JP2718025B2 - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JP2718025B2 JP2718025B2 JP61312055A JP31205586A JP2718025B2 JP 2718025 B2 JP2718025 B2 JP 2718025B2 JP 61312055 A JP61312055 A JP 61312055A JP 31205586 A JP31205586 A JP 31205586A JP 2718025 B2 JP2718025 B2 JP 2718025B2
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- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶、エレクトロルミネッセンス、エレクト
ロクロミック、プラズマ、蛍光、圧電、電気泳動等の表
示素子や透明メンプレンスイッチ、デジタイザー等の座
標入力装置、デフロスター、アンテナ、太陽電池、電気
的透明遮蔽材、赤外線反射膜等に用いられる透明導電膜
及びその形成方法に関するものである。 従来の技術 従来より、透明導電膜は液晶表示素子、電気的透明遮
蔽材、赤外線反射膜、透明メンプレンスイッチ等に広く
利用されている。 透明導電膜としては錫をドープした酸化インジウム
膜、アンチモンをドープした酸化錫膜、金等の金属膜等
を利用したものがある。これらは蒸着法やスパッタ法、
熱分解法等により形成されていた。 発明が解決しようとする問題点 上記した透明導電膜の形成方法の中で蒸着法とスパッ
タ法は真空容器を使用するために生産性が悪く大面積の
製造が困難であった。それに比べ熱分解法は印刷やディ
ップ等により基板上に有機インジウム化合物と有機錫化
合物とを溶媒に溶解した塗布液を塗布し、熱分解するた
めに生産性に優れ、大面積の製造が容易であるという利
点があるが、得られた透明導電膜の面積抵抗が高くなる
等の問題点を有していた。この問題点を解決するための
手段として特開昭60−243280号公報のように焼成の前半
を酸素が豊富な雰囲気で、後半を酸素の欠乏雰囲気で行
うものがあるが、これは、雰囲気が乾燥している場合に
面積抵抗が安定せず、また、得られた透明導電膜の耐水
性や耐薬品性が劣る等の問題点があった。また、特開昭
59−213623号公報のように水蒸気及び任意の酸素３重量
％までを含む還元雰囲気中で加熱する方法では、熱分解
のときに水蒸気が豊富に存在すると膜が白濁しやすく、
熱分解した後の焼成雰囲気が酸素含有雰囲気中であると
面積抵抗が高くなる等の問題点を有していた。 問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するための本発明の透明導電膜の形
成方法は、有機インジウム化合物と有機錫化合物とを溶
媒に溶解し、必要に応じてバインダーを加えた塗布液を
基板上に塗布し、上記有機化合物を熱分解することによ
りインジウム・錫酸化物の膜を形成した後、0.6体積％
以上の水分を添加した酸素含有雰囲気または還元雰囲気
等の雰囲気中で熱処理し、その後還元雰囲気中で還元す
るものである。 本発明に使用できる有機インジウム化合物としては、
インジウムのアルコキシド、有機酸塩、及び各種有機錯
体等を挙げることができる。例えば、各種クラウンエー
テル錯体、インジウムジエチルアセトアセテートモノア
セチルアセトナート、インジウムモノエチルアセトアセ
テートジアセチルアセトナート、トリアセチルアセトナ
ートインジウム、トリスルフルオロアセチルアセトナー
トインジウム、インジウムアルコレートアセチルアルコ
ナート、オクチル酸インジウム、２−エチルヘキサン酸
インジウム、オクタン酸インジウム、ラウリル酸インジ
ウム、イソプロピル酸インジウム等がある。 有機錫化合物としては、錫のアルコキシド、有機酸
塩、及び各種有機錯体等を挙げることができる。例え
ば、各種クラウンエーテル錯体、酪酸錫、２−エチルヘ
キサン酸錫、ナフテン酸錫、ｐ−トルイル酸錫等があ
る。 溶媒としては、上記有機インジウム化合物と有機錫化
合物の両方の化合物を溶解するものであれば任意に選ぶ
ことができる。 バインダーとしては、例えば、ニトロセルロース、エ
チルセルロース、及びヒドロキシプロピルセルロース等
のセルロース系化合物、アクリル共重合体、ポリスチレ
ン等の各種ビニル重合体、フェノール系樹脂等を挙げる
ことができる。望ましくは、有機インジウム化合物と有
機錫化合物両方の熱分解温度より低い温度で分解または
揮散することが望ましい。 基板としては、熱分解温度及び熱処理温度に耐えるも
のであれば任意に選ぶことができる。通常の熱分解及び
熱処理は550℃以下でも行えるため、安価なソーダ石炭
ガラス等が十分使用できるが、耐熱性の良い基板を用い
て、高温で行えばより低い抵抗値が得られ、耐水性や、
耐薬品性の向上が図れる。 熱処理時の、雰囲気中の水分含有量は、0.6体積％以
上を添加するのが好ましい。それ以下では、得られた透
