KR100928918B1 - 액정 표시 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 소자는 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과; 상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트 전극, 소스 전극, 그리고 드레인 전극을 가진 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 및 화소영역에 형성된 보호막과; 상기 화소영역의 보호막 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 반사전극과; 상기 반사전극 상부에 적어도 한층 이상의 나노 입자들로 형성된 요철층으로 이루어진다.

Description

액정 표시 소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시소자를 도시한 예시 단면도.
도 2a내지 2f는 종래 반사판의 제조방법을 도시한 공정 수순도.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 소자를 도시한 도면.
도 4는 도 3에 있어서 반사판 영역을 확대 도시한 확대도면.
도 5는 도 4에 있어서 요철을 확대 도시한 확대도면.
도 6a 내지 도 6b는 요철에 입사되는 빛과 반사되는 빛을 시뮬레이션을 통하여 모식화한 도면.
도 7은 반사판의 형태에 따른 반사각과 반사특성을 나타내는 그래프.
도 8은 미러 반사판의 반사특성을 도시한 도면.
도 9는 종래 요철 반사판에 대하여 빛의 입사와 반사 각도별 반사특성을 도시한 도면.
도 10은 본 발명에 반사판에 대하여 빛의 입사와 반사 각도별 반사특성을 도시한 도면.
도 11a 내지 11e를 통하여 도 4와 같은 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 박막 트랜지스터 및 반사판의 공정 단면도
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
210: 기판 220: 게이트 전극
230: 게이트 절연막 240: 액티브층
250: 보호막 270: 반사전극
280: 요철층 280a: 반사판
본 발명은 액정 표시소자에 관한 것으로, 특히 고반사효율을 갖는 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 통신 인프라의 확충에 의해, 컴퓨터 네트워크의 이용이 급속하게 확대하며, 필요한 정보를 언제든지, 어디에서도, 누구라도 이용할 수 있는 환경이 조성되어 왔다. 이에 이동성이 요구되는 개인용 정보통신기기, 웹(web) 단말기, 및 휴대용 단말기 등과 같은 정보통신기기 시장이 폭발적으로 증가함에 따라 무게가 가볍고 소비 전력이 작은 디스플레이에 대한 수요가 늘어나고 있다. 그리고, 종래와는 달리 숫자나 정해진 이미지의 온(on)/오프(off)만 수행하는 수준을 넘어서 정지 화상을 포함하는 다양한 정보를 표현할 수 있는 표시소자를 요구하고 있다. 이와 같은 요청에 있어서, 칼라 화상 표시가 가능한 모빌 기기에 대한 수요가 급속하게 확대하고 있다. 모빌 기기에 요구되는 특징은 가능한 한 박형, 경량, 저 소비 전력으로 장시간 사용이 가능한 것에 있다.
액정 표시소자는 가볍고 박형이며 소비 전력이 적기 때문에 이와 같은 휴대용 정보통신기기에 많이 적용되고 있으나, 일반적인 투과형 액정 표시소자는 백라이트 소자가 필요로 하기 때문에 이를 휴대용 정보기기 등의 표시소자로 사용될 경우 백라이트의 소비 전력으로 휴대용 기기의 일회 충전 후 사용 시간이 단축될 뿐만 아니라 백라이트의 무게, 두께 등으로 인해 휴대성이 떨어지는 문제점이 있다. 이러한 문제점들을 극복하기 위해 근래 제시된 것이 반사형 액정 표시소자이다.
반사형 액정 표시소자는 주변광을 광원으로 사용하므로 전력 소모의 약 70% 이상을 차지하는 백라이트에 의한 전력 소모가 없고 백라이트에 의한 두께 및 무게 증가가 없다. 따라서, 매우 적은 전력으로 우수한 표시 품위를 가지는 정보 표시소자를 실현할 수 있다. 또 모빌 기기에서는 그 성격상, 옥외에서의 사용 적응성이 중요하게 되지만, 종래의 투과형 LCD에서는 밝은 외부 환경 하에서 패널 표면의 반사에 의해 색대비가 저하되는 시인성에 문제가 있는 반면에, 반사형 LCD에서는 오히려 더욱 선명하게 보이는 특징이 있다.
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시소자를 도시한 예시 단면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 종래 반사형 액정 표시소자는 블랙매트릭스(11), 칼라필터(13), 오버코트막(15), 그리고 공통전극(17)이 형성된 상부기판(10)과 반사전극(27)이 형성된 하부기판(20)과 그 사이에 충진된 액정층(30)으로 구성되며, 도면에 도시하진 않았지만, 하부기판(30)에 형성되는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 복수의 화소영역으로 나뉘며, 각 화소영역마다 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 하나씩 배치된다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(22), 오믹접촉층(24a)과 반도체층(24b)으로 이루어진 액티브층(24), 소스/드레인 전극(26a/26b)으로 구성되어 있으며, 게이트 전극(22)과 액트브층(24)과의 절연을 위하여 형성된 게이트 절연막(23)과 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(25)이 추가로 형성되어 있다. 상기 반사전극(27)은 각 화소영역 마다 하나씩 형성되며 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극(26b)과 연결된다.
반사전극(27)은 인가된 화소데이터전압에 따라 상부기판의 공통전극(17)과 함께 액정층(30)에 전기장을 인가하여 액정분자의 배열을 조절하는 화소전극(pixel electrode) 역할을 하며, 동시에 상부기판과 액정층을 통해 입사한 빛을 사용자의 시야방향으로 반사하는 반사막(mirror)의 역할을 한다. 그러나, 반사전극의 표면이 평탄하면 특정방향의 외부광으로부터 입사한 빛은 상기 특정방향으로 반사되어 사용자가 반사되는 빛을 볼 수 있는 시야각 범위가 좁아지게 된다. 따라서, 시야각을 넓히기 위해서 상부기판에 광산란수단을 설치하는등 여러 가지 발상이 시도되고 있지만, 현재 할 수도 있지만, 주로 이용되는 방법은 반사전극의 표면을 요철모양으로 형성하는 것이다.
도 2a내지 2f를 참조하여 종래 요철모양을 가지는 반사전극의 형성방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(31) 위에 감광성수지막(33)을 형성한후, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 감광성수지막(33)을 마스크(35)로 차단하고 감광수지막(33)의 전면에 자외선(화살표)을 조사한다.
그 후, 도 2c에 도시한 바와 같이, 감광성수지막(33)을 현상액에 용해시켜 기판(31) 위에 사각 패턴(37a)을 형성하며, 이어서, 도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 사각 패턴(37a)에 열처리를 실시하여 표면이 돔형 패턴(37)을 가지도록 형성한다.
그 후, 도 2e에 도시한 바와 같이, 돔형을 가지는 감광성수지 패턴(37) 및 기판(31)의 상부전면에 스핀코팅을 이용하여 오버코팅막(39)을 형성해서 연속된 요철 표면을 갖게 한다. 마지막으로, 도 2f에 도시한 바와 같이, 불투명한 금속을 스퍼터링(sputtering)법으로 적층하여 금속막(38)을 형성한다. 상기와 같은 방법에 의해 형성된 요철모양인 금속막은 입사되는 광을 여러각으로 산란시키는 역할을 하여 반사효율 및 시야각을 향상시킨다.
그러나, 상기 요철의 형성 공정 및 패턴의 설계가 매우 까다롭고, 요철형성에 따른 추가 공정 즉, 포토레지스트 도포, 현상(develop), 식각, 스트립(strip)등을 포함하는 패터닝 공정으로 인하여 공정 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
또한, 상기와 같이 포토리소그래피 방법을 통하여 형성된 요철 패턴 공정 특성상 10㎛ 이하로 형성할 수가 없는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 나노 크기를 가지는 입자들을 사용하여 요철층으로 형성함으로써, 외부에서 입사되는 빛을 여러각도로 반사시켜 반사효율 및 시야각이 향상된 액정 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 코팅 및 페인팅 방법을 통하여 나노 크기를 가지는 요철층을 형성함으로써, 요철패턴 형성을 위한 추가공정을 생략하여 비용을 절감시 키고, 생산성을 향상시킬 수 있는 액정 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 소자는 칼리필터 및 공통전극이 형성된 상부 기판과, 박막 트랜지스터 및 나노 크기를 가지는 입자들로 구성된 요철을 가지는 반사판을 포함하는 화소영역이 형성된 하부기판과 그 사이에 충진된 액정층으로 이루어진다.
상기 반사판은 Al 합금 또는 Ag 합금 입자들이 분산제와 계면 활성제등과 같이 혼합된 졸겔로 형성된 것으로, 나노 크기의 입자로 이루어지기 때문에 종래 10㎛ 이상의 크기를 가지는 요철에 비해서 외부의 광을 더욱더 효과적으로 반사시키는 역할을 한다.
상기 박막트랜지스터는 주사신호가 인가되는 게이트 전극과, 주사신호에 대응하여 데이터 신호를 전송하도록 마련된 액티브층과, 액티브층과 게이트 전극을 전기적으로 격리시켜주는 게이트 절연막과, 액티브층의 상부에 형성되어 데이터 신호를 인가하는 소스 전극과, 데이터 신호를 화소 전극에 인가하는 드레인 전극으로 구성되어 있다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시소자의 제조방법은 투명한 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성한 후 그 상부에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 졸겔 상태의 나노 입자를 도포하는 단계와: 상기 졸겔 상태의 나노입자를 건조시킨 후, 반사판의 요철을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 나노 입자를 도포하는 방법은 분산제와 계면 활성제와 Al 합금 또는 Ag 합금이 혼합된 혼합물을 스핀 코팅방법에 의해서 보호막 상에 도포할 수 있다.
이와 같이 반사판의 요철을 나노입자로 형성하게 되면, 종래 마이크로 입자에 비해서 외부의 광을 더욱 효과적으로 반사시켜 반사 효율 및 시야각을 더욱더 향상시킬 수 있다.
이하, 참조한 도면을 통하여 본 발명에 대하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시소자를 도시한 것이고, 도 4는 도 3에 있어서 반사판 영역을 확대하여 도시한 확대도면이다.
먼저, 도 3에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 소자는 칼라필터(130)를 포함하는 상부기판(100)과 박막 트랜지스터와 반사전극(270) 및 상기 반사전극 상에 나노 크기의 입자로 이루어진 요철(280)을 가지는 반사판(280a)을 포함하고 있는 하부기판(200)과 그 사이에 충진된 액정층(300)으로 이루어진다.
상기 상부기판(100)에는 박막 트랜지스터의 상부 영역에 형성된 블랙매트릭스(110) 및 칼라필터(130)의 평탄화를 위한 오버코트막(150)이 형성되어 있으며, 그 상부 전면에는 액정을 구동시키기 위한 공통전극(170)이 형성되어 있다.
상기 하부기판(200)에 형성된 박막 트랜지스터는 주사 신호가 인가되는 게이 트 전극(220)과, 주사 신호에 대응하여 데이터 신호를 전송해주는 액티브층(active layer)(240)과, 상기 액티브층(active layer)(240)과 게이트 전극(220)을 전기적으로 격리시켜주는 게이트 절연막(gate insulator)(230)과, 액티브층(active layer)(240)의 양쪽 측면 상부에 형성되어 데이터 신호를 인가하는 소스 전극(260a)과, 데이터 신호를 반사전극(270)에 인가하는 드레인 전극(260b)으로 구성되어 있으며, 상기 소스/드레인 전극(260a/260b)을 포함하는 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(250)이 추가로 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(19)에 하이 레벨(high level)을 갖는 주사신호가 인가되면 액티브층(240)에는 전자가 이동할 수 있는 채널(channel)이 형성되므로 소스 전극(260a)의 데이터 신호가 액티브층(240)을 경유하여 드레인 전극(260b)으로 전달된다. 반면에, 게이트 전극(220)에 로우 레벨(low level)을 갖는 주사 신호가 인가되면 액티브층(240)에 형성된 채널이 차단되므로 드레인 전극(260b)으로 데이터 신호의 전송이 중단된다.
상기 액티브층(240)은 비정질 실리콘(a-Si)을 증착하여 형성된 반도체층(240b)과, 반도체층(240b)의 양쪽 측면의 상단에 n+ 도핑된 비정질 실리콘을 증착하여 형성된 오믹 접촉층(ohmic contact layer)(240a)으로 형성되어 있다.
또한, 상기 보호막(250) 상에는 반사전극(270)이 형성되어 있고, 상기 반사전극(270) 상에는 1㎛ 이하의 두께를 가지는 요철층(280)으로 이루어진 반사판(280a)이 형성되어 있으며, 상기 반사전극(270)은 보호막(250) 상에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(260b)과 전기적으로 연결된다.
도 4는 상기 반사판(280a)을 좀더 상세하게 보여주는 상세 도면으로써, 도면에 도시한 바와 같이, 반사판(280a)은 보호막(250) 상부에 형성된 반사전극(270)과 그 상부에 형성된 요철(280)로 이루어지며, 상기 요철(280)은 나노크기를 가진다. 이때, 상기 반사전극(270)은 Ag, Ag 합금, Al, Al 합금과 같이 반사특성이 우수한 불투명 금속 물질로 이루어진다.
도 5는 상기 요철(280)을 더욱 확대한 확대 도면으로, 도면에 도시한 바와 같이, 상기 요철(280)은 구형상을 가지는 나노 크기의 입자들로 형성되어 있으며, Ag, Ag 합금, Al, Al 합금과 같은 반사 특성이 우수한 금속 입자들로 이루어진다. 또한, 상기 요철(280)의 크기는 10㎚ 이상 0.1㎛ 이하의 크기를 가진다.
또한, 상기 요철층(280)은 적어도 한층 이상으로 형성된다.
반사형 또는 반투과형 액정 표시 소자에서 반사판에 형성된 요철의 크기에 따라 반사효율이 결정되며, 그 크기가 작을수록 반사율이 더욱더 향상된다. 전술한 바와 같이 종래에는 포토리소그래피 공정을 통한 10 ㎛ 크기 이하의 요철을 형성하는 것이 불가능하여 반사효율을 향상시키는데 한계가 있었으나, 본 발명에서는 나노 입자들을 반사판으로 형성함으로써 이 문제를 해결하였다.
도 6a 내지 도 6b는 상기 반사판에 입사되는 빛과 반사판에 형성된 나노입자들에 의해서 반사되는 빛을 시뮬레이션을 통하여 모식화한 것이다.
도면에 도시한 바와 같이, 외부에서 요철층(280)으로 빛(I3)이 들어오게 되면 입사된 빛(I3)은 각각의 나노 크기의 입자들로 구성된 요철(280)들에 의해서 입사각 및 입사각보다 더 넓을 각을 가지고 반사하게 된다. 이때, 입사각으로 다시 반사되는 빛의 밀도가 가장 많으며, 입사각보다 더 큰 반사각을 가지는 반사빛도 존재하여 종래에 비하여 시야각을 개선시킬 수가 있다. 즉, 빛의 반사특성은 요철의 크기에 따라 결정되는데, 종래의 경우, 요철층의 공정 특성상 10㎛ 크기 이하의 요철 형성이 불가능했기 때문에 반사빛은 주로 입사각 및 입사각 이내에만 존재하는 반면에, 본 발명에서는 요철의 크기를 충분히 줄여 입사각보다 큰각으로의 빛을 반사시킴으로써, 시야각을 키운 것이다.
도 7은 반사판의 형태에 따른 반사각과 반사율을 종래와 본 발명과 비교하여 나타낸 개략적을 그래프이다.
도면에 도시한 바와 같이, 종래 스퍼터링에 의해서 형성된 미러(mirror) 반사판(301)의 경우, 반사판에 예를들어 20。로 입사된 빛은 입사빛의 입사각과 동일한 각도로만 집중하여 반사하게 된다. 따라서, 입사각에 따른 반사율은 매우 우수하나, 주시야각 이외에서는 반사빛이 존재하지 않기 때문에 시야각이 매우 좁다(도 8참조). 도 8은 미러 반사판의 반사특성을 도시한 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 미러 반사판(301)에 의해서 반사되는 반사빛(R1)은 모두 입사빛에 대칭되는 반사각(θ)으로 반사된다. 따라서, 정면의 반사광은 전혀 없으므로, 반사효율은 낮다. 또한, 포토리소그래피 공정에 의해서 형성된 마이크로 크기를 가지는 요철 반사판(302)의 경우, 미러 반사판에 비하여 입사각에 대한 반사율은 떨어지지만, 입사각으로 반사되는 빛 이외에도 입사각 근처 즉, 입사각에 대하여 -10。∼ +10。 사이영역의 반사각을 가지는 빛이 존재하게 된다.(도 9참조) 따라서, 미러 반사판에 비하여 입사각(θ)에 대칭되는 반사빛의 반사율은 떨어지지만, 반사각을 개선시 켜 시야각을 향상시킬 수 있다. 그러나, 시야각을 향상시키는 데는 그래프에 도시한 바와 같이 한계가 있다. 도 9는 종래 요철 반사판(302)에 대하여 빛의 입사와 반사 각도별 반사특성을 도시한 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 입사각(θ)에 대칭되는 반사빛(R2)이 대부분이며, 그 이외에 요철에 의해서 난반사되는 빛들이 존재한다. 그러나, 상기 난반사되는 반사빛(R2)들은 입사각(θ)에 크게 벗어나진 않는다.
또한, 본 발명에서와 같이, 나노입자로 구성된 반사판의 경우, 종래 요철 반사판에 비해서 반사각이 더욱 개선되고 이에 따라 시야각을 향상되었다. 더욱이, 주시야 반사각(정면∼10。)으로도 헤이즈(haze)에 의하여 반사빛이 출사되므로 반사 효율이 향상된다(도 10참조). 도 10은 본 발명에 반사판(303)에 대하여 빛의 입사와 반사 각도별 반사특성을 도시한 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 입사각(θ)에 대칭적으로 반사되는 빛(R3)이 대부분이며, 이 영역에서 반사율이 가장 높다. 또한, 종래 요철 반사판에 비해서 난반사되는 빛(R3)이 많으며, 이는 시야각을 더욱 향상시키는 요인이 된다.
본 발명에 따른 상기 실시예는 반사형 액정 표시 소자 뿐 아니라 반사판이 적용되는 반투과형 액정 표시 소자에도 적용할 수 있다.
이하, 도 11a 내지 11e를 통하여 도 4와 같은 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 박막 트랜지스터 및 반사판의 제조 방법에 관하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 11a에 도시한 바와 같이 투명한 기판(210) 상에 금속 물질을 스퍼터링하고, 포토레지스트(photo resist)를 이용한 사진 식각(photo-etching) 방법으 로 패터닝(pattering) 하여 박막 트랜지스터의 게이트 전극(220)을 형성한다.
그 다음, 도 11b에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(220) 및 투명한 기판(210)에 SiNx 또는 SiO2 등과 같은 무기물을 전면 증착하여 게이트 절연막(230)을 형성한 후, 게이트 절연막(230) 상에 비정질 실리콘(amorphous-Si) 또는 폴리 실리콘으로 이루어진 반도체층(240b)과 인(P)이 도핑된 n+ 반도체층으로 이루어진 오믹 접촉층(240a)을 연속 증착한 후, 패터닝하여 박막 트랜지스터의 액티브층(240)을 형성한다.
이어서, 도 11c에 도시한 바와 같이, 오믹 접촉층(25a)과 게이트 절연막(230) 상에 금속 물질을 전면 증착한 다음 패터닝한다. 이때, 패터닝된 금속 물질층은 박막 트랜지스터의 소스 전극(260a) 및 드레인 전극(260b)이 된다.
이 후, 소스 전극(260a) 및 드레인 전극(260b) 상에 노출된 오믹 접촉층(240a)을 에칭 작업에 의해 제거하고, 노출된 반도체층(240b)을 포함하여 소스 및 드레인 전극(260a,260b) 및 게이트 절연막(230)상에 SiNx이나 또는 SiO2와 같은 무기물이나, BCB 또는 아크릴과 같은 유기물로 이루어진 보호막(250)을 형성한 후, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(260b) 상의 보호막(250) 부분을 마스크 패턴을 이용한 에칭 작업에 의해 제거하여 콘택홀(251)을 형성한다.
이어서, 도 11d에 도시한 바와 같이, 화소영역에 형성된 보호막(250) 상에 Al 또는 Al 합금을 스퍼터링으로 증착한 후, 패터닝하여 박막트랜지스터의 드레인 전극(260b)과 연결된 반사전극(270)을 형성한다.
그 후, 도 11e에 도시한 바와 같이, 상기 반사전극(270) 상에 Ag, Ag 합금, Al, Al 합금과 같은 반사특성이 우수한 금속 입자들이 분산제 및 계면활성제등과 혼합된 졸겔 상태의 나노 입자들을 스핀코팅 또는 페인팅 방법을 통하여 도포한 후, 이를 건조시켜 표면에 나노 크기의 요철(280)들을 가지는 반사판(280a)을 형성한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 나노 크기의 가지는 요철을 반사판을 형성함으로써, 반사효율 및 시야각을 더욱더 향상시킬 수 있다.
또한, 나노 크기를 가지는 입자를 스핀코팅이나 페인팅 방법으로 요철을 형성함으로써, 요철을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정을 생략할 수 있을 뿐 아니라 재료비 절감 및 공정의 단순화를 통하여 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 기판 및 박막 트랜지스터 전면에 형성된 보호막과;
    상기 보호막 상에 형성되고, 적어도 한층 이상의 나노(nano) 크기의 입자들로 이루어진 요철층을 가지는 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극과;
    상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과;
    상기 게이트 전극 상부 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과;
    상기 반도체층 상부 측면에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 요철층을 형성하고 있는 나노 크기의 입자들은 반사 특성이 우수한 Ag, Ag 합금, Al, 또는 Al 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막 상부 및 요철층 사이에 개재된 반사전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반사전극은 Al, Al 합금, Ag, 또는 Ag 합금으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 요철은 구형상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 요철의 크기는 0.1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  8. 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과;
    상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트 전극, 소스 전극, 그리고 드레인 전극을 가진 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터 및 화소영역에 형성된 보호막과;
    상기 화소영역의 보호막 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 반사전극과 상기 반사전극상부에 적어도 한층 이상의 나노 입자들로 형성된 요철층으로 이루어진 반사판을 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 소자.
  9. 투명한 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 기판 및 박막 트랜지스터 전면에 형성된 보호막과;
    상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 접속되는 반사전극과 나노 크기를 가지는 요철층으로 이루어진 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 투명한 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 증착하는 단계와;
    상기 게이트 전극 상부 및 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 반도체층 상부 측면에 형성된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 요철층을 형성하는 단계는 졸겔 상태의 Ag, Ag 합금, Al, 또는 Al 합금 입자중에서 어느 하나를 도포하는 단계와;
    상기 졸겔상태의 입자들을 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 졸겔 상태의 입자를 도포하는 단계는 스핀 코팅 또는 패인팅 방법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방 법.
  13. 삭제
  14. 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와;
    상기 스위칭 영역에 게이트 전극, 소스 전극, 그리고 드레인 전극을 가진 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막 트랜지스터 및 화소영역의 전면에 걸쳐서 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 화소영역의 보호막 상에 불투명한 금속 물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 반사전극을 형성하고, 상기 반사전극 상부에 스핀코팅 또는 패인팅 방법을 통하여 적어도 한층 이상의 나노 입자들로 이루어진 요철층을 도포하여 상기 반사전극과 요철층으로 이루어지는 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
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