JP2760334B2 - 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法

Info

Publication number
JP2760334B2
JP2760334B2 JP7338193A JP33819395A JP2760334B2 JP 2760334 B2 JP2760334 B2 JP 2760334B2 JP 7338193 A JP7338193 A JP 7338193A JP 33819395 A JP33819395 A JP 33819395A JP 2760334 B2 JP2760334 B2 JP 2760334B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
integrated circuit
semiconductor integrated
search
binary search
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7338193A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09152464A (ja
Inventor
幸弘 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP7338193A priority Critical patent/JP2760334B2/ja
Publication of JPH09152464A publication Critical patent/JPH09152464A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2760334B2 publication Critical patent/JP2760334B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の電気的特性を試験する試験装置(AutomaticTest Eq
uipment;ATEあるいは「ICテスタ」という)に関
し、特に半導体集積回路装置の試験装置におけるバイナ
リサーチ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置(Integrated Circu
its;「IC」という)の電気的特性を試験する試験装
置(「ICテスタ」、あるいはAutomatic Test Equipme
nt;「ATE」という)は、被試験デバイス(Device U
nder Test、「DUT」ともいう)であるICへ電気信
号を印加し、この電気信号に対する被試験デバイスから
の応答出力をICテスタの内部に格納された期待値ある
いは規格データと比較することにより、被試験デバイス
の電気的良・否(パス又はフェイル)の判定を行うもの
である。
【0003】図4は、ICテスタの構成概略図を示し、
図中、1は制御部、2は測定部、3はDUT、4はメモ
リ部である。
【0004】制御部1は、メモリ部4内に格納されたテ
ストプログラムに従って測定部2を制御し、DUT3に
対する電気信号を生成させ、この電気信号をDUT3に
印加させる。また、制御部1はDUT3から電気信号を
テストプログラム内にて定義された規格値又は期待値と
を比較しDUT3の電気特性の良・否の判定を行う。
【0005】通常、ICテスタの良否判定は、DUTの
出力値と予め定められた規格値との大/小関係で一義的
に行われることが多い。
【0006】しかし、DUTの出力値そのものを取り込
む場合や、一回のテストでは良否判定ができず、複数回
のテストでDUTの出力値を得る場合等においては、I
Cテスタが有するバイナリサーチ機能が用いられる。こ
のバイナリサーチ機能とは、逐次比較方式による値の検
出(サーチ)方法である。ICテスタで被試験デバイス
の例えばAC試験等を行う際(伝搬遅延時間、信号の立
ち上がり/立ち下がりエッジ、セットアップ/ホールド
時間、パルス幅が規格値にあるか否かを試験する際
に)、ICテスタのファンクション試験において所定の
テストサイクル中にて被試験デバイスの出力信号と期待
値とを比較するコンパレータのストローブタイミングを
バイナリサーチで順次振って、コンパレータの比較結果
に基づきパス/フェイルの境界に対応するストローブタ
イミング(基準タイミングからの時間)から被試験デバ
イスの出力信号エッジのタイミングを導きこれを規格値
と比較する。その際、テストプログラムでバイナリサー
チするパラメータとバイナリサーチする範囲とを設定し
ICテスタはそのテストプログラムに従って設定された
パラメータの値をサーチ範囲内で変化させながら試験
し、サーチ範囲内に存在する試験のパス領域とフェイル
領域の境界値を求める。
【0007】従来のバイナリサーチ法の一例として、特
