厚さであり、そして露光領域の中心−中心間隔は250
μmであった。
【0106】この組立体を、この段階で空気中で90℃
において15分間熱固定して、露光領域を完全に架橋し
た。
において15分間熱固定して、露光領域を完全に架橋し
た。
【0107】露光領域の熱固定に続いて、プロピレング
リコールメチルエーテルアセテート中に浸漬して非露光
領域を現像した(除去した)。撹拌の程度に依存して、
2〜5分の種々の接触時間が成功裏に使用され、より激
しい撹拌は、より短い現像時間に導いた。これによって
図1中に示すようなポリマー導波路が形成された。
リコールメチルエーテルアセテート中に浸漬して非露光
領域を現像した(除去した)。撹拌の程度に依存して、
2〜5分の種々の接触時間が成功裏に使用され、より激
しい撹拌は、より短い現像時間に導いた。これによって
図1中に示すようなポリマー導波路が形成された。
【0108】実施例2 この実施例は、前に説明した埋め込みポリマー導波路の
実施態様を使用して図2中に図示すようなポリマー導波
路の形成を示す。
実施態様を使用して図2中に図示すようなポリマー導波
路の形成を示す。
【0109】基体は、再びその上に4μmの厚さのSi
O2層を有するシリコンであった(SiO2はコートする
かまたは熱的に成長させた)。
O2層を有するシリコンであった(SiO2はコートする
かまたは熱的に成長させた)。
【0110】この実施例においては、重合性物質は、そ
れを、ジグリムによって重量で1:1で希釈した以外は
実施例1におけるものと同じであった。光増感剤は、再
びUVE1014(エポキシ重量を基にして5重量%)
であった。それを、3,000RPMのスピンコーティ
ングによって5μmの厚さにコートした。
れを、ジグリムによって重量で1:1で希釈した以外は
実施例1におけるものと同じであった。光増感剤は、再
びUVE1014(エポキシ重量を基にして5重量%)
であった。それを、3,000RPMのスピンコーティ
ングによって5μmの厚さにコートした。
【0111】次に、この組立体を、常圧で空気中で15
分間、90℃でベークして溶媒を追い出した。
分間、90℃でベークして溶媒を追い出した。
【0112】次に、650mJ/cm2のエネルギー量で3
65nmの中間UVによるフラッド露光を実施し、引き続
いて窒素パージ下で150℃で10分間、熱固定を行っ
た。
65nmの中間UVによるフラッド露光を実施し、引き続
いて窒素パージ下で150℃で10分間、熱固定を行っ
た。
【0113】次に、前に使用したのと同じポリマー組成
物を、前に使用したのと同じ条件でスピンコートして6
μm厚さのフィルムを形成し、そしてネガのフォトマス
クを通して像様露光して、露光領域の中心−中心間隔1
2μmを有する幅6μm及び厚さ5μmの露光領域を形
成した。露光条件は、フラッド露光に関するものと同じ
であった。次に、前に使用した条件で熱固定を実施し
た。次に、前に使用したポリマー組成物を使用して前に
与えられた条件で最上層をスピンコートして、6μmの
厚さの最上層を形成した。次に、前に与えられたのと同
じ条件でフラッド露光を実施し、引き続いて前に与えら
れたのと同じ条件で熱固定を行って、露光領域と非露光
領域との間の△nが0.005である所望の埋め込まれ
たポリマー導波路を形成した。
物を、前に使用したのと同じ条件でスピンコートして6
μm厚さのフィルムを形成し、そしてネガのフォトマス
クを通して像様露光して、露光領域の中心−中心間隔1
2μmを有する幅6μm及び厚さ5μmの露光領域を形
成した。露光条件は、フラッド露光に関するものと同じ
であった。次に、前に使用した条件で熱固定を実施し
た。次に、前に使用したポリマー組成物を使用して前に
与えられた条件で最上層をスピンコートして、6μmの
厚さの最上層を形成した。次に、前に与えられたのと同
じ条件でフラッド露光を実施し、引き続いて前に与えら
れたのと同じ条件で熱固定を行って、露光領域と非露光
領域との間の△nが0.005である所望の埋め込まれ
たポリマー導波路を形成した。
【図1】(a)〜(e)は本発明に従ってポリマー光導波路
を製造するためのプロセス順序の図式的な説明図であ
る。
を製造するためのプロセス順序の図式的な説明図であ
る。
【図2】(a)〜(f)は本発明に従ってポリマー光導波路
を製造するためのプロセス順序の図式的な説明図であ
る。
を製造するためのプロセス順序の図式的な説明図であ
る。
【図3】(a)〜(e)は本発明に従う種々のポリマー導波
路の断面図である。
路の断面図である。
10、100、200 基体 20、210、230、240 被覆層 30、110、120 コーティング層 40、140 露光領域 50、150 非露光領域 160 最上層 170 感光性ポリマー組成物層 40、150、220 ポリマー導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02B 6/13 G02B 6/12 M (72)発明者 ジエフリー・ドナルド・ジエローム アメリカ合衆国コネチカツト州(06062) プレインビル.ヘミングウエイストリー ト30 (72)発明者 モデスト・マイクル・オプリスコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州(10598) マホパツク.センターロード アール・ アール12 (72)発明者 アルバート・スピース アメリカ合衆国ニユーヨーク州(10703) ヨンカーズ.グリーンベイルアベニユー 93 (72)発明者 ジーニン・マデリン・トレホエラ アメリカ合衆国ニユーヨーク州(10566) ピークスキル.テイラーアベニユー4 (56)参考文献 特開 昭59−151107(JP,A) 特開 昭59−204676(JP,A) 特開 昭53−110543(JP,A) 特公 昭63−28448(JP,B2) 特公 昭59−7362(JP,B2) 特公 昭63−35583(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02B 6/12 G02B 6/13
Claims (11)
- 【請求項1】 像様露光により導入された屈折率の異な
る予め選択された領域をその中に有し、そしてより屈折
率の高い領域が光導波路として作用する感光性ポリマー
組成物の層からなり、感光性ポリマー組成物が1モル当
たり平均6〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化
ビスフェノールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび
脂環式エポキシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリ
マーよりなる群から選択される重合性物質と光酸発生化
合物である光増感剤との組み合わせからなることを特徴
とするプレーナ薄膜光導波路。 - 【請求項2】 重合度と屈折率の異なる予め選択された
領域をその中に有し、より屈折率の高い領域が光導波路
として作用する感光性ポリマー組成物の本体からなり、
感光性ポリマー組成物が1モル当たり平均6〜8個のエ
ポキシ基を有する完全エポキシ化ビスフェノールA−ホ
