JPS61174786A - 半導体レ−ザ出力調整方法 - Google Patents
半導体レ−ザ出力調整方法Info
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- JPS61174786A JPS61174786A JP1601185A JP1601185A JPS61174786A JP S61174786 A JPS61174786 A JP S61174786A JP 1601185 A JP1601185 A JP 1601185A JP 1601185 A JP1601185 A JP 1601185A JP S61174786 A JPS61174786 A JP S61174786A
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- JP
- Japan
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- output
- semiconductor laser
- amplifier
- laser
- intensity
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はレーザプリンタ等における半導体レーザ出力調
整方法に関する。
整方法に関する。
（従来技術）
半導体レーザの出力強度は温度に対して非常に不安定で
ある為、半導体レーザの周囲温強が変化する環境下では
半導体レーザの出力制御装置等によシ半導体レーザの出
力強度を安定化させる必要がある。半導体レーザの出力
制御装置にはカウンタを用いる方式があυ、第２図はそ
の方式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
ある為、半導体レーザの周囲温強が変化する環境下では
半導体レーザの出力制御装置等によシ半導体レーザの出
力強度を安定化させる必要がある。半導体レーザの出力
制御装置にはカウンタを用いる方式があυ、第２図はそ
の方式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
半導体レーザ１よシ発生したレーザビームはカップリン
グレンズ例コリメータレンズ２を介して回転多面鏡より
なる光走査装置３で偏向され、ｆθレンズ４によシ感光
減ドラム５の帯電された表面に結像されてその結像スポ
ットが回転多面鏡３の回転で矢印Ｘ方向に反復して移動
すると同時に感光体ドラム５が回転する。光検出器６は
情報書込領域外に設けられ１回転多面鏡３で偏向された
レーザビームを検出して同期信号を発生する。信号処理
回路７は光検出器６からの同期信号によシ情雑信号をタ
イミング制御して半導体レーザ駆動回路８に変調信号と
して印加する。半導体レーザ駆駆回路８は信号処理回路
７からの変調信号により半導体レーザ１を駆動し、した
がって情報信号で変調されたレーザビームが感光域ドラ
ム５に照射されて静電潜像が形成される。この静電潜像
は現像器で現像されて転写器で紙等に転写される。まだ
半導体レーザ１から後方に出射されるレーザビームは光
検出ｉ９に入射してその光強度が検出され、制御回路１
０が光検出器９の出力信号に応じて半導体レーザ駆動回
路８を制御して半導体レーザ１の出力光量を一定に制御
する。
グレンズ例コリメータレンズ２を介して回転多面鏡より
なる光走査装置３で偏向され、ｆθレンズ４によシ感光
減ドラム５の帯電された表面に結像されてその結像スポ
ットが回転多面鏡３の回転で矢印Ｘ方向に反復して移動
すると同時に感光体ドラム５が回転する。光検出器６は
情報書込領域外に設けられ１回転多面鏡３で偏向された
レーザビームを検出して同期信号を発生する。信号処理
回路７は光検出器６からの同期信号によシ情雑信号をタ
イミング制御して半導体レーザ駆動回路８に変調信号と
して印加する。半導体レーザ駆駆回路８は信号処理回路
７からの変調信号により半導体レーザ１を駆動し、した
がって情報信号で変調されたレーザビームが感光域ドラ
ム５に照射されて静電潜像が形成される。この静電潜像
は現像器で現像されて転写器で紙等に転写される。まだ
半導体レーザ１から後方に出射されるレーザビームは光
検出ｉ９に入射してその光強度が検出され、制御回路１
０が光検出器９の出力信号に応じて半導体レーザ駆動回
路８を制御して半導体レーザ１の出力光量を一定に制御
する。
第３図は上記半導体レーザ駆動回路８及び制御回路１０
を詳細に示す。
を詳細に示す。
半導体レーザ１から後方に出射されたレーザビームは半
導体レーザｌと一緒に一つの二二、トに構成されている
フォトダイオードよりなる光検出器９に入射し、フォト
ダイオード９はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器１１によシミ圧に変換さ
れ、比較器１２で可変基准電源からの基准電圧Ｖｒｅｆ
と比較される。
