JP2727121B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JP2727121B2
JP2727121B2 JP1170360A JP17036089A JP2727121B2 JP 2727121 B2 JP2727121 B2 JP 2727121B2 JP 1170360 A JP1170360 A JP 1170360A JP 17036089 A JP17036089 A JP 17036089A JP 2727121 B2 JP2727121 B2 JP 2727121B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプ
リンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レ
ーザ光及LEDに対して高感度を示す電子写真感光体に関
するものである。
〔従来技術〕
電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電物質を主成分とする
感光層を設けた無機感光体が広く使用されてきたが、こ
のような無機感光体は例えば、セレンは熱や指紋の汚れ
等によって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化
カドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛も又耐久
性に劣る等の問題があって、近年は種々の利点を有する
有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるよ
うになってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電
交換の量子効率が高く、又近赤外線領域まで高い分光感
度を示すため、特に半導体レーザ光源に適応する電子写
真感光体用として注目されてきた。
そのような目的に対して、銅フタロシアニン、無金属
フタロシアニン、クロルインジウムフタロシアニン、ク
ロルガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光
体が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニ
ンが注目されるようになり、例えば特開昭61−239248
号、同62−670943号、同62−272272号、同63−116158号
のようにチタニルフタロシアニンを用いた電子写真感光
体が多く技術開示されている。
一般に、フタロシアニン化合物は、フタロジニトリル
や1,3−ジイミノイソインドリンなどと金属化合物を反
応させて製造されるが、電子写真感光体用のチタニルフ
タロシアニンの製造においては、反応性の点で専ら四塩
化チタンが原料として用いられてきた。例えば、チタニ
ルフタロシアニンに構造の類似したバナジルフタロシア
ニンの製造においては塩化バナジルや、バナジルアセチ
ルアセトネイトなどが原料として使用可能であるが、チ
タニルフタロシアニンの製造においてはチタニルアセチ
ルアセトネイトを原料として用いると収率が著しく低下
し、純度もまた低下する。このため、電子写真感光体用
のチタニルフタロシアニンの製造法としては、上述の特
開昭61−239248号、同62−670943号、同62−272272号、
同63−116158号の他にも、特開昭61−171771号、同61−
109056号、同59−166959号、同62−256868号、同62−25
6866号、同62−256867号、同63−80263号、同62−28605
9号、同63−366号、同63−37163号、同62−134651号に
開示されているがこれらの全ての場合において四塩化チ
タンを用いた方法がとられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記のようなチタン塩化物を原料に用いた場合には、
フタロシアニン核の塩素化反応が伴われる。その上従来
の製造法においては180℃以上の高温度条件を必要とす
るために塩素化の副反応を促進する原因ともなってい
る。このため従来のチタニルフタロシアニンには、かな
りの量の塩素化チタニルフタロシアニンの含有は避けら
れず、又一旦混入した塩素化チタニルフタロシアニンは
無置換のチタニルフタロシアニンと物理的、化学的な特
性が類似しているため、再結晶では殆ど除去不能であ
り、また昇華精製によっても塩素化チタニルフタロシア
ニンの比率を僅かに減らすことはできても、精製のコス
トが高くつく、完全に塩素を除去するのは困難等の問題
がある。従って従来、電子写真感光体に用いられていた
チタニルフタロシアニンは塩素化合物を含んだものであ
った。例えば上述の公開公報に開示されたチタニルフタ
ロシアニンの製造例における塩素含有量の実測値を挙げ
ると表１のようになる。
このように従来のチタニルフタロシアニンにおいては
0.4wt％程度の塩素の含有は避けられないものであっ
た。塩素原子としての0.4wt％という値は、一塩素化チ
タニルフタロシアニン濃度に換算すると7.0wt％（6.6モ
ル％）の含有量に相当するものであり、不純物濃度とし
ては非常に高い値である。
一方、フタロシアニン化合物の電子写真特性は、その
結晶状態によって著しく異なり、チタニルフタロシアニ
ンにおいても特定の結晶型を有するときに優れた特性が
得られることが知られている。このように構造敏感な性
質を持つ電子写真材料において、不純物の存在は構造的
な欠陥部位を導入することになり、特定の結晶型の持つ
優れた電子写真特性を損わせる原因となるものである。
そのような点に関して、我々は高純度のチタニルフタ