ルムアルデヒドノボラックおよび脂環式エポキシアクリ
レート変性エチレン性不飽和ポリマーよりなる群から選
択される重合性物質と光酸発生化合物である光増感剤と
の組み合わせからなることを特徴とする構造体。 - 【請求項3】 マトリックス中に埋め込まれた感光性ポ
リマー組成物を非露光で熱架橋した重合性物質からなる
第1屈折率を有する分離した領域と、感光性ポリマー組
成物を露光して熱架橋した重合性物質からなる第1屈折
率よりも小さい第2屈折率を有するマトリックスとをそ
の中に有し、分離した領域が光導波路として作用する感
光性ポリマー組成物の層からなり、感光性ポリマー組成
物が1モル当たり平均6〜8個のエポキシ基を有する完
全エポキシ化ビスフェノールA−ホルムアルデヒドノボ
ラックおよび脂環式エポキシアクリレート変性エチレン
性不飽和ポリマーよりなる群から選択される重合性物質
と光酸発生化合物である光増感剤との組み合わせからな
ることを特徴とするプレーナ薄膜光導波路。 - 【請求項4】 基体および基体上の感光性ポリマー組成
物の層からなり、感光性ポリマー組成物を露光して熱架
橋した重合性物質からなる予定された屈折率を示す光導
波路として作用する分離した領域を含む、感光性ポリマ
ー組成物が1モル当たり平均6〜8個のエポキシ基を有
する完全エポキシ化ビスフェノールA−ホルムアルデヒ
ドノボラックおよび脂環式エポキシアクリレート変性エ
チレン性不飽和ポリマーよりなる群から選択される重合
性物質と光酸発生化合物である光増感剤との組み合わせ
からなることを特徴とするプレーナ薄膜ポリマー光導波
路構造体。 - 【請求項5】 基体および基体上のマトリックスに埋め
込まれた感光性ポリマー組成物を非露光で熱架橋した重
合性物質からなる第1屈折率を有する分離した領域と、
感光性ポリマー組成物を露光して熱架橋した重合性物質
からなる第1屈折率よりも小さい第2屈折率を有するマ
トリックスとを有し、分離した領域が光導波路として作
用する感光性ポリマー組成物の層からなる、感光性ポリ
マー組成物が1モル当たり6〜8個のエポキシ基を有す
る完全エポキシ化ビスフェノールA−ホルムアルデヒド
ノボラックおよび脂環式エポキシアクリレート変性エチ
レン性不飽和ポリマーよりなる群から選択される重合性
物質と光酸発生化合物である光増感剤との組み合わせか
らなることを特徴とするプレーナ薄膜ポリマー光導波路
構造体。 - 【請求項6】 基体上に感光性ポリマー組成物の層を準
備する、およびこの層を活性光線に像様露光する工程を
含み、その結果、層の予め選択された領域が光導入され
て屈折率が変更される、感光性ポリマー組成物が1モル
当たり6〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビ
スフェノールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂
環式エポキシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマ
ーよりなる群から選択される重合性物質と光酸発生化合
物である光増感剤との組み合わせからなることを特徴と
する請求項1記載のプレーナ薄膜光導波路の形成方法。 - 【請求項7】 基体上に感光性ポリマー組成物の層を付
与する、層を像様露光して層の露光領域内のポリマー材
料を架橋させる、および層の非露光領域を除去する工程
を含み、その結果、残留している露光領域が光導波路と
して作用する、感光性ポリマー組成物が1モル当たり6
〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビスフェノ
ールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂環式エポ
キシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマーよりな
る群から選択される重合性物質と光酸発生化合物である
光増感剤との組み合わせからなることを特徴とする請求
項4記載のプレーナ薄膜光導波路構造体の形成方法。 - 【請求項8】 基体を第1屈折率を有する被覆層でコー
ティングする、 被覆層を感光性ポリマー組成物の層でコーティングす
る、 感光性ポリマー組成物層をベークする、 ベークした層を像様露光してその中に露光領域と非露光
領域とを生成させる、 像様露光した層を熱的に固定する、および層の非露光領
域を除去する、 工程を含み、被覆層の第1屈折率よりも高い屈折率を有
する光導入された露光領域が分離したプレーナ薄膜光導
波路として残留する、感光性ポリマー組成物が1モル当
たり6〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビス
フェノールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂環
式エポキシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマー
よりなる群から選択される重合性物質と光酸発生化合物
である光増感剤との組み合わせからなることを特徴とす
るプレーナ薄膜光導波路の形成方法。 - 【請求項9】 第1屈折率を有する光学的に透明な基体
を感光性ポリマー組成物の層でコーティングする、 感光性ポリマー組成物層をベークする、 ベークした層を像様露光してその中に露光領域と非露光
領域とを生成させる、 像様露光した層を熱的に固定する、および層の非露光領
域を除去する、 工程を含み、基体の第1屈折率よりも高い屈折率を有す
る光導入された露光領域が分離したプレーナ薄膜光導波
路として残留する、感光性ポリマー組成物が1モル当た
り6〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビスフ
ェノールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂環式
エポキシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマーよ
りなる群から選択される重合性物質と光酸発生化合物で
ある光増感剤との組み合わせからなることを特徴とする
プレーナ薄膜光導波路の形成方法。 - 【請求項10】 基体を感光性ポリマー組成物の層でコ
ーティングする、 感光性ポリマー組成物層をベークする、 ベークした層をフラッド露光する、 層を熱的に固定する、 熱的に固定した層上に同一の感光性ポリマー組成物の第
2層を付与する、 第2層を像様露光してその中に露光領域と非露光領域と
を生じさせる、および第2層を熱的に固定してその中の
重合性物質を重合させる、 工程を含み、第2層中の非露光領域が分離したプレーナ
薄膜光導波路である、感光性ポリマー組成物が1モル当
たり6〜8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビス
フェノールA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂環
式エポキシアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマー
よりなる群から選択される重合性物質と光酸発生化合物
である光増感剤との組み合わせからなることを特徴とす
る分離したプレーナ薄膜光導波路の形成方法。 - 【請求項11】 第1屈折率を有する被覆層を感光性ポ
リマー組成物の層でコーティングする、 感光性ポリマー組成物層をベークする、 ベークした層を像様露光してその中に露光領域と非露光
領域とを生成させる、 像様露光した層の露光領域中の重合性物質を熱的に固定
する、および像様露光した層の非露光領域を除去し、そ
れにより露光領域が分離したプレーナ薄膜光導波路とし
て残留させる、 露光領域が分離したプレーナ薄膜光導波路上に被覆層を
コーティングする、および得られた生成物をベークす
る、 工程を含み、感光性ポリマー組成物が1モル当たり6〜
8個のエポキシ基を有する完全エポキシ化ビスフェノー
ルA−ホルムアルデヒドノボラックおよび脂環式エポキ
シアクリレート変性エチレン性不飽和ポリマーよりなる
群から選択される重合性物質と光酸発生化合物である光
増感剤との組み合わせからなることを特徴とするプレー
ナ薄膜光導波路の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/495,241 US5054872A (en) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | Polymeric optical waveguides and methods of forming the same |
US495241 | 1990-03-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0815537A JPH0815537A (ja) | 1996-01-19 |
JP2763078B2 true JP2763078B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=23967853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3040823A Expired - Lifetime JP2763078B2 (ja) | 1990-03-16 | 1991-02-14 | ポリマー光導波路およびその形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5054872A (ja) |
EP (1) | EP0446672A1 (ja) |
JP (1) | JP2763078B2 (ja) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5307186A (en) * | 1991-08-09 | 1994-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal light valve having capability of providing high-contrast image |
US5168542A (en) * | 1991-10-09 | 1992-12-01 | The Boeing Company | Low loss channel waveguide and method for making the same |
FR2684239B1 (fr) * | 1991-11-27 | 1994-03-04 | France Telecom | Procede de fabrication d'un guide d'onde optique planaire entierement a base de polymeres, et son utilisation dans un isolateur optique integre. |
US5253319A (en) * | 1992-02-24 | 1993-10-12 | Corning Incorporated | Planar optical waveguides with planar optical elements |
US5317657A (en) * | 1992-07-30 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Extrusion of polymer waveguides onto surfaces |
US5265185A (en) * | 1992-10-02 | 1993-11-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optical waveguides in electro-optical polymers and method |
US6017681A (en) * | 1992-11-09 | 2000-01-25 | Fujitsu Limited | Method of coupling optical parts and method of forming a mirror |
WO1994016345A1 (en) * | 1993-01-08 | 1994-07-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-loss optical and optoelectronic integrated circuits |
US5609797A (en) * | 1993-05-03 | 1997-03-11 | The Boeing Company | Method for recording refractive index patterns in polyimide films |
TW262537B (ja) * | 1993-07-01 | 1995-11-11 | Allied Signal Inc | |
KR100482811B1 (ko) * | 1993-07-01 | 2005-09-06 | 알라이드시그날 인코포레이티드 | 광학적으로투명한도파관의열안정화방법 |
US5343544A (en) * | 1993-07-02 | 1994-08-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Integrated optical fiber coupler and method of making same |
US5534101A (en) * | 1994-03-02 | 1996-07-09 | Telecommunication Research Laboratories | Method and apparatus for making optical components by direct dispensing of curable liquid |
JPH07333450A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Hoechst Japan Ltd | 光結合用導波路の形成方法及び光結合用導波路を有する光導波路素子 |
US5465860A (en) * | 1994-07-01 | 1995-11-14 | Intel Corporation | Method of forming an integrated circuit waveguide |