明導電膜の面積抵抗が高く、また、膜の機械的強度や、
耐酸性等が悪くなる。 水分を添加した酸素含有雰囲気としては、大気を用い
ても良いが、酸素の少ない雰囲気の方がより低い抵抗値
が得られる。 水分を添加した不活性雰囲気としては窒素や二酸化炭
素、アルゴン等任意に選択できる。 水分を添加した還元雰囲気としては、水素と不活性ガ
スとの混合ガスや硫化水素等を任意に選択できる。 上記３つの雰囲気の中でも酸素含有雰囲気よりも不活
性雰囲気の方が、また、不活性雰囲気よりも還元雰囲気
の方がより低い抵抗の透明導電膜を得ることができるた
め望ましい。 還元するための還元雰囲気としては、水素と不活性ガ
スとの混合ガスや硫化水素等を任意に選択できる。 作用 上記本発明の手段を用いることにより従来の方法の問
題となっている、真空容器を使用せず大面積の製造が容
易に行え、また有機化合物の熱分解と熱処理とを別個に
行い、熱分解後の熱処理過程において積極的に水分を添
加することにより、従来の有機化合物熱分解法（焼成
法）の問題点である白濁のない、低い抵抗値の透明導電
膜を得ることができる。 実施例 実施例１ ２−エチルヘキサン酸インジウムにｐ−トルイル酸錫
を4wt％添加し、ケロシンに溶解させた塗布液をソーダ
石灰ガラス基板上に塗布し、乾燥させた後、大気中で53
0℃まで昇温し熱分解させる。熱分解終了後水分を添加
した各種雰囲気中で、530℃、90分放置し、熱処理さ
せ、水素還元雰囲気中で400℃、30分加熱する、得られ
た膜の特性を下記表１に示す。得られた膜は白濁の無い
膜であり、添加した水分が0.6体積％以上になると抵抗
値も急激に小さくなり、耐酸性も向上した。 実施例２ トリアセチルアセトナートインジウムにビスアセチル
アセトナートジブチル錫を12.5wt％添加し、ニトロセル
ロースとベンジルアルコール、メチルエチルケトンを混
合、溶解させた塗布液をソーダ石灰ガラス基板上に塗布
し、乾燥させた後、大気中で530℃まで昇温し熱分解さ
せる。熱分解終了後水分を添加した各種雰囲気中で、53
0℃、90分放置し、熱処理させ、水素還元雰囲気中で400
℃、30分加熱する。得られた膜の特性を下記表２に示
す。得られた膜は白濁の無い膜であり、添加した水分が
0.6体積％以上になると抵抗値も急激に小さくなり、耐
酸性も向上した。 比較例 ２−エチルヘキサン酸インジウムにｐ−トルイル酸錫
を4wt％添加し、ケロシンに溶解させた塗布液をソーダ
石灰ガラス基板上に塗布し、乾燥させた後、大気中で53
0℃まで昇温し熱分解させる。得られた膜の特性は実施
例に示した、熱処理したものに比べ、抵抗は1000Ω／□
以上と高く、膜の耐酸性も悪いものであった。 発明の効果 以上のように本発明によれば、熱分解後の熱処理時に
0.6体積％以上の水分を添加し、その後、還元雰囲気中
で熱処理することにより、抵抗が低く安定で、白濁の無
い、耐水性や耐薬品性の良い透明導電膜を得られるとい
う効果がある。
ロクロミック、プラズマ、蛍光、圧電、電気泳動等の表
示素子や透明メンプレンスイッチ、デジタイザー等の座
標入力装置、デフロスター、アンテナ、太陽電池、電気
的透明遮蔽材、赤外線反射膜等に用いられる透明導電膜
及びその形成方法に関するものである。 従来の技術 従来より、透明導電膜は液晶表示素子、電気的透明遮
蔽材、赤外線反射膜、透明メンプレンスイッチ等に広く
利用されている。 透明導電膜としては錫をドープした酸化インジウム
膜、アンチモンをドープした酸化錫膜、金等の金属膜等
を利用したものがある。これらは蒸着法やスパッタ法、
熱分解法等により形成されていた。 発明が解決しようとする問題点 上記した透明導電膜の形成方法の中で蒸着法とスパッ
タ法は真空容器を使用するために生産性が悪く大面積の
製造が困難であった。それに比べ熱分解法は印刷やディ
ップ等により基板上に有機インジウム化合物と有機錫化
合物とを溶媒に溶解した塗布液を塗布し、熱分解するた
めに生産性に優れ、大面積の製造が容易であるという利
点があるが、得られた透明導電膜の面積抵抗が高くなる
等の問題点を有していた。この問題点を解決するための
手段として特開昭60−243280号公報のように焼成の前半
を酸素が豊富な雰囲気で、後半を酸素の欠乏雰囲気で行
うものがあるが、これは、雰囲気が乾燥している場合に
面積抵抗が安定せず、また、得られた透明導電膜の耐水
性や耐薬品性が劣る等の問題点があった。また、特開昭
59−213623号公報のように水蒸気及び任意の酸素３重量
％までを含む還元雰囲気中で加熱する方法では、熱分解
のときに水蒸気が豊富に存在すると膜が白濁しやすく、
熱分解した後の焼成雰囲気が酸素含有雰囲気中であると
面積抵抗が高くなる等の問題点を有していた。 問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するための本発明の透明導電膜の形
成方法は、有機インジウム化合物と有機錫化合物とを溶
媒に溶解し、必要に応じてバインダーを加えた塗布液を
基板上に塗布し、上記有機化合物を熱分解することによ
りインジウム・錫酸化物の膜を形成した後、0.6体積％
以上の水分を添加した酸素含有雰囲気または還元雰囲気
等の雰囲気中で熱処理し、その後還元雰囲気中で還元す
るものである。 本発明に使用できる有機インジウム化合物としては、
インジウムのアルコキシド、有機酸塩、及び各種有機錯
体等を挙げることができる。例えば、各種クラウンエー
テル錯体、インジウムジエチルアセトアセテートモノア
セチルアセトナート、インジウムモノエチルアセトアセ
テートジアセチルアセトナート、トリアセチルアセトナ
ートインジウム、トリスルフルオロアセチルアセトナー
トインジウム、インジウムアルコレートアセチルアルコ
ナート、オクチル酸インジウム、２−エチルヘキサン酸
インジウム、オクタン酸インジウム、ラウリル酸インジ
ウム、イソプロピル酸インジウム等がある。 有機錫化合物としては、錫のアルコキシド、有機酸
塩、及び各種有機錯体等を挙げることができる。例え
ば、各種クラウンエーテル錯体、酪酸錫、２−エチルヘ
キサン酸錫、ナフテン酸錫、ｐ−トルイル酸錫等があ
る。 溶媒としては、上記有機インジウム化合物と有機錫化
合物の両方の化合物を溶解するものであれば任意に選ぶ
ことができる。 バインダーとしては、例えば、ニトロセルロース、エ
チルセルロース、及びヒドロキシプロピルセルロース等
のセルロース系化合物、アクリル共重合体、ポリスチレ
ン等の各種ビニル重合体、フェノール系樹脂等を挙げる
ことができる。望ましくは、有機インジウム化合物と有
機錫化合物両方の熱分解温度より低い温度で分解または
揮散することが望ましい。 基板としては、熱分解温度及び熱処理温度に耐えるも
のであれば任意に選ぶことができる。通常の熱分解及び
熱処理は550℃以下でも行えるため、安価なソーダ石炭
ガラス等が十分使用できるが、耐熱性の良い基板を用い
て、高温で行えばより低い抵抗値が得られ、耐水性や、
耐薬品性の向上が図れる。 熱処理時の、雰囲気中の水分含有量は、0.6体積％以
上を添加するのが好ましい。それ以下では、得られた透
明導電膜の面積抵抗が高く、また、膜の機械的強度や、
耐酸性等が悪くなる。 水分を添加した酸素含有雰囲気としては、大気を用い
ても良いが、酸素の少ない雰囲気の方がより低い抵抗値
が得られる。 水分を添加した不活性雰囲気としては窒素や二酸化炭
素、アルゴン等任意に選択できる。 水分を添加した還元雰囲気としては、水素と不活性ガ
スとの混合ガスや硫化水素等を任意に選択できる。 上記３つの雰囲気の中でも酸素含有雰囲気よりも不活
性雰囲気の方が、また、不活性雰囲気よりも還元雰囲気
の方がより低い抵抗の透明導電膜を得ることができるた
め望ましい。 還元するための還元雰囲気としては、水素と不活性ガ
スとの混合ガスや硫化水素等を任意に選択できる。 作用 上記本発明の手段を用いることにより従来の方法の問
題となっている、真空容器を使用せず大面積の製造が容
易に行え、また有機化合物の熱分解と熱処理とを別個に
行い、熱分解後の熱処理過程において積極的に水分を添
加することにより、従来の有機化合物熱分解法（焼成
法）の問題点である白濁のない、低い抵抗値の透明導電
膜を得ることができる。 実施例 実施例１ ２−エチルヘキサン酸インジウムにｐ−トルイル酸錫
を4wt％添加し、ケロシンに溶解させた塗布液をソーダ
石灰ガラス基板上に塗布し、乾燥させた後、大気中で53
0℃まで昇温し熱分解させる。熱分解終了後水分を添加
した各種雰囲気中で、530℃、90分放置し、熱処理さ
せ、水素還元雰囲気中で400℃、30分加熱する、得られ
た膜の特性を下記表１に示す。得られた膜は白濁の無い
膜であり、添加した水分が0.6体積％以上になると抵抗
値も急激に小さくなり、耐酸性も向上した。 実施例２ トリアセチルアセトナートインジウムにビスアセチル
アセトナートジブチル錫を12.5wt％添加し、ニトロセル
ロースとベンジルアルコール、メチルエチルケトンを混
合、溶解させた塗布液をソーダ石灰ガラス基板上に塗布
し、乾燥させた後、大気中で530℃まで昇温し熱分解さ
せる。熱分解終了後水分を添加した各種雰囲気中で、53
0℃、90分放置し、熱処理させ、水素還元雰囲気中で400
℃、30分加熱する。得られた膜の特性を下記表２に示
す。得られた膜は白濁の無い膜であり、添加した水分が
0.6体積％以上になると抵抗値も急激に小さくなり、耐
酸性も向上した。 比較例 ２−エチルヘキサン酸インジウムにｐ−トルイル酸錫
を4wt％添加し、ケロシンに溶解させた塗布液をソーダ
石灰ガラス基板上に塗布し、乾燥させた後、大気中で53
0℃まで昇温し熱分解させる。得られた膜の特性は実施
例に示した、熱処理したものに比べ、抵抗は1000Ω／□
以上と高く、膜の耐酸性も悪いものであった。 発明の効果 以上のように本発明によれば、熱分解後の熱処理時に
0.6体積％以上の水分を添加し、その後、還元雰囲気中
で熱処理することにより、抵抗が低く安定で、白濁の無
い、耐水性や耐薬品性の良い透明導電膜を得られるとい
う効果がある。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭54−164284（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−213623（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−148811（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−261235（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−22312（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−198602（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．有機インジウム化合物と有機錫化合物とを溶媒に溶
解した塗布液を基板上に塗布し、上記有機化合物を熱分
解することによりインジウム・錫酸化物の膜を形成した
後、0.6体積％以上の水分を添加した雰囲気中で熱処理
し、その後、還元雰囲気中で加熱し還元することを特徴
とする透明導電膜の形成方法。 ２．0.6体積％以上の水分を添加した酸素含有雰囲気中
で熱処理する特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の
形成方法。 ３．0.6体積％以上の水分を添加した不活性雰囲気中で
熱処理する特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の形
成方法。 ４．0.6体積％以上の水分を添加した還元雰囲気中で熱
処理する特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の形成
方法。 ５．有機インジウム化合物と有機錫化合物とを溶媒に溶
解しバインダーを加えた塗布液を基板上に塗布する特許
請求の範囲第１項〜第４項のいずれか一つに記載の透明
導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312055A JP2718025B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312055A JP2718025B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164117A JPS63164117A (ja) | 1988-07-07 |
| JP2718025B2 true JP2718025B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=18024680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312055A Expired - Fee Related JP2718025B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718025B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102232232B (zh) * | 2008-12-01 | 2013-09-11 | 住友金属矿山株式会社 | 透明导电膜的制造方法及透明导电膜、透明导电基板以及使用有透明导电基板的器件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561680B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1996-12-11 | 触媒化成工業株式会社 | 透明酸化物薄膜被着ガラスの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923403B2 (ja) * | 1978-06-16 | 1984-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
| DE3300589A1 (de) * | 1983-01-11 | 1984-07-12 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-zinnoxid-schichten |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312055A patent/JP2718025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102232232B (zh) * | 2008-12-01 | 2013-09-11 | 住友金属矿山株式会社 | 透明导电膜的制造方法及透明导电膜、透明导电基板以及使用有透明导电基板的器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164117A (ja) | 1988-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |