JPH05136243A - エージング等テスト用パターンを付加した半導体ウエハー - Google Patents
エージング等テスト用パターンを付加した半導体ウエハーInfo
- Publication number
- JPH05136243A JPH05136243A JP3295701A JP29570191A JPH05136243A JP H05136243 A JPH05136243 A JP H05136243A JP 3295701 A JP3295701 A JP 3295701A JP 29570191 A JP29570191 A JP 29570191A JP H05136243 A JPH05136243 A JP H05136243A
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- JP
- Japan
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- chip
- chips
- semiconductor wafer
- terminals
- terminal
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハー上でICチップのエージング
等のテストを行える半導体ウエハーを提供することであ
る。 【構成】 メモリー等の複数のICチップを形成した半
導体ウエハーにおいて、複数のICチップのうちの少な
くとも2つ以上のICチップを含むICチップ群とし、
それらICチップ群内のすべてのICチップの間におい
て同一目的のチップ端子同志を電気的に並列に接続する
回路パターンを、半導体ウエハーの周辺部分またはIC
チップの間の部分上に設けている。 【効果】 半導体ウエハー上に存在するICチップの状
態にて、エージング等のテストを行うことが可能であ
り、パッケージング等の後処理前に欠陥のあるICチッ
プを廃棄することができるので、ICチップの製造価格
を全体として低減することができる。
等のテストを行える半導体ウエハーを提供することであ
る。 【構成】 メモリー等の複数のICチップを形成した半
導体ウエハーにおいて、複数のICチップのうちの少な
くとも2つ以上のICチップを含むICチップ群とし、
それらICチップ群内のすべてのICチップの間におい
て同一目的のチップ端子同志を電気的に並列に接続する
回路パターンを、半導体ウエハーの周辺部分またはIC
チップの間の部分上に設けている。 【効果】 半導体ウエハー上に存在するICチップの状
態にて、エージング等のテストを行うことが可能であ
り、パッケージング等の後処理前に欠陥のあるICチッ
プを廃棄することができるので、ICチップの製造価格
を全体として低減することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリー等の複数のI
Cチップを形成した半導体ウエハーに関するものであ
り、特に、半導体ウエハーにあるICチップに対してエ
ージング等のテストを行えるようにした半導体ウエハー
に関するものである。
Cチップを形成した半導体ウエハーに関するものであ
り、特に、半導体ウエハーにあるICチップに対してエ
ージング等のテストを行えるようにした半導体ウエハー
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、メモリ等を含むICチップは、1
枚の半導体ウエハーに多数個形成され、その後、1つ1
つのICチップとして半導体ウエハーから切り出され、
最終的なパッケージングを経て各種回路素子として使用
に供されている。そして、これらICチップに対して
は、出荷前にエージング等の各種テストを行い、性能上
の欠陥等の有無についてチェックし、欠陥品については
廃棄処分にしている。
枚の半導体ウエハーに多数個形成され、その後、1つ1
つのICチップとして半導体ウエハーから切り出され、
最終的なパッケージングを経て各種回路素子として使用
に供されている。そして、これらICチップに対して
は、出荷前にエージング等の各種テストを行い、性能上
の欠陥等の有無についてチェックし、欠陥品については
廃棄処分にしている。
【0003】このようなエージング等のテストは、パッ
ケージング後の個々のICチップについて、各端子にプ
ロービングを行うことによって行われているのが普通で
あった。
ケージング後の個々のICチップについて、各端子にプ
ロービングを行うことによって行われているのが普通で
あった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、パッケージ
ング後のICチップに対してエージング等のテストを行
うのでは、相当の無駄がありうるのである。すなわち、
そのテストによってそのICチップが欠陥品であること
が判明した場合、そのパッケージングした完全な製品で
あるICチップの全体を廃棄することになり、パッケー
ジング等の費用が無駄になり、それだけ、正常製品とな
るICチップの単価を上げてしまうことになっていた。
ング後のICチップに対してエージング等のテストを行
うのでは、相当の無駄がありうるのである。すなわち、
そのテストによってそのICチップが欠陥品であること
が判明した場合、そのパッケージングした完全な製品で
あるICチップの全体を廃棄することになり、パッケー
ジング等の費用が無駄になり、それだけ、正常製品とな
るICチップの単価を上げてしまうことになっていた。
【0005】このように欠陥品であると判明するICチ
ップのなかには、パッケージング時に欠陥が生ずるもの
もあるが、半導体ウエハー上に形成されていたときから
欠陥をもっているICチップもありうるのである。した
がって、半導体ウエハー上にある状態において、各IC
チップに対してエージング等のテストを行うことができ
るならば、この時点において、欠陥のあるICチップを
選択的に排除できるのである。そうすれば、欠陥のある
ICチップについてパッケージングを行うなどの無駄を
省くことができるのである。
ップのなかには、パッケージング時に欠陥が生ずるもの
もあるが、半導体ウエハー上に形成されていたときから
欠陥をもっているICチップもありうるのである。した
がって、半導体ウエハー上にある状態において、各IC
チップに対してエージング等のテストを行うことができ
るならば、この時点において、欠陥のあるICチップを
選択的に排除できるのである。そうすれば、欠陥のある
ICチップについてパッケージングを行うなどの無駄を
省くことができるのである。
【0006】しかしながら、通常、1枚の半導体ウエハ
ー上には、200から300個のICチップがアレイ状
に形成されており、各ICチップの各種チップ端子は、
それら端子間ピッチが100μmm以下にて、形成され
ている。このように非常に狭いピッチにて配列された半
導体ウエハー上の個々のチップ端子に対して、エージン
グ等のテストのためのプロービングを行うことは難し
く、これまで、適当な手段がなかった。
ー上には、200から300個のICチップがアレイ状
に形成されており、各ICチップの各種チップ端子は、
それら端子間ピッチが100μmm以下にて、形成され
ている。このように非常に狭いピッチにて配列された半
導体ウエハー上の個々のチップ端子に対して、エージン
グ等のテストのためのプロービングを行うことは難し
く、これまで、適当な手段がなかった。
【0007】本発明の目的は、前述したような従来の問
題点を解消しうるような半導体ウエハーを提供すること
である。
題点を解消しうるような半導体ウエハーを提供すること
である。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、メモリ
ー等の複数のICチップを形成した半導体ウエハーにお
いて、前記複数のICチップのうちの少なくとも2つ以
上のICチップを含むICチップ群とし、該ICチップ
群内のすべてのICチップの間において同一目的のチッ
プ端子同志を電気的に並列に接続する回路パターンを、
該半導体ウエハーの周辺部分または前記ICチップの間
の部分上に、設ける。
ー等の複数のICチップを形成した半導体ウエハーにお
いて、前記複数のICチップのうちの少なくとも2つ以
上のICチップを含むICチップ群とし、該ICチップ
群内のすべてのICチップの間において同一目的のチッ
プ端子同志を電気的に並列に接続する回路パターンを、
該半導体ウエハーの周辺部分または前記ICチップの間
の部分上に、設ける。
【0009】
【作用】本発明のこのような構成の半導体ウエハーによ
れば、並列接続している同一目的のチップ端子について
唯一のプロービング端子を選択し且つそれら目的の異な
るチップ端子のためのプロービング端子を、その並列接
続されたICチップに対して1つが対応配置されるよう
に分散配置することにより、その半導体ウエハー上にて
各ICチップに対しするエージング等のテストを容易に
行うことができる。
れば、並列接続している同一目的のチップ端子について
唯一のプロービング端子を選択し且つそれら目的の異な
るチップ端子のためのプロービング端子を、その並列接
続されたICチップに対して1つが対応配置されるよう
に分散配置することにより、その半導体ウエハー上にて
各ICチップに対しするエージング等のテストを容易に
行うことができる。
【0010】
【実施例】次に、添付図面に基づいて、本発明の実施例
について本発明をより詳細に説明する。
について本発明をより詳細に説明する。
【0011】図1は、本発明の一実施例としての半導体
ウエハーのICチップアレーおよびそれに付加した回路
パターンを示す平面図である。この図1に示すように、
この実施例の半導体ウエハー100には、37個のIC
チップ10がアレイ状に形成されており、半導体ウエハ
ー100の周辺部分およびICチップの間の部分上に
は、それらICチップ37のうちのいくつかを含むIC
チップ群内のすべてのICチップの間において同一目的
のチップ端子同志を電気的に並列に接続する複数の回路
パターン20が設けられている。これら回路パターン2
0は、周知の多層回路形成技術によって形成されうる。
ウエハーのICチップアレーおよびそれに付加した回路
パターンを示す平面図である。この図1に示すように、
この実施例の半導体ウエハー100には、37個のIC
チップ10がアレイ状に形成されており、半導体ウエハ
ー100の周辺部分およびICチップの間の部分上に
は、それらICチップ37のうちのいくつかを含むIC
チップ群内のすべてのICチップの間において同一目的
のチップ端子同志を電気的に並列に接続する複数の回路
パターン20が設けられている。これら回路パターン2
0は、周知の多層回路形成技術によって形成されうる。
【0012】図2は、図1の半導体ウエハー100上に
形成されたICチップ10および回路パターン20の一
部分を拡大して示す図である。図2に示されるように、
このICチップ群は、5つのICチップ10A、10
B、10C、10Dおよび10Eを含んでおり、各IC
チップは、その下辺にそって6つの種々な目的のチップ
端子1、2、3、4、5および6を有している。各IC
チップにおいて同じ参照符号にて示したチップ端子は、
同一目的のものとする。
形成されたICチップ10および回路パターン20の一
部分を拡大して示す図である。図2に示されるように、
このICチップ群は、5つのICチップ10A、10
B、10C、10Dおよび10Eを含んでおり、各IC
チップは、その下辺にそって6つの種々な目的のチップ
端子1、2、3、4、5および6を有している。各IC
チップにおいて同じ参照符号にて示したチップ端子は、
同一目的のものとする。
【0013】これらICチップ群に対して、本発明によ
り付加されたエージング等テスト用の回路パターン20
は、多層形成された6本の回路導体21、22、23、
24、25および26を備えている。回路導体21は、
5つのICチップ10A、10B、10C、10Dおよ
び10Eのチップ端子1を電気的に並列に接続してい
る。
り付加されたエージング等テスト用の回路パターン20
は、多層形成された6本の回路導体21、22、23、
24、25および26を備えている。回路導体21は、
5つのICチップ10A、10B、10C、10Dおよ
び10Eのチップ端子1を電気的に並列に接続してい
る。
【0014】以下同様に、回路導体22は、各チップ端
子2を、回路導体23は、各チップ端子3を、回路導体
24は、各チップ端子4を、回路導体25は、各チップ
端子5を、回路導体26は、各チップ端子6を、それぞ
れ電気的に並列に接続している。
子2を、回路導体23は、各チップ端子3を、回路導体
24は、各チップ端子4を、回路導体25は、各チップ
端子5を、回路導体26は、各チップ端子6を、それぞ
れ電気的に並列に接続している。
【0015】このような回路パターン20を付加した半
導体ウエハー100においては、各ICチップ10の各
チップ端子の配列ピッチが非常に狭くても、次のように
してエージング等のテストのためのプロービングを容易
に行える。すなわち、半導体ウエハー上に存在する状態
にて各ICチップのエージング等のテストを行いたい場
合について、図2に拡大して示したICチップアレイの
部分に関して説明すれば、例えば、ICチップ10Aの
チップ端子1、ICチップ10Bのチップ端子2、IC
チップ10Cのチップ端子3、ICチップ10Dのチッ
プ端子4、ICチップ10Eのチップ端子5、およびI
Cチップ10Aのチップ端子6をそれぞれプロービング
端子として使用する。
導体ウエハー100においては、各ICチップ10の各
チップ端子の配列ピッチが非常に狭くても、次のように
してエージング等のテストのためのプロービングを容易
に行える。すなわち、半導体ウエハー上に存在する状態
にて各ICチップのエージング等のテストを行いたい場
合について、図2に拡大して示したICチップアレイの
部分に関して説明すれば、例えば、ICチップ10Aの
チップ端子1、ICチップ10Bのチップ端子2、IC
チップ10Cのチップ端子3、ICチップ10Dのチッ
プ端子4、ICチップ10Eのチップ端子5、およびI
Cチップ10Aのチップ端子6をそれぞれプロービング
端子として使用する。
【0016】ICチップ10A、10B、10C、10
Dおよび10Eの各チップ端子1、2、3、4、5およ
び6は、それぞれ回路パターン20の各回路導体21、
22、23 24、25および26によって電気的に並
列接続されているのであるから、こうすることにより、
ICチップ10A、10B、10C、10Dおよび10
Eのすべてに対するエージング等のテストを行うことが
できる。そして、プロービング端子は、5つのICチッ
プ10A、10B、10C、10Dおよび10Eの1つ
または2つのチップ端子のみに対して分散配置している
ので、各チップ端子の配列ピッチが狭くとも、プロービ
ング端子の間隔は比較的に広くとれるので、実際的に可
能である。
Dおよび10Eの各チップ端子1、2、3、4、5およ
び6は、それぞれ回路パターン20の各回路導体21、
22、23 24、25および26によって電気的に並
列接続されているのであるから、こうすることにより、
ICチップ10A、10B、10C、10Dおよび10
Eのすべてに対するエージング等のテストを行うことが
できる。そして、プロービング端子は、5つのICチッ
プ10A、10B、10C、10Dおよび10Eの1つ
または2つのチップ端子のみに対して分散配置している
ので、各チップ端子の配列ピッチが狭くとも、プロービ
ング端子の間隔は比較的に広くとれるので、実際的に可
能である。
【0017】
【発明の効果】前述したように、本発明の半導体ウエハ
ーの構造によれば、半導体ウエハー上に存在するICチ
ップの状態にて、エージング等のテストを行うことが可
能であり、パッケージング等の後処理前に欠陥のあるI
Cチップを廃棄することができるので、ICチップの製
造価格を全体として低減することができる。
ーの構造によれば、半導体ウエハー上に存在するICチ
ップの状態にて、エージング等のテストを行うことが可
能であり、パッケージング等の後処理前に欠陥のあるI
Cチップを廃棄することができるので、ICチップの製
造価格を全体として低減することができる。
【図1】本発明の一実施例としての半導体ウエハーのI
Cチップアレーおよびそれに付加した回路パターンを示
す平面図である。
Cチップアレーおよびそれに付加した回路パターンを示
す平面図である。
【図2】図1の半導体ウエハー上に形成されたICチッ
プおよび回路パターンの一部分を拡大して示す図であ
る。
プおよび回路パターンの一部分を拡大して示す図であ
る。
1 チップ端子 2 チップ端子 3 チップ端子 4 チップ端子 5 チップ端子 6 チップ端子 10 ICチップ 10A ICチップ 10B ICチップ 10C ICチップ 10D ICチップ 10E ICチップ 20 回路パターン 21 回路導体 22 回路導体 23 回路導体 24 回路導体 25 回路導体 26 回路導体 100 半導体ウエハー
Claims (3)
- 【請求項1】 メモリー等の複数のICチップを形成し
た半導体ウエハーにおいて、前記複数のICチップのう
ちの少なくとも2つ以上のICチップを含むICチップ
群とし、該ICチップ群内のすべてのICチップの間に
おいて同一目的のチップ端子同志を電気的に並列に接続
する回路パターンを、該半導体ウエハーの周辺部分また
は前記ICチップの間の部分上に、設けたことを特徴と
する半導体ウエハー。 - 【請求項2】 前記回路パターンは、その並列接続して
いる同一目的のチップ端子に対して唯一のプロービング
端子を含み、目的の異なるチップ端子のためのプロービ
ング端子は、その並列接続されたICチップに対して1
つが対応配置されるように分散配置される請求項1記載
の半導体ウエハー。 - 【請求項3】 前記回路パターンは、多層形成されてい
る請求項1または2記載の半導体ウエハー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3295701A JPH05136243A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | エージング等テスト用パターンを付加した半導体ウエハー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3295701A JPH05136243A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | エージング等テスト用パターンを付加した半導体ウエハー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136243A true JPH05136243A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17824048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3295701A Pending JPH05136243A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | エージング等テスト用パターンを付加した半導体ウエハー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05136243A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107185A (ja) * | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH0951026A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Nec Corp | 集積回路試験装置 |
US7229858B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-06-12 | Denso Corporation | Semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method using the same |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP3295701A patent/JPH05136243A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107185A (ja) * | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH0951026A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Nec Corp | 集積回路試験装置 |
US7229858B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-06-12 | Denso Corporation | Semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method using the same |
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