JP2002341169A - プラスチック光導波路の製造方法 - Google Patents
プラスチック光導波路の製造方法Info
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- JP2002341169A JP2002341169A JP2002072688A JP2002072688A JP2002341169A JP 2002341169 A JP2002341169 A JP 2002341169A JP 2002072688 A JP2002072688 A JP 2002072688A JP 2002072688 A JP2002072688 A JP 2002072688A JP 2002341169 A JP2002341169 A JP 2002341169A
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程が容易で、光伝搬損失量の少ない埋
め込み型プラスチック光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に感光性透明樹脂からなるクラッ
ド層を形成する工程、前記クラッド層を光照射、現像す
ることによりコア部分となる凹型溝部を形成する工程、
前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折率を有する
非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成する工程、
前記クラッド層及びコア部分上に、コア部分の樹脂より
低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層を形成する工
程を含んでなることを特徴とする埋め込み型プラスチッ
ク光導波路の製造方法。
め込み型プラスチック光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に感光性透明樹脂からなるクラッ
ド層を形成する工程、前記クラッド層を光照射、現像す
ることによりコア部分となる凹型溝部を形成する工程、
前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折率を有する
非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成する工程、
前記クラッド層及びコア部分上に、コア部分の樹脂より
低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層を形成する工
程を含んでなることを特徴とする埋め込み型プラスチッ
ク光導波路の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック光導
波路の製造方法に関するものである。更に詳しくは、光
通信分野、光情報処理分野などにおいて用いられる光回
路を作製するため、光伝搬損失量の少ない埋め込み型プ
ラスチック光導波路の製造方法に関するものである。
波路の製造方法に関するものである。更に詳しくは、光
通信分野、光情報処理分野などにおいて用いられる光回
路を作製するため、光伝搬損失量の少ない埋め込み型プ
ラスチック光導波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路としては、石英系光導波
路とプラスチック光導波路が知られており、石英系光導
波路の製造方法としては、Ｓｉ基板上に火炎堆積法やＣ
ＶＤ法等の手段によりガラス膜よりなる下部クラッド層
を形成し、この下部クラッド層上にこれと屈折率の異な
る無機質の薄膜を形成し、この薄膜を反応性イオンエッ
チング法を用いてパターニングする事によりコア部分を
形成し、その後、さらに火炎堆積法によって上部クラッ
ド層を形成する方法が代表的である。しかしながら、こ
の方法は、各工程の実施が相当に煩雑である上、各構成
層を透明ガラス化するために１０００℃以上の温度に加
熱するガラス化工程が必要であることから製造に長い時
間を要し、本質的に低コスト化は困難である。
路とプラスチック光導波路が知られており、石英系光導
波路の製造方法としては、Ｓｉ基板上に火炎堆積法やＣ
ＶＤ法等の手段によりガラス膜よりなる下部クラッド層
を形成し、この下部クラッド層上にこれと屈折率の異な
る無機質の薄膜を形成し、この薄膜を反応性イオンエッ
チング法を用いてパターニングする事によりコア部分を
形成し、その後、さらに火炎堆積法によって上部クラッ
ド層を形成する方法が代表的である。しかしながら、こ
の方法は、各工程の実施が相当に煩雑である上、各構成
層を透明ガラス化するために１０００℃以上の温度に加
熱するガラス化工程が必要であることから製造に長い時
間を要し、本質的に低コスト化は困難である。
【０００３】一方、プラスチック光導波路の最も容易な
製造方法としては、高分子の特性を生かしたフォトリソ
グラフィー法がある。紫外線硬化樹脂を用いて、コア部
分を形成することで、石英系光導波路よりも簡単に且つ
低コストで製造できるという利点が有る。現在、使用も
しくは提案されているフォトリソグラフィー法は、光導
波部分であるコア部分に感光性樹脂を用いている。その
ような光導波路の製造方法の例を挙げると、特開平７−
１５９６３０号公報、特開平２０００−６６０５１号公
報等に記載された発明がある。しかし、このようなフォ
トリソグラフィー法を応用して、コア部分をパターニン
グすると、紫外線などの放射線照射時の架橋反応に付随
する樹脂の黄色化や、残余感光剤による吸収損失の増
大、エッジング時における樹脂の膨潤等が原因で、一般
的にコア部分での光伝搬損失量が大きくなるという問題
があった。
製造方法としては、高分子の特性を生かしたフォトリソ
グラフィー法がある。紫外線硬化樹脂を用いて、コア部
分を形成することで、石英系光導波路よりも簡単に且つ
低コストで製造できるという利点が有る。現在、使用も
しくは提案されているフォトリソグラフィー法は、光導
波部分であるコア部分に感光性樹脂を用いている。その
ような光導波路の製造方法の例を挙げると、特開平７−
１５９６３０号公報、特開平２０００−６６０５１号公
報等に記載された発明がある。しかし、このようなフォ
トリソグラフィー法を応用して、コア部分をパターニン
グすると、紫外線などの放射線照射時の架橋反応に付随
する樹脂の黄色化や、残余感光剤による吸収損失の増
大、エッジング時における樹脂の膨潤等が原因で、一般
的にコア部分での光伝搬損失量が大きくなるという問題
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造工程が
容易で、光伝搬損失量の少ない埋め込み型プラスチック
光導波路の製造方法を提供することにある。
容易で、光伝搬損失量の少ない埋め込み型プラスチック
光導波路の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す本
発明のプラスチック光導波路の製造方法を見いだし、完
成するに至った。
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す本
発明のプラスチック光導波路の製造方法を見いだし、完
成するに至った。
【０００６】即ち本発明は、次の第１項から第４項のプ
ラスチック光導波路の製造方法を提供するものである。 １． 基板上に感光性透明樹脂からなるクラッド層を形
成する工程、前記クラッド層を光照射、現像することに
よりコア部分となる凹型溝部を形成する工程、前記凹型
溝部にクラッド層の樹脂より高屈折率を有する非感光性
透明樹脂を充填してコア部分を形成する工程、前記クラ
ッド層及びコア部分上に、コア部分の樹脂より低屈折率
を有する樹脂からなるクラッド層を形成する工程を含ん
でなることを特徴とする埋め込み型プラスチック光導波
路の製造方法である。
ラスチック光導波路の製造方法を提供するものである。 １． 基板上に感光性透明樹脂からなるクラッド層を形
成する工程、前記クラッド層を光照射、現像することに
よりコア部分となる凹型溝部を形成する工程、前記凹型
溝部にクラッド層の樹脂より高屈折率を有する非感光性
透明樹脂を充填してコア部分を形成する工程、前記クラ
ッド層及びコア部分上に、コア部分の樹脂より低屈折率
を有する樹脂からなるクラッド層を形成する工程を含ん
でなることを特徴とする埋め込み型プラスチック光導波
路の製造方法である。
【０００７】２． 基板上に下部クラッド層を形成する
工程、前記下部クラッド層の上に感光性樹脂からなる側
部クラッド層を形成する工程、前記クラッド層を光照
射、現像することによりコア部分となる凹型溝部を形成
する工程、前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折
率を有する非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成
する工程、前記クラッド層及びコア部分上に、コア部分
の樹脂より低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層を
形成する工程を含んでなることを特徴とする埋め込み型
プラスチック光導波路の製造方法である。
工程、前記下部クラッド層の上に感光性樹脂からなる側
部クラッド層を形成する工程、前記クラッド層を光照
射、現像することによりコア部分となる凹型溝部を形成
する工程、前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折
率を有する非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成
する工程、前記クラッド層及びコア部分上に、コア部分
の樹脂より低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層を
形成する工程を含んでなることを特徴とする埋め込み型
プラスチック光導波路の製造方法である。
【０００８】３． 感光性透明樹脂が、一般式（１）で
表される構造を有する含フッ素ポリベンゾオキサゾール
前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサゾール樹
脂である、第１項又は第２項記載の埋め込み型プラスチ
ック光導波路の製造方法。
表される構造を有する含フッ素ポリベンゾオキサゾール
前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサゾール樹
脂である、第１項又は第２項記載の埋め込み型プラスチ
ック光導波路の製造方法。
【化７】 （式中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ及びＹ
は、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素を含
む。）
は、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素を含
む。）
【０００９】４． ポリベンゾオキサゾール前駆体が、
一般式（１）中のＸ及び／又はＹとして、一般式（２）
〜（４）で表される基の中から選ばれ２価の基を有する
ものである、第３項記載の埋め込み型プラスチック光導
波路の製造方法。
一般式（１）中のＸ及び／又はＹとして、一般式（２）
〜（４）で表される基の中から選ばれ２価の基を有する
ものである、第３項記載の埋め込み型プラスチック光導
波路の製造方法。
【化８】
【化９】
【化１０】 式（２）〜（４）中、式（２）〜（４）中、Ｒ1，Ｒ2，
Ｒ5〜Ｒ8，Ｒ11〜Ｒ16は、水素、フッ素またはフッ素を
有する１価の有機基であり、互いに同じであっても異な
っても良く、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18は、水
素、フッ素フッ素を有する１価の有機基又は水酸基であ
り、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚは、単結
合、−Ｏ−，−ＳＯ2−、−Ｓ−、−ＣＨ2−、−ＣＯ
−、Ｃ（ＣＨ 3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−又は式（５）、
式（６）で表される構造の２価の有機基を示し、前記２
価の有機基は、フッ素を含んでいても良い。また、式
（２）〜（４）中のＲ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18
は、式（１）中のアミド基とＲ基が、それぞれ芳香族基
の隣り合った炭素に結合しているものを表す。
Ｒ5〜Ｒ8，Ｒ11〜Ｒ16は、水素、フッ素またはフッ素を
有する１価の有機基であり、互いに同じであっても異な
っても良く、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18は、水
素、フッ素フッ素を有する１価の有機基又は水酸基であ
り、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚは、単結
合、−Ｏ−，−ＳＯ2−、−Ｓ−、−ＣＨ2−、−ＣＯ
−、Ｃ（ＣＨ 3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−又は式（５）、
式（６）で表される構造の２価の有機基を示し、前記２
価の有機基は、フッ素を含んでいても良い。また、式
（２）〜（４）中のＲ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18
は、式（１）中のアミド基とＲ基が、それぞれ芳香族基
の隣り合った炭素に結合しているものを表す。
【化１１】 式（５）中、Ｒ19，Ｒ20，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23及びＲ24は
フッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じであ
っても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、ｊは
０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものとす
る。
フッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じであ
っても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、ｊは
０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものとす
る。
【化１２】 式（６）中、Ｒ25，Ｒ26，Ｒ27，Ｒ28，Ｒ29，Ｒ30，Ｒ
31及びＲ32は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価
の有機基であり、互いに同じであっても異なっても良
い。
31及びＲ32は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価
の有機基であり、互いに同じであっても異なっても良
い。
【００１０】上記の方法において、コア部分を形成する
非感光性透明樹脂として、液状樹脂又はワニスを使用す
ることが好ましい。
非感光性透明樹脂として、液状樹脂又はワニスを使用す
ることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１、２は本発明による埋め込み
型プラスチック光導波路の実施形態を示す説明用断面図
である。
を参照して説明する。図１、２は本発明による埋め込み
型プラスチック光導波路の実施形態を示す説明用断面図
である。
【００１２】図１は、本発明の埋め込み型プラスチック
光導波路の第１例を示す断面図であり、基板ａ１上にク
ラッド層ｂ１が形成され、前記クラッド層ｂ１に形成し
た凹型溝中に形成されたコア部分ｃ１と、前記クラッド
層ｂ１及びコア部分ｃ１上に形成された上部クラッド層
ｄ１から構成される。
光導波路の第１例を示す断面図であり、基板ａ１上にク
ラッド層ｂ１が形成され、前記クラッド層ｂ１に形成し
た凹型溝中に形成されたコア部分ｃ１と、前記クラッド
層ｂ１及びコア部分ｃ１上に形成された上部クラッド層
ｄ１から構成される。
【００１３】図1に示す埋め込み型プラスチック光導波
路の製造方法として、図３を用いて説明する。
路の製造方法として、図３を用いて説明する。
【００１４】まず、基板ａ１上に感光性透明樹脂を塗布
しプリベークして、クラッド層ｂ１を形成する（図３
（１））。基板ａ１は、平坦な表面を有するものであれ
ば良く、特に制限されるものではないが、シリコン基
板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることがで
きる。クラッド層を塗布する方法としては、スピンコー
ト法、ディッピング法、スプレー法、アプリケーター
法、カーテンコート法等の方法が挙げられるが、特にス
ピンコート法が望ましい。
しプリベークして、クラッド層ｂ１を形成する（図３
（１））。基板ａ１は、平坦な表面を有するものであれ
ば良く、特に制限されるものではないが、シリコン基
板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることがで
きる。クラッド層を塗布する方法としては、スピンコー
ト法、ディッピング法、スプレー法、アプリケーター
法、カーテンコート法等の方法が挙げられるが、特にス
ピンコート法が望ましい。
【００１５】次いで、所望のパターンを光照射（図３
（２））した後、未露光部、もしくは露光部を現像し
て、凹型溝とし、コア部分ｃ１となる領域を形成する
（図３（３））。光導波路のパターン形状は、直線、曲
線、折れ曲がり、Ｓ字形、テーパ、分岐、交差、光方向
結合器、２モード導波路結合器等自由に設定できる。所
定のパターンを照射する手段としては、フォトマスクを
使用する方法に限られず、例えば、液晶表示装置と同様
の原理を利用することにより透過領域と不透過領域とよ
りなるマスク像を電気光学的に形成する手段を利用する
方法やレーザー光あるいはレンズ、ミラー等の集光性光
学系により得られる収束光を操作させながら照射する方
法を用いることもできる。現像は感光性樹脂により適宜
有機溶媒、あるいは水溶性アルカリ現像液によって処理
する。
（２））した後、未露光部、もしくは露光部を現像し
て、凹型溝とし、コア部分ｃ１となる領域を形成する
（図３（３））。光導波路のパターン形状は、直線、曲
線、折れ曲がり、Ｓ字形、テーパ、分岐、交差、光方向
結合器、２モード導波路結合器等自由に設定できる。所
定のパターンを照射する手段としては、フォトマスクを
使用する方法に限られず、例えば、液晶表示装置と同様
の原理を利用することにより透過領域と不透過領域とよ
りなるマスク像を電気光学的に形成する手段を利用する
方法やレーザー光あるいはレンズ、ミラー等の集光性光
学系により得られる収束光を操作させながら照射する方
法を用いることもできる。現像は感光性樹脂により適宜
有機溶媒、あるいは水溶性アルカリ現像液によって処理
する。
【００１６】次いで、コア部分ｃ１となる領域に前記ク
ラッド層ｂ１より高屈折率を有する透明樹脂を充填し、
乾燥もしくはプリベークすることでコア部分ｃ１を形成
する（図３（４））。コア部分ｃ１を形成する方法とし
ては、まず、溝の上部からコア部分ｃ１を形成する透明
樹脂を注型する方法、もしくは、クラッド層の形成と同
様にスピンコート法、ディッピング法、スプレー法、ア
プリケーター法、カーテンコート法等の方法が挙げられ
る。ここで、過剰量のコア部分用透明樹脂は取り除く。
その方法としては、ワイパー、ドクターブレード等を使
用する方法、側面から強力な圧空で吹き飛ばす方法、溝
部に充填させた後、乾燥、もしくはプリベークし、その
後研磨する方法、あるいは、ＲＩＥを用いることで余剰
な樹脂を取り除く等挙げられる。
ラッド層ｂ１より高屈折率を有する透明樹脂を充填し、
乾燥もしくはプリベークすることでコア部分ｃ１を形成
する（図３（４））。コア部分ｃ１を形成する方法とし
ては、まず、溝の上部からコア部分ｃ１を形成する透明
樹脂を注型する方法、もしくは、クラッド層の形成と同
様にスピンコート法、ディッピング法、スプレー法、ア
プリケーター法、カーテンコート法等の方法が挙げられ
る。ここで、過剰量のコア部分用透明樹脂は取り除く。
その方法としては、ワイパー、ドクターブレード等を使
用する方法、側面から強力な圧空で吹き飛ばす方法、溝
部に充填させた後、乾燥、もしくはプリベークし、その
後研磨する方法、あるいは、ＲＩＥを用いることで余剰
な樹脂を取り除く等挙げられる。
【００１７】その後、コア部分ｃ１よりも低屈折率を有
する透明樹脂でクラッド層ｂ１とコア部分ｃ１を被覆
し、上部クラッド層ｄ１を形成し、図１に示した埋め込
み型プラスチック光導波路を製造することができる。
する透明樹脂でクラッド層ｂ１とコア部分ｃ１を被覆
し、上部クラッド層ｄ１を形成し、図１に示した埋め込
み型プラスチック光導波路を製造することができる。
【００１８】図２は、本発明の埋め込み型プラスチック
光導波路の第２例を示す断面図であり、基板ａ２上に下
部クラッド層ｅ２が形成され、さらに前記下部クラッド
層ｅ２上に側部クラッド層ｂ２を形成し、前記側部クラ
ッド層ｂ２に形成した凹型溝部に形成されたコア部分ｃ
２と側部クラッド層ｂ２上に形成された上部クラッド層
ｄ２から構成される。
光導波路の第２例を示す断面図であり、基板ａ２上に下
部クラッド層ｅ２が形成され、さらに前記下部クラッド
層ｅ２上に側部クラッド層ｂ２を形成し、前記側部クラ
ッド層ｂ２に形成した凹型溝部に形成されたコア部分ｃ
２と側部クラッド層ｂ２上に形成された上部クラッド層
ｄ２から構成される。
【００１９】図２に示す埋め込み型プラスチック光導波
路の製造方法として、図４を用いて説明する。まず、基
板ａ２上に下部クラッド層ｅ２となる透明樹脂を塗布
し、乾燥、プリベーク、または、光硬化させて、下部ク
ラッド層ｅ２を形成する（図４（１））。基板ａ２の材
質、及び樹脂の塗布方法としては、第１の例と同様であ
る。
路の製造方法として、図４を用いて説明する。まず、基
板ａ２上に下部クラッド層ｅ２となる透明樹脂を塗布
し、乾燥、プリベーク、または、光硬化させて、下部ク
ラッド層ｅ２を形成する（図４（１））。基板ａ２の材
質、及び樹脂の塗布方法としては、第１の例と同様であ
る。
【００２０】さらに下部クラッド層ｅ２の上に感光性透
明樹脂を塗布して、側部クラッド層ｂ２を形成する。次
いで、側部クラッド層ｂ２に所望のパターンを光照射し
た（図４（３））後、未露光部、もしくは露光部を現像
して完全に除去し、凹型溝としコア部分ｃ２となる領域
を形成する。光導波路のパターン形状、所定のパターン
を照射する手段、及び現像方法については、第１の例と
同様である。
明樹脂を塗布して、側部クラッド層ｂ２を形成する。次
いで、側部クラッド層ｂ２に所望のパターンを光照射し
た（図４（３））後、未露光部、もしくは露光部を現像
して完全に除去し、凹型溝としコア部分ｃ２となる領域
を形成する。光導波路のパターン形状、所定のパターン
を照射する手段、及び現像方法については、第１の例と
同様である。
【００２１】次いで、コア部分ｃ２となる領域に下部ク
ラッド層ｅ２、側部クラッド層ｂ２より高屈折率を有す
る透明樹脂を充填することで、コア部分ｃ２を形成する
（図４（５））。コア部形成方法としては、第１の例と
同様である。
ラッド層ｅ２、側部クラッド層ｂ２より高屈折率を有す
る透明樹脂を充填することで、コア部分ｃ２を形成する
（図４（５））。コア部形成方法としては、第１の例と
同様である。
【００２２】その後、コア部分ｃ２よりも低屈折率を有
する透明樹脂で側部クラッド層ｂ２とコア部分ｃ２上
に、上部クラッド層ｄ２を形成し（図４（６））、図２
に示した埋め込み型プラスチック光導波路を製造する。
する透明樹脂で側部クラッド層ｂ２とコア部分ｃ２上
に、上部クラッド層ｄ２を形成し（図４（６））、図２
に示した埋め込み型プラスチック光導波路を製造する。
【００２３】以上のようにして作製される埋め込み型プ
ラスチック光導波路において、クラッド層ｂ１、下部ク
ラッド層ｅ２、側部クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ
１、ｄ２、及びコア部分ｃ１、ｃ２の厚み、比屈折率は
特に制限されるものではないが、シングルモード用光導
波路の場合は、コア部分の厚み、及び幅は数μｍ程度と
なり、コア層とそれぞれのクラッド層との比屈折率は
０.数％〜１．数％が好ましく、マルチモード用光導波
路の場合は、コア部分の厚み、及び幅は数μｍ〜数十μ
ｍの範囲となり、比屈折率も１％以上が好ましい。
ラスチック光導波路において、クラッド層ｂ１、下部ク
ラッド層ｅ２、側部クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ
１、ｄ２、及びコア部分ｃ１、ｃ２の厚み、比屈折率は
特に制限されるものではないが、シングルモード用光導
波路の場合は、コア部分の厚み、及び幅は数μｍ程度と
なり、コア層とそれぞれのクラッド層との比屈折率は
０.数％〜１．数％が好ましく、マルチモード用光導波
路の場合は、コア部分の厚み、及び幅は数μｍ〜数十μ
ｍの範囲となり、比屈折率も１％以上が好ましい。
【００２４】コア部分ｃ１、ｃ２を形成する非感光性透
明樹脂の屈折率は、クラッド層ｂ１、下部クラッド層ｅ
２、側部クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ１、ｄ２の
いずれの樹脂の屈折率よりも大きいことが必要である。
前記非感光性透明樹脂として、構造の制限はないが、具
体例として、ポリ−４−メチルペンテン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルアルコール、ジエチレングリ
コールビスアクリルカーボネートポリマー、ポリシクロ
ヘキシルメタクリレート、ポリエチレン、ポリアクリロ
ニトリル、ポリベンジルメタクリレート、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、ポリフェニルメタクリレー
ト、ポリジアリルフタレート、ポリスチレン、ポリビニ
ルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネ
ート、スチレン−無水マレイン共重合体、ポリテトラメ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹
脂、ポリイミド、シリコーン樹脂、ノルボルネン系樹
脂、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、エポキシ
シクロヘキシルメチルカルボキシレート樹脂、アリル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、アクリレート樹脂、ポリメタクリ
ル酸メチル、ベンゾシクロブテン硬化物、ポリベンゾオ
キサゾール樹脂、あるいはそれらの重水素化、フッ素化
したもの、あるいはそれらの共重合体などが挙げられる
が、光透過性の観点から重水素化、フッ素化したものが
特に好ましい。
明樹脂の屈折率は、クラッド層ｂ１、下部クラッド層ｅ
２、側部クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ１、ｄ２の
いずれの樹脂の屈折率よりも大きいことが必要である。
前記非感光性透明樹脂として、構造の制限はないが、具
体例として、ポリ−４−メチルペンテン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルアルコール、ジエチレングリ
コールビスアクリルカーボネートポリマー、ポリシクロ
ヘキシルメタクリレート、ポリエチレン、ポリアクリロ
ニトリル、ポリベンジルメタクリレート、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、ポリフェニルメタクリレー
ト、ポリジアリルフタレート、ポリスチレン、ポリビニ
ルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネ
ート、スチレン−無水マレイン共重合体、ポリテトラメ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹
脂、ポリイミド、シリコーン樹脂、ノルボルネン系樹
脂、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、エポキシ
シクロヘキシルメチルカルボキシレート樹脂、アリル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、アクリレート樹脂、ポリメタクリ
ル酸メチル、ベンゾシクロブテン硬化物、ポリベンゾオ
キサゾール樹脂、あるいはそれらの重水素化、フッ素化
したもの、あるいはそれらの共重合体などが挙げられる
が、光透過性の観点から重水素化、フッ素化したものが
特に好ましい。
【００２５】また、コア部分ｃ１、ｃ２を形成する非感
光性透明樹脂は、感光剤未充填であり、液状の重合体形
成物、もしくは、感光剤を含まない溶媒に溶かした透明
樹脂を使用し、熱処理して硬化させることが好ましい。
光性透明樹脂は、感光剤未充填であり、液状の重合体形
成物、もしくは、感光剤を含まない溶媒に溶かした透明
樹脂を使用し、熱処理して硬化させることが好ましい。
【００２６】コア部分ｃ１、ｃ２を直接パターニングす
ることなく、導波部分であるコア部分ｃ１、ｃ２を形成
できるので、紫外線などの放射線照射時の架橋反応架橋
反応に付随する樹脂の黄色化、エッジング時における樹
脂の膨潤等の影響による光伝搬損失量増大もない。ま
た、感光剤を含まないため、残存感光剤による光吸収損
失の増大もない。従って、使用する樹脂本来の透過性な
どの諸特性を殆ど損なうことなく導波部分を形成でき、
光伝搬損失量の少ない光導波路を作製できる。
ることなく、導波部分であるコア部分ｃ１、ｃ２を形成
できるので、紫外線などの放射線照射時の架橋反応架橋
反応に付随する樹脂の黄色化、エッジング時における樹
脂の膨潤等の影響による光伝搬損失量増大もない。ま
た、感光剤を含まないため、残存感光剤による光吸収損
失の増大もない。従って、使用する樹脂本来の透過性な
どの諸特性を殆ど損なうことなく導波部分を形成でき、
光伝搬損失量の少ない光導波路を作製できる。
【００２７】クラッド層ｂ１、側部クラッド層ｂ２を形
成する感光性透明樹脂としては、ポジ型、ネガ型を選択
でき、その感光性透明樹脂の性能の向上、機能化のため
に光重合開始剤、光増感剤、反応性希釈剤、重合禁止
剤、接着助剤、消泡剤、有機溶媒等を含有させることが
できる。また、前記感光性透明樹脂構造の制限はない
が、具体例として、コア部分と同様に、エポキシ樹脂、
アリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリアクリレート樹脂、
ポリメタクリレート樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート、シリコーン樹脂、ベンゾシクロブテン硬化物、ポ
リイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、あるいは
それらの重水素化、フッ素化したもの、あるいはそれら
の共重合体等、また、それらに光重合開始材、光増感剤
を添加したものが挙げられるが、光透過性の観点から重
水素化、フッ素化したものが好ましく、特に、一般式
（１）で表される構造を有する含フッ素ポリベンゾオキ
サゾール前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂が、好ましい。
成する感光性透明樹脂としては、ポジ型、ネガ型を選択
でき、その感光性透明樹脂の性能の向上、機能化のため
に光重合開始剤、光増感剤、反応性希釈剤、重合禁止
剤、接着助剤、消泡剤、有機溶媒等を含有させることが
できる。また、前記感光性透明樹脂構造の制限はない
が、具体例として、コア部分と同様に、エポキシ樹脂、
アリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリアクリレート樹脂、
ポリメタクリレート樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート、シリコーン樹脂、ベンゾシクロブテン硬化物、ポ
リイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、あるいは
それらの重水素化、フッ素化したもの、あるいはそれら
の共重合体等、また、それらに光重合開始材、光増感剤
を添加したものが挙げられるが、光透過性の観点から重
水素化、フッ素化したものが好ましく、特に、一般式
（１）で表される構造を有する含フッ素ポリベンゾオキ
サゾール前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂が、好ましい。
【００２８】本発明において、感光性透明樹脂に用いる
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、ビスアミノフェノー
ル化合物もしくはジアミノジヒドロキシベンゼン化合
物、またはそれらのエステル化物やエーテル化物などの
誘導体とジカルボン酸とから、酸クロリド法、活性化エ
ステル法またはポリリン酸もしくはジシクロヘキシルカ
ルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の
方法により得ることができる。
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、ビスアミノフェノー
ル化合物もしくはジアミノジヒドロキシベンゼン化合
物、またはそれらのエステル化物やエーテル化物などの
誘導体とジカルボン酸とから、酸クロリド法、活性化エ
ステル法またはポリリン酸もしくはジシクロヘキシルカ
ルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の
方法により得ることができる。
【００２９】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
前駆体に用いるジアミノジヒドロキシ化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（２）で表され
る基を構成するものとしては、１，３−ジアミノ−４，
６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４−ジアミ
ノ−３，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４
−ジアミノ−２，３−ジヒドロキシジフルオロベンゼ
ン、１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオ
ロベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミ
ノ−３，５−ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロ
メチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベン
ゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミノ−
３，５−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１−トリフル
オロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシ
フルオロベンゼン、１，４−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼ
ン、１−ペンタフルオロエチル−２，５−ジアミノ−
３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−パーフルオロシク
ロヘキシル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシ
ベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジエトキシジフ
ルオロベンゼン等を挙げることができ、またこれらのエ
ステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げるこ
とができるるが、これらに限定されるものではない。こ
れらのジアミノジヒドロキシ化合物は単独、または組み
合わせて使用することができる。
前駆体に用いるジアミノジヒドロキシ化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（２）で表され
る基を構成するものとしては、１，３−ジアミノ−４，
６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４−ジアミ
ノ−３，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４
−ジアミノ−２，３−ジヒドロキシジフルオロベンゼ
ン、１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオ
ロベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミ
ノ−３，５−ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロ
メチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベン
ゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミノ−
３，５−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１−トリフル
オロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシ
フルオロベンゼン、１，４−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼ
ン、１−ペンタフルオロエチル−２，５−ジアミノ−
３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−パーフルオロシク
ロヘキシル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシ
ベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジエトキシジフ
ルオロベンゼン等を挙げることができ、またこれらのエ
ステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げるこ
とができるるが、これらに限定されるものではない。こ
れらのジアミノジヒドロキシ化合物は単独、または組み
合わせて使用することができる。
【００３０】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
前駆体に用いるジアミノジヒドロキシ化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（３）で表され
る基を構成するものとしては、２，７−ジアミノ−３，
６−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、２，６−
ジアミノ−３，７−ジヒドロキシテトラフルオロナフタ
レン、１，６−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシテトラ
フルオロナフタレン、３，６−ジアミノ−２，５−ジヒ
ドロキシテトラフルオロナフタレン、２，７−ジアミノ
−１，８−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、１
−トリフルオロメチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジ
ヒドロキシナフタレン、１，５−ビス（トリフルオロメ
チル）−３，７−ジアミノ−２，６−ジヒドロキシナフ
タレン、１−トリフルオロメチル−３，６−ジアミノ−
２，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ペンタフルオロ
エチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフ
タレンン、１−パーフルオロシクロヘキシル−３，６−
ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，５−
ビス（トリフルオロメチル）−３，７−ジアミノ−２，
６−ジヒドロキシジフルオロナフタレン、２，６−ジア
ミノ−３，７−ジエトキシテトラフルオロナフタレン、
１，４，５，８−テトラ（トリフルオロメチル）−２，
７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシナフタレン等を挙
げることができ、またこれらのエステル化合物やエーテ
ル化合物などの誘導体を挙げることができるるが、これ
らに限定されるものではない。これらのジアミノジヒド
ロキシル化合物は単独、または組み合わせて使用するこ
とができる。
前駆体に用いるジアミノジヒドロキシ化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（３）で表され
る基を構成するものとしては、２，７−ジアミノ−３，
６−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、２，６−
ジアミノ−３，７−ジヒドロキシテトラフルオロナフタ
レン、１，６−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシテトラ
フルオロナフタレン、３，６−ジアミノ−２，５−ジヒ
ドロキシテトラフルオロナフタレン、２，７−ジアミノ
−１，８−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、１
−トリフルオロメチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジ
ヒドロキシナフタレン、１，５−ビス（トリフルオロメ
チル）−３，７−ジアミノ−２，６−ジヒドロキシナフ
タレン、１−トリフルオロメチル−３，６−ジアミノ−
２，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ペンタフルオロ
エチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフ
タレンン、１−パーフルオロシクロヘキシル−３，６−
ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，５−
ビス（トリフルオロメチル）−３，７−ジアミノ−２，
６−ジヒドロキシジフルオロナフタレン、２，６−ジア
ミノ−３，７−ジエトキシテトラフルオロナフタレン、
１，４，５，８−テトラ（トリフルオロメチル）−２，
７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシナフタレン等を挙
げることができ、またこれらのエステル化合物やエーテ
ル化合物などの誘導体を挙げることができるるが、これ
らに限定されるものではない。これらのジアミノジヒド
ロキシル化合物は単独、または組み合わせて使用するこ
とができる。
【００３１】本発明において、ポリベンゾキサゾール前
駆体に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（４）で表され
る基を構成するものとしては、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチ
ルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒド
ロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニル、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，
６’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−ジア
ミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタフル
オロエチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’
−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチルビフェ
ニル、３,３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−
５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニル、３，３’
−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−トリ
フルオロメチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタフルオロエチル
ビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロ
キシ−５，５’−トリフルオロメチルビフェニル、３，
４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−５，５’−
ペンタフルオロエチルビフェニル、３，４’−ジアミノ
−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメ
チルビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒ
ドロキシ−６，６’−ペンタフルオロエチルビフェニル
等を挙げることができ、またこれらのエステル化合物や
エーテル化合物などの誘導体を挙げることができるる。
駆体に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（４）で表され
る基を構成するものとしては、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチ
ルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒド
ロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニル、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，
６’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−ジア
ミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタフル
オロエチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’
−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチルビフェ
ニル、３,３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−
５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニル、３，３’
−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−トリ
フルオロメチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタフルオロエチル
ビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロ
キシ−５，５’−トリフルオロメチルビフェニル、３，
４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−５，５’−
ペンタフルオロエチルビフェニル、３，４’−ジアミノ
−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメ
チルビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒ
ドロキシ−６，６’−ペンタフルオロエチルビフェニル
等を挙げることができ、またこれらのエステル化合物や
エーテル化合物などの誘導体を挙げることができるる。
【００３２】また、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５
−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメ
チルフェニル）プロパン、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プ
ロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−
６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロ
メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、４，４’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェノキシ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフ
ルオロビフェニル、２，２−ビス（３-アミノ-４-ヒド
ロキシ−５−ペンタフルオロフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。これらのビスアミノフェノール化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
ドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５
−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメ
チルフェニル）プロパン、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プ
ロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−
６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロ
メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、４，４’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェノキシ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフ
ルオロビフェニル、２，２−ビス（３-アミノ-４-ヒド
ロキシ−５−ペンタフルオロフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。これらのビスアミノフェノール化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
【００３３】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特に、一
般式（１）におけるＸとして、式（５）で表される基を
構成するものとしては、１，２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシフェノキシ）テトラフルオロシクロプロパ
ン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノ
キシ）テトラフルオロシクロプロパン、１，２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフル
オロシクロブタン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、
１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，３−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフルオロシ
クロブタン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２
−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）オク
タフルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（４−アミノ
−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロシクロヘ
キサン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）デカフル
オロシクロヘキサン、１，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、
１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）デカフルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシク
ロヘキサン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、１，４−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）デカフ
ルオロシクロヘキサン等が挙げられるが、これらに限定
されるものではない。これらのビスアミノフェノール化
合物は単独、または組み合わせて使用することができ
る。
に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特に、一
般式（１）におけるＸとして、式（５）で表される基を
構成するものとしては、１，２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシフェノキシ）テトラフルオロシクロプロパ
ン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノ
キシ）テトラフルオロシクロプロパン、１，２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフル
オロシクロブタン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、
１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，３−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフルオロシ
クロブタン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２
−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）オク
タフルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（４−アミノ
−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロシクロヘ
キサン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）デカフル
オロシクロヘキサン、１，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、
１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）デカフルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシク
ロヘキサン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、１，４−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）デカフ
ルオロシクロヘキサン等が挙げられるが、これらに限定
されるものではない。これらのビスアミノフェノール化
合物は単独、または組み合わせて使用することができ
る。
【００３４】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
前駆体に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（６）で表され
る基を構成するものとしては、２，６−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフル
オレン、２，６−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−
フェノキシ）オクタフルオロフルオレン、２，７−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフ
ルオロフルオレン、２，７−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフルオレン、
３，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェノキ
シ）オクタフルオロフルオレン、３，６−ビス（３−ア
ミノ−４−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフ
ルオレン、４，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
−フェノキシ）オクタフルオロフルオレン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらのビス
アミノフェノール化合物は単独、または組み合わせて使
用することができる。
前駆体に用いるビスアミノフェノール化合物の例で、特
に、一般式（１）におけるＸとして、式（６）で表され
る基を構成するものとしては、２，６−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフル
オレン、２，６−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−
フェノキシ）オクタフルオロフルオレン、２，７−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフ
ルオロフルオレン、２，７−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフルオレン、
３，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェノキ
シ）オクタフルオロフルオレン、３，６−ビス（３−ア
ミノ−４−ヒドロキシ−フェノキシ）オクタフルオロフ
ルオレン、４，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
−フェノキシ）オクタフルオロフルオレン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらのビス
アミノフェノール化合物は単独、または組み合わせて使
用することができる。
【００３５】また、本発明に用いるポリベンゾオキサゾ
ール前駆体において、式（２）及び式（３）で表される
基を有するジアミノジヒドロキシ化合物や式（４）〜
（６）で表される基を有するビスアミノフェノール化合
物から１種、または２種、あるいは、それぞれ１種以上
混合して用いることが出来る。
ール前駆体において、式（２）及び式（３）で表される
基を有するジアミノジヒドロキシ化合物や式（４）〜
（６）で表される基を有するビスアミノフェノール化合
物から１種、または２種、あるいは、それぞれ１種以上
混合して用いることが出来る。
【００３６】前記ジアミノジヒドロキシ化合物以外に
も、芳香族ジアミノジヒドロキ化合物の例を挙げると
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフ
ェニル、３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフ
ェニル、４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフ
ェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（３−アミノー４ーヒドロキシフ
ェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、等であり、またこれらの
エステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げる
ことができるがるが、これらに限られるものではない。
も、芳香族ジアミノジヒドロキ化合物の例を挙げると
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフ
ェニル、３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフ
ェニル、４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフ
ェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（３−アミノー４ーヒドロキシフ
ェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、等であり、またこれらの
エステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げる
ことができるがるが、これらに限られるものではない。
【００３７】本発明におけるポリベンゾオキサゾール前
駆体では、フッ素を含まない前記化合物は、フッ素を含
む前記化合物と併用するか、フッ素含有ジカルボン酸と
組み合わせて用いられる。また２種類以上の芳香族ジア
ミノジヒドロキ化合物を組み合わせて使用することも可
能である。また、これらは、一般式（１）におけるＸと
して、式（２）〜（５）で表される基を構成する前記ビ
スアミノフェノール化合物やジアミノジヒドロキシ化合
物と、得られる樹脂の性能を損なわない範囲で併用する
ことも可能である。
駆体では、フッ素を含まない前記化合物は、フッ素を含
む前記化合物と併用するか、フッ素含有ジカルボン酸と
組み合わせて用いられる。また２種類以上の芳香族ジア
ミノジヒドロキ化合物を組み合わせて使用することも可
能である。また、これらは、一般式（１）におけるＸと
して、式（２）〜（５）で表される基を構成する前記ビ
スアミノフェノール化合物やジアミノジヒドロキシ化合
物と、得られる樹脂の性能を損なわない範囲で併用する
ことも可能である。
【００３８】（ここでも一般式で表すならば） 本発明
において、ポリベンゾオキサゾール前駆体に用いるジカ
ルボン酸として、代表的には、一般式（１）におけるＹ
として、式（２）〜（４）で表される基を構成するもの
として、それらの例を挙げるとイソフタル酸、テレフタ
ル酸、２−フルオロイソフタル酸、３−フルオロフタル
酸、２−フルオロテレフタル酸、２，４，５，６−テト
ラフルオロイソフタル酸、３，４，５，６−テトラフル
オロフタル酸、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリ
デンジフェニル−１，１’ジカルボン酸、パーフルオロ
スベリン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸、４，４’−オキ
シビス安息香酸、２，３，４，６，７，８−ヘキサフル
オロナフタレン−１，５−ジカルボン酸、２，３，４，
５，７，８−ヘキサフルオロナフタレン−１，６−ジカ
ルボン酸、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロナ
フタレン−２，６−ジカルボン酸、１−トリフルオロメ
チルナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，５−ビス
（トリフルオロメチル）ナフタレン−２，６−ジカルボ
ン酸、１−ペンタフルオロエチルナフタレン−２，６−
ジカルボン酸、１−トリフルオロメチルナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−ペンタ
フルオロエチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１
−ウンデカフルオロシクロヘキシルナフタレン−３，７
−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチル−２，４，
５，６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，７−ジカ
ルボン酸、１−ビス（トリフルオロメチル）メトキシ−
２，４，５，６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，
７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２，４，６，８−テトラフルオロナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス［ビス（トリフル
オロメチル）メトキシ］−２，４，６，８−テトラフル
オロナフタレン−３，７−ジカルボン酸、テトラフルオ
ロプロピレン−１，２−ジカルボン酸、ヘキサフルオロ
シクロブチレン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロ
シクロヘキシレン−１，２−ジカルボン酸、デカフルオ
ロシクロヘキシレン−１，３−ジカルボン酸、デカフル
オロシクロヘキシレン−１，４−ジカルボン酸、オクタ
シクロペンチレン−１，３−ジカルボン酸、オクタシク
ロペンチレン−１，２−ジカルボン酸、オクタフルオロ
フルオレニレン−３，６−ジカルボン酸、オクタフルオ
ロフルオレニレン−３，５−ジカルボン酸、オクタフル
オロフルオレニレン−４，５−ジカルボン酸、、オクタ
フルオロフルオレニレン−４，６−ジカルボン酸、オク
タフルオロフルオレニレン−２，６−ジカルボン酸、オ
クタフルオロフルオレニレン−２，７−ジカルボン酸等
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらのジカルボン酸は単独、または組み合わせ
て使用することができる。本発明では、フッ素を含まな
いジカルボン酸は、少なくとも１種のフッ素含有ビスア
ミノフェノール化合物やフッ素含有ジアミノジヒドロキ
シ化合物と併用しなければならない。
において、ポリベンゾオキサゾール前駆体に用いるジカ
ルボン酸として、代表的には、一般式（１）におけるＹ
として、式（２）〜（４）で表される基を構成するもの
として、それらの例を挙げるとイソフタル酸、テレフタ
ル酸、２−フルオロイソフタル酸、３−フルオロフタル
酸、２−フルオロテレフタル酸、２，４，５，６−テト
ラフルオロイソフタル酸、３，４，５，６−テトラフル
オロフタル酸、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリ
デンジフェニル−１，１’ジカルボン酸、パーフルオロ
スベリン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸、４，４’−オキ
シビス安息香酸、２，３，４，６，７，８−ヘキサフル
オロナフタレン−１，５−ジカルボン酸、２，３，４，
５，７，８−ヘキサフルオロナフタレン−１，６−ジカ
ルボン酸、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロナ
フタレン−２，６−ジカルボン酸、１−トリフルオロメ
チルナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，５−ビス
（トリフルオロメチル）ナフタレン−２，６−ジカルボ
ン酸、１−ペンタフルオロエチルナフタレン−２，６−
ジカルボン酸、１−トリフルオロメチルナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−ペンタ
フルオロエチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１
−ウンデカフルオロシクロヘキシルナフタレン−３，７
−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチル−２，４，
５，６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，７−ジカ
ルボン酸、１−ビス（トリフルオロメチル）メトキシ−
２，４，５，６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，
７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２，４，６，８−テトラフルオロナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス［ビス（トリフル
オロメチル）メトキシ］−２，４，６，８−テトラフル
オロナフタレン−３，７−ジカルボン酸、テトラフルオ
ロプロピレン−１，２−ジカルボン酸、ヘキサフルオロ
シクロブチレン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロ
シクロヘキシレン−１，２−ジカルボン酸、デカフルオ
ロシクロヘキシレン−１，３−ジカルボン酸、デカフル
オロシクロヘキシレン−１，４−ジカルボン酸、オクタ
シクロペンチレン−１，３−ジカルボン酸、オクタシク
ロペンチレン−１，２−ジカルボン酸、オクタフルオロ
フルオレニレン−３，６−ジカルボン酸、オクタフルオ
ロフルオレニレン−３，５−ジカルボン酸、オクタフル
オロフルオレニレン−４，５−ジカルボン酸、、オクタ
フルオロフルオレニレン−４，６−ジカルボン酸、オク
タフルオロフルオレニレン−２，６−ジカルボン酸、オ
クタフルオロフルオレニレン−２，７−ジカルボン酸等
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらのジカルボン酸は単独、または組み合わせ
て使用することができる。本発明では、フッ素を含まな
いジカルボン酸は、少なくとも１種のフッ素含有ビスア
ミノフェノール化合物やフッ素含有ジアミノジヒドロキ
シ化合物と併用しなければならない。
【００３９】本発明において、感光性透明樹脂に用いる
ポリベンゾオキサゾール前駆体製造方法の中で、酸クロ
リド法による合成の例を挙げると、まず前記ジカルボン
酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、
過剰量の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、
過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去する。そ
の後残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより、
酸クロリドであるジカルボン酸クロリドを得ることがで
きる。次いで前記ビスアミノフェノール化合物及び／ま
たはジアミノジヒドロキシ化合物を、通常Ｎ−メチル−
２−ピロリドン等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸
受容剤存在下で、ジカルボン酸クロリドと、−３０℃か
ら室温で反応することによりポリベンゾオキサゾール前
駆体を得ることができる。
ポリベンゾオキサゾール前駆体製造方法の中で、酸クロ
リド法による合成の例を挙げると、まず前記ジカルボン
酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、
過剰量の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、
過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去する。そ
の後残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより、
酸クロリドであるジカルボン酸クロリドを得ることがで
きる。次いで前記ビスアミノフェノール化合物及び／ま
たはジアミノジヒドロキシ化合物を、通常Ｎ−メチル−
２−ピロリドン等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸
受容剤存在下で、ジカルボン酸クロリドと、−３０℃か
ら室温で反応することによりポリベンゾオキサゾール前
駆体を得ることができる。
【００４０】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
樹脂は、このようにして得られたポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を、従来法の通り、加熱または脱水剤で処理す
るにより、閉環反応して得ることができる。このポリベ
ンゾオキサゾール前駆体又は樹脂に、必要により、各種
添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加し
て用いることができる。
樹脂は、このようにして得られたポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を、従来法の通り、加熱または脱水剤で処理す
るにより、閉環反応して得ることができる。このポリベ
ンゾオキサゾール前駆体又は樹脂に、必要により、各種
添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加し
て用いることができる。
【００４１】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂の前駆体は、一般式（１）のＸの構造を表す一
般式（２）〜（４）において、Ｒ3もしくはＲ4の少なく
とも一方、Ｒ9もしくはＲ10の少なくとも一方、Ｒ17も
しくはＲ18の少なくとも一方が、Ｈである場合は、感光
剤としてのナフトキノンジアジド化合物と一緒に用いる
ことで、ポジ型の感光性樹脂組成物として、一般式
（１）のＸの構造を表す一般式（２）〜（４）におい
て、Ｒ3もしくはＲ4の少なくとも一方、Ｒ9もしくはＲ
10の少なくとも一方、Ｒ17もしくはＲ18の少なくとも一
方が、メタクリロイル基のような光架橋性基を有する基
である場合は、光開始剤を用いることでネガ型感光性樹
脂組成物として用いることが可能である。
ール樹脂の前駆体は、一般式（１）のＸの構造を表す一
般式（２）〜（４）において、Ｒ3もしくはＲ4の少なく
とも一方、Ｒ9もしくはＲ10の少なくとも一方、Ｒ17も
しくはＲ18の少なくとも一方が、Ｈである場合は、感光
剤としてのナフトキノンジアジド化合物と一緒に用いる
ことで、ポジ型の感光性樹脂組成物として、一般式
（１）のＸの構造を表す一般式（２）〜（４）におい
て、Ｒ3もしくはＲ4の少なくとも一方、Ｒ9もしくはＲ
10の少なくとも一方、Ｒ17もしくはＲ18の少なくとも一
方が、メタクリロイル基のような光架橋性基を有する基
である場合は、光開始剤を用いることでネガ型感光性樹
脂組成物として用いることが可能である。
【００４２】下部クラッド層ｅ２、上部クラッド層ｄ
１、ｄ２を形成する透明樹脂は、コア部分ｃ１、ｃ２の
非感光性透明樹脂の屈折率よりも小さいことが必要であ
り、樹脂構造としての制限はなく、感光性の有無の制限
もなく、その透明樹脂の性能の向上、機能化のために光
重合開始剤、光増感剤、反応性希釈剤、重合禁止剤、接
着助剤、消泡剤、有機溶媒等を含有させることができ
る。また、前記透明樹脂の具体例として、コア部分と同
様に、エポキシ樹脂、アリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ア
クリレート樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、ベンゾシクロ
ブテン硬化物、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾー
ル樹脂、あるいはそれらの重水素化、フッ素化したも
の、あるいはそれらの共重合体などが挙げられるが、光
透過性の観点から重水素化、フッ素化したものが特に好
ましい。
１、ｄ２を形成する透明樹脂は、コア部分ｃ１、ｃ２の
非感光性透明樹脂の屈折率よりも小さいことが必要であ
り、樹脂構造としての制限はなく、感光性の有無の制限
もなく、その透明樹脂の性能の向上、機能化のために光
重合開始剤、光増感剤、反応性希釈剤、重合禁止剤、接
着助剤、消泡剤、有機溶媒等を含有させることができ
る。また、前記透明樹脂の具体例として、コア部分と同
様に、エポキシ樹脂、アリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ア
クリレート樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、ベンゾシクロ
ブテン硬化物、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾー
ル樹脂、あるいはそれらの重水素化、フッ素化したも
の、あるいはそれらの共重合体などが挙げられるが、光
透過性の観点から重水素化、フッ素化したものが特に好
ましい。
【００４３】本発明の埋め込み型プラスチック光導波路
を構成するクラッド層ｂ１、下部クラッド層ｅ２、側部
クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ１、ｄ２は同一樹脂
を用いることができるが、異なる透明樹脂であってもよ
く、その場合は、密着性向上のため密着助剤を添加した
り、境界部に密着助剤をコートするなどの対処を施して
も良い。また、コア層ｃ１、ｃ２においても、屈折率を
選択することにより、クラッド層に用いた樹脂と同じも
のを選択できる。通常は同一樹脂であることが種々の点
から好ましい。
を構成するクラッド層ｂ１、下部クラッド層ｅ２、側部
クラッド層ｂ２、上部クラッド層ｄ１、ｄ２は同一樹脂
を用いることができるが、異なる透明樹脂であってもよ
く、その場合は、密着性向上のため密着助剤を添加した
り、境界部に密着助剤をコートするなどの対処を施して
も良い。また、コア層ｃ１、ｃ２においても、屈折率を
選択することにより、クラッド層に用いた樹脂と同じも
のを選択できる。通常は同一樹脂であることが種々の点
から好ましい。
【００４４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されない。
するが、本発明はこれらに限定されない。
【００４５】実施例１ Ｓｉ基板上にクラッド剤として使用するフッ素化ビスフ
ェノールＡエポキシ樹脂を２,２’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとエピクロロヒ
ドリンからアルカリ存在下で合成した。前記フッ素化ビ
スフェノールＡエポキシ樹脂に光開始剤としてスルホニ
ウム塩を添加したものをスピンコート法により塗布し、
この上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフ
ォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用し、６０
０ｍＪ／ｃｍ2で照射した。その後、有機溶剤現像液
で、３０秒現像し、コア部分となる領域を得た。そこに
２,２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパンとビスフェノールＡとエピクロロヒドリン
からアルカリ存在下で合成した、クラッド層より屈折率
の高いフッ素化ビスフェノールＡエポキシ樹脂溶液をス
ピナを用いて塗布し、過剰量の樹脂を除去し、乾燥機で
１５０℃・１時間熱処理しコア部分を形成した。さらに
その上に、クラッド層と同じものを用いてスピンコート
法で塗布し、露光、熱処理し、上部クラッド層を形成し
て、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
ェノールＡエポキシ樹脂を２,２’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとエピクロロヒ
ドリンからアルカリ存在下で合成した。前記フッ素化ビ
スフェノールＡエポキシ樹脂に光開始剤としてスルホニ
ウム塩を添加したものをスピンコート法により塗布し、
この上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフ
ォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用し、６０
０ｍＪ／ｃｍ2で照射した。その後、有機溶剤現像液
で、３０秒現像し、コア部分となる領域を得た。そこに
２,２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパンとビスフェノールＡとエピクロロヒドリン
からアルカリ存在下で合成した、クラッド層より屈折率
の高いフッ素化ビスフェノールＡエポキシ樹脂溶液をス
ピナを用いて塗布し、過剰量の樹脂を除去し、乾燥機で
１５０℃・１時間熱処理しコア部分を形成した。さらに
その上に、クラッド層と同じものを用いてスピンコート
法で塗布し、露光、熱処理し、上部クラッド層を形成し
て、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００４６】実施例２ Ｓｉ基板上にクラッド層として、２,２’−ビス（トリ
フルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルと
２,２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘ
キサフルオロプロパン二無水物から合成した光導波路用
材料のフッ素化ポリイミドの前駆体溶液にジアゾナフト
キノンを添加したものを、スピンコート法により塗布
し、これをホットプレートの上で７０℃・４分間プリベ
ークし薄膜を得た。この上に幅５、１０μｍの直線型光
導波路パターンのフォトマスクを用いて、超高圧水銀ラ
ンプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射した。その
後、アルカリ現像液で、３０秒現像し、コア部分となる
領域を得た。そこに２,２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジオ
キシジアニリンと２,２’−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）−ヘキサフルオロプロパン二無水物とから
合成したクラッド層より屈折率の高い光導波路用材料の
フッ素化ポリイミドの前駆体溶液をスピナを用いて塗布
し、過剰量の樹脂を除去し、再びプリベークを行い、コ
ア部分を形成した。さらにその上に、クラッド層と同じ
樹脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布し
た。これを７０℃・２時間＋１５０℃・０.５時間＋３
５０℃・１時間で熱硬化して埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
フルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルと
２,２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘ
キサフルオロプロパン二無水物から合成した光導波路用
材料のフッ素化ポリイミドの前駆体溶液にジアゾナフト
キノンを添加したものを、スピンコート法により塗布
し、これをホットプレートの上で７０℃・４分間プリベ
ークし薄膜を得た。この上に幅５、１０μｍの直線型光
導波路パターンのフォトマスクを用いて、超高圧水銀ラ
ンプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射した。その
後、アルカリ現像液で、３０秒現像し、コア部分となる
領域を得た。そこに２,２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジオ
キシジアニリンと２,２’−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）−ヘキサフルオロプロパン二無水物とから
合成したクラッド層より屈折率の高い光導波路用材料の
フッ素化ポリイミドの前駆体溶液をスピナを用いて塗布
し、過剰量の樹脂を除去し、再びプリベークを行い、コ
ア部分を形成した。さらにその上に、クラッド層と同じ
樹脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布し
た。これを７０℃・２時間＋１５０℃・０.５時間＋３
５０℃・１時間で熱硬化して埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
【００４７】実施例３ Ｓｉ基板上にクラッド層として、２,２’−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフ
ェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリドから合成した
光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前
駆体溶液にベンゾナフトキノンを添加したものを、スピ
ンコート法により塗布し、これをホットプレートの上で
１２０℃・４分間プリベークし薄膜を得た。この上に幅
５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフォトマスク
を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃ
ｍ 2で照射した。その後、アルカリ現像液で、４０秒現
像し、コア部分となる領域を得た。そこに２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド、４,
４'−オキシビス安息香酸クロリドから合成したフッ素
化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液でクラッド層よ
り屈折率の高い樹脂溶液をスピナを用いて塗布し、過剰
量の樹脂を除去し、再びプリベークを行いコア部分を形
成した。さらにその上に、クラッド層と同じ樹脂を用い
てスピンコート法で上部クラッド層を塗布した。これを
１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で熱硬化して
埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフ
ェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリドから合成した
光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前
駆体溶液にベンゾナフトキノンを添加したものを、スピ
ンコート法により塗布し、これをホットプレートの上で
１２０℃・４分間プリベークし薄膜を得た。この上に幅
５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフォトマスク
を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃ
ｍ 2で照射した。その後、アルカリ現像液で、４０秒現
像し、コア部分となる領域を得た。そこに２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド、４,
４'−オキシビス安息香酸クロリドから合成したフッ素
化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液でクラッド層よ
り屈折率の高い樹脂溶液をスピナを用いて塗布し、過剰
量の樹脂を除去し、再びプリベークを行いコア部分を形
成した。さらにその上に、クラッド層と同じ樹脂を用い
てスピンコート法で上部クラッド層を塗布した。これを
１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で熱硬化して
埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００４８】比較例１ Ｓｉ基板上に下部クラッド層として、実施例１でクラッ
ド層として用いたフッ素化ビスフェノールＡエポキシ樹
脂をスピンコート法により塗布し、８０℃・５分プリベ
ークし薄膜を得た。その上に下部クラッド層より屈折率
の高い実施例１でコア部分として用いたフッ素化ビスフ
ェノールＡエポキシ樹脂に光開始剤としてスルホニウム
塩を添加したものをスピンコート法により塗布し、この
上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフォト
マスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用し、６００ｍ
Ｊ／ｃｍ2で照射した。その後、有機溶剤現像液で、３
０秒現像し、コア部分を得た。さらにその上に、下部ク
ラッド層と同じモノマーを用いてスピンコート法で塗布
し、乾燥機で１５０℃・１時間熱処理し、上部クラッド
層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造
した。
ド層として用いたフッ素化ビスフェノールＡエポキシ樹
脂をスピンコート法により塗布し、８０℃・５分プリベ
ークし薄膜を得た。その上に下部クラッド層より屈折率
の高い実施例１でコア部分として用いたフッ素化ビスフ
ェノールＡエポキシ樹脂に光開始剤としてスルホニウム
塩を添加したものをスピンコート法により塗布し、この
上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パターンのフォト
マスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用し、６００ｍ
Ｊ／ｃｍ2で照射した。その後、有機溶剤現像液で、３
０秒現像し、コア部分を得た。さらにその上に、下部ク
ラッド層と同じモノマーを用いてスピンコート法で塗布
し、乾燥機で１５０℃・１時間熱処理し、上部クラッド
層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造
した。
【００４９】比較例２ Ｓｉ基板上に下部クラッド層として、実施例２でクラッ
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリイミド
の前駆体溶液にジアゾナフトキノンを添加したものを、
スピンコート法により塗布し、これをホットプレートの
上で７０℃・４分間プリベークし薄膜を得た。超高圧水
銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射した。そ
こにクラッド層より屈折率の高い実施例２でコア部分と
して用いた光導波路用材料のフッ素化ポリイミドの前駆
体溶液にベンゾナフトキノンを添加したものをスピナを
用いて塗布し、プリベークを行い、この上に幅５、１０
μｍの直線型光導波路パターンのフォトマスクを用い
て、超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で
照射した。その後、アルカリ現像液で、３０秒現像し、
コア部分を得た。さらにその上に、下部クラッド層と同
じ樹脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布
した。これを７０℃・２時間＋１５０℃・０.５時間＋
３５０℃・１時間で熱硬化して埋め込み型プラスチック
光導波路を製造した。
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリイミド
の前駆体溶液にジアゾナフトキノンを添加したものを、
スピンコート法により塗布し、これをホットプレートの
上で７０℃・４分間プリベークし薄膜を得た。超高圧水
銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射した。そ
こにクラッド層より屈折率の高い実施例２でコア部分と
して用いた光導波路用材料のフッ素化ポリイミドの前駆
体溶液にベンゾナフトキノンを添加したものをスピナを
用いて塗布し、プリベークを行い、この上に幅５、１０
μｍの直線型光導波路パターンのフォトマスクを用い
て、超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で
照射した。その後、アルカリ現像液で、３０秒現像し、
コア部分を得た。さらにその上に、下部クラッド層と同
じ樹脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布
した。これを７０℃・２時間＋１５０℃・０.５時間＋
３５０℃・１時間で熱硬化して埋め込み型プラスチック
光導波路を製造した。
【００５０】比較例３ Ｓｉ基板上に下部クラッド層として、実施例３でクラッ
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾ
オキサゾールの前駆体溶液にジアゾナフトキノンを添加
したものを、スピンコート法により塗布し、これをホッ
トプレートの上で１２０℃・４分間プリベークし薄膜を
得た。超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2
で照射した。そこにクラッド層より屈折率の高い実施例
３でコア部分として用いた光導波路用材料のフッ素化ポ
リベンゾオキサゾールの前駆体溶液にベンゾナフトキノ
ンを添加したものをスピナを用いて塗布し、プリベーク
を行い、この上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パタ
ーンのフォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用
し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射し硬化させた。その後、
アルカリ現像液で、４０秒現像し、コア部分を得た。さ
らにその上に、下部クラッド層と同じ樹脂を用いてスピ
ンコート法で上部クラッド層を塗布した。これを１５０
℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で熱硬化して埋め込
み型プラスチック光導波路を製造した。
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾ
オキサゾールの前駆体溶液にジアゾナフトキノンを添加
したものを、スピンコート法により塗布し、これをホッ
トプレートの上で１２０℃・４分間プリベークし薄膜を
得た。超高圧水銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2
で照射した。そこにクラッド層より屈折率の高い実施例
３でコア部分として用いた光導波路用材料のフッ素化ポ
リベンゾオキサゾールの前駆体溶液にベンゾナフトキノ
ンを添加したものをスピナを用いて塗布し、プリベーク
を行い、この上に幅５、１０μｍの直線型光導波路パタ
ーンのフォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプを使用
し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射し硬化させた。その後、
アルカリ現像液で、４０秒現像し、コア部分を得た。さ
らにその上に、下部クラッド層と同じ樹脂を用いてスピ
ンコート法で上部クラッド層を塗布した。これを１５０
℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で熱硬化して埋め込
み型プラスチック光導波路を製造した。
【００５１】比較例４ Ｓｉ基板上に下部クラッド層として、実施例３でクラッ
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾ
オキサゾールの前駆体溶液を、スピンコート法により塗
布し、これをホットプレートの上で１２０℃・４分間プ
リベークした後、１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１
時間で熱硬化し薄膜を得た。そこにクラッド層より屈折
率の高い実施例３でコア部分として用いた光導波路用材
料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液にベ
ンゾナフトキノンを添加したものをスピナを用いて塗布
し、プリベークを行い、この上に幅５、１０μｍの直線
型光導波路パターンのフォトマスクを用いて、超高圧水
銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射し硬化さ
せた。その後、アルカリ現像液で、４０秒現像し、コア
部分を得た。さらにその上に、下部クラッド層と同じ樹
脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布し
た。これを１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で
熱硬化して埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
ド層として用いた光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾ
オキサゾールの前駆体溶液を、スピンコート法により塗
布し、これをホットプレートの上で１２０℃・４分間プ
リベークした後、１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１
時間で熱硬化し薄膜を得た。そこにクラッド層より屈折
率の高い実施例３でコア部分として用いた光導波路用材
料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液にベ
ンゾナフトキノンを添加したものをスピナを用いて塗布
し、プリベークを行い、この上に幅５、１０μｍの直線
型光導波路パターンのフォトマスクを用いて、超高圧水
銀ランプを使用し、４００ｍＪ／ｃｍ2で照射し硬化さ
せた。その後、アルカリ現像液で、４０秒現像し、コア
部分を得た。さらにその上に、下部クラッド層と同じ樹
脂を用いてスピンコート法で上部クラッド層を塗布し
た。これを１５０℃・０.５時間＋３２０℃・１時間で
熱硬化して埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
【００５２】上記で得られた光導波路の波長１．３μm
と１．５５μmにおける光伝搬損失値を、導波路を切断
することにより長さを変えて、それぞれの長さにおける
伝達光量を測定し、その伝達光量と長さの関係から光伝
搬損失値を算出する方法、つまり、カットバック法を用
いて算出した。その結果と、波長１．３μmで測定した
クラッド層とコア部分の屈折率とクラッド層とコア部分
の比屈折率を表−１に示す。
と１．５５μmにおける光伝搬損失値を、導波路を切断
することにより長さを変えて、それぞれの長さにおける
伝達光量を測定し、その伝達光量と長さの関係から光伝
搬損失値を算出する方法、つまり、カットバック法を用
いて算出した。その結果と、波長１．３μmで測定した
クラッド層とコア部分の屈折率とクラッド層とコア部分
の比屈折率を表−１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】実施例４ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、１，３−ジアミノ−４，６−
ジヒドロキシジフルオロベンゼンと２，２’−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボ
ン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体（Ａ）（分子量１２,０００）を用いた以外は、実
施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光導波路
を製造した。
サゾール前駆体に代えて、１，３−ジアミノ−４，６−
ジヒドロキシジフルオロベンゼンと２，２’−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボ
ン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体（Ａ）（分子量１２,０００）を用いた以外は、実
施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光導波路
を製造した。
【００５５】実施例５ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、１−トリフルオロメチル−
２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロベン
ゼンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｂ）（分子量１３，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、１−トリフルオロメチル−
２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロベン
ゼンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｂ）（分子量１３，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００５６】実施例６ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、１，３−ジアミノ−４，６−
ジエトキシジフルオロベンゼン４６．４部（０．２ｍｏ
ｌ）と１−トリフルオロメチルナフタレン−２，６−ジ
カルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｃ）（分子量１４，０００）を用いた以外
は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、１，３−ジアミノ−４，６−
ジエトキシジフルオロベンゼン４６．４部（０．２ｍｏ
ｌ）と１−トリフルオロメチルナフタレン−２，６−ジ
カルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｃ）（分子量１４，０００）を用いた以外
は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
【００５７】実施例７ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、２，７−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシテトラフルオロナフタレンと２，２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェニレンジ
カルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｄ）（分子量１３，０００）を用いた以外
は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、２，７−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシテトラフルオロナフタレンと２，２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェニレンジ
カルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｄ）（分子量１３，０００）を用いた以外
は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチック光
導波路を製造した。
【００５８】実施例８ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、１−トリフルオロメチル−
３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレンと
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビ
フェニレンジカルボン酸クロリドとから合成したポリベ
ンゾオキサゾール前駆体（Ｅ）（分子量１３，０００）
を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め込み型プ
ラスチック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、１−トリフルオロメチル−
３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレンと
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビ
フェニレンジカルボン酸クロリドとから合成したポリベ
ンゾオキサゾール前駆体（Ｅ）（分子量１３，０００）
を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め込み型プ
ラスチック光導波路を製造した。
【００５９】実施例９ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、２，６−ジアミノ−３，７−
ジエトキシテトラフルオロナフタレンと１−ペンタフル
オロエチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸クロリド
とから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）
（分子量１３，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
サゾール前駆体に代えて、２，６−ジアミノ−３，７−
ジエトキシテトラフルオロナフタレンと１−ペンタフル
オロエチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸クロリド
とから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）
（分子量１３，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
【００６０】実施例１０ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチルビ
フェニルと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合
成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｇ）（分子量１
４，０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、
埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチルビ
フェニルと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合
成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｇ）（分子量１
４，０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、
埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００６１】実施例１１ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、３，４’−ジアミノ−４，
３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビ
フェニルと１−ペンタフルオロエチルナフタレン−３，
７−ジカルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオ
キサゾール前駆体（Ｈ）（分子量１２，０００）を用い
た以外は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチ
ック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、３，４’−ジアミノ−４，
３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビ
フェニルと１−ペンタフルオロエチルナフタレン−３，
７−ジカルボン酸クロリドとから合成したポリベンゾオ
キサゾール前駆体（Ｈ）（分子量１２，０００）を用い
た以外は、実施例３と同様にして、埋め込み型プラスチ
ック光導波路を製造した。
【００６２】実施例１２ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンと２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ドとから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｉ）
（分子量１４，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
サゾール前駆体に代えて、２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンと２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ドとから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｉ）
（分子量１４，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
【００６３】実施例１３ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンと２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ドとから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）
（分子量１４，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
サゾール前駆体に代えて、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンと２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ドとから合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）
（分子量１４，０００）を用いた以外は、実施例３と同
様にして、埋め込み型プラスチック光導波路を製造し
た。
【００６４】実施例１４ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、１，３−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブ
タンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｋ）（分子量１３，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、１，３−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブ
タンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｋ）（分子量１３，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００６５】実施例１５ 実施例３において、クラッド層に用いたポリベンゾオキ
サゾール前駆体に代えて、２，６−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオ
レンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｌ）（分子量１５，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
サゾール前駆体に代えて、２，６−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオ
レンと２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリドとから合成し
たポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｌ）（分子量１５，
０００）を用いた以外は、実施例３と同様にして、埋め
込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００６６】実施例４〜１５で得られた光導波路の波長
１．３μmと１．５５μmにおける光伝搬損失値を、実施
例１と同様にして測定し表−２に示す。
１．３μmと１．５５μmにおける光伝搬損失値を、実施
例１と同様にして測定し表−２に示す。
【００６７】
【表２】
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、製造工程が容易で、光
伝搬損失量の少ない埋め込み型プラスチック光導波路の
製造方法を提供することができる。
伝搬損失量の少ない埋め込み型プラスチック光導波路の
製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の埋め込み型プラスチック光導波路の第
１例を示す断面図である。
１例を示す断面図である。
【図２】本発明の埋め込み型プラスチック光導波路の第
２例を示す断面図である。
２例を示す断面図である。
【図３】本発明の第１例の埋め込み型プラスチック光導
波路の製造方法の例を示す断面図である。
波路の製造方法の例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２例の埋め込み型プラスチック光導
波路の製造方法の例を示す断面図である。
波路の製造方法の例を示す断面図である。
ａ１，ａ２ 基板 ｂ１ 下部及び側部クラッド層 ｂ２ 側部クラッド層 ｃ１，ｃ２ コア部分 ｄ１，ｄ２ 上部クラッド層 ｅ２ 下部クラッド層 ｆ１，ｆ２ コアパターンを形成するためのマスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 TA43 4J043 PA02 QB34 RA05 RA52 SA06 SA54 SA71 SB01 TA12 TA47 TA71 UA121 UA122 UA131 UA132 UA231 UA261 UA262 UB011 UB021 UB061 UB121 UB151 UB281 UB301 XA04 XA16 XB20 ZA52 ZA55 ZB21
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に感光性透明樹脂からなるクラッ
ド層を形成する工程、前記クラッド層を光照射、現像す
ることによりコア部分となる凹型溝部を形成する工程、
前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折率を有する
非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成する工程、
前記クラッド層及びコア部分上に、コア部分の樹脂より
低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層を形成する工
程を含んでなることを特徴とする埋め込み型プラスチッ
ク光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に下部クラッド層を形成する工
程、前記下部クラッド層の上に感光性透明樹脂からなる
側部クラッド層を形成する工程、前記クラッド層を光照
射、現像することによりコア部分となる凹型溝部を形成
する工程、前記凹型溝部にクラッド層の樹脂より高屈折
率を有する非感光性透明樹脂を充填してコア部分を形成
する工程、前記クラッド層およびコア部分上に、コア部
分の樹脂より低屈折率を有する樹脂からなるクラッド層
を形成する工程を含んでなることを特徴とする埋め込み
型プラスチック光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 感光性透明樹脂が、一般式（１）で表さ
れる構造を有する含フッ素ポリベンゾオキサゾール前駆
体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂で
ある、請求項１又は２記載の埋め込み型プラスチック光
導波路の製造方法。 【化１】 （式中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ及びＹ
は、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素を含
む。） - 【請求項４】 ポリベンゾオキサゾール前駆体が、一般
式（１）中のＸ及び／又はＹとして、一般式（２）〜
（４）で表される基の中から選ばれ２価の基を有するも
のである、請求項３記載の埋め込み型プラスチック光導
波路の製造方法。 【化２】 【化３】 【化４】 （式（２）〜（４）中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5〜Ｒ8，Ｒ11〜Ｒ
16は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基
であり、互いに同じであっても異なっても良く、Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18は、水素、フッ素フッ素を
有する１価の有機基又は水酸基であり、互いに同じであ
っても異なっても良い。Ｚは、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ
2−、−Ｓ−、−ＣＨ2−、−ＣＯ−、Ｃ（ＣＨ 3）2−、
−Ｃ（ＣＦ3）2−又は式（５）、式（６）で表される構
造の２価の有機基を示し、前記２価の有機基は、フッ素
を含んでいても良い。また、式（２）〜（４）中の
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ17，Ｒ18は、式（１）中のア
ミド基とＲ基が、それぞれ芳香族基の隣り合った炭素に
結合しているものを表す。） 【化５】 （式（５）中、Ｒ19，Ｒ20，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23及びＲ24
はフッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じで
あっても異なってもよい。ｉは１〜８までの整数、ｊは
０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものとす
る。） 【化６】 （式（６）中、Ｒ25，Ｒ26，Ｒ27，Ｒ28，Ｒ29，Ｒ30，
Ｒ31及びＲ32は、水素、フッ素またはフッ素を有する１
価の有機基であり、互いに同じであっても異なっても良
い。）
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294556A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JPWO2004095093A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および該光電気混載基板の製造方法 |
| JP2013256506A (ja) * | 2006-10-24 | 2013-12-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
| KR101570246B1 (ko) | 2008-06-10 | 2015-11-18 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광도파로의 제조 방법 |
| JP2015206862A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 三菱製紙株式会社 | 感光性ポリイミドパターンの形成方法 |
| WO2016121691A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 東レ株式会社 | 樹脂、感光性樹脂組成物およびそれらを用いた電子部品、表示装置 |
| CN113495396A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 富士通光器件株式会社 | 光调制器 |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002072688A patent/JP2002341169A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294556A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JP4595288B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-12-08 | 住友ベークライト株式会社 | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JPWO2004095093A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および該光電気混載基板の製造方法 |
| JP2013256506A (ja) * | 2006-10-24 | 2013-12-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
| JP5532200B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2014-06-25 | 住友ベークライト株式会社 | ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
| KR101570246B1 (ko) | 2008-06-10 | 2015-11-18 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광도파로의 제조 방법 |
| JP2015206862A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 三菱製紙株式会社 | 感光性ポリイミドパターンの形成方法 |
| WO2016121691A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 東レ株式会社 | 樹脂、感光性樹脂組成物およびそれらを用いた電子部品、表示装置 |
| KR20170108949A (ko) * | 2015-01-27 | 2017-09-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치 |
| JPWO2016121691A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2017-11-02 | 東レ株式会社 | 樹脂、感光性樹脂組成物およびそれらを用いた電子部品、表示装置 |
| CN107406590A (zh) * | 2015-01-27 | 2017-11-28 | 东丽株式会社 | 树脂、感光性树脂组合物及使用了它们的电子部件、显示装置 |
| CN107406590B (zh) * | 2015-01-27 | 2020-08-04 | 东丽株式会社 | 树脂、感光性树脂组合物及使用了它们的电子部件、显示装置 |
| KR102386553B1 (ko) | 2015-01-27 | 2022-04-14 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치 |
| US11333976B2 (en) | 2015-01-27 | 2022-05-17 | Toray Industries, Inc. | Resin, photosensitive resin composition, electronic component and display device using the same |
| CN113495396A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 富士通光器件株式会社 | 光调制器 |
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