JP2704065B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JP2704065B2 JP2704065B2 JP3242254A JP24225491A JP2704065B2 JP 2704065 B2 JP2704065 B2 JP 2704065B2 JP 3242254 A JP3242254 A JP 3242254A JP 24225491 A JP24225491 A JP 24225491A JP 2704065 B2 JP2704065 B2 JP 2704065B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の大ディメンジョンのＭＯＳトラン
ジスタを有する半導体集積回路のマスクパタンの一例と
しては、図３に示されるように、電源パッド５３および
接地パッド５４に対応して、大ディメンジョンのＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートと、小ディメンジョンのＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１６および小ディメンジョンのＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１７により構成される第２の論理
ゲートとを備えて構成されており、前記第１および第２
の論理ゲートの出力端には、それぞれ負荷容量１５およ
び１８が接続されており、また、電源パッド５３から前
記第１および第２の論理ゲートに接続される配線には、
配線抵抗１９が介在しており、また接地パッド５４から
前記第１および第２の論理ゲートに接続される配線に
は、配線抵抗２０が介在している。また、図４に示され
るのは、本従来例における動作波形図であり、図４にお
いて、ＶDD、ＶTPおよびＶTNは、それぞれ電源電圧、後
述する本発明における電源配線側ならび接地配線側のス
イッチング素子におけるしきい値電圧を示している。
ジスタを有する半導体集積回路のマスクパタンの一例と
しては、図３に示されるように、電源パッド５３および
接地パッド５４に対応して、大ディメンジョンのＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートと、小ディメンジョンのＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１６および小ディメンジョンのＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１７により構成される第２の論理
ゲートとを備えて構成されており、前記第１および第２
の論理ゲートの出力端には、それぞれ負荷容量１５およ
び１８が接続されており、また、電源パッド５３から前
記第１および第２の論理ゲートに接続される配線には、
配線抵抗１９が介在しており、また接地パッド５４から
前記第１および第２の論理ゲートに接続される配線に
は、配線抵抗２０が介在している。また、図４に示され
るのは、本従来例における動作波形図であり、図４にお
いて、ＶDD、ＶTPおよびＶTNは、それぞれ電源電圧、後
述する本発明における電源配線側ならび接地配線側のス
イッチング素子におけるしきい値電圧を示している。
【０００３】図３において、大ディメンジョンのＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートに対する入力信号１０３が、ハイレベル
からロウレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１３とＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１４が同時にオン状態となる時間帯が存在し、
電源側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。更
に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３を介して負荷容
量１５が充電されるために、節点Ｅにおいては、電源側
の配線抵抗１９により、図４（Ｅ）に示されるような電
圧降下が生じる。また、大ディメンジョンのＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンのＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第１の
論理ゲートに対する入力信号１０３が、ロウレベルから
ハイレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１３とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ１４が同時にオン状態となる時間帯が存在し、電源
側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。そし
て、更に、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４を介し
て、負荷容量１５に蓄積されていた電荷が放電されるた
めに、節点Ｇにおいては、接地側の配線抵抗２０によ
り、図４（Ｇ）に示されるような電圧浮きが生じる。
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートに対する入力信号１０３が、ハイレベル
からロウレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１３とＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１４が同時にオン状態となる時間帯が存在し、
電源側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。更
に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３を介して負荷容
量１５が充電されるために、節点Ｅにおいては、電源側
の配線抵抗１９により、図４（Ｅ）に示されるような電
圧降下が生じる。また、大ディメンジョンのＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンのＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第１の
論理ゲートに対する入力信号１０３が、ロウレベルから
ハイレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１３とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ１４が同時にオン状態となる時間帯が存在し、電源
側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。そし
て、更に、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４を介し
て、負荷容量１５に蓄積されていた電荷が放電されるた
めに、節点Ｇにおいては、接地側の配線抵抗２０によ
り、図４（Ｇ）に示されるような電圧浮きが生じる。
【０００４】この現象は、小ディメンジョンのＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１６および小ディメンジョンのＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ１７により構成される第２
の論理ゲートにおいても同様であるが、ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１６およびＮチャネルＭＯＳトランジス
タ１７のオン抵抗の値が相対的に大きめに設定されてい
るために、電源側の配線抵抗および接地側の配線抵抗と
の間に流れる貫通電流の量は小さい値に抑制されてお
り、且つまたＰチャネルＭＯＳトランジスタ１６および
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１７により形成される、
第２の論理ゲートの出力端に接続される負荷容量１８の
容量値も小さい値となるために、第２の論理ゲートに対
する入力信号１０４のレベルが、ロウレベルからハイレ
ベルに高速にてスイッチングされる場合、およびハイレ
ベルからロウレベルに高速にてスインチングされる場合
における電圧降下および電圧浮きのレベルは、前述の大
ディメンジョンののＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３
および大ディメンジョンのＮチャネルＭＯＳトランジス
タ１４により構成される第１の論理ゲートにおける電圧
変動に比較して相対的に小さいレベルに抑制されてい
る。
ルＭＯＳトランジスタ１６および小ディメンジョンのＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ１７により構成される第２
の論理ゲートにおいても同様であるが、ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１６およびＮチャネルＭＯＳトランジス
タ１７のオン抵抗の値が相対的に大きめに設定されてい
るために、電源側の配線抵抗および接地側の配線抵抗と
の間に流れる貫通電流の量は小さい値に抑制されてお
り、且つまたＰチャネルＭＯＳトランジスタ１６および
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１７により形成される、
第２の論理ゲートの出力端に接続される負荷容量１８の
容量値も小さい値となるために、第２の論理ゲートに対
する入力信号１０４のレベルが、ロウレベルからハイレ
ベルに高速にてスイッチングされる場合、およびハイレ
ベルからロウレベルに高速にてスインチングされる場合
における電圧降下および電圧浮きのレベルは、前述の大
ディメンジョンののＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３
および大ディメンジョンのＮチャネルＭＯＳトランジス
タ１４により構成される第１の論理ゲートにおける電圧
変動に比較して相対的に小さいレベルに抑制されてい
る。
【０００５】この場合において、電源側および接地側の
配線を、第１および第２の論理ゲートに対して共通とし
て１系統の配線とすると、両者の貫通電流等が加算され
るために、上述の電圧変動のレベルはかなり大きいもの
となるが、このように、論理ゲートに対する電源側なら
び接地側の配線系統数を２系統とすることにより、上述
の電圧変動のレベルは比較的小さい値に抑制される。
配線を、第１および第２の論理ゲートに対して共通とし
て１系統の配線とすると、両者の貫通電流等が加算され
るために、上述の電圧変動のレベルはかなり大きいもの
となるが、このように、論理ゲートに対する電源側なら
び接地側の配線系統数を２系統とすることにより、上述
の電圧変動のレベルは比較的小さい値に抑制される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路においては、電源パッドおよび接地パッドから
各論理ゲートに対する配線系統をそれぞれ別系統とし
て、論理ゲートの出力端に生じる電圧変動を抑制させる
ように考慮されているが、このように配線を別系統にし
ても、大きい負荷に接続されるスイッチング素子が高速
にてスイッチングされる場合には、電源側および接地側
のそれぞれにおいて、論理しきい値を越える電圧変動が
生じ、この電圧変動を低減するためには、電源側および
接地側の配線系統数を増大して、配線幅を太くすること
が行われるが、チップサイズの制約により、このように
配線系統数を増して配線幅を太くすることには限界があ
るとい欠点がある。
集積回路においては、電源パッドおよび接地パッドから
各論理ゲートに対する配線系統をそれぞれ別系統とし
て、論理ゲートの出力端に生じる電圧変動を抑制させる
ように考慮されているが、このように配線を別系統にし
ても、大きい負荷に接続されるスイッチング素子が高速
にてスイッチングされる場合には、電源側および接地側
のそれぞれにおいて、論理しきい値を越える電圧変動が
生じ、この電圧変動を低減するためには、電源側および
接地側の配線系統数を増大して、配線幅を太くすること
が行われるが、チップサイズの制約により、このように
配線系統数を増して配線幅を太くすることには限界があ
るとい欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、ソースが電源側の第１の配線に接続され、ゲートに
第１の入力信号が接続されて、ドレインが第１の出力端
子に接続される第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、ドレインが前記第１の出力端子に接続され、ゲート
に前記第１の入力信号が接続されて、ソースが接地側の
第１の配線に接続される第１のＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタと、により形成される第１の論理ゲートと、ソー
スが電源側の第２の配線に接続され、ゲートに第２の入
力信号が接続されて、ドレインが第２の出力端子に接続
される第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、ドレイ
ンが前記第２の出力端子に接続され、ゲートに前記第２
の入力信号が接続されて、ソースが接地側の第２の配線
に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
により形成される第２の論理ゲートと、前記第１のＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタのソースと、前記第２のＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタのソースとの間に挿入接続さ
れ、前記第１の入力信号の入力レベル変化に対応して作
動する第１のスイッチング素子と、前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースと、前記第２のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースとの間に挿入接続され、
前記第２の入力信号の入力レベル変化に対応して作動す
る第２のスイッチング素子と、を備えて構成される。
は、ソースが電源側の第１の配線に接続され、ゲートに
第１の入力信号が接続されて、ドレインが第１の出力端
子に接続される第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、ドレインが前記第１の出力端子に接続され、ゲート
に前記第１の入力信号が接続されて、ソースが接地側の
第１の配線に接続される第１のＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタと、により形成される第１の論理ゲートと、ソー
スが電源側の第２の配線に接続され、ゲートに第２の入
力信号が接続されて、ドレインが第２の出力端子に接続
される第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、ドレイ
ンが前記第２の出力端子に接続され、ゲートに前記第２
の入力信号が接続されて、ソースが接地側の第２の配線
に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
により形成される第２の論理ゲートと、前記第１のＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタのソースと、前記第２のＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタのソースとの間に挿入接続さ
れ、前記第１の入力信号の入力レベル変化に対応して作
動する第１のスイッチング素子と、前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースと、前記第２のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースとの間に挿入接続され、
前記第２の入力信号の入力レベル変化に対応して作動す
る第２のスイッチング素子と、を備えて構成される。
【０００８】なお、前記第１のスイッチング素子は、ド
レインとゲートが前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジ
スタのソースに接続され、ソースが前記第２のＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースに接続されるＰチャネル
ＭＯＳトランジスタにより形成され、前記第２のスイッ
チング素子は、ドレインとゲートが前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースに接続され、ソースが前
記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースに接続
されるＮチャネルＭＯＳトランジスタにより形成されて
もよい。
レインとゲートが前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジ
スタのソースに接続され、ソースが前記第２のＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースに接続されるＰチャネル
ＭＯＳトランジスタにより形成され、前記第２のスイッ
チング素子は、ドレインとゲートが前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソースに接続され、ソースが前
記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースに接続
されるＮチャネルＭＯＳトランジスタにより形成されて
もよい。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。図１に示されるように、本実施例は、電源パッド５
１および接地パッド５２に対応して、大ディメンジョン
のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１および大ディメンジ
ョンのＮチャネルＭＯＳトランジスタ２により構成され
る第１の論理ゲートと、小ディメンジョンのＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ５および小ディメンジョンのＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ６により構成される第２の論理
ゲートと、ドレインとゲートがＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタの１のソースに接続され、ソースがＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５のソースに接続されるＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４と、ソースがＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６のドレインに接続され、ドレインとゲートが
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２のソースに接続される
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８と、を備えて構成され
ており、前記第１および第２の論理ゲートの出力端に
は、それぞれ負荷容量３および７が接続され、また、電
源パッド５１から前記第１および第２の論理ゲートに接
続される配線には、それぞれ配線抵抗９および１０が介
在しており、また接地パッド５２から前記第１および第
２の論理ゲートに接続される配線には、それぞれ配線抵
抗１２および１１が介在している。また、図２に示され
るのは、本実施例における動作波形図である。
る。図１に示されるように、本実施例は、電源パッド５
１および接地パッド５２に対応して、大ディメンジョン
のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１および大ディメンジ
ョンのＮチャネルＭＯＳトランジスタ２により構成され
る第１の論理ゲートと、小ディメンジョンのＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ５および小ディメンジョンのＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ６により構成される第２の論理
ゲートと、ドレインとゲートがＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタの１のソースに接続され、ソースがＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５のソースに接続されるＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４と、ソースがＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６のドレインに接続され、ドレインとゲートが
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２のソースに接続される
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８と、を備えて構成され
ており、前記第１および第２の論理ゲートの出力端に
は、それぞれ負荷容量３および７が接続され、また、電
源パッド５１から前記第１および第２の論理ゲートに接
続される配線には、それぞれ配線抵抗９および１０が介
在しており、また接地パッド５２から前記第１および第
２の論理ゲートに接続される配線には、それぞれ配線抵
抗１２および１１が介在している。また、図２に示され
るのは、本実施例における動作波形図である。
【００１１】図１において、大ディメンジョンのＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートに対する入力信号１０１が、ハイレベル
からロウレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１とＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ２が同時にオン状態となる時間帯が存在し、電源
側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。更に、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を介して負荷容量３が
充電されるために、節点Ａには、電源側の配線抵抗９に
よりＰチャネルＭＯＳトランジスタ４の論理しきい値電
圧を越える電圧変動（電圧低下）が生じるが、この際、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４はオン状態となり、こ
れにより、節点Ａの電位と節点Ｂの電位とは等しくなる
ように動作し、節点Ａの電位は、図２（Ａ）に示される
ように、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４のしきい値電
圧を越える電圧は除去されるレベル状態となる。また、
この場合において、同時に、節点Ｂの電位は、Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４の論理しきい値電圧を越える変
動分だけ電圧降下が生じるが、その降下レベルが小さい
ために、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５とＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ６により構成される論理ゲートに対
しては、何等の影響を与えることがない。
ネルＭＯＳトランジスタ１３および大ディメンジョンの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４により構成される第
１の論理ゲートに対する入力信号１０１が、ハイレベル
からロウレベルに高速にてスイッチングされると、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１とＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ２が同時にオン状態となる時間帯が存在し、電源
側配線と接地側配線との間に貫通電流が流れる。更に、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を介して負荷容量３が
充電されるために、節点Ａには、電源側の配線抵抗９に
よりＰチャネルＭＯＳトランジスタ４の論理しきい値電
圧を越える電圧変動（電圧低下）が生じるが、この際、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４はオン状態となり、こ
れにより、節点Ａの電位と節点Ｂの電位とは等しくなる
ように動作し、節点Ａの電位は、図２（Ａ）に示される
ように、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４のしきい値電
圧を越える電圧は除去されるレベル状態となる。また、
この場合において、同時に、節点Ｂの電位は、Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４の論理しきい値電圧を越える変
動分だけ電圧降下が生じるが、その降下レベルが小さい
ために、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５とＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ６により構成される論理ゲートに対
しては、何等の影響を与えることがない。
【００１２】逆に、大ディメンジョンのＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１および大ディメンジョンのＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ２により構成される論理ゲートに対
する入力信号１０１が、ロウレベルからハイレベルに高
速にてスイッチングされる場合には、ＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ２が同
時にオン状態となる時間帯が存在し、接地側配線と電源
側配線との間に貫通電流が流れる。そして、更に、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ２を介して、負荷容量３に蓄
積されていた電荷が放電されるために、接地側の配線に
おいて、配線抵抗１２により、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８の論理しきい値電圧を越える電圧変動（電圧上
昇）が生じる。この際、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
８はオン状態となり、これにより、節点Ｃの電位と節点
Ｄの電位とは等しくなるように動作し、節点Ｃの電位
は、図２（Ｃ）に示されるように、ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８の論理しきい値電圧を越える電圧は除去さ
れるレベル状態となる。また、同時に、節点Ｄの電位
は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８の論理しきい値電
圧を越える電圧変動分だけ電圧浮きを生じるが、その浮
きレベルが小さいために、ＰチャネルＭＯＳトランジス
タ５とＮチャネルＭＯＳトランジスタ６により構成され
る論理ゲートに対しては、何等の影響を与えることがな
い。
Ｓトランジスタ１および大ディメンジョンのＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ２により構成される論理ゲートに対
する入力信号１０１が、ロウレベルからハイレベルに高
速にてスイッチングされる場合には、ＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ２が同
時にオン状態となる時間帯が存在し、接地側配線と電源
側配線との間に貫通電流が流れる。そして、更に、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ２を介して、負荷容量３に蓄
積されていた電荷が放電されるために、接地側の配線に
おいて、配線抵抗１２により、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８の論理しきい値電圧を越える電圧変動（電圧上
昇）が生じる。この際、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
８はオン状態となり、これにより、節点Ｃの電位と節点
Ｄの電位とは等しくなるように動作し、節点Ｃの電位
は、図２（Ｃ）に示されるように、ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８の論理しきい値電圧を越える電圧は除去さ
れるレベル状態となる。また、同時に、節点Ｄの電位
は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８の論理しきい値電
圧を越える電圧変動分だけ電圧浮きを生じるが、その浮
きレベルが小さいために、ＰチャネルＭＯＳトランジス
タ５とＮチャネルＭＯＳトランジスタ６により構成され
る論理ゲートに対しては、何等の影響を与えることがな
い。
【００１３】このように、電源側および接地側に、それ
ぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ４とＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８とを付加することにより、電源側なら
びに接地側の配線抵抗に起因する論理ゲート出力におけ
る電圧変動は、配線系統数を増大させることなく小さい
レベルに抑制される。
ぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ４とＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８とを付加することにより、電源側なら
びに接地側の配線抵抗に起因する論理ゲート出力におけ
る電圧変動は、配線系統数を増大させることなく小さい
レベルに抑制される。
【００１４】なお、上記の説明においては、論理しきい
値電圧を越える電圧を除去する手段として、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタとＮチャネルＭＯＳトランジスタと
をスイッチィング素子として用いる例についての動作説
明を行ったが、これ以外の他のスイッチング素子を用い
る場合に対しても、本発明が有効に適用できることは云
うまでもない。
値電圧を越える電圧を除去する手段として、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタとＮチャネルＭＯＳトランジスタと
をスイッチィング素子として用いる例についての動作説
明を行ったが、これ以外の他のスイッチング素子を用い
る場合に対しても、本発明が有効に適用できることは云
うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、異なる
電源側ならびに接地側のそれぞれの配線間に、回路動作
に対応して、それぞれの電源側の配線間ならびに接地側
の配線間を短絡するように作動する半導体スイッチング
素子を配置することにより、論理ゲート出力段におけ
る、当該半導体スイッチング素子の論理しきい値電圧を
越える電圧変動を排除することが可能となり、電源側な
らびに接地側の配線系統数、配線幅を少なくすることに
よりチップサイズを縮小することができるという効果が
ある。
電源側ならびに接地側のそれぞれの配線間に、回路動作
に対応して、それぞれの電源側の配線間ならびに接地側
の配線間を短絡するように作動する半導体スイッチング
素子を配置することにより、論理ゲート出力段におけ
る、当該半導体スイッチング素子の論理しきい値電圧を
越える電圧変動を排除することが可能となり、電源側な
らびに接地側の配線系統数、配線幅を少なくすることに
よりチップサイズを縮小することができるという効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図２】本実施例における動作波形図である。
【図３】従来例を示す回路図である。
【図４】従来例における動作波形図である。
１、４、５、１３、１６ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ２、６、８、１４、１７ ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ ３、７、１５、１８ 負荷容量 ９〜１２、１９、２０ 配線抵抗
スタ ２、６、８、１４、１７ ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ ３、７、１５、１８ 負荷容量 ９〜１２、１９、２０ 配線抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 ソースが電源側の第１の配線に接続さ
れ、ゲートに第１の入力信号が接続されて、ドレインが
第１の出力端子に接続される第１のＰチャネルＭＯＳト
ランジスタと、ドレインが前記第１の出力端子に接続さ
れ、ゲートに前記第１の入力信号が接続されて、ソース
が接地側の第１の配線に接続される第１のＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタと、により形成される第１の論理ゲー
トと、 ソースが電源側の第２の配線に接続され、ゲートに第２
の入力信号が接続されて、ドレインが第２の出力端子に
接続される第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、ド
レインが前記第２の出力端子に接続され、ゲートに前記
第２の入力信号が接続されて、ソースが接地側の第２の
配線に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタ
と、により形成される第２の論理ゲートと、 前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースとの
間に挿入接続され、前記第１の入力信号の入力レベル変
化に対応して作動する第１のスイッチング素子と、 前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースとの
間に挿入接続され、前記第２の入力信号の入力レベル変
化に対応して作動する第２のスイッチング素子と、 を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項２】 前記第１のスイッチング素子が、ドレイ
ンとゲートが前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
のソースに接続され、ソースが前記第２のＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのソースに接続されるＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタにより形成され、前記第２のスイッチン
グ素子が、ドレインとゲートが前記第１のＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタのソースに接続され、ソースが前記第
２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースに接続され
るＮチャネルＭＯＳトランジスタにより形成される請求
項１記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242254A JP2704065B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242254A JP2704065B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0583108A JPH0583108A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2704065B2 true JP2704065B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=17086538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3242254A Expired - Lifetime JP2704065B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704065B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19751540C1 (de) * | 1997-11-20 | 1999-04-08 | Siemens Ag | Integrierte Halbleiterschaltung mit wenigstens zwei Versorgungsnetzen |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3242254A patent/JP2704065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583108A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |