JP2683390B2

JP2683390B2 - 局所適用のための医薬又は化粧品組成物

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Publication number: JP2683390B2
Application number: JP63297136A
Authority: JP
Inventors: フィリップミシェル; オクオウミシェル; セバッグアンリ; ベックイリナ; ピエールラウギエールジャン
Original assignee: LOreal SA
Current assignee: LOreal SA
Priority date: 1987-11-24
Filing date: 1988-11-24
Publication date: 1997-11-26
Anticipated expiration: 2012-11-26
Also published as: JPH01165524A; CA1330945C; FR2623395B1; EP0317846A1; US5019567A; FR2623395A1; EP0317846B1; ATE68348T1; DE3865638D1

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は過酸化ベンゾイル−第４級アンモニウム親油
性サリチレートをベースとする医薬品および化粧品組成
物および特に座瘡の治療にこれらを使用することに関す
る。

従来技術および発明が解決しようとする課題明らかではないが、座瘡の病因は特徴的病変：ニキビ
の形成に発する。これは毛脂管の閉塞を生じ、次いで管
の漏斗状帯の角化異常を生ずる。閉塞の主要な作用は皮
脂のレオロジーおよびその部分の物理化学的性質を改変
することである。このような改変は固有の皮膚菌株を過
度に増殖させ、順次生体に炎症反応を起こす。

過酸化ベンゾイルは座瘡治療剤として認められたもの
のうち特に興味のある角質溶解剤であることが数年間知
られている。さらに、これはすぐれた静菌性を有する。

座瘡治療に標準的抗生物質を使用することも広く行な
われる。実際に、これはかなりの静菌活性および抗−炎
症活性を示す。経口投与の活性抗生物質は多数ある。こ
れらのうち、クリンダマイシンおよび特にエリスロマイ
シンは局所活性を示す。

抗生物質は局所抗座瘡組成物の活性を増加するために
かねて過酸化ベンゾイルと併用されている。特に、エリ
スロマイシンは既に過酸化ベンゾイルと併用されている
（フンランス特許FR77 021 57号明細書）。

しかし抗生物質（単独又は過酸化ベンゾイルと併用）
を使用することの主な欠点はこれらを長期使用すること
にあり、それにより細菌フローラが耐性を有するように
なり、次の治療で抗生物質の効果が減少する（LEYDEN、
J.J,J.Am.Acad.Dermatol.８（１）41〜45、1983）。

さらに、過酸化ベンゾイル−エリスロマイシンの組み
合せは不安定である。

第４級アンモニウム化合物（M.GLOOR,Arch.Dermatol.
Res.265 207−212、1979）は座瘡の局所治療に抗生物
質の代替物として使用することが考えられた。或る種の
第４級アンモニウム化合物は、耐性を誘発せずに座瘡の
原因となる主な菌株に対し抗生物質と同様の効果を有す
ることが示された。

局所治療に対し過酸化ベンゾイルと第４級アンモニウ
ム化合物の併用も既知である（フランス特許FR73 29
233号明細書）。これらの組成物では、過酸化ベンゾイ
ルはその場所で分解して活性酸素を遊離することにより
作用する。

課題を解決するための手段座瘡、皮膚の潰瘍、イボおよび皮膚の角化異常に対
し、又皮膚病および皮膚障害の一般的治療に対し特に有
効で、安定な組成物を得ることができることがわかっ
た。この場合或る種の第４級アンモニウム誘導体（第４
級アンモニウムサリチレート）と併用した過酸化ベンゾ
イルは安定であり、分解せずに活性を保有する。

本発明に従つて過酸化ベンゾイルを第４級アンモニウ
ムサリチレートと局所組成物、例えばゲルで併用する場
合、過酸化ベンゾイルは分解せず、２ケ月の貯蔵後尚安
定してることが確定された。

第４級アンモニウムサリチレートと併用する場合過酸
化ベンゾイルが安定性を有するため、一層低用量を組成
物に使用することができ、従つてさらに皮膚許容性が増
大する。

第４級アンモニウムサリチレートはある程度紫外線を
吸収することも確定された。こうして本発明による組成
物は過酸化ベンゾイルの使用により一般的に遭遇する欠
点、例えば不安定又は二次作用をほとんど示さない。

従つて、これらの新規組成物は非常に安定で、十分に
許容性がある。これらは細菌の耐性を生ずることなく、
非常に良好な抗菌性を示し、角質溶解性であり、主要な
座瘡発生細菌の１種のPropionibacterium Acnesに対し
特に細菌静菌性がある。これらは防腐性、殺菌性、抗真
菌性でもあり、ニキビの治療および数の減少に活性があ
る。