開平1−112176号公報(特願昭62−27001
0)には、範囲が広いバイナリサーチは試験回数の増大
を招き、試験時間の長大化及び試験コストを増大すると
いう問題を解消するため、テストプログラムに設定され
た冗長度の大きなバイナリサーチ範囲とは別に被試験I
Cのロット固有で適正なバイナリサーチ範囲を算出する
ようにしたICテスタが提案されている。
【0008】図5は、ICテスタのバイナリサーチ機能
を用いて、DUTの出力波形の高レベル(Highレベ
ル)幅を求める場合、サーチ範囲及び演算方法を説明す
るためのタイミングチャートである。なお、図5におい
て、テストレートはICテスタのテスト周波数を示し基
準タイミング信号T0で定められ、入力クロックはDU
Tへの入力信号波形、出力波形はDUTからの出力波
形、期待値は予めテストパタン(テストベクトル)に定
義されたDUTの期待値、STBは出力波形の電位と期
待値とをコンパレータで比較するタイミングを規定する
ストローブ信号を示している。
【0009】先ず、パタンa内でDUTの出力波形が低
レベル(Lowレベル)から高レベル(Highレベ
ル)に立ち上がるタイミングAをサーチ範囲aL、aH
で求め、基準タイミングT0に対して時間daを得たとす
る。
【0010】次に、パタンb内でDUT出力波形が高レ
ベル(Highレベル)から低レベル(Lowレベル)
に立ち下がるタイミングBをサーチ範囲aL、aH内で求
め、同様に時間dbを得たとする。
【0011】この場合、求めるDUTの出力波形のHi
ghレベル幅は、(R−da+db)で求まる。このR
は、テストレート時間(基準タイミングT0で規定され
るテスト周期)を意味している。
【0012】実際のバイナリサーチの処理を、図6及び
図7のフローチャートを参照して以下に説明する。この
バイナリサーチによる値の検出(サーチ)は、テストプ
ログラム内に定義されたサーチ範囲内に求めるべき値が
存在し、且つこれら範囲の上限と下限はテスト結果とし
て相反することが前提とされている(上限でパスの場合
下限ではフェイルという具合に上下限でテスト結果が反
転することが必要)。
【0013】図6に示すように、サーチレジスタにサー
チ範囲の上限値aHを設定し(ステップ601)、テス
トを行い(ステップ602)、DUTの出力が期待値と
一致した場合パスとなり、パスの値を格納するレジスタ
PVに上限値aHを設定し(ステップ604)、フェイ
ルであれば、フェイルの値を格納するレジスタFVにa
Hを設定し(ステップ605)、次にサーチレジスタに
下限値aLを設定して再びテストを行い(ステップ60
6〜607)、テスト結果がパスの場合、サーチ不可能
であるとしてサーチ不可処理(すなわち、設定された上
限、下限で共にパスしており、テスト結果が上限下限で
反転していず、このサーチ範囲内にはパス/フェイル境
界値がない)を行って(ステップ609)終了し、フェ
イルであれば、フェイル値(フェイルの境界)をFV=
aLとする(ステップ610)。
【0014】そして、このパス値とフェイル値PV、F
Vの差の絶対値(=|PV−FV|)が予め定められた
所定の分解能RE以下である場合には、最小分解能に到
達したため、パス/フェイル境界値が求められたことに
相当し、パス/フェイルの境界値であるサーチ結果を、
上限値のPVとする(ステップ612)。
【0015】一方、|PV−FV|が分解能REより大
であれば、図7に示すように、上限PVと下限FVとの
中間値aを新たにサーチレジスタに設定してテストを行
い(ステップ701〜703)、パス/フェイルに応じ
て、テスト結果を格納するレジスタRTを「P」、
「F」とする(ステップ705、706)。
【0016】そして、PVとaの差の絶対値(=|PV
−a|)が分解能RE以下の時において、テスト結果を
格納するレジスタRTがパス(「P」)を示している場
合、サーチ結果をaとし(ステップ710)、フェイル
の場合、サーチ結果をPVとする(ステップ711)。
【0017】|PV−a|が分解能REよりも大の時に
は、テスト結果がパスの場合、パス境界を直前のテスト
においてサーチレジスタに設定された値aをパス値のレ
ジスタに設定し(PV=a)、aとFVの中間値を新た
にaとして(ステップ713)、このaをサーチレジス
タに設定してサーチを繰り返す(図7のステップ702
へ移行する)。テスト結果がフェイルの場合、フェイル
値のレジスタFVにaを設定し、aとPVの中間値を新
たにaとして(ステップ712)、このaをサーチレジ
スタに設定してサーチを繰り返す。
【0018】このバイナリサーチ機能は、先に逐次比較
方式と述べたように、逐次比較方式のアナログ・ディジ
タル変換器(AD変換器)と同様に、検出値を求める場
合、上位のビットより決定していき、最小分解能すなわ
ち最小ビットに至るまで決定された時点でサーチを終了
するものである。
【0019】このため、サーチの回数は、サーチ範囲内
