JP2710357B2 - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JP2710357B2 JP2710357B2 JP63246511A JP24651188A JP2710357B2 JP 2710357 B2 JP2710357 B2 JP 2710357B2 JP 63246511 A JP63246511 A JP 63246511A JP 24651188 A JP24651188 A JP 24651188A JP 2710357 B2 JP2710357 B2 JP 2710357B2
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- Japan
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- integrated circuit
- chip
- circuit device
- terminals
- chips
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路装置に関し、特に1枚の集積回路ウ
ェハ上に複数の種類の異なるチップを有する集積回路装
置に関する。
ェハ上に複数の種類の異なるチップを有する集積回路装
置に関する。
一般に、集積回路装置の製造に際して1枚の集積回路
ウェハ上に複数の種類の異なるチップを形成する方法を
とることがある。この場合、夫々のチップに適した機能
試験を行うためには、夫々チップの種類を正確に認識す
る必要がある。従来、この認識を行うために、第3図に
示すように、各来チップの出力バッファブロックMを配
設している箇所に一対の測定端子T21,T22を設け、これ
らの端子間に各チップで相違する値の抵抗体Rを接続す
る構成(特開昭58−176966号)がとられている。
ウェハ上に複数の種類の異なるチップを形成する方法を
とることがある。この場合、夫々のチップに適した機能
試験を行うためには、夫々チップの種類を正確に認識す
る必要がある。従来、この認識を行うために、第3図に
示すように、各来チップの出力バッファブロックMを配
設している箇所に一対の測定端子T21,T22を設け、これ
らの端子間に各チップで相違する値の抵抗体Rを接続す
る構成(特開昭58−176966号)がとられている。
この構成では、機能試験前に両測定端子T21,T22間の
抵抗値を測定すれば、その抵抗値に基づいてチップの種
類を認識することが可能となる。
抵抗値を測定すれば、その抵抗値に基づいてチップの種
類を認識することが可能となる。
上述した従来の構成では、抵抗体Rを内部回路の一部
として構成する必要があるため、この抵抗体を設計する
ための手間がかかるという問題がある。また、この抵抗
体が占める領域だけ内部回路の配設面積が減少し、内部
回路を設計する上での障害になるという問題がある。
として構成する必要があるため、この抵抗体を設計する
ための手間がかかるという問題がある。また、この抵抗
体が占める領域だけ内部回路の配設面積が減少し、内部
回路を設計する上での障害になるという問題がある。
本発明はこのような問題を解消して簡単に設計でき、
かつ内部回路面積を低減することがない集積回路装置を
提供することを目的とする。
かつ内部回路面積を低減することがない集積回路装置を
提供することを目的とする。
本発明の集積回路装置は、1枚の半導体ウェハに形成
された異なる複数の種類の集積回路チップは、各チップ
が有する電極端子のうちの特定の電極端子がフローティ
ング状態の測定端子として構成され、かつこの測定端子
は異なる種類のチップ間でそれぞれ異なる位置に配置さ
れている。
された異なる複数の種類の集積回路チップは、各チップ
が有する電極端子のうちの特定の電極端子がフローティ
ング状態の測定端子として構成され、かつこの測定端子
は異なる種類のチップ間でそれぞれ異なる位置に配置さ
れている。
上述した構成では、フローティング状態の測定端子を
判別することで、各チップの種類を認識でき、内部回路
の一部を抵抗体を形成する手間を省き、また内部回路を
使用しない分チップ面積を有効に使用できるようにす
る。
判別することで、各チップの種類を認識でき、内部回路
の一部を抵抗体を形成する手間を省き、また内部回路を
使用しない分チップ面積を有効に使用できるようにす
る。
次に、本発明を図面に参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の要部の平面図、第2図は
半導体ウェハの全体平面図である。なお、この実施例で
は4種の異なるチップを同一ウェハに形成した例を示し
ている。
半導体ウェハの全体平面図である。なお、この実施例で
は4種の異なるチップを同一ウェハに形成した例を示し
ている。
第2図において、1枚の半導体ウェハWには枡目状に
多数個の集積回路チップを形成しているが、ここでは種
類の異なる4種のチップA〜Dを四角位置に配列形成し
ている。
多数個の集積回路チップを形成しているが、ここでは種
類の異なる4種のチップA〜Dを四角位置に配列形成し
ている。
第1図に第2図の鎖線領域を拡大して示す。図におい
て、第1の種類のチップAはその周辺部に配設した電極
端子Tに対して全て入出力バッファブロックMを配置し
ている。これに対し、第2の種類のチップBは周辺部に
設けた電極端子Tのうち、1の箇所に設けた電極端子に
は入出力バッファブロックMを配置せず、この電極端子
をフローティング状態の測定端子T11として構成してい
る。同様にして、第3の種類のチップCは2の箇所に設
けた電極端子に入出力バッファブロックMを配置せず、
この電極端子をフローティング状態の測定端子T12とし
て構成している。更に、第4の種類のチップDは3の箇
所に設けた電極端子に入出力バッファブロックMを配置
せず、この電極端子をフローティング状態の測定端子T
13として構成している。
て、第1の種類のチップAはその周辺部に配設した電極
端子Tに対して全て入出力バッファブロックMを配置し
ている。これに対し、第2の種類のチップBは周辺部に
設けた電極端子Tのうち、1の箇所に設けた電極端子に
は入出力バッファブロックMを配置せず、この電極端子
をフローティング状態の測定端子T11として構成してい
る。同様にして、第3の種類のチップCは2の箇所に設
けた電極端子に入出力バッファブロックMを配置せず、
この電極端子をフローティング状態の測定端子T12とし
て構成している。更に、第4の種類のチップDは3の箇