ロシアニンを得るべく鋭意検討を行った結果、塩素化反
応を伴わない製造法を適用することに成功し、そうして
得られた塩素含有量の少ないチタニルフタロシアニンを
特定の結晶構造にすることによって、優れた電子写真感
光体を作成することができたものである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さ
く、又繰返し使用においても電位特性が安定し、特に電
位保持能に優れ、帯電電位の安定した電子写真感光体を
提供することにある。
本発明の他の目的は半導体レーザ等の長波長光源に対
しても十分な感度を有する電子写真感光体を提供するこ
とにある。
〔発明の構成及び作用効果〕
本発明の上記の目的は、Cu−Ｋα線に対するＸ線回折
スペクトルが、ブラッグ角２θの9.5゜±0.2゜、24,1゜
±0.2゜、27.2゜±0.2゜にピークを示す結晶型を有し、
かつ塩素の含有量が0.2wt％以下、好ましくは0.1wt％以
下のチタニルフタロシアニンを感光層中に含有させるこ
とによって達成することができる。
Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定され、前記ピー
クとは、ノイズと明瞭に異なった鋭角の突出部のことで
ある。
Ｘ線管球 Cu 電 圧 40.0 KV 電 流 100 mA スタート角度 6.0 deg. ストップ角度 35.0 deg. ステップ角度 0.02 deg. 測定時間 0.50 sec. 塩素含有量は通常の元素分析測定によっても決定され
るが、三菱化成社製塩素・硫黄分析装置「TSX−10」を
用いた元素分析によって決定することもできる。
本発明において最も望ましい塩素含有量としては、こ
れらの測定方法におて、検出限界以下となるものであ
る。
塩素含有の少いチタニルフタロシアニンを得る方法と
して通常の四塩化チタンを使用してえたチタニルフタロ
シアニンを昇華精製することが考えられる。しかしこの
方法は効率が悪くコスト高であり、また完全に塩素を除
去することは困難である。そこで直接に下記一般式
〔Ｉ〕で表されるチタン化合物を用いることによって、
塩素化を伴わずに、高純度で製造することが好ましい。
式中、X1、X2、X3、X4は−OR1、−Ｓ R2、−OSO2R3 を表す。
ここで、R1〜R5は水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アリール基、アラルキル基、アシール基、アリロイ
ル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基を有
してもよい。又X1〜X4は任意の組合せによって結合し、
環を形成してもよい。
Ｙは、配位子を表し、ｎは０、１、２を表す。なかで
も特にX1〜X4が−OR1であるものは、反応性や、取扱い
易さ、価格などの点で、望ましいものとして挙げること
ができる。
製造方法としては種々の反応形式が可能であるが、代
表的な方法として、次の反応式で表される方法が用いら
れる。
式中R1〜R16は、水素原子もしくは置換基を表す。
本発明におけるこのような製造方法においては活性な
塩素の攻撃を受けることがないので、フタロシアニン核
の塩素化を完全に回避することができる。又従来の四塩
化チタンを用いる方法に比べて反応性が高く、より穏や
かな環境下で反応を進行させることができるため製造条
件にとって有利であるばかりでなく、副反応を防止し不
純物を最小に抑えることができるものである。
本反応において有用なチタン化合物の具体例を次に示
す。
（１） （C4H9O）4Ti （２） （ｉ−C3H7O）4Ti （３） （C2H5O）4Ti （４） （ｉ−C4H9O）4Ti （５） （C18H37O）4Ti （６） （C3H7O）4Ti （７） （ｉ−C3H7O）2Ti（CH3COCHCOCH3）２ 反応の溶媒としては種々のものを用いることが可能で
ある。例えばジオキサン、シクロヘキサン、スルホラ
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、メチルペンタノン等の脂肪族溶
媒、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ブロムベンゼ
ン、ニトロベンゼン、クロルナフタレン、テトラリン、
ピリジン、キノリン等の芳香族溶媒などが代表的なもの
として挙げられるが、高純度の生成物を得るためには、
チタニルフタロシアニンに対してある程度の溶解性を持
つものが望ましい。
反応温度は、チタンカップリング剤の種類によって異
なるが、だいたい100〜180℃で行うことができる。この
点でも従来の反応が180〜240℃という高温を必要として
いたのに対して、副反応防止という観点から有利であ
る。
こうして得られた高純度のチタニルフタロシアニンは
適当な溶媒で処理することによって、目的の結晶型を得
ることができる。処理に用いられる装置としては一般的
な撹拌装置の他に、ホモミキサー、デイスパーザ、アジ
ター、或いはボールミル、サンドミル、アトライタ等を
挙げることができる。
本発明の電子写真感光体において、上記のチタニルフ
タロシアニンはキャリア発生物質として用いられるが、
その他に、他のキャリア発生物質を併用してもよい。そ
のようなキャリア発生物質としては本発明とは結晶型に
おいて異なるチタニルフタロシアニンをはじめ、他のフ
タロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料、ペ
リレン顔料、多環キノン顔料、スクエアリウム顔料等が
挙げられる。
本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、
種々のものが使用できるが、代表的なものとしては例え