US5932397A (en) * | 1996-05-28 | 1999-08-03 | Rvm Scientific, Inc. | Multicolor lithography for control of three dimensional refractive index gradient processing |
JPH09329720A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 集積型光導波路およびその製造法 |
JP3796296B2 (ja) * | 1996-08-05 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 通信方法、通信装置及びカメラ制御装置 |
SE508067C2 (sv) * | 1996-10-18 | 1998-08-24 | Ericsson Telefon Ab L M | Optisk ledare tillverkad av ett polymert material innefattande glycidylakrylat och pentafluorstyren |
KR100288742B1 (ko) * | 1997-03-12 | 2001-05-02 | 윤종용 | 광도파로소자의제조방법 |
US6103398A (en) * | 1997-05-22 | 2000-08-15 | Motorola, Inc. | Optoelectronic device having an overfill material and method of assembly |
US6054253A (en) * | 1997-10-10 | 2000-04-25 | Mcgill University-The Royal Institute For The Advancement Of Learning | Solvent-assisted lithographic process using photosensitive sol-gel derived glass for depositing ridge waveguides on silicon |
US6133472A (en) * | 1998-01-20 | 2000-10-17 | Alliedsignal Inc. | Fluorinated oxyvinyl compounds and methods of preparing and using same |
US6291704B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-09-18 | Alliedsignal Inc. | Polymerizable halogenated vinyl ethers |
US6308001B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-10-23 | Alliedsignal Inc. | Radiation curable fluorinated vinyl ethers derived from hexafluoropropene |
US6473220B1 (en) | 1998-01-22 | 2002-10-29 | Trivium Technologies, Inc. | Film having transmissive and reflective properties |
EP0943935A3 (en) * | 1998-03-20 | 2001-01-31 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Optical waveguide and method for production thereof |
AUPP446598A0 (en) * | 1998-07-03 | 1998-07-30 | Australian National University, The | Planar lightwave circuits |
US6151430A (en) | 1998-07-08 | 2000-11-21 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Photonic device having an integal guide and method of manufacturing |
US6343171B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
US6684007B2 (en) | 1998-10-09 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Optical coupling structures and the fabrication processes |
US6785447B2 (en) | 1998-10-09 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | Single and multilayer waveguides and fabrication process |
US6845184B1 (en) | 1998-10-09 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Multi-layer opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
US6690845B1 (en) | 1998-10-09 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Three-dimensional opto-electronic modules with electrical and optical interconnections and methods for making |
US6611635B1 (en) | 1998-10-09 | 2003-08-26 | Fujitsu Limited | Opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
US6706546B2 (en) | 1998-10-09 | 2004-03-16 | Fujitsu Limited | Optical reflective structures and method for making |
US6703188B1 (en) * | 1999-03-29 | 2004-03-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Method of fabricating optical waveguide structure |
JP2000347054A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 |
US6306563B1 (en) | 1999-06-21 | 2001-10-23 | Corning Inc. | Optical devices made from radiation curable fluorinated compositions |
US6555288B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-04-29 | Corning Incorporated | Optical devices made from radiation curable fluorinated compositions |
JP2001274528A (ja) | 2000-01-21 | 2001-10-05 | Fujitsu Ltd | 薄膜デバイスの基板間転写方法 |
AU2001235961A1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-09-12 | Orchid Lightwave Communications, Inc. | Integrated optical devices and methods of making such devices |
KR20030036655A (ko) | 2000-07-28 | 2003-05-09 | 굿리치 코포레이션 | 광도파관 및 광도파관을 제조하는 방법 |
EP1205450A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-15 | Alcatel | Coating for optical fibers and method of manufacturing thereof |
EP1209492B1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-02-04 | National University of Ireland Cork | Formation of materials such as waveguides with a refractive index step |
DE60138576D1 (de) * | 2000-11-30 | 2009-06-10 | Toyoda Gosei Kk | Optisches Sende- und Empfangsmodul |
US6836608B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Planar optical waveguide, method for manufacturing the same and polymer optical waveguide |
US6929899B2 (en) | 2001-01-25 | 2005-08-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated photopolymer composition and waveguide device |
US7078445B2 (en) * | 2001-02-01 | 2006-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive acrylate composition and waveguide device |
US6785458B2 (en) * | 2001-02-11 | 2004-08-31 | Georgia Tech Research Corporation | Guided-wave optical interconnections embedded within a microelectronic wafer-level batch package |
US6558868B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-05-06 | Brookhaven Science Associates, Llc | Method of fabricating a high aspect ratio microstructure |
JP4506006B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2010-07-21 | 日立電線株式会社 | ポリマ光導波路の製造方法 |
US6599957B2 (en) | 2001-05-07 | 2003-07-29 | Corning Incorporated | Photosensitive material suitable for making waveguides and method of making waveguides utilizing this photosensitive optical material |
WO2002090401A2 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Corning Incorporated | Photosensitive material suitable for making waveguides and method of making waveguides utilizing this photosensitive optical material |
US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
US6778753B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-08-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Halogenated optical polymer composition |
US6898343B2 (en) | 2001-08-17 | 2005-05-24 | Fujitsu Limited | Optical switching apparatus and method for fabricating |
US6922508B2 (en) * | 2001-08-17 | 2005-07-26 | Fujitsu Limited | Optical switching apparatus with adiabatic coupling to optical fiber |
AT500669B1 (de) * | 2001-09-24 | 2007-02-15 | Oesterr Forsch Seibersdorf | Fester träger zur immobilisierung von biomolekülen |
US7595934B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-09-29 | Brilliant Film Llc | Integrated sub-assembly having a light collimating or transflecting device |
US7345824B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-03-18 | Trivium Technologies, Inc. | Light collimating device |
US7330612B2 (en) * | 2002-05-28 | 2008-02-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Material for substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly and substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly |
KR100444180B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2004-08-11 | 한국전자통신연구원 | 핫엠보싱 공정을 이용하여 2차원 고분자 광도파로를제작하는 방법 |
WO2004104677A2 (en) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | Trivium Technologies, Inc. | Devices for use in non-emissive displays |
CN101308229B (zh) * | 2003-11-21 | 2010-11-17 | 住友电木株式会社 | 光波导及其形成方法 |
JP2005165139A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製造方法 |
DE102004006047A1 (de) * | 2004-02-02 | 2005-08-18 | Micro Resist Technology Gmbh | Polymerwellenleiter für opto-elektrische Schaltungsträger |
JP4490183B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2010-06-23 | 日東電工株式会社 | 光導波路およびその製造方法 |
JP2005234025A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Omron Corp | 光導波路装置 |
US7615280B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-11-10 | Arash Behravesh | Method and apparatus to detect a starting edge of a roll of material |
WO2006086841A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-24 | Rpo Pty Limited | Photolithographic patterning of polymeric materials |
DE102005027676A1 (de) * | 2005-06-15 | 2007-01-11 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung von anisotropen Wellenleiterstrukturen zur Übertragung von Lichtwellen |
US8226253B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-07-24 | Lubart Neil D | Concentrators for solar power generating systems |
EP2103974A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-23 | Nitto Denko Corporation | Optical waveguide having grating and method of forming the same |
JP4994310B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2012-08-08 | 日東電工株式会社 | 光導波路の製造方法 |
US8604603B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-12-10 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Apparatus having thermal-enhanced and cost-effective 3D IC integration structure with through silicon via interposers |
US9057853B2 (en) * | 2009-02-20 | 2015-06-16 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Apparatus having an embedded 3D hybrid integration for optoelectronic interconnects |
JP2010256877A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光導波路コアの製造方法、光導波路の製造方法、光導波路、及び光電気複合配線板 |
JP6962326B2 (ja) | 2016-09-06 | 2021-11-05 | Agc株式会社 | 樹脂光導波路及び複合光導波路 |
KR20210034551A (ko) * | 2018-07-20 | 2021-03-30 | 일루미나, 인코포레이티드 | 수지 조성물 및 이를 혼입한 유동셀 |
MX2020014054A (es) * | 2018-07-20 | 2021-05-27 | Illumina Inc | Composicion de resina y celdas de flujo que incluyen la misma. |
WO2020214238A1 (en) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method of thin film deposition in trenches |
CN113964630B (zh) * | 2021-10-19 | 2023-12-22 | 吉林大学 | 一种基于PbS量子点的聚合物光波导放大器及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4046567A (en) * | 1976-08-02 | 1977-09-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Christiansen cells containing epoxy gelling agents |
JPS53110543A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical branching and coupling circuit |
US4237216A (en) * | 1978-12-08 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Photosensitive patternable coating composition containing novolak type materials |
DE2926415A1 (de) * | 1979-06-29 | 1981-01-08 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines zugfesten lichtwellenleiters |
US4395484A (en) * | 1982-06-25 | 1983-07-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Roomlight-stable ultraviolet-response photothermographic imaging material |
JPS5986003A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 像伝送用合成樹脂体の製造法 |
JPS59151107A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-29 | Toshiba Corp | 光導波路 |
JPS59204676A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 高屈折率感光性接着剤 |
JPS60151256A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-09 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 繊維強化樹脂被覆光フアイバ−の製造方法 |
JPS6328448A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-06 | Canon Inc | 光反応装置 |
FR2601954B1 (fr) * | 1986-07-25 | 1988-10-21 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de preparation d'hexaalkyldisilane |
-
1990
- 1990-03-16 US US07/495,241 patent/US5054872A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3040823A patent/JP2763078B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-20 EP EP91102419A patent/EP0446672A1/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0446672A1 (en) | 1991-09-18 |
JPH0815537A (ja) | 1996-01-19 |
US5054872A (en) | 1991-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2763078B2 (ja) | ポリマー光導波路およびその形成方法 | |
EP1323742B1 (en) | Radiation sensitive refractive index changing composition and refractive index changing method | |
US6017681A (en) | Method of coupling optical parts and method of forming a mirror | |
EP1292852B1 (en) | Microfabrication of organic optical elements | |
US6512874B2 (en) | High performance acrylate materials for optical interconnects | |
US6477284B1 (en) | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor | |
JP4007113B2 (ja) | アライメントマーク付き高分子光導波路及び積層型高分子光導波路の製造方法 | |
JP3133039B2 (ja) | 光導波路用感光性組成物およびその製造方法および高分子光導波路パターン形成方法 | |
US20050201714A1 (en) | Optical waveguide and production method thereof | |
KR20060090653A (ko) | 지수 콘트라스트가 보강된 중합체 광학 도파관, 및 그의제조방법 | |
CN1267754C (zh) | 插入损耗低的单模聚合物波导的设计方法 | |
US4996123A (en) | Optically oriented photoresist pattern forming method using organic crystal in photoresist layer with specified refracting indices formula | |
JPH07333450A (ja) | 光結合用導波路の形成方法及び光結合用導波路を有する光導波路素子 | |
US6806040B2 (en) | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same | |
JP3571482B2 (ja) | 口径変換用高分子光導波路パターン形成方法 | |
JPH10148729A (ja) | 高分子光導波路コア部のリッジ・パターン形成方法 | |
KR20050027021A (ko) | 광 소자 형성방법 | |
US7071255B2 (en) | Radiation-sensitive composition capable of having refractive index distribution | |
JP3063903B2 (ja) | 光導波路 | |
JP3896584B2 (ja) | 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法 | |
JP3483188B2 (ja) | 高分子材料の光導波路形成方法 | |
JP2002341169A (ja) | プラスチック光導波路の製造方法 | |
JP3386113B2 (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
JP2005221556A (ja) | 光導波路の製法 | |
Krchnavek et al. | Photo-polymerized acrylic waveguides for optical interconnects |