所に設けた電極端子に入出力バッファブロックMを配置
せず、この電極端子をフローティング状態の測定端子T
13として構成している。
したがって、この構成によれば、通常入出力バッファ
ブロックMは入力保護抵抗(通常数KΩ位)を有してい
るため、チップAの電極端子Tではこの入力保護抵抗の
抵抗値が測定できる。これに対し、チップB,C,Dでは、
測定端子T11,T12,T13はフローティング状態、即ちオ
ープンの状態であり、これらの測定端子における抵抗値
は略無限大となる。このため、これらの端子とグランド
との間に電流を印加し、電圧を測定して各端子における
抵抗値を測定すれば、無限大の抵抗値となる電極位置を
判別でき、これから現在測定しているチップが第1〜第
4のいずれの種類のチップであるか認識することが可能
となる。
ブロックMは入力保護抵抗(通常数KΩ位)を有してい
るため、チップAの電極端子Tではこの入力保護抵抗の
抵抗値が測定できる。これに対し、チップB,C,Dでは、
測定端子T11,T12,T13はフローティング状態、即ちオ
ープンの状態であり、これらの測定端子における抵抗値
は略無限大となる。このため、これらの端子とグランド
との間に電流を印加し、電圧を測定して各端子における
抵抗値を測定すれば、無限大の抵抗値となる電極位置を
判別でき、これから現在測定しているチップが第1〜第
4のいずれの種類のチップであるか認識することが可能
となる。
したがって、この認識を行った上で、各チップの夫々
所定の測定条件でのテストを行えば、各チップの良否の
判定を適切に行うことができる。
所定の測定条件でのテストを行えば、各チップの良否の
判定を適切に行うことができる。
なお、上述の実施例ではチップB〜Dにおいて電極端
子に入出力バッファブロックMを接続しないことで測定
端子T11,T12,T13を構成しているが、これらの電極端
子を絶縁膜で覆うことで、該当端子における抵抗値を無
限大にするようにしてもよい。また、入出力バッファブ
ロック全体を絶縁層で覆うようにしてもよい。
子に入出力バッファブロックMを接続しないことで測定
端子T11,T12,T13を構成しているが、これらの電極端
子を絶縁膜で覆うことで、該当端子における抵抗値を無
限大にするようにしてもよい。また、入出力バッファブ
ロック全体を絶縁層で覆うようにしてもよい。
以上説明したように本発明は、異なる種類のチップ
に、フローティング状態の測定端子を夫々異なる位置に
形成しているので、略無限大となる抵抗値の測定端子を
判別することで、各チップの種類を認識することが可能
となり、内部回路の一部に抵抗体を形成する手間を省
き、また内部回路を使用しない分チップ面積を有効に使
用できるという効果がある。
に、フローティング状態の測定端子を夫々異なる位置に
形成しているので、略無限大となる抵抗値の測定端子を
判別することで、各チップの種類を認識することが可能
となり、内部回路の一部に抵抗体を形成する手間を省
き、また内部回路を使用しない分チップ面積を有効に使
用できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の要部の拡大平面図、第2図
は第1図の集積回路装置を含む半導体ウェハの平面図、
第3図は従来の集積回路装置の平面図である。 W…半導体ウェハ、A〜D…集積回路チップ、T…電極
端子、T11〜T13…測定端子、T21〜T22…従来の測定端
子、R…抵抗体。
は第1図の集積回路装置を含む半導体ウェハの平面図、
第3図は従来の集積回路装置の平面図である。 W…半導体ウェハ、A〜D…集積回路チップ、T…電極
端子、T11〜T13…測定端子、T21〜T22…従来の測定端
子、R…抵抗体。
Claims (1)
- 【請求項1】1枚の半導体ウェハに異なる複数の種類の
集積回路チップを配置した集積回路装置において、各チ
ップが有する電極端子のうちの特定の電極端子がフロー
ティング状態の測定端子として構成され、かつこの測定
端子は異なる種類のチップ間でそれぞれ異なる位置に配
置されていることを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63246511A JP2710357B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63246511A JP2710357B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294539A JPH0294539A (ja) | 1990-04-05 |
JP2710357B2 true JP2710357B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=17149480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63246511A Expired - Fee Related JP2710357B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2710357B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05144905A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-06-11 | Sharp Corp | 半導体装置とそれのテスト方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107531A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体検査方法 |
JPS6313341A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Nec Corp | 半導体集積回路とその試験方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246511A patent/JP2710357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0294539A (ja) | 1990-04-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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