ば、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チ
アジアゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素
環核及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールア
ルカン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合
物、スチリルトリフエニルアミン系化合物、β−フエニ
ルスチリルトリフエニルアミン系化合物、ブタジエン系
化合物、ヘキサトリエン系化合物、カルバゾール系化合
物、縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャリ
ア輸送物質の具体例としては、例えば特開昭61−107356
号に記載のキャリア輸送物質を挙げることができるが、
特に代表的なものの構造を次に示す。
感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の
感光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層型
もしくは分散型の機能分離型感光体とするのが望まし
い。この場合、通常は第１図から第６図のような構成と
なる。第１図に示す層構成は、導電性支持体１上にキャ
リア発生層２を形成し、これにキャリア輸送層３を積層
して感光層４を形成したものであり、第２図はこれらの
キャリア発生層２とキャリア輸送層３を逆にした感光層
４′を形成したものである。第３図は第１図の層構成の
感光層４と導電性支持体１の間に中間層５を設け、第４
図は第２図の層構成の感光層４′と導電性支持体１との
間に中間層５を設けたものである。第５図の層構成はキ
ャリア発生物質６とキャリア輸送物質７を含有する感光
層４″を形成したものであり、第６図はこのような感光
層４″と導電性支持体１との間に中間層５を設けたもの
である。
第１図〜第６図の構成において、最表層には、更に、
保護層を設けることができる。
感光層の形成においては、キャリア発生物質或はキャ
リア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤とと
もに溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しか
し又、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、そ
のような場合キャリア発生物質を超音波分散機、ボール
ミル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装置を用いて
適当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方法が
有効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液中に
添加して用いられるのが通常である。
感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広
く任意のものを用いることができる。例えば、ブチルア
ミン、エチレンジアミン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢
酸ブチル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、エチ
レングリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレ
ン、アセトフエノン、クロロホルム、ジクロルメタン、
ジクロルエタン、トリクロルエタン、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。
キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の形成にバイ
ンダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶ
ことができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有
する高分子重合体が望ましい。このような重合体として
は例えば次のものを挙げることができるが、これらに限
定されるものではない。
ポリカーボネート、ポリカーボネートＺ樹脂、アクリ
ル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン共重合
体、ポリ酢酸ニル、ポリビニルホルマール、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルカルバ
ゾール、スチレン−アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、
シリコーン−アルキッド樹脂、ポリエステル、フェノー
ル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体 バインダに対するキャリア発生物質の割合は10〜600w
t％が望ましく、更には50〜400wt％が好ましい。バイン
ダに対するキャリア輸送物質の割合は10〜500wt％とす
るのが望ましい。キャリア発生層の厚さは、0.01〜20μ
ｍとされるが、更には0.05〜５μｍが好ましい。キャリ
ア輸送層の厚みは１〜100μｍであるが、更には５〜30
μｍが好ましい。
上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは
反復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質
を含有させることができる。このような電子受容性物質
としては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロ
ム無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル
酸、テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル
酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無
水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベン
ゼン、1,3,5−トリニトロベンゼン、ｐ−ニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブロマニル、ジクロルジシアノ−ｐ−ベン
ゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、
９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニトロ−
９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン酸、
ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、3,5−ジニ
トロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサ
リチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリ
ット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げるこ
とができる。電子受容性物質の添加割合はキャリア発生
物質の重量100に対して0.01〜200wt/wtが望ましく、更
には0.1〜100wt/wtが好ましい。
又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性
を向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止
剤を含有させることができる。そのような目的に用いら
れる化合物としては例えば、トコロフエロール等のクロ
マノール誘導体及びそのエーテル化化合物もしくはエス
テル化化合物、ポリアリールアルカン化合物、ハイドロ
キノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベ
ンゾフエノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオ
エーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステ
ル、フエニレンジアミン誘導体、フエノール化合物、ヒ
ンダードフエノール化合物、直鎖アミン化合物、環状ア
ミン化合物、ヒンダ−ドアミン化合物、などが有効であ
る。特に有効な化合物の具体例としては、「IRGANOX 10
10」，「1RGANOX565」（チバ・ガイギー社製），「スミ
ライザーBHT」，「スミライザーMDP」（住友化学工業社
製）等のヒンダードフェノール化合物、「サノールLS−
2626」，「サノールLS−622LD」（三共社製）等のヒン
ダードアミン化合物が挙げられる。
中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上
記のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたもの
を用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ビニル−メタ
クリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ポリビニルアル
コール、セルロース誘導体等が有効である。又、メラミ
ン、エポキシ、イソシアネート等の熱硬化或いは化学的
硬化を利用した硬化型のバインダを用いることができ
る。
導電性支持体としては、金属板、金属ドラムが用いら
れる他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性化
合物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の薄
層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラス
チックフィルムなどの基体の上に設けたものを用いるこ
とができる。
本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の
実施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰
返し特性に優れたものである。
〔実施例〕
次に本発明における具体的な実施例を示す。
合成例１ 1,3−ジイミノイソインドリン;29.2gとスルホラン;20
0mlを混合し、チタニウムテトライソプロポキシド;17.0
gを加え、窒素雰囲気下に140℃で２時間反応させた。放
冷した後析出物を濾取し、クロロホルムで洗浄、２％−
塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタノール洗浄して、乾燥の
後25.5g（88.8％）のチタニルフタロシアニンを得た。
元素分析法において塩素は検出限界以下であった。
生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の水にあ
けて析出させて、濾取した後ウェットケーキをｏ−ジク
ロルベンゼンで処理して第７図に示すＸ線回折スペクト
ルをもつ結晶型とした。
合成例２ 1,3−ジイミノイソインドリン;29.2gとα−クロルナ
フタレン;200mlを混合し、チタニウムテトラブトキシ
ド;20.4gを加えて窒素雰囲気下に140〜150℃で２時間加
熱し、続いて180℃で３時間反応させた。放冷した後析
出物を濾取し、α−クロルナフタレンで洗浄、次いでク
ロロホルムで洗浄し、更に２％−塩酸水溶液で洗浄、水
洗、最後にメタノール洗浄して、乾燥の後26.2g（91.0
％）のチタニルフタロシアニンを得た。元素分析におけ
る塩素含有量の値は0.08wt％であった。
生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の水にあ
けて析出させて、濾取した後にウェットケーキを1,2−
ジクロルエタンで処理して第８図に示すＸ線回折スペク
トルをもつ結晶型とした。
合成例３ 合成例１で得たチタニルフタロシアニン;1.2gと後述
の比較合成例１で得たチタニルフタロシアニン;0.8gを4
0gの濃硫酸に溶かし、400gの水にあけて析出させて濾取
し、ウェットケーキを1,2−ジクロルエタンで処理し
て、塩素含有量0.19wt％の本発明のチタニルフタロシア
ニンを得た。
比較合成例（１） フタロジニトリル;25.6gとα−クロルナフタレン;150
mlの混合物中に窒素気流下で6.5mlの四塩化チタンを滴
下し、200〜220℃の温度で５時間反応させた。析出物を
濾取し、α−クロルナフタレンで洗浄した後、クロロホ
ルムで洗浄し、続いてメタノールで洗浄した。次いでア
ンモニア水中で還流して加水分解を完結させた後、水
洗、メタノール洗浄し乾燥の後、チタニルフタロシアニ
ン;21.8g（75.6％）を得た。元素分析による塩素の含有
量は0.46wt％であった。
生成物は10倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の水にあ
けて析出させて、濾取した後にウェットケーキを1,2−
ジクロルエタンで処理して第９図に示すＸ線回折スペク
トルをもつ結晶型とした。
比較合成例（２） 合成例１で得たチタニルフタロシアニン;0.6gと比較
合成例（１）で得たチタニルフタロシアニン;1.4gを40g
の濃硫酸に溶かし、400gの水にあけて析出させて濾取
し、ウェットケーキを1,2−ジクロエタンで処理して、
第10図に示すＸ線回折スペクトルをもつ結晶型とした。
この場合の元素分析による塩素含有量は0.31wt％であっ
た。
比較合成例（３） フタロジニトリル;25.6gに代えて、フタロジニトリ
ル;24.7gと４−クロルフタロジニトリル;1.0gの混合物
を用いた他は比較合成例１と同様にして、塩素含有量1.
14wt％の比較用のチタニルフタロシアニンを得た。
比較合成例（４） フタロジニトリル;65gとα−クロルナフタレン;500ml
の混合物中に窒素気流下で14.0mlの四塩化チタンを滴下
し、昇温させて200〜220℃で４時間反応させた。放冷後
130℃で濾過し、α−クロルナフタレンで洗浄した後、
クロロホルム、メタノールで洗った。ついで、アンモニ
ア水中で70〜80℃で５時間加水分解を行ない、濾過して
水洗、ついでメタノールで洗浄してチタニルフタロシア
ニン;45.2gを得た収率62.3％。元素分析の結果、このも
のの塩素含有量は0.42wt％であった。このうち8.0gを昇
華精製（420℃,3×10-4Torr）として、2.3gを得た。昇
華後の塩素含有量は0.33wt％であった。昇華品2.0g（塩
素含有量0.33wt％）を硫酸20mlにとかし、溶解し、400m
lの水にあけて析出させ、濾取した後、ウェットケーキ
を1,2−ジクロルエタンで処理して第11図に示すＸ線回
折スペクトルをもつ結晶型とした。
実施例１ 合成例１において得られた第７図のＸ線回折パターン
を有するチタニルフタロシアニン;1部、バインダ樹脂と
してシリコーン変形樹脂、「KR−5240」（信越化学社
製）1.5部、分散媒としてイソプロパノール;100部をサ
ンドミルを用いて分散し、これをアルミニウムを蒸着し
たポリエステルベース上にワイヤバーを用いて塗布し
て、膜厚0.2μｍのキャリア発生層を形成した、次い
で、キャリア輸送物質Ｔ−1;1部とポリカーボネート樹
脂「ユーピロン Z200」（三菱瓦斯化学社製）;1.3部、
及び添加剤として、「サノール LS−2626」（三共社
製）0.03部、微量のシリコーンオイル「KF−54」（信越
化学社製）を、1,2−ジクロルエタン;10部に溶解した液
をブレード塗布機を用いて塗布し乾燥した後、膜厚20μ
ｍのキャリア輸送層を形成した。このようにして得られ
た感光体をサンプル１とする。
実施例２ 合成例２で得た第８図のチタニルフタロシアニン;1
部、バインダ樹脂としてポリビニルブチラール「XYHL」
（ユニオン・カーバイド社製）;1部、分散媒としてメチ
ルエチルケトン;100部を超音波分散装置を用いて分散し
た。一方、アルミニウムを蒸着したポリエステルベース
上にポリアミド樹脂「CM8000」（東レ社製）からなる厚
さ0.2μｍの中間層を設け、その上に、先に得られた分
散液を浸漬塗布法によって塗布して、膜厚0.3μｍのキ
ャリア発生層を形成した。次いでキャリア輸送物質Ｔ−
2;1部とポリカーボネート樹脂「パンライト Ｋ−130
0」（帝人化成社製）;1.3部及び微量のシリコーンオイ
ル「KF−54）（信越化学社製）を1,2−ジクロエタン;10
部に溶解した液を浸漬塗布法によって塗布して、乾燥の
後、膜厚22μｍのキャリア輸送層を形成した。
このようにして得られた感光体をサンプル２とする。
実施例３ 実施例２における、第８図のチタニルフタロシアニン
を合成例３で得たチタニルフタロシアニンに代えた他は
実施例２と同様にして感光体を作成した。これをサンプ
ル３とする。
比較例（１） 実施例２における、第８図のチタニルフタロシアニン
を比較合成例（１）で得た、第９図のＸ線回折パターン
を持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施
例１と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サ
ンプル（１）とする。
比較例（２） 実施例２における、第８図のチタニルフタロシアニン
を比較合成例（２）で得た、第10図のＸ線回折パターン
を持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施
例２と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サ
ンプル（２）とする。
比較例（３） 実施例２における、第８図のチタニルフタロシアニン
を比較合成例（３）で得た、比較例のチタニルフタロシ
アニンに代えた他は実施例２と同様にして比較用の感光
体を得た。これを比較サンプル（３）とする。
比較例（４） 実施例２における第８図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（４）で得た第11図のチタニルフタロシアニ
ンに代えた他は実施例２と同様にして感光体を得た。こ
れを比較サンプル（４）とする。
（評価１） 以上のようにして得られたサンプルは、ペーパアナラ
イザEPA−8100（川口電気社製）を用いて、以下のよう
な評価を行った。まず、−80μＡの条件で５秒間のコロ
ナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Va及び５秒間放置後
の表面電位Viを求め、続いて表面照度が２（l ux）とな
るような露光を行い、表面電位を1/2Viとするのに必要
な露光量E1/2を求めた。又Ｄ＝100（Va−Vi）/Va（％）
の式より暗減衰率Ｄを求めた。結果は表１に示した。塩
素含有量の低下により特に電位保持能に優れた特性が得
られる。
特に本発明の一般式〔Ｉ〕で表される化合物を使用し
て合成した場合、感光体サンプル1,サンプル２から明ら
かなように暗減衰率が小さい。
（評価２） 得られたサンプルはまた、プリンタLP−3010（コニカ
社製）に半導体レーザ光源を装着した改造機を用いて評
価した。未露光部電位VH、露光部電位VLを求め、更に１
万回の繰返しにおけるVHの低下量△VHを求めた。結果は
表２に示した。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第６図は本発明の感光体の層構成の具体例を示
した各断面である。 第７図及び第８図は合成例１及び２でえられる本発明に
係るチタニルフタロシアニンのＸ線回折図、第９図乃至
第11図は比較合成例（１），（２）及び（４）において
得られるチタニルフタロシアニンのＸ線回折図である。 １……導電性支持体、２……キャリア発生層 ３……キャリア輸送層、4,4′４″……感光層 ５……中間層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−218768（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−272272（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−49544（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−8256（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11358（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−10258（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Cu−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトル
    が、ブラッグ角２θの9.5゜±0.2゜、24,1゜±0.2゜、2
    7.2゜±0.2゜にピークを持つ結晶型において、塩素含有
    量が0.2重量％以下のチタニルフタロシアニンを含有し
    てなる電子写真感光体。
  2. 【請求項２】前記チタニルフタロシアニンが、下記一般
    式〔Ｉ〕で表されるチタン化合物を用いる方法によって
    製造された請求項１に記載の電子写真感光体。 〔式中、X1、X2、X3、X4は−OR1、−SR2、−OSO2R3 を表す。 ここでR1〜R5は、水素原子、アルキル基、アルケニル
    基、アリール基、アラキル基、アシール基、アリロイル
    基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基を有し
    ていてもよい。又、X1〜X4は任意の組合わせによって結
    合し、環を結成してもよい。Ｙは配位子を表し、ｎは
    ０、１、２を表す。〕
  3. 【請求項３】前記チタニルフタロシアニンがキャリア発
    生物質として用いられる請求項１又は２のいづれかに記
    載の電子写真感光体。
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