の求めるべき値をディジタルで表した際、既にサーチ範
囲で決まった上位ビットを除く下位ビットの桁数分とさ
れる。
【0020】一方、ICテスタは、テスト時間短縮すな
わちテストコストを低減させるべく一台のICテスタで
同時に複数個の被試験ICの試験を行う並列機能を具備
してている。
【0021】いま、並列数を2ヶと仮定した場合、図8
に示すように、2つの被試験デバイスDUT1、2の各
々の出力波形により、Highレベル幅W1及びW2を求
める場合は、図9に流れ図で示すように、先ず、テスト
プログラム内あるいはICテスタのシステム内の制御部
の認識により、並列測定モードを解除して、1ヶ測定モ
ードを指定する(ステップ901)。この1ヶ測定モー
ド(シングルモード)とは、先ずDUT1についてテス
トし、テスト終了後、次にDUT2についてテストする
モードである。
【0022】従って、先ず、DUT1に対し、バイナリ
サーチ機能によりda1、db1を求め、Highレベル幅
1を演算(W1=R−da1+db1)で求める(ス
テップ902〜904)。次に、DUT2に対し、同様
にしてバイナリサーチでda2、db2を求め、Hig
hレベル幅W2を演算(W2=R−da2+db2)で
求めていた(ステップ905〜907)。そして1ヶ測
定モードの後に並列測定モードの指定が行われる(ステ
ップ909)。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のI
Cテスタのバイナリサーチ機能は、並列測定機能と同時
に用いると、各DUTの値を個別に求めることができ
ず、並列測定時においてもバイナリサーチによるテスト
実行時にシングルモードに設定し直すことが必要とさ
れ、このためテスト回数及びテスト時間が増大するとい
う問題点を有する。
【0024】図10を参照して、この理由を詳細に説明
する。
【0025】ICテスタで2ヶの被試験デバイスを並列
測定する際においてバイナリサーチ機能を用いた場合、
バイナリサーチ機能は期待値との比較で求めるべき値を
サーチするので、両DUT1、2の判定値が一致する部
分、図中ではA2とB1のタイミングとなる(図10のD
UT1&2のサーチ結果と等価波形参照)。
【0026】これはタイミングA2に関してはDUT2
の出力波形立ち上がりのタイミングであり、タイミング
1に関してはDUT1の立ち下がりのタイミングとさ
れるという具合に二つのDUTについて混在したタイミ
ングとされ、各々のDUT1、DUT2の立ち上がり/
立ち下がりのタイミングを求めることができないことに
よる。
【0027】これは従来のICテスタが並列測定対応の
バイナリサーチ機能を有していないことによる。
【0028】ここで、テストレートを1μs、実行パタ
ン数(テストベクトル長)を1000、ICテスタがシ
ステムを走行させたり、次のバイナリサーチ処理を実行
するために必要とされる演算時間を10ms、バイナリ
サーチで求める値の下位8ビットを決定する場合、(1
μs/パタン×1000パタン+10ms)×8×2D
UT=176ms(ミリ秒)を要し、このため完全に並
列テストができたと仮定した場合、88ms程テスト時
間の長大化を招くという問題点を有する。
【0029】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、同時並列測定時でも各DUTの値をバイナ
リサーチできるようにしたICテスタを提供することを
目的とする。
【0030】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、(a)複数の被試験半導体集積回路装置
に対してパス/フェイル境界値を求めるバイナリサーチ
テストを、前記複数の被試験半導体集積回路装置間でパ
ス/フェイル結果が相違するか、又は所定の分解能に達
するまで並列に行う工程と、(b)前記工程(a)でパ
ス/フェイル結果が相違した際に前記工程(a)に継続
して前記被試験半導体集積回路装置のそれぞれについて
所定の分解能に達するまでバイナリサーチテストを個別
に行う工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路
装置の試験方法を提供する。
【0031】また、本発明は、被試験半導体集積回路装
置に対して所定のサーチ範囲から開始してパス/フェイ
ルの境界を画する値をバイナリサーチ法に基づき反復的
にテストして求める手段を備えると共に、複数の被試験
半導体集積回路装置を並列測定モードでテストする手段
を具備してなる半導体集積回路装置の試験装置におい
て、パス及びフェイル時にサーチで設定した値を格納す
るレジスタを並列測定対象の前記被試験半導体集積回路
装置の数に対応して備え、前記複数の被試験半導体集積
回路装置に対して並列してバイナリサーチを行い、この
並列型バイナリサーチにおいて、前記複数の被試験半導
体集積回路装置の間で互いに相違するパス/フェイル結
果が発生した場合には、個々の被試験半導体集積回路装
置に対してバイナリサーチを逐次的に行い各被試験半導
体集積回路装置のパス/フェイル境界値を個別に求める
ようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置の試験
装置を提供する。
【0032】本発明に係る半導体集積回路装置の試験装
置は、各DUT毎にバイナリサーチで要するレジスタ、
すなわち直前のテスト結果、直前のパス時及びフェイル
時サーチで設定した値を格納するレジスタを有し、各D
UTのサーチ結果が一致する迄、並列同時測定を行い、
サーチ結果が一致しない時、各々のDUT毎に、好まし
くは、並列テスト実行時のサーチ範囲に基づきバイナリ
サーチを行い、パス/フェイル境界値を求めるように構
成されたバイナリサーチ機能を具備したものである。
【0033】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に説明する。なお、本実施形態に係るICテス
タの基本構成は図4に示すものとし、複数の被試験デバ
イス(「DUT」という)を同時に並列測定する機能を
具備しているものとする。
【0034】図1ないし図3は、本発明の一実施形態に
係るバイナリサーチ機能の処理フローを示した流れ図で
ある。なお、基本的なバイナリサーチ機能は従来のIC
テスタのバイナリサーチ機能と同等である。すなわち、
ICテスタ内部の制御部サーチ範囲aH、aLよりテスト
を実行し、それ等のテスト結果に基づいて、次にテスト
する場合に用いる値を演算しサーチレジスタに設定し、
テストを実行していく。これら処理をレジスタの最小ビ
ットすなわち所定の分解能まで求めるものであり、処理
の流れの概略は図6及び図7で説明したものと同様であ
る。
【0035】本発明の実施形態が、図6及び図7に示し
た従来例と相違する点は、並列測定時において各DUT
毎に直前のテスト結果、直前のパス時及びフェイル時の
サーチで用いる値を格納するレジスタを有し、ICテス
タ内部の制御部が各処理毎にどのDUTに対して処理し
ているかを判別するためのレジスタを備えた点である。
【0036】本実施形態に係るICテスタのバイナリサ
ーチの方法を説明すると、制御部は、並列テスト対象の
複数のDUTの各々に対して同時バイナリサーチを開始
する。
【0037】複数のDUTに対するバイナリサーチのサ
ーチ方法は、それぞれ図6及び図7の従来例と同様であ
る。
【0038】制御部は複数のDUTについて各DUTの
サーチ時のテスト結果が一致するところまで、見かけ
上、複数のDUTを1つのDUTと見なし、サーチを実
行する(この場合、処理フローは図6及び図7の流れ図
に従う)。
【0039】サーチ時のテスト結果が複数のDUTで互
いに一致しない場合(一致しなくなったサーチ範囲にお
いて)、各DUTのテスト結果レジスタへテスト結果を
それぞれ格納し、直前のパス、フェイル時のサーチで設
定した値をレジスタに格納し、待避する。
【0040】以降、制御部は、複数のDUTの同時測定
におけるバイナリサーチで既に得られているサーチ範囲
等の情報に基づき各DUT毎にバイナリサーチを個別
(逐次的)に実行する。
【0041】その際、個々のDUTのバイナリサーチ処
理の再開始にあたっては、レジスタに格納、待避した情
報、すなわち直前のパス、フェイル時のサーチ時に設定
した値や、テスト結果を用いて、同時測定での各DUT
のサーチ処理で不一致の部分(求める値の下位側ビッ
ト)のみをサーチを実行する。
【0042】図1ないし図3を参照して、本実施形態の
制御部におけるバイナリサーチの処理フローを説明す
る。
【0043】同時測定のDUTの数を2とした場合、初
期設定として、DUT1、DUT2を識別する符号を割
り振り(例えばDUT1は「1」、DUT2は
「2」)、並列同時テストを意味するために両DUTに
は「3」(=DUT1+DUT2)を設定しておく(ス
テップ100)。
【0044】そして、サーチレジスタに上限値aHを設
定し(ステップ101)、テストが1ヶのDUTの個別
測定か、両DUTの同時測定かを判別し(ステップ10
2〜103)、両DUTテスト、又は個別のテストを行
う(ステップ104〜106)。
【0045】そして、テスト結果がパスの場合の上限値
の処理として、両DUTテストの場合、パス値格納レジ
スタPV、PV1、PV2にaHと設定し(ステップ1
10)、個別のDUTのテストの場合、対応するパス値
格納レジスタPVi(i=1,2)に上限値aHを設定
する(ステップ111、112)。
【0046】また、テスト結果がフェイルの場合、両D
UTテストの場合にはフェイル値格納レジスタFV、F
V1、FV2にaHを設定し(ステップ123)、個別
のDUTのテストの場合には対応するフェイル値格納用
レジスタFVi(i=1,2)にaHを設定する(ステ
ップ124、125)。
【0047】次に、サーチレジスタに下限値aLを設定
し(ステップ113)、テスト(ステップ114)を行
いテスト結果がパスであった場合サーチ不可処理に対応
して、両DUTの並列測定の場合にはこれらがサーチ不
可であるとの処理を行い(ステップ120)終了し、D
UT1、DUT2の個々の測定の場合、DUT1の場合
にはサーチ不可処理を行いDUTをDUT2に切換え
(ステップ122)、ステップ102へ移行してDUT
2のテストを行う。サーチ不可がDUT2の場合エラー
処理を行い(ステップ121)終了する。
【0048】ステップ114のテスト結果がフェイルの
際に、両DUTテストの場合、フェイル値格納レジスタ
FV、FV1、FV2にaLを設定し(ステップ12
8)、個別のDUTのテストの場合、対応するフェイル
値格納用レジスタFVi(i=1,2)にaHを設定す
る(ステップ130、129)。
【0049】そして、図2に示すように、個別のDUT
テストの場合、サーチ範囲の情報であるパス/フェイル
値格納用レジスタを待避用レジスタに格納待避する。す
なわち、DUT1の場合、pV1=PV1、fV1=F
V1(ステップ204)、DUT2の場合、pV2=P
V2、fV2=FV2とサーチ情報を待避する(ステッ
プ203)。
【0050】分解能REが|PV−FV|以上の場合に
は、パス/フェイル境界値として、両DUTテストの時
にはサーチ結果をDUT1、DUT2共にPVとし(ス
テップ210)、DUT1の時はPVとし(ステップ2
13)、DUT2のテストに移行し(ステップ21
4)、DUT2の場合サーチ結果をPVとして(ステッ
プ211)、終了する。
【0051】分解能REが|PV−FV|よりも小の場
合には、両DUTテストの時には中間値をa=(PV+
FV)/2(ステップ216)、DUT1の場合、a=
(PV1+FV1)/2(ステップ215)、DUT2
の場合、a=(PV2+FV2)/2とする(ステップ
212)。
【0052】そして、中間値aをサーチレジスタに設定
して(ステップ217)、テストを行い(ステップ21
8)、図3に示すように、テスト結果がフェイルの場
合、レジスタRTを「F」とした(ステップ302)後
に、両DUTテスト、個々のDUTに応じてPVを設定
し(ステップ305、307、308)する。
【0053】次に、|PV−a|が分解能RE以下の
時、テスト結果がパスの場合、PV=aに設定し(ステ
ップ315)、両DUTテストの場合、サーチ結果とし
てPV(ステップ321)、個々のDUT1、DUT2
のテストの場合にはPVi(i=1,2)をサーチ結果
とし(ステップ320、319)、DUT1の場合、D
UT2のテストに移行する(図1のターミナルに移
行)。
【0054】そして、テストが結果がフェイルの場合
(レジスタRTが「F」)、両DUTテストの場合、パ
ス値格納レジスタPVに中間値aを設定すると共に、中
間値を(a+FV)/2とし(ステップ325)、個々
のDUT1、DUT2のテストの場合にはPVi=a、
a=(a+FVi)/2(i=1,2)とする(ステッ
プ328、327)。また、パスの場合、両DUTテス
トの場合、フェイル値格納レジスタFVに中間値aを設
定すると共に、中間値を(a+PV)/2とし(ステッ
プ318)、個々のDUT1、DUT2のテストの場合
には個々のフェイル値格納レジスタFVi=a、a=
(a+PVi)/2(i=1,2)とし(ステップ31
7、322)、サーチレジスタにaを設定してテストを
行う(図2のステップ217に移行)。
【0055】本実施形態では、同時測定のDUTの数を
2とした場合であるが、同時測定のDUTの数はこれ以
上でも、各レジスタ数を並列数と対応させることにより
対応できる。
【0056】このように、本実施形態のICテスタのバ
イナリサーチ機能は、各DUT毎にバイナリサーチで要
するレジスタ、すなわち直前のテスト結果、直前のパ
ス、フェイル時、サーチで設定した値を格納するレジス
タを有し、各DUTのサーチ結果が一致する間は同時並
列測定を実行し、不一致の部分より各DUT毎にサーチ
を実行するように構成したことにより、並列測定時にバ
イナリサーチ機能を用いるテストにおいて、例えば前述
の条件で、不一致部分が3ビット相当であれば、(1μ
s/パタン×1000パタン+10ms)×(8−3)
×2DUT=121ms(ミリ秒)とされ、前記従来例
の実行時間176msと比較して55msも短縮でき
る。なお、本発明に係る試験装置及び試験方法は、LS
Iテスタ、メモリテスタ、リニアテスタ、アナログディ
ジタル混在型テスタ等に適用可能である。
【0057】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のICテス
タのバイナリサーチ機能は、各DUT毎にバイナリサー
チで要するレジスタ、すなわち直前のテスト結果、直前
のパス、フェイル時、サーチで設定した値を格納するレ
ジスタを有し、各DUTのサーチ結果が一致するまで、
同時測定を実行し、不一致の部分より各DUT毎にサー
チを実行する処理を有するICテスタにより、並列測定
時にバイナリサーチ機能を用いるテストにおいてテスト
時間の大幅な短縮を図することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るICテスタのバイナ
リサーチの処理の流れを説明するための図である。
【図2】本発明の一実施形態に係るICテスタのバイナ
リサーチの処理の流れを説明するための図である。
【図3】本発明の一実施形態に係るICテスタのバイナ
リサーチの処理の流れを説明するための図である。
【図4】一般的なICテスタの構成を示す図である。
【図5】バイナリサーチによるDUT出力波形の高レベ
ル部分Wを求める場合のサーチ範囲演算方法について説
明するための図である。
【図6】従来のバイナリサーチ処理を示す図である。
【図7】従来のバイナリサーチ処理を示す図である。
【図8】同時並列数2ヶの場合、各DUT出力波形を示
す図である。
【図9】従来のバイナリサーチ機能を用いて、並列測定
時の対処フローを示す図である。
【図10】従来のバイナリサーチ機能を用いて、同時並
列測定を行った場合の問題点を説明するための図であ
る。
【符号の説明】
1 制御部 2 測定部 3 DUT(被測定デバイス) 4 メモリ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/26 G01R 31/28

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被試験半導体集積回路装置に対して所定の
    サーチ範囲から開始してパス/フェイルの境界を画する
    値をバイナリサーチ法に基づき反復的にテストして求め
    る手段を備えると共に、 複数の被試験半導体集積回路装置を並列測定モードでテ
    ストする手段を具備してなる半導体集積回路装置の試験
    装置において、 パス及びフェイル時にサーチで設定した値を格納するレ
    ジスタを並列測定対象の前記被試験半導体集積回路装置
    の数に対応して備え、 前記複数の被試験半導体集積回路装置に対して並列して
    バイナリサーチを行い、この並列型バイナリサーチにお
    いて、前記複数の被試験半導体集積回路装置の間で互い
    に相違するパス/フェイル結果が発生した場合には、個
    々の被試験半導体集積回路装置に対してバイナリサーチ
    を逐次的に行い各被試験半導体集積回路装置のパス/フ
    ェイル境界値を個別に求めるように制御することを特徴
    とする半導体集積回路装置の試験装置。
  2. 【請求項2】(a)複数の被試験半導体集積回路装置に
    対してパス/フェイル境界値を求めるバイナリサーチテ
    ストを、前記複数の被試験半導体集積回路装置間でパス
    /フェイル結果が相違するか、又は予め定められた所定
    の分解能に達するまで並列に行う工程と、 (b)前記工程(a)でパス/フェイル結果が相違した
    際に前記工程(a)に継続して前記被試験半導体集積回
    路装置のそれぞれについて予め定められた所定の分解能
    に達するまでバイナリサーチテストを個別に行う工程
    と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方
    法。
  3. 【請求項3】複数の被試験半導体集積回路装置に対応し
    てそれぞれのバイナリサーチにおけるテスト結果を格納
    するレジスタと、 直前のテスト結果パス及びフェイル時サーチで設定した
    値を格納するレジスタと、を、同時測定対象の前記被試
    験半導体集積回路装置の数分備え、 同時並列測定時にバイナリサーチを行うように構成され
    てなることを特徴とする半導体集積回路装置の試験装
    置。
JP7338193A 1995-11-30 1995-11-30 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法 Expired - Fee Related JP2760334B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7338193A JP2760334B2 (ja) 1995-11-30 1995-11-30 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7338193A JP2760334B2 (ja) 1995-11-30 1995-11-30 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09152464A JPH09152464A (ja) 1997-06-10
JP2760334B2 true JP2760334B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=18315809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7338193A Expired - Fee Related JP2760334B2 (ja) 1995-11-30 1995-11-30 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2760334B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6850860B2 (en) 2000-04-14 2005-02-01 Advantest Corporation Semiconductor device testing apparatus and test method therefor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4564250B2 (ja) * 2003-10-09 2010-10-20 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置のファンクションテスト方法
US7319623B1 (en) * 2004-11-04 2008-01-15 Spansion Llc Method for isolating a failure site in a wordline in a memory array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6850860B2 (en) 2000-04-14 2005-02-01 Advantest Corporation Semiconductor device testing apparatus and test method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09152464A (ja) 1997-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6789224B2 (en) Method and apparatus for testing semiconductor devices
JP3617621B2 (ja) 半導体集積回路の検査装置及びその検査方法
JPS60247942A (ja) 半導体メモリ試験装置
JP2760334B2 (ja) 半導体集積回路装置の試験装置及び試験方法
US7221180B2 (en) Device and method for testing electronic components
JP2000147062A (ja) 半導体検査装置および半導体検査方法
JP2003194885A (ja) 半導体デバイスの動作タイミングのテスト装置及びテスト方法
JPH06265596A (ja) 多機能デバイス試験方法
US20030128045A1 (en) Apparatus and method for testing semiconductor storage device
JP2000149593A (ja) Ic試験装置
JPH102937A (ja) Ic試験装置
US6850860B2 (en) Semiconductor device testing apparatus and test method therefor
JP4214361B2 (ja) Ic試験装置及びその出力信号のタイミング調整方法
JP4129723B2 (ja) 集積回路試験装置及びアナログ波形測定方法
JP2944307B2 (ja) A/dコンバータの非直線性の検査方法
JP2924995B2 (ja) 論理機能試験方法およびその装置
JP2606208Y2 (ja) ワイヤーハーネス試験装置
JP2001153915A (ja) Icテスタ、及びic試験方法
JPH03238375A (ja) 半導体集積回路の試験方法
JPH04240578A (ja) Icテスター
JPH1090373A (ja) デバイスの良否判定方法
JPH1194909A (ja) 半導体デバイスのテスト方法およびテスト装置
JP2001183427A (ja) 半導体デバイスのテスト装置
JPS6385377A (ja) 半導体メモリ評価装置
JPH07161782A (ja) 検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980217

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees