JP2672527B2 - 半導体レーザ出力調整装置 - Google Patents

半導体レーザ出力調整装置

Info

Publication number
JP2672527B2
JP2672527B2 JP62263042A JP26304287A JP2672527B2 JP 2672527 B2 JP2672527 B2 JP 2672527B2 JP 62263042 A JP62263042 A JP 62263042A JP 26304287 A JP26304287 A JP 26304287A JP 2672527 B2 JP2672527 B2 JP 2672527B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
output
reference signal
amplifier
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62263042A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01105588A (ja
Inventor
友厚 今村
和之 島田
俊孝 千間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP62263042A priority Critical patent/JP2672527B2/ja
Priority to US07/258,479 priority patent/US4926433A/en
Priority to KR1019880013644A priority patent/KR920001454B1/ko
Publication of JPH01105588A publication Critical patent/JPH01105588A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2672527B2 publication Critical patent/JP2672527B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は半導体レーザの出力制御装置における半導体
レーザ出力調整装置に関する。 (従来技術) 半導体レーザの出力強度は温度に対して非常に不安定
である為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下で
は半導体レーザの出力制御装置等により半導体レーザの
出力強度を安定化させる必要がある。半導体レーザの出
力制御装置にはカウンタを用いる方式があり、第2図は
その方式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示
す。半導体レーザ1より前方に射出されたレーザビーム
はカップリングレンズ、例えばコリメータレンズ2を介
して回転多面鏡よりなる光走査装置3で偏向され、fθ
レンズ4により感光体ドラム5の帯電された表面に結像
されてその結像スポットが回転多面鏡3の回転で矢印X
方向に反復して移動すると同時に感光体ドラム5が回転
する。光検出器6は情報書き込み領域外に設けられ、回
転多面鏡3で偏向されたレーザビームを検出して同期信
号を発生する。信号処理回路7は光検出器6からの同期
信号により情報信号をタイミング制御して半導体レーザ
駆動回路8に変調信号として印加する。半導体レーザ駆
動回路8は信号処理回路7からの変調信号により半導体
レーザ1を駆動し、したがって情報信号で変調されたレ
ーザビームが感光体ドラム5が照射されて静電潜像が形
成される。この静電潜像は現像器で現像されて転写器で
紙等に転写される。また半導体レード1から後方に出射
されたレーサビームは光検出器9に入射してその光強度
が検出され、制御回路10が光検出器9の出力信号に応じ
て半導体レーザ駆動回路8を制御して半導体レーザ1の
出力強度を一定に制御する。 第3図は上記半導体レーザ駆動回路8及び制御回路10
を詳細に示す。 半導体レーザ1から後方に射出されたレーザビームは
半導体レーザ1と一緒に一つのユニットに構成されてい
るフォトダイオードよりなる光検出器9に入射し、フォ
トダイオード9はそのレーザビームの強度に比例した電
流を出力する。この電流は増幅器11により電圧に変換さ
れ、比較器12で可変基準電源からの基準電圧Vrefと比較
される。比較器12の出力電圧は比較器12の両入力電圧の
大小関係により高レベル又は低レベルとなり、アップダ
ウンカウンタ13のカウントモードを制御する。例えば半
導体レーザ1からのレーザビームの強度が基準数値より
弱い時には比較器12の出力が低レベルになり、アップダ
ウンカウンタ13はアップカウンタとして動作する状態と
なる。タイミング信号T1によりエッジ検出回路14がアッ
プダウンカウンタ13へのディスエーブル状態を解除する
と、半導体レーザ1のパワーセット(出力強度の設定)
が行われる。即ちアップダウンカウンタ13は発振器15か
らのクロック信号によりその計数値が増加して行く。こ
のアップダウンカウンタ13の計数出力はディジタル/ア
ナログ変換器16でアナログ量に変換されて半導体レーザ
駆動回路8に入力される。半導体レーザ駆動回路8は信
号処理回路7からの変調信号により半導体レーザ1を駆
動するが、その駆動電流をディジタル/アナログ変換器
16の出力に応じて変化させる。したがってアップダウン
カウンタ13の計数値が徐々に増加することにより半導体
レーザ1からのレーザビームの強度が徐々に増加し、増
幅器11の出力が増加する。そして比較器12の出力がレベ
ルから高レベルに反転すると、エッジ検出回路14が比較
器12の出力の立上りエッジを検出してアップダウンカウ
ンタ13をディスエーブル状態にする。よってアップダウ
ンカウンタ13は計数値を保持し、半導体レーザ1の駆動
電流の大きさがそのまま保持される。またタイミング信
号T1によりエッジ検出回路14がアップダウンカタ13のデ
ィスエーブル状態を解除した時に比較器12の出力が高レ
ベルであれば(半導体レーザの出力強度が強ければ)ア
ップダウンカウンタ13はダウンカウンタとして動作し、
発振器15からのクロック信号により計数値が減少して行
く。よってディジタル/アナログ変換器16の出力が減少
して半導体レーザ1の駆動電流が減少し、増幅器11の出
力が減少する。そして増幅器11の出力が基準電圧Vrefよ
り小さくなって比較器12の出力が高レベルから低レベル
に反転すると、エッジ検出回路14は比較器12の出力の立
ち下がりエッジを検出してアップダウンカウンタ13をデ
ィスエーブル状態にする。したがってアップダウンカウ
ンタ13が計数値を保持することになり、半導体レーザ1
の駆動電流の大きさがそのまま保持される。ここにエッ
ジ検出回路14はタイミング信号T1によりアップダウンカ
ウンタ13のディスエーブル状態を解除して比較器12の出
力が低レベルから高レベルに反転した時にのみアップダ
ウンカウンタ13をディスエーブル状態にするように構成
しておけば比較器12の出力が低レベルでタイミング信号
T1によりアップダウンカウンタ13のディスエーブル状態
が解除されている時に比較器12の出力が低レベルから高
レベルに反転すると、アップダウンカウンタ13はディス
エーブル状態になって計数値を保持する。比較器12の出
力が高レベルでタイミング信号T1よりアップダウンカウ
ンタ13のディスエーブル状態が解除されている時に比較
器12の出力が高レベルから低レベルになると、アップダ
ウンカウンタ13はディスエーブル状態が解除されたまま
で比較器12の出力によりアップカウンタとして動作する
ことになる。そして半導体レーザ1の駆動電流が増加し
て比較器12の出力が低レベルから高レベルに反転する
と、エッジ検出回路14がその立上りエッジを検出してア
ップダウカウンタ13をディスエーブル状態にし、その計
数値を保持させる。上記タイミング信号T1はフレーム同
期信号の立上りエッジを検出して作ったプリントエンド
信号等が用いられ、フレーム記録時等に半導体レーザの
パワーセット(出力強度の設定)が行われる。また半導
体レーザ1の出力強度は基準信号Vrefを可変することに
よって調整される。 このレーザプリンタにおける半導体レーザの出力制御
装置にあっては半導体レーザ1と光検出器9とが1つの
ユニットになっているが、半導体レーザ1の取り付け位
置や後方出力光の広がり角にバラツキがあり、かつ光検
出器9の感度にもバラツキがあって半導体レーザ1の出
力強度と光検出器9の出力電流との関係にバラツキがあ
った。このためユーザが上記ユニットを劣化により交換
する時などには感光体ドラム3の位置にパワーメータを
設置してこのパワーメータで半導体レーザ1の出力強度
を測定しながら基準信号Vrefを可変して半導体レーザ1
の出力強度を調整するという方法を採っていた。 しかしこの方法では調整が面倒であり、またユーザー
の使用する市販のパワーメータ自体のバラツキにより半
導体レーザの出力強度を正確に調整することができな
い。 (目 的) 本発明は上記欠点を改善し、半導体レーザの出力強度
の調整を簡単かつ正確に行うことができる半導体レーザ
出力調整装置を提供することを目的とする。 (構 成) 本発明は、出力光をカップリングレンズを介して出力
する半導体レーザと、この半導体レーザの出力強度を検
出する光検出器と、この光検出器の出力信号が入力され
る増幅器と、基準信号を発生する基準信号発生器と、こ
の基準信号発生器からの基準信号と上記増幅器の出力信
号を比較する比較器と、この比較器の出力信号に応じて
上記半導体レーザの駆動電流を増減させて上記半導体レ
ーザの出力強度を抑制する手段とを有する半導体レーザ
の出力制御装置の半導体レーザ出力調整装置であって、
上記増幅器の出力信号を可変して上記半導体レーザの出
力強度を調整する調整手段を備え、少なくとも上記半導
体レーザ、上記光検出器、上記増幅器、上記基準信号発
生器及び上記調整手段を1つのユニットに構成したもの
である。 第1図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装
置の一例を示す。 この例は前記レーザプリンタにおける半導体レーザの
出力制御装置において、半導体レーザ1、光検出器9、
増幅器11及び調整手段17と、基準信号Vrefを発生する基
準信号発生器21とを1つのユニット18に構成てこのユニ
ット18をその劣化などにより交換できるようにし、増幅
器11の出力信号及び基準信号発生器21からの基準信号Vr
efを比較器12に印加するようにしたものである。 調整手段17は増幅器11のゲインを可変するもので、増
幅器11の出力端子と反転入力端子との間に接続された可
変抵抗よりなる。ユニット18はメーカが生産して半導体
レーザ1の出力強度を調整してからユーザに渡され、そ
の調整では半導体レーザ1の出力強度をパワーメータで
測定しながら可変抵抗17により増幅器11のゲインを調整
して半導体レーザ1の出力が所要の強度になった時の増
幅器11の出力信号が基準信号Vrefと一致するようにす
る。したがってこの調整はメーカが同一のパワーメータ
を用いて正確に行うことができ、又ユーザはユニット18
の劣化による交換時などには半導体レーザ1の出力強度
を調整する必要がなくなり、半導体レーザ1の出力強度
の調整が簡単になる。また基準信号発生器21は第6図に
示すように電源Vccとアースとの間に抵抗22とツェナー
ダイオード23を直列に接続してその接続点から基準信号
Verfを得るものである。この基準信号発生器21をユニッ
ト18内に設けたので、ユーザは基準信号Vrefを調整する
必要がなくなり、その調整誤差を排除できる。 第4図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装
置の他の例を示す。この例は上記第1図の例において半
導体レーザ1、光検出器9、増幅器11、可変抵抗17、基
準信号発生器21の他にカップリンレンズ2も含めて1つ
のユニット19に構成してこのユニット19を交換可能にし
たものである。ユニット19はメーカが生産してカップリ
ングレンズ2の出力強度を調整してからユーザに渡さ
れ、その調整ではカップリングレンズ2の出力強度をパ
ワーメータで測定しながら可変抵抗17により増幅器11の
ゲインを調整してカップリングレンズ2の出力光が所要
の強度になった時に増幅器11の出力信号が基準信号Vref
と一致するように半導体レーザ1の出力強度を調整す
る。このようにすれば半導体レーザ1の出力光発散角の
バラツキによるカップリングレンズ2の出力強度のバラ
ツキも除去することができる。 上述の第1図、第4図の例において増幅器11のゲイン
を調整する可変抵抗17の代りに第5図に示すように増幅
器11の入力信号を調整する可変抵抗20を調整手段として
設け、この可変抵抗20で同様に出力光を所要の強度に調
整するようにしてもよい。 (効 果) 以上のように本発明によれば、出力光をカップリング
レンズを介して出力する半導体レーザと、この半導体レ
ーザの出力強度を検出する光検出器と、この光検出器の
出力信号が入力される増幅器と、基準信号を発生する基
準信号発生器と、この基準信号発生器からの基準信号と
上記増幅器の出力信号を比較する比較器と、この比較器
の出力信号に応じて上記半導体レーザの駆動電流を増減
させて上記半導体レーザの出力強度を抑制する手段とを
有する半導体レーザの出力制御装置の半導体レーザ出力
調整装置であって、上記増幅器の出力信号を可変して上
記半導体レーザの出力強度を調整する調整手段を備え、
少なくとも上記半導体レーザ、上記光検出器、上記増幅
器、上記基準信号発生器及び上記調整手段を1つのユニ
ットに構成したので、半導体レーザの出力強度の調整を
簡単かつ正確に行うことができ、ユニット内の基準信号
発生器から基準信号を供給することによりユーザによる
基準信号の調整が不要になってその調整誤差を排除する
ことができ、安価にできる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装置
の一例を示すブロック図、第2図はレーザプリンタの一
例を示すブロック図、第3図は同レーザプリンタの一部
を詳細に示すブロック図、第4図は本発明を適用した半
導体レーザの出力制御装置の他の例を示すブロック図、
第5図は本発明の変形を説明するための回路図、第6図
は基準信号発生器の一例を示す回路図である。 1……半導体レーザ、8……半導体レーザ駆動回路、9
……光検出器、11……増幅器、12……比較器、13……ア
ップダウンカウンタ、14……エッジ検出回路、15……発
振器、16……ディジタル/アナログ変換器、17,20……
調整手段、18,19……ユニット、21……基準信号発生
器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−174794(JP,A) 特開 昭61−174786(JP,A) 特開 昭62−245860(JP,A) 実開 昭62−8664(JP,U)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.出力光をカップリングレンズを介して出力する半導
    体レーザと、この半導体レーザの出力強度を検出する光
    検出器と、この光検出器の出力信号が入力される増幅器
    と、基準信号を発生する基準信号発生器と、この基準信
    号発生器からの基準信号と上記増幅器の出力信号を比較
    する比較器と、この比較器の出力信号に応じて上記半導
    体レーザの駆動電流を増減させて上記半導体レーザの出
    力強度を制御する手段とを有する半導体レーザの出力制
    御装置の半導体レーザ出力調整装置であって、上記増幅
    器の出力信号を可変して上記半導体レーザの出力強度を
    調整する調整手段を備え、少なくとも上記半導体レー
    ザ、上記光検出器、上記増幅器、上記基準信号発生器及
    び上記調整手段を1つのユニットに構成したことを特徴
    とする半導体レーザ出力調整装置。
JP62263042A 1987-10-19 1987-10-19 半導体レーザ出力調整装置 Expired - Lifetime JP2672527B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62263042A JP2672527B2 (ja) 1987-10-19 1987-10-19 半導体レーザ出力調整装置
US07/258,479 US4926433A (en) 1987-10-19 1988-10-17 Semiconductor laser unit
KR1019880013644A KR920001454B1 (ko) 1987-10-19 1988-10-19 반도체레이저유니트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62263042A JP2672527B2 (ja) 1987-10-19 1987-10-19 半導体レーザ出力調整装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01105588A JPH01105588A (ja) 1989-04-24
JP2672527B2 true JP2672527B2 (ja) 1997-11-05

Family

ID=17384058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62263042A Expired - Lifetime JP2672527B2 (ja) 1987-10-19 1987-10-19 半導体レーザ出力調整装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2672527B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2839889B2 (ja) 1987-11-11 1998-12-16 株式会社リコー 半導体レーザユニツト

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60239085A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Toshiba Corp レ−ザ−発光ユニツト
JPS61174794A (ja) * 1985-01-30 1986-08-06 Ricoh Co Ltd レ−ザプリンタの光源ユニツト

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2839889B2 (ja) 1987-11-11 1998-12-16 株式会社リコー 半導体レーザユニツト

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01105588A (ja) 1989-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4763334A (en) Laser beam emitting apparatus
US4663760A (en) Semiconductor laser output control device
JPS62281485A (ja) 半導体レ−ザの出力制御装置
JP3234246B2 (ja) 画像形成装置
JP2011066089A (ja) 半導体レーザ制御装置及び画像形成装置
KR100498666B1 (ko) 발광 제어 장치 및 화상 형성 장치
EP0505741B1 (en) Exposure control device for use in electrophotographic printing apparatus
JP2672527B2 (ja) 半導体レーザ出力調整装置
JP3255295B2 (ja) 画像露光装置
JPH05304595A (ja) レーザビーム走査装置
JPH0313586B2 (ja)
JP3611475B2 (ja) ビーム光偏向走査装置
JPS61174786A (ja) 半導体レ−ザ出力調整方法
JP2665219B2 (ja) 半導体レーザアレイの出力制御装置
JPS60171863A (ja) 半導体レ−ザの出力制御装置
JPS62273863A (ja) 発光素子アレイの出力制御装置
JPS61109371A (ja) 半導体レ−ザの出力制御装置
JP3446637B2 (ja) レーザダイオード駆動回路及び画像形成装置
JPS60169180A (ja) 半導体レ−ザの光量制御装置
JPS60169179A (ja) 半導体レ−ザの異常処理装置
JP4490059B2 (ja) 光ビーム走査装置及び画像形成装置
JPS60170280A (ja) 半導体レ−ザの出力制御装置
JPH09193459A (ja) 発光素子制御装置及び画像露光装置
JPH0341483A (ja) 画像処理装置
JPS61258486A (ja) レ−ザ−駆動装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711

Year of fee payment: 11