導体レーザｌと一緒に一つの二二、トに構成されている
フォトダイオードよりなる光検出器９に入射し、フォト
ダイオード９はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器１１によシミ圧に変換さ
れ、比較器１２で可変基准電源からの基准電圧Ｖｒｅｆ
と比較される。
比較器１２の出力重圧は比較器１２の両入力電圧の大小
関係により高レベル又は低レベルとなりアップダウンカ
ウンタ１３のカウントモードを制御する。
関係により高レベル又は低レベルとなりアップダウンカ
ウンタ１３のカウントモードを制御する。
例えば半導体レーザ１からのレーザビームの強度が基臨
値よシ弱い時には比較器１２の出力が低レベルになり、
アップダウンカウンタ１３はア、ブカウンタとして動作
する状態となる。タイミング信号導体レーザ１のバワー
セ、ト（出力強度の設定）が行なわれる。即ちアップダ
ウンカウンタ１３は発振器１５からのクロ、り信号によ
シその計数値が増加して行（。このアップダウンカウン
タ１３の計数出力はデジタル／アナログ変換器１６でア
ナログ量に変換されて半導体レーザ駆動回路８に入力さ
れる。半導体レーザ駆動回路８は信号処理回路７からの
変調信号によシ半導体レーザ１を駆動するが。
値よシ弱い時には比較器１２の出力が低レベルになり、
アップダウンカウンタ１３はア、ブカウンタとして動作
する状態となる。タイミング信号導体レーザ１のバワー
セ、ト（出力強度の設定）が行なわれる。即ちアップダ
ウンカウンタ１３は発振器１５からのクロ、り信号によ
シその計数値が増加して行（。このアップダウンカウン
タ１３の計数出力はデジタル／アナログ変換器１６でア
ナログ量に変換されて半導体レーザ駆動回路８に入力さ
れる。半導体レーザ駆動回路８は信号処理回路７からの
変調信号によシ半導体レーザ１を駆動するが。
その駆動電流をデジタル／アナログ変換器工６の出力に
応じて変化させる。したがってアップダウンカウンタ１
３の計数値が徐々に増加することにより半導体レーザ１
からのレーザビームの強度が徐々に増加し、増幅器１１
の出力を増加する。そして比較器１２の出力が低レベル
から高レベルに反転すると、工、ジ検出回路１４が比較
器１２の出力の立上シエッジを検出してアップダウンカ
ウンタ１３をディスエーブル状態にする。よってアップ
ダウンカウンタ１３は計数値を保持し、半導体レーザ１
の駆動電流の大きさがそのま＼保持される。またタイミ
ング信号ＴＩによシエ、ジ検出回路１４がアップダウン
カウンタ１３のディスエーブル状態を解除した時比較器
１２の出力が高レベルであれば（半導体レーザの出力強
度が強ければ）アップダウンカウンタ１３はダウンカウ
ンタとして動作し発振器１５からのりＯ，り信号により
計数値が減少して行く。
応じて変化させる。したがってアップダウンカウンタ１
３の計数値が徐々に増加することにより半導体レーザ１
からのレーザビームの強度が徐々に増加し、増幅器１１
の出力を増加する。そして比較器１２の出力が低レベル
から高レベルに反転すると、工、ジ検出回路１４が比較
器１２の出力の立上シエッジを検出してアップダウンカ
ウンタ１３をディスエーブル状態にする。よってアップ
ダウンカウンタ１３は計数値を保持し、半導体レーザ１
の駆動電流の大きさがそのま＼保持される。またタイミ
ング信号ＴＩによシエ、ジ検出回路１４がアップダウン
カウンタ１３のディスエーブル状態を解除した時比較器
１２の出力が高レベルであれば（半導体レーザの出力強
度が強ければ）アップダウンカウンタ１３はダウンカウ
ンタとして動作し発振器１５からのりＯ，り信号により
計数値が減少して行く。
よってデジタル／アナログ変換器１６の出力が減少して
半導体レーザ１の駆動電流が減少し、増幅器１１の出力
が減少する。そして増幅器１１の出力が基漁電圧Ｖｒｅ
ｆより小さくなって比較器１２の出力が高レベルから低
レベルに反転反転すると、エツジ検出回路１４は比較器
１２の出力の立下シエッジを検出してアップダウンカウ
ンタ１３をディスエーブル状態にする。したがってアッ
プダウンカウンタ１３が計数値を保持することになり、
半導体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま保持され
る。
半導体レーザ１の駆動電流が減少し、増幅器１１の出力
が減少する。そして増幅器１１の出力が基漁電圧Ｖｒｅ
ｆより小さくなって比較器１２の出力が高レベルから低
レベルに反転反転すると、エツジ検出回路１４は比較器
１２の出力の立下シエッジを検出してアップダウンカウ
ンタ１３をディスエーブル状態にする。したがってアッ
プダウンカウンタ１３が計数値を保持することになり、
半導体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま保持され
る。
ここに工、ジ検出回路１４はタイミング信号Ｔ１によシ
アツブダウンカウンタ１３のディスエーブル状態を解除
して比較器１２の出力が低レベルから高レベルに反転し
た時にのみアップダウンカウンタ１３をディスエーブル
状態にするように構成しておけば比較器１２の出力が低
レベルでタイミング信号Ｔ１によシア、プダウンカウン
タ１３のディスエーブル状態が解除されてｂる時に比較
器１２の出力が低レベルから高レベルに反転すると、ア
ップダウンカウンタ１３はディスエーブル状態になって
計数値を保持する。比較器１２の出力が高レベルでタイ
ミング信号Ｔｌによシア、プダウンカウンタ１３のディ
スエーブル状態が解除されている時に比較器１２の出力
が高レベルから低レベルになると、アップダウンカウン
タ１３はディスエーブル状態が解除されたままで比較器
１２の出力によりアップカウンタとして動作することに
なる。そして半導体レーザ１の駆動電流が増加し比較器
１２の出力が低レベルから高レベルに反転すると、エツ
ジ検出回路１４がその立上りエツジを検出してアップダ
ウンカウンタ１３ヲデイスエープル状態にし、その計数
値を保持させる。上記タイミング信号ＴＩはフレーム同
期信号の立上シエッジを検出して作ったプリントエンド
信号等が用いられ、フレーム記録時等に半導体レーザ１
のパワーセット（出力強度の設定）が行なわれる。まだ
半導体レーザ１の出力強度は基準信号Ｖｒｅｆを可変す
ることによって調整される。
アツブダウンカウンタ１３のディスエーブル状態を解除
して比較器１２の出力が低レベルから高レベルに反転し
た時にのみアップダウンカウンタ１３をディスエーブル
状態にするように構成しておけば比較器１２の出力が低
レベルでタイミング信号Ｔ１によシア、プダウンカウン
タ１３のディスエーブル状態が解除されてｂる時に比較
器１２の出力が低レベルから高レベルに反転すると、ア
ップダウンカウンタ１３はディスエーブル状態になって
計数値を保持する。比較器１２の出力が高レベルでタイ
ミング信号Ｔｌによシア、プダウンカウンタ１３のディ
スエーブル状態が解除されている時に比較器１２の出力
が高レベルから低レベルになると、アップダウンカウン
タ１３はディスエーブル状態が解除されたままで比較器
１２の出力によりアップカウンタとして動作することに
なる。そして半導体レーザ１の駆動電流が増加し比較器
１２の出力が低レベルから高レベルに反転すると、エツ
ジ検出回路１４がその立上りエツジを検出してアップダ
ウンカウンタ１３ヲデイスエープル状態にし、その計数
値を保持させる。上記タイミング信号ＴＩはフレーム同
期信号の立上シエッジを検出して作ったプリントエンド
信号等が用いられ、フレーム記録時等に半導体レーザ１
のパワーセット（出力強度の設定）が行なわれる。まだ
半導体レーザ１の出力強度は基準信号Ｖｒｅｆを可変す
ることによって調整される。
このレーザプリンタにおける半導体レーザの出力制御装
置にあっては半導体レーザ１と光検出器９とが１つのユ
ニットになっているが、半導８体レーザ１の取付位置や
後方出力光の広がシ角にバラツキがあシ、かつ光検出器
９の感度にもバラツキがあって半導体レーザ１の出力強
度と光検出器９の出力電流との関係にバラツキがあった
。このためユーザが上記ユニ、トを劣化によシ交換する
時などには感光体ドラム３の位置に、パワーメータを設
置してこのパワーメータで半導体レーザ１の出力強度を
測定しながら基準信号Ｖｒｅｆを可変して半導体レーザ
１の出力強度を調整するという方法を採っていた。しか
しこの方法では調整が面倒であり、またユーザの使用す
る市販のパワーメータ自体のバラツキによシ半導体レー
ザの出力強度を正確に調整することができない。
置にあっては半導体レーザ１と光検出器９とが１つのユ
ニットになっているが、半導８体レーザ１の取付位置や
後方出力光の広がシ角にバラツキがあシ、かつ光検出器
９の感度にもバラツキがあって半導体レーザ１の出力強
度と光検出器９の出力電流との関係にバラツキがあった
。このためユーザが上記ユニ、トを劣化によシ交換する
時などには感光体ドラム３の位置に、パワーメータを設
置してこのパワーメータで半導体レーザ１の出力強度を
測定しながら基準信号Ｖｒｅｆを可変して半導体レーザ
１の出力強度を調整するという方法を採っていた。しか
しこの方法では調整が面倒であり、またユーザの使用す
る市販のパワーメータ自体のバラツキによシ半導体レー
ザの出力強度を正確に調整することができない。
（目 的）
本発明は半導体レーザの出力強度の調整を簡単かつ正確
に行うことができる半導体レーザ出力調整方法を提供す
ることを目的とする。
に行うことができる半導体レーザ出力調整方法を提供す
ることを目的とする。
（構 成）
本発明は半導体レーザの出力制御装置において。
少なくとも半導体レーザ、光検出器及び増幅器と。
この増幅器の出力信号を可変する調整手段とを１つのユ
ニットに構成し、上記調整手段によシ半導体レーザの出
力強度を調整する。
ニットに構成し、上記調整手段によシ半導体レーザの出
力強度を調整する。
第１図は本発明を採用した半導体レーザの出力制御装置
の一実施例を示す。
の一実施例を示す。
この実施例は前記レーザプリンタにおける半導体レーザ
の出力制御装置において、半導体レーザ１、光検出器９
．増幅器１１及び調整手段１７を一つのユニ、ト１８に
構成してこのユニット１８をその劣化などによシ交換で
きるようにし、かつ基準信号Ｖｒｅｆを固定の基準電源
より比較器１２に印加するようにしたものである。調整
手段１７は増幅器１２のゲインを可変するもので、増幅
器１１の出力端子と反転入力端子との間に接続された可
変抵抗よシなる。ユニット１８はメーカが生産して半導
体レーザ１の出力強度を調整してからユーザに渡され。
の出力制御装置において、半導体レーザ１、光検出器９
．増幅器１１及び調整手段１７を一つのユニ、ト１８に
構成してこのユニット１８をその劣化などによシ交換で
きるようにし、かつ基準信号Ｖｒｅｆを固定の基準電源
より比較器１２に印加するようにしたものである。調整
手段１７は増幅器１２のゲインを可変するもので、増幅
器１１の出力端子と反転入力端子との間に接続された可
変抵抗よシなる。ユニット１８はメーカが生産して半導
体レーザ１の出力強度を調整してからユーザに渡され。
その調整では半導体レーザ１の出力強度をパワーメータ
で測定しながら可変抵抗１７により増幅器１１のゲイン
を調整して半導体レーザ１の出力が所要の強度になった
時に増幅器１１の出力信号が基準信号と一致するように
する。したがってこの調整はメーカが同一のパワーメー
タを用いて正確に行うことができ、又ユーザはユニ、ト
１８の劣化による交換時などには基準信号Ｖｒｅｆを可
変して半導体レーザ１の出力強度を調整する必要がな（
なシ、半導体レーザの出力強度の調整が簡単になる。
で測定しながら可変抵抗１７により増幅器１１のゲイン
を調整して半導体レーザ１の出力が所要の強度になった
時に増幅器１１の出力信号が基準信号と一致するように
する。したがってこの調整はメーカが同一のパワーメー
タを用いて正確に行うことができ、又ユーザはユニ、ト
１８の劣化による交換時などには基準信号Ｖｒｅｆを可
変して半導体レーザ１の出力強度を調整する必要がな（
なシ、半導体レーザの出力強度の調整が簡単になる。
第４図は本発明を採用した半導体レーザの出力制御装置
の他の実施例を示す。この実施例は上記実施例において
半導体レーザ１、光検出器９．増幅器１１．可変抵抗１
７の他に力、プリングレンズ２も含めて１つのユニ、ト
１９に構成してこのユニット１８を交換可能にしたもの
である。ユニｙ）１９はメーカが生産して力、プリング
レンズ２の出力強度を調整してからユーザに渡され、そ
の調整では力、プリングレンズ２の出力強度をパワーメ
ータで測定しながら可変抵抗１７によシ増儒器１１のゲ
インを調整してカップリングレンズ２の出力光が所要の
強度になった時に増幅器１１の出力信号が基準信号と一
致するように半導体レーザの出力強度を調整する。この
ようにすれば半導体レーザ１ｒの出力光発散角のバラツ
キによる力、プリングレンズ２の出力強度のバラツキも
除去することができる。
の他の実施例を示す。この実施例は上記実施例において
半導体レーザ１、光検出器９．増幅器１１．可変抵抗１
７の他に力、プリングレンズ２も含めて１つのユニ、ト
１９に構成してこのユニット１８を交換可能にしたもの
である。ユニｙ）１９はメーカが生産して力、プリング
レンズ２の出力強度を調整してからユーザに渡され、そ
の調整では力、プリングレンズ２の出力強度をパワーメ
ータで測定しながら可変抵抗１７によシ増儒器１１のゲ
インを調整してカップリングレンズ２の出力光が所要の
強度になった時に増幅器１１の出力信号が基準信号と一
致するように半導体レーザの出力強度を調整する。この
ようにすれば半導体レーザ１ｒの出力光発散角のバラツ
キによる力、プリングレンズ２の出力強度のバラツキも
除去することができる。
上記実施例において増幅器１１のゲインを調整する可変
抵抗１７の代−りに第５図に示すように増幅器１１の入
力信号を調整する可変抵抗２０を調整手段として設げ、
この可変抵抗２０で同様に出力光を所要の強度に調整す
るようにしてもよい。
抵抗１７の代−りに第５図に示すように増幅器１１の入
力信号を調整する可変抵抗２０を調整手段として設げ、
この可変抵抗２０で同様に出力光を所要の強度に調整す
るようにしてもよい。
（効 果）
以上のように本発明によれば半導体レーザの出力制御装
置において少なくとも半導体レーザ、光検出器及び増幅
器と、この増幅器の出力信号を可変する調整手段とを１
つのユニットに構成してその調整手段で半導体レーザの
出力強度を調整するので、半導体レーザの出力強度の調
整を簡単かつ正確に行うことができる。
置において少なくとも半導体レーザ、光検出器及び増幅
器と、この増幅器の出力信号を可変する調整手段とを１
つのユニットに構成してその調整手段で半導体レーザの
出力強度を調整するので、半導体レーザの出力強度の調
整を簡単かつ正確に行うことができる。
第１図は本発明を採用した半導体レーザの出力制御装置
の一実施例を示すプロ、り図、第２図はレーザプリンタ
カー例を示すブロック図、第３図は同レーザプリンタの
一部を詳細に示すプロ、り図、第４図は本発明を応用し
た半導体レーザの出力制御装置の他の実施例を示すブＯ
，り図、第５図は本発明の詳細な説明するための回路図
である。 １・・・半導体レーザ、９・・・光検出器、１１・・・
増１＠器、１７．２０・・・調整手段、１８．１９・・
・ユニット。
の一実施例を示すプロ、り図、第２図はレーザプリンタ
カー例を示すブロック図、第３図は同レーザプリンタの
一部を詳細に示すプロ、り図、第４図は本発明を応用し
た半導体レーザの出力制御装置の他の実施例を示すブＯ
，り図、第５図は本発明の詳細な説明するための回路図
である。 １・・・半導体レーザ、９・・・光検出器、１１・・・
増１＠器、１７．２０・・・調整手段、１８．１９・・
・ユニット。
Claims (1)
- 出力光をカップリングレンズを介して出力する半導体レ
ーザと、この半導体レーザの出力強度を検出する光検出
器と、この光検出器の出力信号が入力される増幅器と、
この増幅器の出力信号を基準信号と比較する比較器と、
この比較器の出力信号に応じて上記半導体レーザの駆動
電流を増減させて上記半導体レーザの出力強度を制御す
る手段とを有する半導体レーザの出力制御装置において
、少なくとも上記半導体レーザ、光検出器及び増幅器と
、上記増幅器の出力信号を可変する調整手段とを１つの
ユニットに構成し、上記調整手段により上記半導体レー
ザの出力強度を調整することを特徴とする半導体レーザ
出力調整方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1601185A JPS61174786A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ出力調整方法 |
| US06/821,683 US4763334A (en) | 1985-01-30 | 1986-01-23 | Laser beam emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1601185A JPS61174786A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ出力調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174786A true JPS61174786A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11904639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1601185A Pending JPS61174786A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ出力調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4024463A1 (de) * | 1989-08-01 | 1991-02-07 | Ricoh Kk | Einrichtung zum feststellen einer laserstrahl-abtastposition |
| US5127015A (en) * | 1990-04-17 | 1992-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Driving circuit of a semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239085A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Toshiba Corp | レ−ザ−発光ユニツト |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1601185A patent/JPS61174786A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239085A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Toshiba Corp | レ−ザ−発光ユニツト |
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| DE4024463A1 (de) * | 1989-08-01 | 1991-02-07 | Ricoh Kk | Einrichtung zum feststellen einer laserstrahl-abtastposition |
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