これらの性質のため、本発明組成物は皮膚障害および
特に座瘡のような皮膚病、皮膚の潰瘍、イボおよび皮膚
の角化異常の治療に対し適する。

従つて、本発明の目的は過酸化ベンゾイルおよび少な
くとも１種の第４級アンモニウム親油性サリチレートを
許容しうる生理学的支持体中に含有する局所医薬および
化粧組成物である。

本発明の別の目的は座瘡の治療における組成物の使用
方法に関する。

本発明の尚別の目的は組成物および化粧品により治療
方法を供することである。

本発明のそれ以上の目的は以下の記載および例から明
らかとなろう。

発明の構成本発明によれば、過酸化ベンゾイルと併用する第４級
アンモニウム親油性サチリレートは次の式：〔式中、（ｉ） R₁,R₂,R₃およびR₄は同一又は異なり、末端鎖又
は鎖中に１個以上のヒドロキシル基を含み得る直鎖C₁〜
C₁₈飽和アルキル基を表し、又は（ii） R₃および／又はR₄は基： R₈OC₂H₃R₇ _ｎOCH₂−CHOH−CH₂ _ｐ（式中、０≦ｎ≦４およびｐは０又は１を表し、 R₈はＨ又はC₁〜C₁₈アルキル、アルケニル、アルキル
シクロシルキル又はアルキルアリール基を表し、アルキ
ル基は分枝鎖又は直鎖であり、脂肪族又は芳香族基は１
個又はそれより多いC₁〜C₄アルキル又はアルコキシ置換
基を有することができ、 R₇はＨ、CH₃はCH₂OHを表わし、そして、R₇がCH₂OHを表す場合、R₈はＨ以外であり、
ｐ＝１であり、 R₇がCH₂OHでない場合、ｐ＝０であり、基（OC₂H₃R₇）は次の鎖：のいずれか１つを表す）を表し、 R₁およびR₂は（ｉ）項に示す意味を有し、又は（iii） R₄は基：（式中、ｎは０又は１であり、R₆は水素、ヒドロキシ、
ハルゲン、アルキル、又はヒドロキシアルキル基、又は
C₁〜C₁₈アシル基を表す）を表し、R₁、R₂およびR₃は上
記（ｉ）又は（ii）に示す意味を有し、又は（iv） R₁およびR₂は式（式中、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示した
意味を有する）に相当する芳香族複素環（この場合R₃は
存在しない）を形成し、又は（ｖ） R₁およびR₂は酸素原子により中断されてもよい
非−芳香族、飽和又は不飽和複素基を形成し、この場合
R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示した意味を表
し、R₃は（ｉ）に規定の基を表し、又は（vi） R₁、R₂およびR₃は非−芳香族飽和又は不飽和二
環状基を形成し、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）
に示した意味を表し、R₅は式：（式中、ｎは０〜16の整数である）を有する基を表す〕
で有する。

これらの化合物は特にフランス特許出願第8616 763
号明細書に記載され、特にアルコール媒体、好ましくは
メタノール中の相当する第４級アンモニウムカーボネー
トのような塩から製造することが好ましく、これにエタ
ノール又はメタノールのようなアルコール又はテトラヒ
ドロフランのようなエーテルに溶解した選択親油性サリ
チル酸誘導体を添加する。反応は自然に開始し、その進
行は二酸化炭素の放出により追跡される。

次の第４級アンモニウム親油性サリチレートは特に好
ましい：ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−オクタノ
イルサリチレート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−デカノイ
ルサリチレート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−ドデカノ
イルサリチレート、ヘキサデシルピリジニウム５−オクタノイルサリ
チレート、ヘキサデシルピリジニウム５−デカノイルサリチ
レート、ヘキサデシルピリジニウム５−ドデカノイルサリ
チレート、ベンジルジメチルヘキサデシルンアンモニウム５−
オクタノイルサリチレート、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウム５−デ
カノイルサリチレート、ベンイルジメチルヘキサデシルンアンモニウム５−
ドデカノイルサリチレート、ベンジルトリメチルアンモニウム５−デカノイル
サリチレート、ヘキサデシルジメチルヒドロキシエチルアンモニウム
５−デカノイルサリチレート、テトラメチルアンモニウム５−ドテカノイルサリ
チレート、ドデシルエチルジメチルアンモニウム５−デカノイ
ルサリチレート、トリメチル−ヒドロキシエチルアンモニウム５−デ
カノイルサリチレート、トリメチル−ヒドロキシエチルアンモニウム５−ド
デカノイルサチリレート、Ｎ−ドデシル、Ｎ−メチルモリホリニウム５−デカ
ノイルサリチレート、Ｎ−メチル、Ｎ−オクチルピリリジニウム５−ド
デカノイルサリチレート、ベンズエソニウム５−オクタノイルサリチレー
ト、ベンズエソニウム５−ドデカノイルサリチレー
ト。

これらの化合物は下記方法で製造できる：発明の例Ａ−Ｎ−ヘキサデシル、N,N,N−トリメチルアンモニウ
ム５−オクタノイルサリチレートの製造 15mlのメタノールに溶解した2g（7.57ミリモル）の５
−オクタノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解
した2.62g（4.16ミリモル）のヘキサデシルトリメチル
アンモニウムカーボネートの溶液に添加した。混合物は
１時間環境温度で撹拌し、次に溶媒を蒸発して除き、白
色残留固体はアセトン／ジエチルエーテルの混合物から
再結晶して3.8g（91.5％収量）のヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウム５−オクタノイルサリチレートを製造
した。

融点＝130℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₄H₆₁NO₄、分子量＝547.9 ＣＨＮ計算値％ 74.54 11.22 2.56 分析値％ 74.48 11.32 2.62 ¹Hおよび¹³C NMRスペクトルはアンモニウムカチオン
および５−オクタノイルサリチレートアニオンの特
性値を示し、予期構造を確証した。

Ｂ−Ｎ−ヘキサデシル、N,N,N,−トリメチルアンモニ
ウム５−ドデカノイルサリチレートの製造 15mlのエタノールに溶解した2g（6.85ミリモル）の５
−デカノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解し
た2.2g（3.5ミリモル）のヘキサデシルトリメチルアン
モニウムカーボネートに添加した。混合物は１時間環境
温度で撹拌し、次に溶媒を蒸発して除き、得た白色残留
固体をアセトン／ジエチルエーテルの混合物から再結晶
して3.8（96％収量）のヘキサデシルトリメチルアンモ
ニウム５−デカノイルサリチレートを製造した。

融点＝130℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₆H₆₅NO₄、分子量＝575.9 ＣＨＮ計算値％ 75.08 11.37 2.43 分析値％ 75.05 11.42 2.44 ¹Hおよび¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウム
カチオンおよび５−デカノイルサリチレートアニオ
ンの特性値を示し、予期構造を確証した。

Ｃ−Ｎ−ヘキサデシル、N,N,N,−トリメチルアンモニ
ウム５−ドデカノイルサリチレートの製造 15mlのエタノールに溶解した2g（6.25ミリモル）の５
−ドデカノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解し
た2g（3.18ミリモル）のヘキサデシルトリメチルアンモ
ニウムカーボネートの溶液に添加した。混合物は１時間
環境温度で撹拌し、次に溶媒を蒸発して除き、得た白色
残留固体はアセトン／ジエチルエーテルの混合物から再
結晶して3.5g（93％収量）のヘキサデシルトリメチルア
ンモニウム５−ドテカノイルサリチレートを製造し
た。

融点＝130℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₈H₆₉NO₄、分子量＝604 ＣＨＮ計算値％ 75.57 11.52 2.32 分析値％ 75.17 11.61 2.5 ¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウムカチオンお
よび５−デカノイルサリチレートアニオンの特性値を
示し、予期構造を確証した。

UVスペクトル（エタノール中）は吸収ピーク、^λmax.
＝280nm、モル吸光係数 ε＝14080を示した。

Ｄ−Ｎ−ヘキサデシルピリジニウム５−オクタノイル
サリチレート１水和物の製造 15mlのメタノールに溶解した2g（7.57ミリモル）の５
−オクタノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解
した2.5（3.79ミリモル）のヘキサデシルピリジニウム
カーボネートの溶液に添加した。混合物は１時間環境温
度で撹拌し、次に粗褐色残留物を濾別し、濾別は乾燥す
るまで蒸発して4.2g（98％収量）のヘキサデシルピリジ
ニウム５−オクタノイルサリチレートを製造した。

元素分析:C₃₆H₅₇NO₄、1H₂O、分子量＝585.9 ＣＨＮ計算値％ 73.8 10.15 2.39 分析値％ 73.22 9.77 2.31 ¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウムカチオンお
よび５−オクタノイルサリチレートアニオンの特性値
を示し、予期構造を確証した。

エタノール中のUVスペクトルは吸収ピーク、^λmax＝2
79nm、モル吸光係数 ε＝21450を示した。

Ｅ−Ｎ−ヘキサデシルピリジニウム５−オクタノイ
ルサリチレート 11/2水和物の製造 15mlのエタノールに溶解した2g（6.85ミリモル）の５
−デカノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解し
た2.3g（3.44ミリモル）のヘキサデシルピリジニウムカ
ーボネート溶液に添加した。混合物は１時間環境温度で
撹拌し、次いで溶媒は蒸発して除き、得た褐色残留物は
アセトン／ジエチルエーテルの混合物から再結晶して3.
9g（96％収量）のヘキサデシルピリジニウム５−デカ
ノイルサリチレートを製造した。

融点＝73℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₈H₆₁NO₄、1.5H₂O分子量＝622.9 ＣＨＮ計算値％ 73.27 10.36 2.25 分析値％ 73.64 9.64 1.82 ¹³C NMRスペクトルは芳香族第４級アンモニウムカチ
オンおよび５−デカノイルサリチレートアニオンの特
性値を示し、予期構造を確証した。

Ｆ−Ｎ−ヘキサデシルピリジニウム５−ドデカノイル
サリチレート水和物の製造 15mlのエタノールに溶解した2g（6.25ミリモル）の５
−ドデカノイルサリチル酸を15mlのエタノールに溶解
した2.1g（3.14ミリモル）のヘキサデシルピリジニウム
カーボネート溶液に添加した。混合物は１時間環境温度
で撹拌し、次いで溶媒は蒸発して除き、得た褐色残留物
はアセトン／ジエチルエーテル混合物から再結晶して3.
7g（95％収量）のヘキサデシルピリジニウム５−ドデ
カノイルサリチレートを製造した。

融点＝79℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₄₀H₆₅NO₄、1H₂O、分子量＝642 ＣＨＮ計算値％ 74.84 10.52 2.18 分析値％ 74.61 10.12 1.96 ¹³C NMRスペクトルは芳香族第４級アンモニウムカチ
オンおよび５−デカノイルサリチレートの特性値を示
し、予期構造を確証した。

UVスペクトル（エタノール中で）は吸収ピーク、^λma
x＝279mn、モル吸光係数 ε＝18910を示した。

Ｇ−Ｎ−ベンジル、N,N−ジメチル、Ｎ−ヘキサデシル
アンモニウム５−オクタノイルサリチレートの製造 15mlのメタノールに溶解した2g（7.57ミリモル）の５
−オクタノイルサリチル酸を15mlのメタノールに溶解
した3g（3.84ミリモル）のベンジルジメチルヘキサデシ
ルアンモニウムカーボネートに溶液に添加した。混合物
は１時間環境温度で撹拌し、次いで溶媒を蒸発して除
き、白色残留物はアセトン／ジエチルエーテル混合液か
ら再結晶して4.5g（95％収量）のベンジルジメチルヘキ
サデシルアンモニウム５−オクタノイルサリチレー
トを製造した。

融点＝114℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₄₀H₆₅NO₄、分子量＝623.9 ＣＨＮ計算値％ 77.00 10.50 2.24 分析値％ 77.02 10.58 2.38 ¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウムカチオンお
よび５−オクタノイルサリチレートの特性値を示し、予
期構造を確証した。

化合物Ｈ〜Ｑは例Ａ〜Ｇ記載と同様に製造した。

Ｈ−Ｎ−ベンジル、N,N−ジメチル、Ｎ−ヘキサデシル
アンモニウム５−デカノイルサリチレートの製造融点＝113℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₄₀H₆₉NO₄、分子量＝652 ＣＨＮ計算値％ 77.37 10.67 2.15 分析値％ 77.22 10.69 2.25 Ｉ−Ｎ−ベンジリ、N,N−ジメチル、Ｎ−ヘキサデシル
アンモニウム５−ドテカノイルサリチレートの製造融点＝117℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₄₀H₇₃NO₄、分子量＝680.08 ＣＨＮ計算値％ 77.71 10.82 2.06 分析値％ 77.15 10.81 2.08 UVスペクトル（エタノール中で）は吸収ピーク^λmax
＝281nm、モル吸光係数 ε＝17720を示した。

