JP2746511B2 - 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 - Google Patents
単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法Info
- Publication number
- JP2746511B2 JP2746511B2 JP5043488A JP4348893A JP2746511B2 JP 2746511 B2 JP2746511 B2 JP 2746511B2 JP 5043488 A JP5043488 A JP 5043488A JP 4348893 A JP4348893 A JP 4348893A JP 2746511 B2 JP2746511 B2 JP 2746511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- single crystal
- crystal ingot
- distance
- boundary point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】本発明は、単結晶インゴットの結晶学的基
準方向を示すオリエンテーションフラット（以下、ＯＦ
と略称する。）幅を簡易に測定することのできる方法に
関する。
準方向を示すオリエンテーションフラット（以下、ＯＦ
と略称する。）幅を簡易に測定することのできる方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶インゴットの外周面に加工
されたＯＦの幅を測定する場合、ノギス等のスケールを
ＯＦ部にあてて指示目盛を読み取ることによって行われ
ていた。しかし、このような手動測定の場合には測定に
手間を要し、かつ測定誤差が発生することは避けられな
いので、簡易でかつ正確なＯＦ幅の測定方法が求められ
ている。
されたＯＦの幅を測定する場合、ノギス等のスケールを
ＯＦ部にあてて指示目盛を読み取ることによって行われ
ていた。しかし、このような手動測定の場合には測定に
手間を要し、かつ測定誤差が発生することは避けられな
いので、簡易でかつ正確なＯＦ幅の測定方法が求められ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題点に鑑みてなされたもので、光学的非接触
変位測定装置を用いることによって、手動測定に起因す
る手間や測定誤差の発生を回避するとともに、簡易かつ
正確で測定の自動化をも可能とした単結晶インゴットの
ＯＦ幅測定方法を提供することを目的とする。
来技術の問題点に鑑みてなされたもので、光学的非接触
変位測定装置を用いることによって、手動測定に起因す
る手間や測定誤差の発生を回避するとともに、簡易かつ
正確で測定の自動化をも可能とした単結晶インゴットの
ＯＦ幅測定方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の単結晶インゴットのＯＦ幅測定方法におい
ては、単結晶インゴットのＯＦ面を光学的非接触変位測
定装置のセンサーに対向させて固定し、該単結晶インゴ
ットの長軸に対し、直角な方向へ該センサーを走査移動
せしめる手段と、該走査移動した距離を計測する手段と
を設け、ＯＦ面を含む円周面上と該センサーの距離を検
出しつつ、該センサーを走査移動せしめることにより、
該単結晶インゴットの円周面とＯＦ面の境界点を測定変
位より検出し、第一境界点の検出位置から第二境界点の
検出位置までの該センサーによる走査距離Ａを測定し、
かつ該第一境界点と該センサーとの第一距離ｌ1 及び該
第二境界点と該センサーとの第二距離ｌ2 をそれぞれ検
出してＢ＝｜ｌ1 −ｌ2 ｜を算出し、下記式（１）によ
ってＯＦ幅Ｃを算出するようにしたものである。
に、本発明の単結晶インゴットのＯＦ幅測定方法におい
ては、単結晶インゴットのＯＦ面を光学的非接触変位測
定装置のセンサーに対向させて固定し、該単結晶インゴ
ットの長軸に対し、直角な方向へ該センサーを走査移動
せしめる手段と、該走査移動した距離を計測する手段と
を設け、ＯＦ面を含む円周面上と該センサーの距離を検
出しつつ、該センサーを走査移動せしめることにより、
該単結晶インゴットの円周面とＯＦ面の境界点を測定変
位より検出し、第一境界点の検出位置から第二境界点の
検出位置までの該センサーによる走査距離Ａを測定し、
かつ該第一境界点と該センサーとの第一距離ｌ1 及び該
第二境界点と該センサーとの第二距離ｌ2 をそれぞれ検
出してＢ＝｜ｌ1 −ｌ2 ｜を算出し、下記式（１）によ
ってＯＦ幅Ｃを算出するようにしたものである。
【０００５】
【数２】 Ｃ2 ＝Ａ2 ＋Ｂ2 ・・・・・・・・・・・・・・・（１）
【０００６】上記光学的非接触変位測定装置としては、
光源から対象物体近くに焦点を結ぶように発せられた光
が対象物体から反射する反射光を光位置検出器上に結像
し、対象物体の位置により結像の位置が変化することを
利用して対象物体の位置を測定するようにしたものであ
れば使用できる。例えば、レーザー式変位センサーを用
いることができる。
光源から対象物体近くに焦点を結ぶように発せられた光
が対象物体から反射する反射光を光位置検出器上に結像
し、対象物体の位置により結像の位置が変化することを
利用して対象物体の位置を測定するようにしたものであ
れば使用できる。例えば、レーザー式変位センサーを用
いることができる。
【０００７】ここで、本発明の測定原理を図１に基づい
て説明しておく。すなわち、光学的非接触変位測定装置
のセンサー６（以下、単にセンサーという。）は、走査
移動軸１１上を走査可能な構造となっており、走査移動
軸１１上の走査距離は、機械的手段又は、電気的手段に
よって測定される。
て説明しておく。すなわち、光学的非接触変位測定装置
のセンサー６（以下、単にセンサーという。）は、走査
移動軸１１上を走査可能な構造となっており、走査移動
軸１１上の走査距離は、機械的手段又は、電気的手段に
よって測定される。
【０００８】その機械的手段としては、例えば、該セン
サー６の該走査移動軸１１への接触部に設けられた歯車
等の直径と回転数により求める方法がある。また、電気
的手段としては、該走査移動軸１１に一定間隔で磁性体
を設けた直線スケール１２を設置し、該センサー６に磁
界を感知する装置を付加し、走査時に計数した磁性体の
数によって走査距離を求める方法を採用することができ
る。
サー６の該走査移動軸１１への接触部に設けられた歯車
等の直径と回転数により求める方法がある。また、電気
的手段としては、該走査移動軸１１に一定間隔で磁性体
を設けた直線スケール１２を設置し、該センサー６に磁
界を感知する装置を付加し、走査時に計数した磁性体の
数によって走査距離を求める方法を採用することができ
る。
【０００９】図１において、ＯＦ幅の測定対象となる単
結晶インゴット２は、そのＯＦ面４を、センサー６に対
向する位置に固定する。このとき、該センサー６の光源
８よりＯＦ面４に投射されたレーザー光はＯＦ面４上で
乱反射され、その乱反射のうち、光位置検出器１０の光
軸に一致したものが測定される。この光源８からの光軸
と、光位置検出器１０により受光測定される光軸とがな
す角度を２等分する線とＯＦ面とのなす角度は、好まし
くは±１５度以内、より好ましくは±５度以内のずれで
あればよい。なお、単結晶インゴット２は、そのＯＦ面
４の長軸方向が、該センサー６の走査移動軸１１に対
し、あらかじめ直角となるように設置されたインゴット
保持治具（図示せず）により直角に固定される。
結晶インゴット２は、そのＯＦ面４を、センサー６に対
向する位置に固定する。このとき、該センサー６の光源
８よりＯＦ面４に投射されたレーザー光はＯＦ面４上で
乱反射され、その乱反射のうち、光位置検出器１０の光
軸に一致したものが測定される。この光源８からの光軸
と、光位置検出器１０により受光測定される光軸とがな
す角度を２等分する線とＯＦ面とのなす角度は、好まし
くは±１５度以内、より好ましくは±５度以内のずれで
あればよい。なお、単結晶インゴット２は、そのＯＦ面
４の長軸方向が、該センサー６の走査移動軸１１に対
し、あらかじめ直角となるように設置されたインゴット
保持治具（図示せず）により直角に固定される。
【００１０】
【作用】本発明によれば、光学的非接触変位測定装置を
用いて、単結晶インゴットのＯＦ面と該光学的非接触変
位測定装置のセンサーとの距離を測定しながらＯＦ面の
長軸方向に対し直角な方向に沿って該センサーを走査す
ることにより単結晶インゴットのＯＦ面側の断面形状を
測定することができる。この断面形状から単結晶インゴ
ットのＯＦ面と円周面の境界２点を検出し、該境界２点
とセンサーとの距離及びその差を求め、ピタゴラスの定
理によりＯＦ幅を算出するものである。
用いて、単結晶インゴットのＯＦ面と該光学的非接触変
位測定装置のセンサーとの距離を測定しながらＯＦ面の
長軸方向に対し直角な方向に沿って該センサーを走査す
ることにより単結晶インゴットのＯＦ面側の断面形状を
測定することができる。この断面形状から単結晶インゴ
ットのＯＦ面と円周面の境界２点を検出し、該境界２点
とセンサーとの距離及びその差を求め、ピタゴラスの定
理によりＯＦ幅を算出するものである。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１は、本発明方法の測定原理を示す概略図
である。
説明する。図１は、本発明方法の測定原理を示す概略図
である。
【００１２】図１において、符号２は単結晶インゴット
で、その一部にはＯＦ面４が形成されている。センサー
６は、該単結晶インゴット２のＯＦ面４に対向して設け
られ、かつ該単結晶インゴットの長軸に対して直角方向
をなす走査移動軸１１上に移動可能に設置されている。
１２は該走査移動軸１１に設けられた直線スケールであ
る。
で、その一部にはＯＦ面４が形成されている。センサー
６は、該単結晶インゴット２のＯＦ面４に対向して設け
られ、かつ該単結晶インゴットの長軸に対して直角方向
をなす走査移動軸１１上に移動可能に設置されている。
１２は該走査移動軸１１に設けられた直線スケールであ
る。
【００１３】前記センサー６は、光源８及び光位置検出
器１０を有している。該光源８から光、例えばレーザー
光を発射し、単結晶インゴット表面から反射する乱反射
光の一部を光位置検出器１０が検知することによって単
結晶インゴット表面の該センサー６からの距離を知るこ
とができる。従って、該センサー６を単結晶インゴット
に対向させつつ前記走査移動軸１１に沿って走査移動す
れば、単結晶インゴットの表面形状を簡単に検知するこ
とができるのである。
器１０を有している。該光源８から光、例えばレーザー
光を発射し、単結晶インゴット表面から反射する乱反射
光の一部を光位置検出器１０が検知することによって単
結晶インゴット表面の該センサー６からの距離を知るこ
とができる。従って、該センサー６を単結晶インゴット
に対向させつつ前記走査移動軸１１に沿って走査移動す
れば、単結晶インゴットの表面形状を簡単に検知するこ
とができるのである。
【００１４】また、該センサー６の、走査移動軸１１上
の移動距離は、前述のような機械的手段、又は直線スケ
ール１２を併置した電気的手段を用いることにより、計
測することができる。
の移動距離は、前述のような機械的手段、又は直線スケ
ール１２を併置した電気的手段を用いることにより、計
測することができる。
【００１５】上述したセンサー６を用いて、本発明の単
結晶インゴットのＯＦ幅測定方法を実施する手順につい
て図１及び図２に示したフローチャートに従って説明す
る。
結晶インゴットのＯＦ幅測定方法を実施する手順につい
て図１及び図２に示したフローチャートに従って説明す
る。
【００１６】まず、単結晶インゴットのＯＦ面と該セン
サー６とを対向させて設け（ステップ１００）、ＯＦ面
と円周面との第一境界点１３の外にある走査開始位置か
ら走査を開始する（ステップ１０１）。
サー６とを対向させて設け（ステップ１００）、ＯＦ面
と円周面との第一境界点１３の外にある走査開始位置か
ら走査を開始する（ステップ１０１）。
【００１７】該センサー６を走査せしめ、ＯＦ面の変位
データ及び該センサー６の走査距離のデータを対応させ
てサンプリングを行う（ステップ１０２）。サンプリン
グされたデータは図示しない計算装置に送られる。
データ及び該センサー６の走査距離のデータを対応させ
てサンプリングを行う（ステップ１０２）。サンプリン
グされたデータは図示しない計算装置に送られる。
【００１８】ＯＦ面と円周面との第二境界点１４の外に
ある走査終了位置まで該センサー６を走査させ、走査を
終了する（ステップ１０３）。
ある走査終了位置まで該センサー６を走査させ、走査を
終了する（ステップ１０３）。
【００１９】計算装置はあらかじめインプットされたプ
ログラムに従い、測定形状を算出し、ＯＦ面と円周面と
の第一境界点１３と第二境界点１４を、形状の変化より
自動的に検出する（ステップ１０４）。
ログラムに従い、測定形状を算出し、ＯＦ面と円周面と
の第一境界点１３と第二境界点１４を、形状の変化より
自動的に検出する（ステップ１０４）。
【００２０】第一境界点１３の検出位置から第二境界点
１４の検出位置までの該センサー６による走査距離Ａを
測定し、かつ該第一境界点１３と該センサー６との第一
距離ｌ1 及び該第二境界点１４と該センサー６との第二
距離ｌ2 をそれぞれ検出し（ステップ１０５）、Ｂ＝｜
ｌ1 −ｌ2 ｜を算出する（ステップ１０６）。
１４の検出位置までの該センサー６による走査距離Ａを
測定し、かつ該第一境界点１３と該センサー６との第一
距離ｌ1 及び該第二境界点１４と該センサー６との第二
距離ｌ2 をそれぞれ検出し（ステップ１０５）、Ｂ＝｜
ｌ1 −ｌ2 ｜を算出する（ステップ１０６）。
【００２１】図３は光学的非接触変位測定装置によって
測定した単結晶インゴットのＯＦ面の変位データを示す
グラフである。同図には、走査距離Ａ、ＯＦ面と円周面
との第一境界点１３とセンサーとの第一距離ｌ1 及び該
第二境界点１４とセンサーとの第二距離ｌ2 、及びＢ＝
｜ｌ1 −ｌ2 ｜が示されている。
測定した単結晶インゴットのＯＦ面の変位データを示す
グラフである。同図には、走査距離Ａ、ＯＦ面と円周面
との第一境界点１３とセンサーとの第一距離ｌ1 及び該
第二境界点１４とセンサーとの第二距離ｌ2 、及びＢ＝
｜ｌ1 −ｌ2 ｜が示されている。
【００２２】図３から明らかなように、走査距離Ａ及び
第一距離ｌ1 と第二距離ｌ2 との差Ｂは、それぞれ直角
三角形の底辺及び高さとなっているもので、ＯＦ幅Ｃを
求めるのにピタゴラスの定理の適用が可能である。従っ
て、下記式（１）によってＯＦ幅Ｃを算出することがで
きる（ステップ１０７）。
第一距離ｌ1 と第二距離ｌ2 との差Ｂは、それぞれ直角
三角形の底辺及び高さとなっているもので、ＯＦ幅Ｃを
求めるのにピタゴラスの定理の適用が可能である。従っ
て、下記式（１）によってＯＦ幅Ｃを算出することがで
きる（ステップ１０７）。
【００２３】
【数３】 Ｃ2 ＝Ａ2 ＋Ｂ2 ・・・・・・・・・・・・・・・（１）
【００２４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、光
学的非接触変位測定装置を用いて単結晶インゴットのＯ
Ｆ幅を測定するので、手動測定に要する手間や、それに
起因する測定誤差の発生を回避するとともに、測定する
際に単結晶インゴット面に接触することなく簡易かつ正
確に測定でき、自動化測定も可能となる。
学的非接触変位測定装置を用いて単結晶インゴットのＯ
Ｆ幅を測定するので、手動測定に要する手間や、それに
起因する測定誤差の発生を回避するとともに、測定する
際に単結晶インゴット面に接触することなく簡易かつ正
確に測定でき、自動化測定も可能となる。
【図１】本発明方法の測定原理を説明する図面である。
【図２】本発明方法の実施の手順を示すフローチャート
である。
である。
【図３】光学的非接触変位測定装置によって測定した単
結晶インゴットのＯＦ面の変位データを示すグラフで、
ＯＦ幅Ｃと走査距離Ａ及び第一距離ｌ1 と第二距離ｌ2
との差Ｂとの関係を示す。
結晶インゴットのＯＦ面の変位データを示すグラフで、
ＯＦ幅Ｃと走査距離Ａ及び第一距離ｌ1 と第二距離ｌ2
との差Ｂとの関係を示す。
２ 単結晶インゴット ４ ＯＦ面 ６ 光学的非接触変位測定装置のセンサー ８ 光源 １０ 光位置検出器 １１ 走査移動軸 １２ 直線スケール １３ 第一境界点 １４ 第二境界点 Ａ 走査距離 Ｂ 第一距離ｌ1 と第二距離ｌ2 との差 Ｃ ＯＦ幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 21/02 G01B 11/02 H01L 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶インゴットのオリエンテーション
フラット面を光学的非接触変位測定装置のセンサーに対
向させて固定し、該単結晶インゴットの長軸に対し、直
角な方向へ該センサーを走査移動せしめる手段と、該走
査移動した距離を計測する手段とを設け、オリエンテー
ションフラット面を含む円周面上と該センサーの距離を
検出しつつ、該センサーを走査移動せしめることによ
り、該単結晶インゴットの円周面とオリエンテーション
フラット面の境界点を測定変位より検出し、第一境界点
の検出位置から第二境界点の検出位置までの該センサー
による走査距離Ａを測定し、かつ該第一境界点と該セン
サーとの第一距離ｌ1 及び該第二境界点と該センサーと
の第二距離ｌ2 をそれぞれ検出してＢ＝｜ｌ1 −ｌ 2 ｜
を算出し、下記式（１）によってオリエンテーションフ
ラット幅Ｃを算出することを特徴とする単結晶インゴッ
トのオリエンテーションフラット幅測定方法。 【数１】 Ｃ2 ＝Ａ2 ＋Ｂ2 ・・・・・・・・・・・・・・・（１）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043488A JP2746511B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 |
| US08/203,570 US5402239A (en) | 1993-03-04 | 1994-03-01 | Method of measuring orientation flat width of single crystal ingot |
| DE69401017T DE69401017T2 (de) | 1993-03-04 | 1994-03-03 | Verfahren zum Messen der Breite der Orientierungsfläche eines Einkristalls |
| EP94103186A EP0614068B1 (en) | 1993-03-04 | 1994-03-03 | Method of measuring orientation flat width of single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043488A JP2746511B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258064A JPH06258064A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2746511B2 true JP2746511B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=12665109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043488A Expired - Lifetime JP2746511B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5402239A (ja) |
| EP (1) | EP0614068B1 (ja) |
| JP (1) | JP2746511B2 (ja) |
| DE (1) | DE69401017T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222798A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| KR20070069802A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 그를 이용한 기판파손방지방법 |
| CN103292711A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-11 | 国家电网公司 | 开关柜小车位移监测装置 |
| CN104165592A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-11-26 | 国家电网公司 | 开关柜小车位移监测方法 |
| CN103557825B (zh) * | 2013-11-15 | 2016-08-17 | 中南大学 | 大型锻造液压机动横梁三自由度位移随动测量平台方法 |
| DE112016003805T5 (de) * | 2015-08-21 | 2018-05-24 | Adcole Corporation | Optisches Profilometer und Verfahren zu seiner Verwendung |
| CN107655394A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-02-02 | 哈尔滨工业大学 | 非接触式磁场传感单元、测距系统、测距方法 |
| CN107655413A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-02-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种测距方法 |
| JP7544714B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2024-09-03 | トプシル、グローバルウェハース、アクティーゼルスカブ | マーキングスキャナー |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2551805A1 (de) * | 1975-11-14 | 1977-05-18 | Licentia Gmbh | Einrichtung zur beruehrungslosen fahrdrahtmessung bei elektrischen bahnen |
| US4300836A (en) * | 1979-10-22 | 1981-11-17 | Oregon Graduate Center For Study And Research | Electro-optical scanning system with self-adaptive scanning capability |
| JPS58190704A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Nec Kyushu Ltd | 線巾の測定方法 |
| US4483618A (en) * | 1982-05-24 | 1984-11-20 | Hamar M R | Laser measurement system, virtual detector probe and carriage yaw compensator |
| JPH01278019A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| GB2218513A (en) * | 1989-05-11 | 1989-11-15 | Ranks Hovis Mcdougall Plc | Measuring device |
| DE4104602C1 (ja) * | 1991-02-12 | 1992-06-04 | E.M.S. Technik Gmbh, 2950 Leer, De | |
| JPH04284642A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウエーハのｏｆ長さ測定装置 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP5043488A patent/JP2746511B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-01 US US08/203,570 patent/US5402239A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-03 EP EP94103186A patent/EP0614068B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-03 DE DE69401017T patent/DE69401017T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69401017T2 (de) | 1997-06-19 |
| JPH06258064A (ja) | 1994-09-16 |
| DE69401017D1 (de) | 1997-01-16 |
| EP0614068A1 (en) | 1994-09-07 |
| EP0614068B1 (en) | 1996-12-04 |
| US5402239A (en) | 1995-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2764103B2 (ja) | アナログ測定プローブの使用方法および位置決め装置 | |
| JP3511450B2 (ja) | 光学式測定装置の位置校正方法 | |
| JPS6013443B2 (ja) | 被測定物の高さ測定装置 | |
| JP2746511B2 (ja) | 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 | |
| JPS63292005A (ja) | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 | |
| KR0149741B1 (ko) | 위치좌표 측정방법 및 위치좌표 측정장치 | |
| JP2935211B2 (ja) | 螺旋溝測定装置 | |
| JP2568891B2 (ja) | 厚み測定方法に於けるゼロ点補正方法及びその装置 | |
| JPH0123041B2 (ja) | ||
| JPH0711407B2 (ja) | ガラスエッジ検出装置 | |
| JPH0854234A (ja) | 三次元座標位置計測方法 | |
| JP2005172810A (ja) | ３次元形状測定方法及び３次元形状測定装置 | |
| JPH0621767B2 (ja) | 曲面形状測定方法およびその装置 | |
| JP2603317B2 (ja) | レーザ距離計及びレーザ距離計を用いた厚さ計の校正方法 | |
| JPH01221605A (ja) | 厚み測定装置 | |
| JP3239682B2 (ja) | セグメント位置計測方法 | |
| JP2005308703A (ja) | 検出器のオフセット誤差校正法 | |
| JPH0271107A (ja) | 鋼管端部のプロフィルおよび肉厚測定装置 | |
| JPH04268433A (ja) | 非球面レンズ偏心測定装置 | |
| JPS6360324B2 (ja) | ||
| JPH01232203A (ja) | 管体の形状測定装置 | |
| JPH0723733Y2 (ja) | 結晶方位角測定装置 | |
| JPS62177409A (ja) | 非接触真直度測定器 | |
| JPH02272308A (ja) | 非接触式形状測定装置 | |
| JPH0781841B2 (ja) | 厚み測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |