JP2765467B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

Info

Publication number
JP2765467B2
JP2765467B2 JP5348278A JP34827893A JP2765467B2 JP 2765467 B2 JP2765467 B2 JP 2765467B2 JP 5348278 A JP5348278 A JP 5348278A JP 34827893 A JP34827893 A JP 34827893A JP 2765467 B2 JP2765467 B2 JP 2765467B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
semiconductor
semiconductor integrated
circuit device
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5348278A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07193131A (ja
Inventor
仁 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP5348278A priority Critical patent/JP2765467B2/ja
Publication of JPH07193131A publication Critical patent/JPH07193131A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2765467B2 publication Critical patent/JP2765467B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に半導体ペレット組立後の検査工程におけるペレ
ットの識別を簡易化した半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置を少量多品種
で製造する場合に、1枚のウェハ上に複数種類の半導体
集積回路装置を製造する場合がある。この場合、ウェハ
を個々の半導体ペレットに切断した上で、かく半導体ペ
レットを組み立てる際に、同品種の半導体ペレットのみ
を選択して組み立てればその後の処理が簡略化される
が、この方法では同品種の半導体ペレットを選択する作
業に多大な工数がかかり、コスト高になるという問題が
ある。また、各品種の半導体ペレットを混ぜた状態で組
み立てを行い、組み立て後に半導体ペレットの選別を行
うことが考えられる。
【0003】この際の選別方法として、特開昭63−1
22242号公報に記載されているものがある。この方
法は、図2(a)に示すように、例えば同一ウェハ2上
に3種類の半導体ペレット21,22,23が形成され
ているものとする。各半導体ペレット21,22,23
に設けられているテストパッドPTと接地線VEとの間
には、各品種の固有の抵抗値の抵抗R1,R2,R3の
いずれかが接続されている。したがって、パッケージを
行って半導体集積回路装置を組み立てた後に、図2
(b)のように、テストパッドTPと接地線VEにつな
がる接地パッドPEの各端子ピンL3,L4の間の抵抗
値を抵抗値測定器TESTにより測定すれば、品種を選
別することが可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法ではテストパッドTPと接地線VEとを抵抗値測定器
TESTに接続するためには、テストパッドTPと接地
パッドPEをそれぞれ半導体集積回路装置の端子ピンL
3,L4に接続しなければならない。このため、接地ピ
ンL4は半導体集積回路装置の接地用として利用できる
が、テストパッドを接続した端子ピンL3は品種選別専
用のものとなり、品種選別後における実際の動作には不
要のものとなり、これにより高集積化で多ピン化の半導
体集積回路装置ではピンの有効利用を図る上での障害に
なるという問題がある。本発明の目的は、製造後におけ
る品種の選別を可能とする一方で端子ピンの有効利用を
図った半導体集積回路装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、1つの半導体
ペレット内に電気的に分離されている同電位の複数本の
電源線を有し、前記半導体ペレットがパッケージされた
ときに前記各電源線がそれぞれ個別に端子ピンに接続さ
れてなる半導体集積回路装置において、各電源線のうち
の少なくとも2本の電源線の間には、半導体集積回路装
置の品種を特定するための抵抗値を有する抵抗を接続し
た構成とする。また、各電源線と抵抗を接続する配線の
少なくとも一部を、過電流により溶断されるように構成
することが好ましい。ここで、各半導体ペレットには、
品種数に相当する数の異なる抵抗の抵抗が形成され、
これらの抵抗を品種毎に選択して各電源線に接続する構
成、あるいは各半導体ペレットには、品種毎にそれぞれ
抵抗値の異なる抵抗が形成される構成が採用される。ま
た、電源線は低電位側電源線としての接地線であっても
よいことは言うまでもない。
【0006】
【作用】半導体ペレットがパッケージされた半導体集積
回路装置として構成された状態でも、2本の同電位の電
源用の端子ピン間の抵抗値を測定すれば、その抵抗値に
基づいてその半導体集積回路装置の品種を選別すること
が可能となり、品種識別用の専用の端子ピンを設ける必
要がなく、端子ピンの有効利用が図られる。また、品種
の選別後に過電流により線路を溶断して抵抗を電源線か
ら切り離すことで、各電源線間の干渉を防止する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1(a)は本発明の半導体集積回路装置の一実施
例を示す図である。半導体ウェハ1には複数品種の半導
体ペレット11,12,13が形成されており、各半導
体ペレット11,12,13はその後の工程で個々の半
導体ペレットに切断分離され、それぞれ独立してパッケ
ージが行われ、個々の半導体集積回路装置として構成さ
れるものである。ここで、前記各半導体ペレット11,
12,13の回路に設けられる電源線は、通常各回路ブ
ロック間の干渉を防止するために、回路ブロック毎に別
々に分離して配設することが一般的に行われている。こ
の例では、低電位側の電源線としての接地線が2つの接
地線VE1,VE2に分離されており、それぞれが別個
の接地パッドP1,P2に接続されている。したがっ
て、この構成の半導体ペレットを半導体集積回路装置と
してパッケージを行ったときには、各接地パッドP1,
P2はそれぞれ個別の端子ピンに接続されることなる。
【0008】そして、前記半導体ウェハ1に形成された
各半導体ペレット11,12,13では、この2本の接
地線VE1,VE2の間に抵抗R1,R2,R3のいず
れかを接続している。この場合、これらの抵抗R1,R
2,R3の抵抗値は、半導体ペレットの品種に応じて特
定の値のものが設定される。この実施例では、各半導体
ペレット11,12,13はそれぞれ異なる抵抗値の各
抵抗R1,R2,R3を各半導体ペレット11,12,
13にそれぞれ接続するように、各配線を相違させるこ
とで実現している。また、この実施例では、この抵抗R
1,R2,R3と接地線VE1,VE2とを接続する線
の幅を充分に細く形成しており、過電流が印加されたと
きには容易に溶断されるように構成されている。
【0009】したがって、この半導体ウェハ1を個々の
半導体ペレット11,12,13に切断分離し、異種の
半導体ペレットを一括して組み立てを行ない、図1
(b)のように、それぞれ半導体集積回路装置ICを形
成する。。その後に、前記2つの接地線VE1,VE2
に接続されている2本の接地パッドP1,P2、即ち端
子ピンL1,L2の間の抵抗値を抵抗値測定器TEST
で測定すれば、その抵抗値によって半導体ペレットの品
種を容易に選別することができる。なお、2つの接地線
VE1,VE2は通常ではそれぞれ接地されて同電位と
されるものであるから、両端子ピン間に抵抗が接続され
ていても問題になることは少ない。また、仮に各接地線
を含む回路ブロック間の独立性が要求されて、抵抗を介
して回路ブロック間の干渉が影響されるおそがあるとき
には、両端子ピン間に過電流を通流すれば、抵抗と接地
線とを接続する細い線が溶断されるため、このような干
渉を防止することができる。
【0010】したがって、この半導体集積回路装置で
は、本来的に設けられる同電位の端子ピンを利用するこ
とで半導体ペレットの品種を選別することが可能となる
ため、品種選別のための端子ピンを特別に設ける必要が
ない。このため、高集積化、多ピン化の半導体集積回路
における端子ピンの有効利用を図ることができる。特
に、マスタスライス等のように、同一のウェハに複数種
類の半導体ペレットを形成する場合に、形成された全て
の半導体ペレットを同一工程でパッケージして半導体集
積回路装置を製造した後でも、各半導体集積回路装置の
品種を簡単に選別でき、前記した端子ピンの有効利用を
図るとともに、製造コストを低減することができる。
【0011】なお、前記実施例では2本の接地線の間に
抵抗を接続しているが、高電位側の電源線を2本有する
場合には、これらの電源線間に抵抗を接続するように構
成してもよい。また、前記実施例では各半導体ペレット
に抵抗値が異なる抵抗を形成してこれを選択している
が、スペース的な制約を受ける場合には、各品種の半導
体ペレットにそれぞれ抵抗値が異なる1個の抵抗を形成
するようにしてもよい。この抵抗値の異なる抵抗を製造
する方法は、例えば多結晶シリコンで抵抗を形成する場
合には、その多結晶シリコン膜の縦横寸法を各品種毎に
相違させることで容易に実現することができる。即ち、
多結晶シリコン膜をパターニングする際のマスク形状を
各品種で相違させるだけでよい。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路装置は、1つの半導体ペレット内に電気的に分離
されている同電位の複数本の電源線のうちの少なくとも
2本の電源線の間に、半導体集積回路装置の品種を特定
するための抵抗値を有する抵抗を接続しているので、半
導体ペレットがパッケージされて半導体集積回路装置と
して構成された状態でも、前記2本の電源線につながる
端子ピン間の抵抗値を測定すれば、その抵抗値に基づい
てその半導体集積回路装置の品種を特定することが可能
となり、品種識別用の専用の端子ピンを個別に設ける必
要がなく、端子ピンの有効利用を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の半導体ペレットの要部の平
面図と、その品種識別を行う状態を示す図である。
【図2】従来の半導体ペレットの一部の平面図と、その
品種識別を行う状態を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェハ 11,12,13 半導体チップ VE1,VE2 同電位電源線(接地線) R1〜R3 抵抗 P1,P2 パッド L1,L2 端子ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/04

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つの半導体ペレット内に電気的に分離
    されている同電位の複数本の電源線を有し、前記半導体
    ペレットがパッケージされたときに前記各電源線がそれ
    ぞれ個別に端子ピンに接続されてなる半導体集積回路装
    置において、前記各電源線のうちの少なくとも2本の電
    源線の間には、半導体集積回路装置の品種を特定するた
    の抵抗値を有する抵抗を接続してなることを特徴とす
    る半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 各電源線と抵抗を接続する配線の少なく
    とも一部を、過電流により溶断されるように構成してな
    る請求項1の半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 各半導体ペレットには、品種数に相当す
    る数の異なる抵抗の抵抗が形成され、これらの抵抗を
    品種毎に選択して各電源線に接続してなる請求項1また
    は2の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 各半導体ペレットには、品種毎にそれぞ
    れ抵抗値の異なる抵抗が形成されてなる請求項1または
    2の半導体集積回路装置。
  5. 【請求項5】 電源線が接地線である請求項1ないし4
    のいずれかの半導体集積回路装置。
JP5348278A 1993-12-24 1993-12-24 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JP2765467B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5348278A JP2765467B2 (ja) 1993-12-24 1993-12-24 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5348278A JP2765467B2 (ja) 1993-12-24 1993-12-24 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07193131A JPH07193131A (ja) 1995-07-28
JP2765467B2 true JP2765467B2 (ja) 1998-06-18

Family

ID=18395966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5348278A Expired - Lifetime JP2765467B2 (ja) 1993-12-24 1993-12-24 半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2765467B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294930A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Denso Corp 半導体集積回路装置およびその実装方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5011689A (ja) * 1973-06-01 1975-02-06
JPS63122242A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Nec Corp マスタ−スライス集積回路の構成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07193131A (ja) 1995-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100487530B1 (ko) 테스트 소자 그룹이 구비된 반도체 소자
JP3506377B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP1284499B1 (en) Semiconductor wafer for in-process testing an integrated circuit and corresponding manufacturing method
US7627796B2 (en) Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output
JPH0773106B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6153450A (en) Method of utilizing fuses to select alternative modules in a semiconductor device
JP2765467B2 (ja) 半導体集積回路装置
EP1081757B1 (en) Multichip module packaging process for known good die burn-in
US6420781B1 (en) Method for producing emulation circuit configuration, and configuration with two integrated circuits
US7183623B2 (en) Trimmed integrated circuits with fuse circuits
US6621285B1 (en) Semiconductor chip having a pad arrangement that allows for simultaneous testing of a plurality of semiconductor chips
JP2929784B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPS5925258A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0541429A (ja) 半導体icウエーハおよび半導体icの製造方法
US20010054904A1 (en) Monitoring resistor element and measuring method of relative preciseness of resistor elements
JPS6158966B2 (ja)
JP3012242B2 (ja) 半導体集積回路の製造方法
JP2972473B2 (ja) 半導体装置
JPH0529546A (ja) 半導体集積回路
JPH0661297A (ja) 半導体装置
JP2710357B2 (ja) 集積回路装置
KR100641471B1 (ko) 반도체 소자의 입력 ic 구조
JP2002184825A (ja) 半導体装置およびテスト方法
KR200166710Y1 (ko) Cob 형 반도체 칩의 번-인 보드
JP2978883B1 (ja) 半導体装置