Ｊ−Ｎ−ベンジル、N,N,N−トリエチルアンモニウム
５−デカノイルサリチレートの製造融点＝135℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₂₇H₃₉NO₄、分子量＝441.6 ＣＨＮ計算値％ 73.43 8.9 3.17 分析値％ 73.01 8.74 3.18 Ｋ−N,N−ジメチル、N,β−ピドロキシエチルアンモニ
ウム５−デカノイルサチレートの製造元素分析:C₃₇H₆₈NO₅、1/2H₂O分子量＝615.96 ＣＨＮ計算値％ 72.15 11.29 2.12 分析値％ 72.51 10.85 2.27 Ｌ−N,N,N,N−テトラメチルアンモニウム５−ドデカ
ノイルサリチレートの製造融点＝97℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₂₃H₄₀NO₄、分子量＝390.15 ＣＨＮ計算値％ 70.8 10.33 3.59 分析値％ 70.27 9.87 3.38 Ｍ−トリメチル−β−ヒドロキシエチルアンモニウム
５−ドデカノイルサリチレートの製造融点＝67℃（メタノール／ジエチルエーテル）元素分析:C₂₄H₄₁NO₅、分子量＝423.6 ＣＨＮ計算値％ 68.05 9.76 3.31 分析値％ 68.09 9.59 2.69 UVスペクトル（エタノール）：^λmax＝288nm、ε＝1664
0 Ｎ−トリメチル−β−ヒドロキシエチルアンモニウム
５−デカノイルサリチレートの製造元素分析:C₂₂H₃₅NO₅、3/4H₂O分子量＝407.6 ＣＨＮ計算値％ 64.82 9.51 3.43 分析値％ 64.75 9.36 3.01 Ｏ−ジメチルエチルドデシルアンモニウム５−デカノ
イルサリチレートの製造融点＝65℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₃H₅₉NO₄、H₂O分子量＝551.9 ＣＨＮ計算値％ 71.8 11.14 2.65 分析値％ 72.07 10.74 2.33 Ｐ−Ｎ−メチル、Ｎ−オクチルペピリジニウム５−ド
デカノイルサリチレートの製造融点＝45℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₃H₅₇NO₄、0.5H₂O分子量＝540.9 ＣＨＮ計算値％ 73.28 10.81 2.59 分析値％ 73.31 11.02 2.7 Ｑ−Ｎ−ドデシル、Ｎ−メチルモルホリニウム５−
デカノイルサリチレートの製造融点＝78℃（アセトン／ジエチルエーテル）元素分析:C₃₄H₅₉NO₅分子量＝561.8 ＣＨＮ計算値％ 72.68 10.58 2.49 分析値％ 72.58 10.68 2.6 Ｒ−ベンズエソニウム５−オクタノイルサリチレー
トの製造 100mlのメタノールに溶解した2.2g（8.4ミリモル）の
５−オクタノイルサリチル酸を100mlのメタノールに
溶解した3.7g（4.2ミリモル）のベンズエソニウムカ
ーボネート溶液に添加した。混合物は１時間環境温度で
撹拌し、次に溶液は濾過し、濾液は乾燥するまで蒸発し
て5.5g（98％収量）のベンズエソニウム５−オクタノ
イルサリチレートを製造した。

元素分析:C₄₂H₆₁NO₄、2H₂O、分子量＝712 ＣＨＮ計算値％ 70.85 9.20 1.97 分析値％ 70.93 9.07 2.07 ¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウムカチオンお
よび５−オクタノイルサリチレートアニオンの特性値
を示し、予期構造を確証した。

Ｓ−ベンズエソニウム５−デカノイルサリチレート
の製造 100mlのエタノールに溶解した2g（6.4ミリモル）の５
−ドデカノイルサリチル酸を100mlのメタノールに溶
解した2.82g（3.2ミリモル）のベンズエソニウムカー
ボネート溶液に添加した。混合物は１時間環境温度で撹
拌し、次に溶液を濾過し、濾液を乾燥するまで蒸発して
4.5g（97％収量）のベンズエソニウム５−ドデカノイ
ルサリチレートを製造した。

元素分析:C₄₆H₆₉NO₆、H₂O、分子量＝750 ＣＨＮ計算値％ 73.66 9.54 1.87 分析値％ 73.60 9.48 1.87 ¹³C NMRスペクトルは第４級アンモニウムカチオンお
よび５−ドデカノイルサリチレートアニオンの特性値
を示し、予期構造を確証した。

本発明による医薬又は化粧組成物は過酸化ベンゾイル
および少なくとも１種の上記一般式（Ｉ）に相当する第
４級アンモニウム親油性サリチレートを生理学的に許容
しうる支持体に組み合せて含有する局所組成物であるこ
とを主特徴とする。

組成物は総組成物重量につき0.01〜25重量％、好まし
くは0.1〜３重量％濃度の式（Ｉ）に相当する少なくと
も１種の化合物、および総組成物重量につき0.1〜20重
量％、好ましくは１〜10重量％濃度の過酸化ベンゾイル
を含有する、溶液、エマルジョン、サスペンジヨン、ゲ
ル又は分散体の形態でよい。

これらの組成物は他の周知の生理学的に許容しうる媒
体および添加物を含有できる。例えば溶液、マイクロ−
サスペンジヨン又は小胞性エマルジヨンは次例：アセト
ン、エタノール、イソプロピルアルコール、商品名「DO
WANOL」として販売される生成物のようなグリコールエ
ーテル、ポリグリコール、ポリエチレングリコール、短
鎖酸のC₁〜C₄アルキルエステル、好ましくはエチル又は
イソプロピルラクテート、商品名「MIGLYOL」として
販売される生成物のような脂肪酸トリグリセリドおよび
ミリスチン酸イソプロピルから選択した１種又はそれよ
り多い生理学的に許容しうる有機溶媒を水の他に使用し
製造できる。

本発明組成物は次例：セルロースおよびその誘導体、
グアルガム、ヘテロバイオポリサツカライド、網状ポ
リアクリル酸、メタクリル酸／メチルメタクリレート共
重合体、ポリ−β−アラニン、コロイドシリカから選
択した増粘剤およびゲル化剤、軟化剤、過脂剤、緩和
剤、加湿剤、界面活性剤、pH調整剤、浸透剤、保存料、
消泡剤、遮光剤、油、ワックス、香料、色素および／又
は顔料（皮膚又は組成物自体を着色するための）および
局所適用組成物に通常使用する任意の他の成分を含むこ
ともできる。

過酸化ベンゾイルと望ましくないように反応できるビ
ヒクルおよび成分を勿論使用してはならない。

本発明組成物はレチノン誘導体のような抗座瘡剤、抗
菌剤、抗炎症剤、非−ホルモンステロイド化合物、特に
プレグネノロン、および／又は表皮剥離剤又はニキビ除
去剤を組み合せ含有することもできる。

クリーム、乳液、ゲル、分散体、又はマイクロ−エマ
ルジョン、濃さの異なる組成物、含浸パツド、軟膏、ス
チツク又は石鹸錠剤は主として局所適用に適するガレヌ
ス製剤形の例である。

本発明による医薬組成物は過酸化ベンゾイルおよび式
（Ｉ）を有する少なくとも１種の第４級アンモニウム親
油性サリチレートを医薬的に許容しうる支持体に含有す
ることを特徴とする。

これらの医薬組成物は、特にこれらの抗菌性および角
層剥離性を有するため、皮膚病、特に座瘡の治療に薬物
として使用できる。

従つて本発明のそれ以上の目的は皮膚病、特に座瘡、
皮膚潰瘍、イボ、および角化異常の治療に対する薬物の
製造に医薬組成物を使用することである。

座瘡の治療は症状の重度により３〜25週間１日に２又
は３回患部に上記規定の組成物を適用することにある。

本発明のさらに別の目的を構成する化粧組成物は過酸
化ベンゾイルおよび式（Ｉ）を有する少なくとも１種の
第４級アンモニウム親油性サリチレートを化粧的に許容
しうる支持体に含有することを特徴とする。

本発明による化粧組成物は化粧品による皮膚治療、特
に角質溶解治療、又は斑点又はイボに対する治療に対し
使用できる。

本発明のさらにそれ以上の目的は皮膚を清潔又は清浄
化するために本発明による組成物を皮膚に適用する化粧
的治療方法に関する。

次例は発明の範囲を全く限定することなく発明を例示
するためのものである。

次の組成物を製造した：例１ −過酸化ベンゾイル、100％活性 5.0g −ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−オクタ
ノイルサリチレート 1.0g −ジエチレングリコール、モノエチルエーテル 20.0g −エタノール、90゜ 50.0g −ヒドロキシエチルセルロース 2.0g −蒸留水 100gにする十分量組成物はゲル形であつた。

例２ −過酸化ベンゾイル、100％活性 10.0g −ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−ドデカ
ノイルサリチレート 0.5g −プロピレングリコール 10.0g −エタノール 40.0g −ヒドロキシエチルセルロース 2.2g −コロイドシリカ 2.0g −プロピレグリコール、モノエチルエーテル 15.0g −蒸留水 100.0gにする十分量組成物はゲル形であつた。

例３ −過酸化ベンゾイル、100％活性 5.0g −ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−デカノ
イルサリチレート 1.0g −ポリエチレングリコールステアレート、50モル
エチレンオキシドにオキシエチレン化した 4.2g −グリセロース、モノステアレート 1.1g −セチルアルコール 2.0g −ステアリルアルコール 17.0g −ヒドロキシエチルセルロース 0.35g −蒸留水 100.0gにする十分量組成物はクリーム形であつた。

例４ −過酸化ベンゾイル、100％活性 10.0g −ヘキサデジルトリメチルアンモニウム５−ドデカ
ノイルサリチレート 0.5g −PEG75ステアレート（75モルエチレンオキシド
にオキシエチレン化したポリエチレングリコール＋
グリコールモノステアレート、商品名 GELOT 64とし
てGATTE FOSSEにより販売） 14.0g −MIGYOL 812（C₆〜C₁₂脂肪酸トリグリセルド、DYNAM
IT NOBELにより販売） 17.0g −セチルアルコール 2.0g −ステアリルアルコール 2.0g −ヒドロキシプロピルグアル 0.3g −蒸留水 100.0gにする十分量組成物はゲル形であつた。

例５ −過酸化ベンゾイル、100％活性 2.5g −ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−オクタ
ノイルサリチレート 1.0g −ジエチレングリコール、モノエチルエーテル 20.0g −エタノール、90％ 50.0g −ヒドロキシエチルセルロース 2.0g −蒸留水 100.0gにする十分量組成物はゲル形であつた。

例１〜５による組成物の座瘡にかかりやすい皮膚に対
する毎週の適用により、３〜６週後皮膚は清浄化し、油
性が著しく少なくなり、ニキビの数が減少した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者イリナベックフランス国ビルピンテ，アブニュジー．サシェ，70 (72)発明者ジャンピエールラウギエールフランス国アントニィ，リュデゴウティエーレ，22

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】局所適用に対する化粧品組成物であって、
過酸化ベンゾイルおよび一般式（Ｉ）：〔式中、（ｉ） R₁,R₂,R₃およびR₄は同一又は異り、末端鎖又は
鎖中に１個以上のヒドロキシル基を含むことができる直
鎖C₁〜C₁₈飽和アルキル基を表わし、又は（ii） R₃および／又はR₄は基： R₈OC₂H₃R₇ _ｎOCH₂−CHOH−CH₂ _ｐ（式中、０ｎ４およびｐは０又は１を表わし、 R₈はＨ又はC₁〜C₁₈アルキル、アルケニル、アルキルシ
クロアルキル又はアルキルアリール基を表わし、アルキ
ル基は分枝鎖又は直鎖であり、脂肪族又は芳香族基は１
個又はそれより多いC₁〜C₄アルキル又はアルコキシ置換
基を有することができ、 R₇はＨ、CH₃はCH₂OHを表わし、そして、R₇がCH₂OHを表わす場合、R₈はＨ以外であり、
ｐ＝１であり、 R₇がCH₂OHでない場合、ｐ＝０であり、基（OC₂H₃R₇）は次の鎖：のいずれか１つを表わす）を表わし R₁とR₂は上記（ｉ）を示す意味を有し、又は（iii）R₄は基：（式中、ｎは０又は１であり、R₆は水素、ヒドロキシ、
ハルゲン、アルキル又はヒドロキシアルキル基、又はC₁
〜C₁₈アシル基を表わす）を表わし、R₁、R₂およびR₃は
上記（ｉ）又は（ii）に示す意味を有し、又は（iv） R₁およびR₂は式（式中、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示した
意味を有する）に相当する芳香族複素環（この場合R₃は
存在しない）を形成し、又は（ｖ） R₁およびR₂は酸素原子により中断されてもよい
非−芳香族、飽和又は不飽和複素基を形成し、この場合
R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示した意味を表
わし、R₃は（ｉ）に規定の基を表わし、又は（vi） R₁,R₂およびR₃は非−芳香族飽和又は不飽和二
環状基を形成し、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）
に示した意味を表わし、R₅は式：（式中、ｎは０〜16の整数である）を有する基を表わ
す〕で有する少なくとも１種の第４級アンモニウム親油
性サリチレートを、化粧品として許容しうる支持体に含
むことを特徴とする、上記局所適用に対する化粧品組成
物。
【請求項２】ニキビ、皮膚の潰瘍、いぼ、ケラチン障害
の如き皮膚障害や皮膚病を処理するための局所適用に対
する医薬組成物であって、過酸化ベンゾイルおよび一般
式（Ｉ）：〔式中、（ｉ） R₁,R₂,R₃およびR₄は同一又は異り、末端鎖又は
鎖中に１個以上のヒドロキシル基を含むことができる直
鎖C₁〜C₁₈飽和アルキル基を表わし、又は（ii） R₃および／又はR₄は基： R₈OC₂H₃R₇ _ｎOCH₂−CHOH−CH₂ _ｐ（式中、０ｎ４およびｐは０又は１を表わし、 R₈はＨ又はC₁〜C₁₈アルキル、アルケニル、アルキルシ
クロアルキル又はアルキルアリール基を表わし、アルキ
ル基は分枝鎖又は直鎖であり、脂肪族又は芳香族基は１
個又はそれより多いC₁〜C₄アルキル又はアルコキシ置換
基を有することができ、 R₇はＨ、CH₃はCH₂OHを表わし、そして、R₇がCH₂OHを表わす場合、R₈はＨ以外であり、
ｐ＝１であり、 R₇がCH₂OHでない場合、ｐ＝０であり、基（OC₂H₃R₇）は次の鎖：のいずれか１つを表わす）を表わし R₁とR₂は（ｉ）項で示した意味を有し、又は（iii） R₄は基：（式中、ｎは０又は１であり、R₆は水素、ヒドロキシ、
ハロゲン、アルキル又はヒドロキシアルキル基、又はC₁
〜C₁₈アシル基を表わす）を表わし、R₁、R₂およびR₃は
上記（ｉ）又は（ii）に記載の通りであり、又は（iv） R₁およびR₂は式（式中、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示す意
味を有する）に相当する芳香族複素環（この場合R₃は存
在しない）を形成し、又は（ｖ） R₁およびR₂は酸素原子により中断されてもよい
非−芳香族、飽和又は不飽和複素基を形成し、この場合
R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）に示す意味を表わ
しR₃は（ｉ）に規定の基を表わし、又は（vi） R₁,R₂およびR₃は非−芳香族飽和又は不飽和二
環状基を形成し、R₄は上記（ｉ）、（ii）又は（iii）
に示した意味を表わし、R₅は式：（式中、ｎは０〜16の整数である）を有する基を表わ
す〕で有する少なくとも１種の第４級アンモニウム親油
性サリチレートを、医薬として許容しうる支持体に含む
ことを特徴とする、上記局所適用に対する医薬組成物。
【請求項３】第４級アンモニウム親油性サリチレートは
次の化合物：ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−オクタノイ
ルサリチレート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−デカノイル
サリチレート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム５−ドデカノイ
ル、サリチレート、ヘキサデシルピリジニウム５−オクタノイルサリチ
レート、ヘキサデシルピリジニウム５−デカノイルサリチレ
ート、ヘキサデシルピリジニウム５−ドデカノイルサリチ
レート、ヘキサデシルジメチルヒドロキシエチルアンモニウム
５−デカノイルサリチレート、テトラメチルアンモニウム５−ドデカノイルサリチ
レート、ドデシルエチルジメチルアンモニウム５−デカノイル
サリチレート、トリメチルβ−ヒドロキシエチルアンモニウム５−デ
カノイルサリチレート、トリメチル−ヒドロキシエチルアンモニウム５−ドデ
カノイルサリチレート、Ｎ−ドデシル、Ｎ−メチルモルホリニウム５−デカノ
イルサリチレート、Ｎ−メチル、Ｎ−オクチルピペリジニウム５−ドデ
カノイルサリチレート、ベンズエソニウム５−オクタノイルサリチレート、ベンズエソニウム５−ドデカノイルサリチレートから選択する、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】第４級アンモニウム親油性サリチレートは
次の化合物：ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウム５−オク
タノイルサリチレート、ベンジルジメチルヘキサデシルンアンモニウム５−デ
カノイルサリチレート、ベジルジメチルヘキサデシルアンモニウム５−ドデカ
ノイルサリチレート、ベンジルトリメチルアンモニウム５−デカノイルサ
リチレート、から選択する、請求項１又は２記載の組成物。