JP2720780B2 - 反射電極板の製造方法 - Google Patents
反射電極板の製造方法Info
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Description
他方を反射電極を内側に有する絶縁性基板で液晶層を挟
んだ構造の液晶表示パネルに用いる反射電極板の製造方
法に関する。
のフラットパネルディスプレイとして液晶ディスプレイ
が注目されている。その中でもバックライトを必要とし
ない反射型液晶ディスプレイはバックライトで消費され
る電力が必要ないことから、低消費電力型のディスプレ
イとして、電池駆動の携帯型情報機器のディスプレイと
しての応用が考えられ、各機関で活発に開発が行われて
いる。
素を液晶内に混入させたGH(Guest−Host)
液晶ディスプレイは偏光板を必要としないため、偏光板
での光の吸収がないため明るいディスプレイを作ること
ができる。また、偏光板が必要ないことから反射電極板
をパネルの内側に作成できることから、表示させた文字
の像が反射電極板から浮いた表示にならないという利点
がある。この反射電極板は写り込みのない明るい反射特
性を得るために表面に凹凸を設ける必要があり、平坦な
ガラス基板の上に適当な材料の絶縁膜を形成し、通常の
フォトリソ及びエッチング工程により凹凸を形成し、そ
の上に金属膜を形成することにより凹凸を作成してい
る。このような反射電極板の製造技術は、例えば、木村
直史、三ッ井精一、島田康憲、山本邦彦、神崎修一、森
本弘、松浦昌孝、「反射型カラーLCDの開発」、シャ
ープ技報、第56号、1993年6月に開示されてい
る。
す。図2では基板上に絶縁膜を形成したところ以後から
の凹凸形状を形成する工程を示す。工程は通常の半導体
プロセスと同様のフォトリソ工程とエッチング工程から
なる。図4に大まかに工程を分離しても5工程有り、さ
らにこの他にレジスト塗布後の焼成、現像後の焼成の工
程を含めると図2中のレジスト塗布からレジスト剥離の
工程で約2時間から3時間必要とする。したがって、全
工程では4時間〜5時間程度かかる。さらに、凹凸の断
面形状はエッチング条件でサイドエッチの量を調節する
ことにより若干変えることは可能であるが、自由に断面
形状の平均傾斜角度を制御することは不可能である。
一方を透明絶縁性基板、他方を反射電極を内側に有する
絶縁性基板で液晶層を挟んだ構造の液晶表示パネルに用
いる反射電極板は平坦な絶縁基板上に薄膜を形成し、そ
の薄膜をフォトリソ及びエッチング工程により凹凸を形
成し、その上に金属電極を形成しているが、フォトリソ
及びエッチングは工程数が多く、時間及びコストがかか
るという欠点がある。また、凹凸の形状を自由に形成す
ることが困難であり、設計通りの反射特性を有する反射
電極板を作成できないという問題点がある。
法で、しかも凹凸の形状を自由に形成することができる
反射電極板の製造方法を提供することにある。
に凹凸表面形状を有する有機系絶縁膜を形成し、前記有
機系絶縁膜上に表面が凹凸を有する反射電極を形成する
反射電極板の製造方法において、前記有機系絶縁膜の材
料となる有機材料を霧状にして前記基板上に吹き付ける
ことにより、前記有機系絶縁膜の凹凸表面形状を形成す
ることを特徴とする。
り、加熱用ホットプレート上に基板をのせ、加熱状態に
しておく。この状態で加熱用ホットプレートの上方に設
けられた吹き付け用ノズルから、溶媒で適当な濃度に調
節された有機系絶縁膜の材料となる有機剤を適当な大き
さの霧状の粒子にして基板上に噴霧する。基板がホット
プレートで加熱されているため、基板上に吸着した粒子
はある程度の粒形を保ちながら基板上に付着し硬化す
る。この後、オーブンで本焼成を行い、これにより平坦
な基板上に凹凸を形成することができる。
板をホットプレートにのせ有機剤を噴霧するだけで凹凸
が作成可能であり、金属膜を成膜する工程も含めて1時
間〜2時間で反射電極板を作成することができる。
付ける有機剤の量、粒子の大きさ、濃度、及び吹き付け
用ノズルとホットプレートの高さ、吹き付け速度を調節
することにより凹凸の形状を自由に制御することができ
る。
て詳細に説明する。
の説明図である。
ラス基板などの絶縁性の基板1をのせ、80度〜150
度に加熱しておく。一方、有機系絶縁膜の材料となる有
機剤のポリイミドを溶媒であるN−メチル−2−ピロリ
ジノンで1:0.5〜1:5程度に希釈したものを、加
熱用ホットプレートの上方に設置してある吹き付け用ノ
ズル3から噴霧する。ノズルから吹き出した有機剤は霧
状有機材料4となり、基板状に付着する。付着した霧状
有機材料4の粒子は基板上に広がろうとするが、加熱に
より適度な粒形を保ちながら硬化する。この後、基板1
をオーブンに入れ200度〜250度で本焼成を行う。
これにより所望の凹凸形状を平坦なガラス基板上に作成
することができる。さらに、凹凸形状を有する面にアル
ミ等をスパッタ法により300nm〜500nm程度成
膜することにより、所望の凹凸形状の反射電極板を作成
することができる。このようにして単純なプロセスのみ
で、全工程を1時間〜2時間で行うことができる。ま
た、ホットプレートの加熱温度、吹き付ける有機剤の
量、粒子の大きさ、濃度、及び吹き付け用ノズルとホッ
トプレートの高さ、吹き付け速度を調節することにより
凹凸の形状を自由に制御することができる。
r(2P樹脂)、溶媒としてシンナーを使用し、オーブ
ンで本焼成をする代わりに紫外線を照射して硬化させる
こと以外は、実施例1と同様に作成する方法である。
けで、短時間に、自由に所望の凹凸形状を有する反射電
極板を製造することができる。
法を示した図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 平坦な基板上に凹凸表面形状を有する有
機系絶縁膜を形成し、前記有機系絶縁膜上に表面が凹凸
を有する反射電極を形成する反射電極板の製造方法にお
いて、前記有機系絶縁膜の材料となる有機材料を霧状に
して前記基板上に吹き付けることにより、前記有機系絶
縁膜の凹凸表面形状を形成することを特徴とする反射電
極板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5334132A JP2720780B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射電極板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5334132A JP2720780B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射電極板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07199167A JPH07199167A (ja) | 1995-08-04 |
JP2720780B2 true JP2720780B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=18273887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5334132A Expired - Lifetime JP2720780B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射電極板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2720780B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4531164B2 (ja) * | 1999-08-23 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100928918B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2009-11-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63243916A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示セル |
JP3167716B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2001-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334132A patent/JP2720780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07199167A (ja) | 1995-08-04 |
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