JP2748429B2 - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents

半導体基板の洗浄装置

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JP2748429B2 JP63228024A JP22802488A JP2748429B2 JP 2748429 B2 JP2748429 B2 JP 2748429B2 JP 63228024 A JP63228024 A JP 63228024A JP 22802488 A JP22802488 A JP 22802488A JP 2748429 B2 JP2748429 B2 JP 2748429B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置製造用のシリコン基板の洗浄装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置製造用のシリコン基板の洗浄装置は
第３図に示すように、内槽２と外槽３とからなる内外２
重の洗浄槽を備え、内槽２内に洗浄液６を充填し、内外
槽2,3間にヒータ４を設置し、かつ内槽２の底部に単一
の超音波振動子１を装備しており、単一の超音波振動子
１にて超音波５を洗浄液に与えてキャビテーション現象
を生じさせ、基板の洗浄を行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のシリコン基板の洗浄装置では超音波振
動子を洗浄層の底面に単体で取付けているため、洗浄効
果の度合いの指標となる、超音波によるキャビテーショ
ン現象が洗浄槽内の位置で大きく違ってしまう、つまり
槽内の超音波エネルギー強度が均一にならないという欠
点がある。さらに槽内均一性を上げようと発振子を大型
のものにすると、部分的に超音波エネルギー強度が高く
なり、半導体装置に致命的な結晶欠陥を生じる。また超
音波エネルギー強度が１個の超音波振動子の調子で決定
してしまうという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した洗浄装置を提供す
ることにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の洗浄装置に対し、本発明は槽内の超音
波エネルギー強度の均一性を向上させるという相違点を
有する。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体基板の
洗浄装置は、半導体基板を洗浄する洗浄装置において、 半導体基板を浸漬させる洗浄槽は、内外２重構造であ
り、槽内の洗浄液に超音波によるキャビテーション現象
を発生させる複数の超音波振動子は、前記洗浄槽の内槽
は底部面積の1/2の範囲内にわたって設置したものであ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、洗浄槽は内槽２と外槽３との内外２重構
造とし、内外槽2,3間にヒータ４を設置する。
さらに、内槽２の底部に複数の超音波振動子1,1…を
並列に配備する。該複数の超音波振動子1,1…は内槽２
の底部面積の1/2以上の範囲内にわたって設置してあ
る。
本発明は複数の超音波振動子1,1…を洗浄槽の底面積
の1/2以上の並列に取付けているため、第５図に示すよ
うに洗浄槽内の超音波５のエネルギー強度が単体の振動
子の場合よりも大きくすることができ、たとえ１個ない
し２個の振動子に劣化が生じても、槽内全体の超音波エ
ネルギー強度を少ししか変化させずに維持することがで
きるとともに、第４図に示すように洗浄槽内に発生する
キャビテーション現象を均一に発生させることができ
る。
また、第６図に示すように本発明は複数の超音波振動
子を備えているため、その超音波振動子の劣化寿命に対
する基板上のパーティクル除去率を、従来装置による超
音波振動子の劣化寿命に対する基板上のパーティクル除
去率より向上できる。
（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例は洗浄槽をなす内槽２の底部2a及び側面2bに
立体的に配置をなして複数の超音波振動子1,1…を有し
ており、これにより洗浄槽内のキャビテーション現象を
従来より均一にすることができるという利点を有する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は洗浄槽内に発生するキャ
ビテーション現象を槽内で均一に発生することが可能に
なり、さらに超音波エネルギー強度を従来よりも大きく
することが可能になる。さらにたとえ１個ないし２個の
超音波振動子に劣化が起きてその他の振動子がこれを補
い槽内全体の超音波エネルギー強度を少ししか変化させ
ずに維持する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の半導体装置
製造用の洗浄装置を示す構成図、第４図は本発明の洗浄
装置におけるキャビテーション現象の槽内均一性を顕著
に示す図、第５図は本発明の半導体装置製造用の洗浄装
置にて超音波エネルギー強度と振動子数との関係を表わ
す図、第６図は超音波振動子の劣化寿命に対し、従来の
洗浄装置と本発明の洗浄装置とのシリコン基板上のパー
ティクル除去率の差を表わす図である。 １……超音波振動子、２……洗浄槽の内槽 ３……洗浄槽の外槽

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板を洗浄する洗浄装置において、 半導体基板を浸漬させる洗浄槽は、内外２重構造であ
    り、槽内の洗浄液に超音波によるキャビテーション現象
    を発生させる複数の超音波振動子は、前記洗浄槽の内槽
    は底部面積の1/2の範囲内にわたって設置したものであ
    ることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
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