JP3446637B2 - レーザダイオード駆動回路及び画像形成装置 - Google Patents

レーザダイオード駆動回路及び画像形成装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
から発射したレーザビームを走査して感光ドラム等の像
担持体上に静電画像を形成し、電子写真プロセスを用い
て画像を形成するレーザビームプリンタ装置、ディジタ
ル式複写機、或いはファクシミリ装置等に利用されるレ
ーザダイオード駆動回路及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来例を説明する。
【０００３】 §１：プリンタ装置の概要説明・・・図８参照 図８は従来のプリンタ装置を示した図であり、Ａ図はプ
リンタ装置の上面図、Ｂ図はプリンタ装置の側面図であ
る（内部の構成を一部図示してある）。図８に示したプ
リンタ装置は、レーザダイオード（以下、「ＬＤ」とも
記す）からのレーザビーム（以下「レーザ光」とも記
す）を走査して印刷を行うレーザビームプリンタ装置
（以下、「レーザプリンタ装置」、或いは単に「プリン
タ装置」とも記す）の１例である。
【０００４】このレーザプリンタ装置は、筐体１内にＬ
Ｄユニット（レーザダイオードユニット）２、感光ドラ
ム３、用紙搬送路４、帯電部５、露光部６、現像部７、
転写部８、定着部９、クリーニング部１８等が設けてあ
り、電子写真方式により印刷（或いは印字）を行うが、
その印刷プロセス系は、感光ドラム３を媒体とした帯
電、露光、現像、転写、クリーニング等の各工程と、定
着工程とからなっている。
【０００５】前記帯電工程で一様に帯電した感光ドラム
３は、露光工程で、制御部からの情報に基づいてオン／
オフしたレーザ光の照射を受ける。この時、感光ドラム
３上には静電潜像が形成され、次の現像工程において、
前記静電潜像に帯電したトナーを接触させることによ
り、静電潜像をトナー像に変える。
【０００６】次に、前記トナー像は転写工程において用
紙上に転写され、定着工程において、トナーを溶融定着
させることにより、永久像として出力される。一方、感
光ドラム３は転写工程後、クリーニング工程において残
留トナーを除去し、再度、帯電工程に入る。以上のよう
にして電子写真方式による印刷が行われる。
【０００７】§２：ＬＤユニットの説明・・・図９参照 図９は従来のＬＤユニットを示した図である。前記のよ
うに、レーザプリンタ装置にはＬＤユニット２が設けて
あり、該ＬＤユニット２には、ＬＤ１２、アパーチャ
（Aperture）１３、コリメータレンズ１４、円筒形レン
ズ（CylindricalLens）１５を含む光源部と、前記ＬＤ
１２から発射されたレーザ光をモータにより回転させた
ポリゴンミラー（回転多面鏡）１１に反射させて走査を
行う走査モータユニット１０と、焦点合わせや光学的な
補正を行うためのフォーカス／補正用レンズ１６、２４
と、レーザ光２７を絞り込むためのアスフェリックスレ
ンズ（Aspherics Lens）１７と、ミラー１９、２０、２
１と、ハーフミラー２２と、保護用光学ユニットガラス
２３と、位置検出センサ（Beam Detect Sensor）２５等
が設けてある。
【０００８】なお、図示の符号２７は、ＬＤ１２から発
射されたレーザ光である。また、該レーザ光２７のパワ
ーをモニタするためにフォトダイオードがＬＤ１２内に
設けてあるが、図示省略してある。このＬＤユニット２
では、前記光源部のＬＤ１２から発射されたレーザ光２
７を走査して感光ドラム３に照射するが、その光路は次
の通りである。
【０００９】すなわち、ＬＤ１２から発射されたレーザ
光２７は、ＬＤ１２、アパーチャ１３、コリメータレン
ズ１４、円筒形レンズ１５を通り、走査モータユニット
１０のモータにより回転駆動されているポリゴンミラー
１１に照射する。そして、ポリゴンミラー１１により反
射されたレーザ光２７は、フォーカス／補正用レンズ２
４、ハーフミラー２２を通り、ミラー１９、２０で反射
され、フォーカス／補正用レンズ１６を通り、ミラー２
１で反射された後、保護用光学ユニットガラス２３を通
って、感光ドラム３に照射する。
【００１０】また、ハーフミラー２２で反射されたレー
ザ光２７は、アスフェリックスレンズ１７を通り、位置
検出センサ２５で受光される。前記のような光路により
レーザ光２７が感光ドラム３に照射する場合、ポリゴン
ミラー１１はモータにより回転駆動されているので、そ
の回転によりレーザ光２７は感光ドラム３上で、主走査
方向に走査される。この時、位置検出センサ２５によ
り、レーザ光２７の位置が検出される。
【００１１】 §３：ＬＤユニットの動作説明・・・図９、図１０参照 図１０は従来のＬＤユニットの動作説明図であり、Ａ図
はレーザ光走査の説明図、Ｂ図はタイミングチャートで
ある。ＬＤユニットの動作は次の通りである。ＬＤユニ
ット２内では前記のようにしてレーザ光を発射し、その
レーザ光で感光ドラム３上を主走査方向に走査してい
る。この状態を図１０のＡ図に示す。
【００１２】先ず、モータにより回転駆動されているポ
リゴンミラー１１にＬＤ１２からレーザ光を照射する
と、該レーザ光はポリゴンミラー１１により反射された
後、感光ドラム３上で主走査方向に走査される。この
時、位置検出センサ２５によりレーザ光の一部を受光
し、印刷動作の１周期のスタート位置が検出されるよう
になっている。
【００１３】この時の感光ドラム３上の用紙位置（最大
用紙サイズの位置）は図示の通りであり、この用紙位置
はレーザ光の走査範囲（最大走査範囲）内にある。この
場合、感光ドラム３上でのレーザ光の走査範囲を図示ａ
からｂまでとすると、位置検出センサ２５による位置検
出点ｄは、ａ、ｂの範囲内であって前記用紙位置の外側
にある。なお、前記位置検出点ｄは用紙位置の左側、或
いは右側のいずれか一方にあるが、どちら側にあっても
動作は同じである。
【００１４】また、感光ドラム３上での用紙位置をｅ点
からｆ点までとするが、前記用紙位置の両側に、ギャッ
プＧ１、Ｇ２（実際に印刷しない部分）が存在し、その
間の領域（Ｇ１〜Ｇ２間）が実際に印刷が行われる領域
となる。そして、用紙位置をｅ点からｆ点までの範囲と
し、レーザ光の走査が行われている場合、前記ｄ点から
ｅ点までの経過時間をＴ１、ｅ点からｆ点までの経過時
間をＴ２、ｆ点からｂ点までの経過時間、及びａ点から
ｄ点までの経過時間をそれぞれＴ３とする。
【００１５】図１０のＢ図において、横軸は時間Ｔ、縦
軸はレーザ発光パワーＰL を示す。また、位置検出領域
でのレーザ発光パワーＰL をＰL ＝ＬＶ２、画像形成領
域でのレーザ発光パワーＰL をＰL ＝ＬＶ１とし、ＬＤ
１２の破壊を防止するためのレーザ発光パワーＰL をＰ
L ＝ＬＶ３とする（ＬＶ１＜ＬＶ２＜ＬＶ３）。なお、
Ｔ１とＴ３は位置検出領域の経過時間であり、Ｔ２は画
像形成領域の経過時間である。
【００１６】先ず、ｄ点からｅ点までのＴ１では、ＰL
＝ＬＶ２となっていたレーザ発光パワーをＬＶ１に下げ
る。次に、ｅ点からｆ点までのＴ２では、ＰL ＝ＬＶ１
として画像形成（印刷）を行う。この場合、Ｔ２でのＬ
Ｄ１２に流す電流は画像形成内容により変化される（可
変値）。次に、ｆ点からｂ点までのＴ３では画像形成が
終了し、位置検出領域となるため、再び、レーザ発光パ
ワーＰL をＰL ＝ＬＶ２（固定値）に上げる。
【００１７】このようにして、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３のサイ
クルを繰り返して行うが、その過程でレーザ発光パワー
ＰL がＰL ＝ＬＶ３に達すると、ＬＤ１２に流れる電流
が過電流となるから、この過電流は防止する（詳細は後
述する）。なお、レーザ発光パワーを画像形成領域と位
置検出領域で変更する必要性は次の理由によるものであ
る。
【００１８】：レーザ光の検出部は感度の悪いものを
使用している。また、露光装置内には、ポリゴンミラ
ー、コリメータレンズ等々があり、その部分で回折、乱
反射等が発生する。検出手段の感度を良くすると、回
折、乱反射等の光を拾ってしまい、正確なレーザの位置
検出をすることができない。そのため、検出部では、あ
る程度のパワーの光を照射する必要がある。
【００１９】：しかし、最近は高解像度の画像を印刷
したいという要求が多くなってきた。検出部に照射して
いるレーザパワーのままでは、１つのドットが大きくな
ってしまい高解像度の画像を得ることができない。その
ため、解像度を上げるためには、レーザパワーを落とす
必要がある。
【００２０】：前記、の両方を満足するために
は、レーザパワーを画像形成領域と位置検出領域で変更
する必要がある。
【００２１】 §４：ＬＤ駆動回路例１の説明・・・図１１参照 図１１は従来のＬＤ駆動回路例１を示した図である。以
下、図１１に基づいてＬＤ駆動回路例１を説明する。Ｌ
Ｄ駆動回路例１は、１つのＬＤ１２を駆動するために１
つのレーザ駆動回路３１を設けると共に、前記位置検出
領域でのレーザ発光パワー（レーザ光量）を制御するた
めの自動レーザ光量制御回路（以下「ＡＰＣ回路」と記
す。ＡＰＣ：Auto Power Control）と、画像形成領域で
のレーザ発光パワーを制御するためのＡＰＣ回路を別の
回路で構成した例である。すなわち、１つのＬＤ１２を
駆動するための１つのレーザ駆動回路３１に対し、２つ
のＡＰＣ回路を設けた例である。
【００２２】図１１に示したように、このＬＤ駆動回路
には、ＬＤ１２を駆動するためのレーザ駆動回路３１
と、ＬＤ１２に流れる過電流を防止するための過電流保
護回路（以下「ＯＣＰ回路」と記す。ＯＣＰ：Over Cur
rent Protection ）３０と、画像形成領域でのレーザ光
量制御を行うための画像形成領域ＡＰＣ回路３５と、位
置検出領域でのレーザ光量制御を行うための位置検出領
域ＡＰＣ回路３６と、フォトダイオード（ＰＤ）２８に
流れる電流Ｉを電圧Ｖに変換するＩ／Ｖ変換回路３４
と、アンプ３７、３８等で構成されている。
【００２３】また、前記レーザ駆動回路３１には、前記
画像形成領域ＡＰＣ回路３５と、位置検出領域ＡＰＣ回
路３６の各出力を切り換えるための切り換え回路４３
と、ＬＤ１２をＭＰＵ４０（上位制御部）から指定され
た定電流で駆動するための定電流回路３２等が設けてあ
る。この場合、レーザ駆動回路３１はＩＣ（集積回路）
で構成されており、該ＩＣの内部に前記切り換え回路４
３と定電流回路３２が設けてある。
【００２４】なお、前記フォトダイオード（ＰＤ）２８
は、ＬＤ１２から発射されたレーザ光のモニタを行うた
めの素子であり、このフォトダイオード２８から前記レ
ーザ光に比例した電流Ｉが出力するようになっている。
また、ＬＤ１２、及びフォトダイオード２８は、それぞ
れ電源（電圧＝＋ＶCC）に接続されている。
【００２５】そして、前記ＬＤ駆動回路は、上位制御部
を構成するＭＰＵ４０に接続され、該ＭＰＵ４０により
制御されるようになっている。この場合、ＭＰＵ４０に
は、ディジタル・アナログ・コンバータ（以下「ＤＡ
Ｃ」と記す）４１、４２が設けてあり、これらのＤＡＣ
４１、４２に値（レーザ発光パワー基準値）を設定する
ことで、ＬＤ駆動回路に前記値を送るようになってい
る。
【００２６】前記ＤＡＣ４１にはアンプ３７を介して画
像形成領域ＡＰＣ回路３５が接続され、前記ＤＡＣ４２
には、アンプ３８を介して位置検出領域ＡＰＣ回路３６
が接続されると共に、前記画像形成領域ＡＰＣ回路３５
と位置検出領域ＡＰＣ回路３６には、それぞれＩ／Ｖ変
換回路３４の出力が接続されている。また、画像形成領
域ＡＰＣ回路３５と位置検出領域ＡＰＣ回路３６の各出
力がレーザ駆動回路３１に接続され、該レーザ駆動回路
３１によりＬＤ１２を駆動するようになっている。
【００２７】そして、画像形成領域ＡＰＣ回路３５には
ＭＰＵ４０からの画像形成領域レーザ発光パワー基準値
ＬＰ１（可変）が入力し、位置検出領域ＡＰＣ回路３６
には、ＭＰＵ４０からの位置検出領域レーザ発光パワー
基準値ＬＰ２（可変）が入力すると共に、レーザ駆動回
路３１には、ＭＰＵ４０からのパワー切換信号ＰＳと、
レーザ駆動信号ＬＤＳが入力するようになっている。
【００２８】この回路の動作は次の通りである。位置検
出領域では、ＭＰＵ４０がＤＡＣ４２に設定した値ＬＰ
２をアンプ３８で増幅した後、位置検出領域ＡＰＣ回路
３６へ送る。位置検出領域ＡＰＣ回路３６は前記入力し
た値ＬＰ２を基にＡＰＣの制御を行い、出力データをレ
ーザ駆動回路３１へ送る。
【００２９】また、画像形成領域では、ＭＰＵ４０がＤ
ＡＣ４１に設定した値ＬＰ１をアンプ３７で増幅した
後、画像形成領域ＡＰＣ回路３５へ送る。画像形成領域
ＡＰＣ回路３５は前記入力した値ＬＰ１を基にＡＰＣの
制御を行い、出力データをレーザ駆動回路３１へ送る。
【００３０】レーザ駆動回路３１は、ＭＰＵ４０からの
パワー切り換え信号ＰＳにより、切り換え回路４３で位
置検出領域ＡＰＣ回路３６の出力と、画像形成領域ＡＰ
Ｃ回路３５の出力とを切り換える。すなわち、位置検出
領域では位置検出領域ＡＰＣ回路３６の出力に切り換
え、画像形成領域では画像形成領域ＡＰＣ回路３５の出
力に切り換える。
【００３１】そして、前記切り換えた出力と、ＭＰＵ４
０からのレーザ駆動信号ＬＤＳ（オン／オフ信号）を用
いて定電流回路３２を制御し、ＬＤ１２を駆動する。ま
た、前記ＬＤ１２を駆動している時、該ＬＤ１２に過電
流が流れると、ＯＣＰ回路３０により、前記過電流は防
止される。
【００３２】§５：ＬＤ駆動回路例１の具体例の説明・
・・図１２参照 図１２は従来のＬＤ駆動回路例１の具体例である。以
下、図１２に基づいて、前記ＬＤ駆動回路の具体例を説
明する。この例では、ＯＣＰ回路３０とレーザ駆動回路
３１の具体的な回路例を示している。ＯＣＰ回路３０
は、ＬＤ１２と直列接続した抵抗Ｒ1 と、該抵抗Ｒ1 の
電圧を基準値（基準電圧）ＶS と比較する比較器ＣＭＰ
と、前記比較器ＣＭＰの出力側に接続された抵抗Ｒ4 、
及びコンデンサＣ1 と、前記抵抗Ｒ4 に接続されたトラ
ンジスタＱ2 を備えている。
【００３３】この場合、電源（電圧＝＋Ｖa ）と接地間
に抵抗Ｒ5 、Ｒ6 の直列回路を接続し、前記抵抗Ｒ5 、
Ｒ6 の接続点の電圧ＶS を比較器ＣＭＰの基準値として
入力する。すなわち、抵抗Ｒ5 、Ｒ6 の接続点を比較器
ＣＭＰの一方の入力端子に接続し、この入力端子に基準
値として電圧ＶS を入力するように構成してある。
【００３４】また、レーザ駆動回路３１は、トランジス
タＱ1 、抵抗Ｒ2 、Ｒ3 、コンデンサＣ2 、トランジス
タＱ3 からなる定電流回路３２と、切り換え回路４３を
備えている。この場合、トランジスタＱ1 はＬＤ１２及
び抵抗Ｒ1 と直列接続され、ＬＤ１２を駆動するもので
あり、抵抗Ｒ2 、Ｒ3 、コンデンサＣ2 はトランジスタ
Ｑ1 にバイアスを供給するものである。また、トランジ
スタＱ3 はＭＰＵ４０からのレーザ駆動信号ＬＤＳによ
りオン／オフ制御され、それに応じてコンデンサＣ2 を
短絡／開放するものである。
【００３５】この回路では信号ＰＳにより切り換え回路
４３が切り換えられ、位置検出領域でのＡＰＣ出力、又
は画像形成領域でのＡＰＣ出力が定電流回路３２に送ら
れる。定電流回路３２では信号ＬＤＳによりトランジス
タＱ3 が駆動される。この時、トランジスタＱ3 がオフ
であれば、切り換え回路４３の出力に応じた電圧でコン
デンサＣ2 が充電される。
【００３６】そして、コンデンサＣ2 の電圧によりトラ
ンジスタＱ1 が駆動され、ＬＤ１２に電流を流す。ま
た、トランジスタＱ3 がオンの場合はコンデンサＣ2 が
短絡され、トランジスタＱ1 をオフにする。このよう
に、画像形成領域では信号ＬＤＳでトランジスタＱ3 を
駆動することにより画像を形成する。
【００３７】また、ＯＣＰ回路３０では、比較器ＣＭＰ
により、ＬＤ１２に電流が流れる電流で抵抗Ｒ1 に発生
した電圧Ｖ1 を、基準値ＶS と比較する。今、抵抗Ｒ1
に発生した電圧をＶ1 とした場合、Ｖ1 ≦ＶS であれ
ば、比較器ＣＭＰの出力はローレベルＬ（＝０）であ
り、Ｖ1 ＞ＶS になると比較器ＣＭＰの出力はハイレベ
ル（＝１）となる。
【００３８】そして、比較器ＣＭＰの出力がＬ（＝０）
であればコンデンサＣ1 の電圧は０であり、トランジス
タＱ2 はオフであるから、トランジスタＱ1 の動作は前
記の通り行われる。しかし、ＬＤ１２に流れる電流が過
電流となり、Ｖ1 ＞ＶS になると比較器ＣＭＰの出力が
Ｈ（＝１）になりコンデンサＣ1 がハイレベルの出力で
充電される。
【００３９】そのため、トランジスタＱ2 がオンにな
り、そのコレクタ電位を接地電位にする。従って、前記
接地電位となったトランジスタＱ2 のコレクタにより、
コンデンサＣ2 の両端が接地電位となり、トランジスタ
Ｑ1 のベース電流を急激に減少させる。この動作により
ＬＤ１２に流れる過電流は防止される。
【００４０】 §６：レーザ駆動回路例２の説明・・・図１３参照 図１３は従来のＬＤ駆動回路例２を示した図である。以
下、図１３に基づいてレーザ駆動回路例２を説明する。
ＬＤ駆動回路例２は、ＡＰＣ回路を１つにして、ＭＰＵ
４０からのＡＰＣの基準値をアナログスイッチを有する
基準切り換え回路４５で切り換えながら、ＡＰＣ回路に
出力する例である。
【００４１】すなわち、ＬＤ駆動回路例２は、ＬＤ１２
を駆動するための１つのレーザ駆動回路３１と、位置検
出領域でのレーザ発光パワー（レーザ光量）、及び画像
形成領域でのレーザ発光パワー（レーザ光量）を制御す
るための１つのＡＰＣ回路４４と、フォトダイオードＰ
Ｄに流れる電流Ｉを電圧Ｖに変換して前記ＡＰＣ回路４
４に出力するＩ／Ｖ変換回路３４と、アンプ３７、３８
と、アナログスイッチ４６を有する基準切り換え回路４
５等で構成する。
【００４２】また、レーザ駆動回路３１には、ＬＤ１２
に流れる過電流を防止するためのＯＣＰ回路３０と、Ｌ
Ｄ１２をＭＰＵ４０から指定された値で定電流駆動する
ための定電流回路３２等が設けてある。そして、基準切
り換え回路４５は、ＭＰＵ４０に接続され、該ＭＰＵ４
０により制御されるようになっている。
【００４３】なお、ＭＰＵ４０には、ＤＡＣ４１、４２
が設けてあり、これらのＤＡＣ４１、４２に値を設定す
ることで、画像形成領域のレーザ発光パワー基準値（可
変）ＬＰ１と、位置検出領域レーザ発光パワー基準値Ｌ
Ｐ２（固定）とを基準切り換え回路４５へ出力するよう
になっている。この回路の動作は次の通りである。
【００４４】位置検出領域では、ＭＰＵ４０がＤＡＣ４
２に設定した値（ＬＰ２）をアンプ３８で増幅した後、
基準切り換え回路４５へ出力する。また、画像形成領域
ではＭＰＵ４０がＤＡＣ４１に設定した値（ＬＰ１）を
アンプ３７で増幅した後、基準切り換え回路４５へ出力
する。
【００４５】基準切り換え回路４５ではＭＰＵ４０から
の信号ＰＳによりアナログスイッチ４６を切り換え、位
置検出領域と画像形成領域で異なったレーザ発光パワー
基準値ＬＰ１、ＬＰ２をＡＰＣ回路４４へ出力する。Ａ
ＰＣ回路４４ではＩ／Ｖ変換回路３４の出力と、前記基
準切り換え回路４５の出力を取り込んでＡＰＣの制御を
行い、その結果の値をレーザ駆動回路３１へ出力する。
【００４６】レーザ駆動回路３１では、前記ＡＰＣ回路
４４からの出力信号と、ＭＰＵ４０からの信号ＬＤＳを
入力し、ＬＤ１２を駆動する。この場合、レーザ駆動回
路３１の内部にＯＣＰ回路３０が設けてあるが、その動
作は前記ＬＤ駆動回路例１と同じである。
【００４７】 §７：ＡＰＣ回路の具体例の説明・・・図１４参照 図１４はＡＰＣ回路例である。以下、前記ＡＰＣ回路４
４の具体例を図１４に基づいて説明する。ＡＰＣ回路４
４には、比較器５５と、トランジスタ駆動回路５６と、
出力側のトランジスタ５７、５８と、定電流回路基準設
定用のコンデンサ５９を備えている。
【００４８】そして、フォトダイオード２８に流れる電
流Ｉを、Ｉ／Ｖ変換回路３４により電圧Ｖに変換し、該
電圧Ｖを比較器５５の一方の入力端子に入力する。ま
た、比較器５５の他方の入力端子には、基準値（ＬＰ
１、又はＬＰ２）を入力し、トランジスタ駆動回路５６
にはＭＰＵ４０からのＡＰＣ制御信号（オン／オフ制御
信号）ＡＰＣＤを入力する。
【００４９】ＡＰＣ回路４４の動作は次の通りである。
ＡＰＣ制御信号ＡＰＣＤがＡＰＣ制御オフの時は、トラ
ンジスタ５７、５８は共にオフでありコンデンサ５９の
電圧はそのまま保たれる。また、ＡＰＣ制御信号ＡＰＣ
ＤがＡＰＣ制御オンの時は、次のように動作する。
【００５０】今、Ｉ／Ｖ変換回路３４から出力されるＬ
Ｄパワーモニタ電圧ＶをＶM とし、この電圧ＶM と、Ａ
ＰＣ基準電圧（ＬＰ１／ＬＰ２）とを比較器ＣＭＰで比
較した結果、ＶM ＜（ＬＰ１／ＬＰ２）であれば、比較
器ＣＭＰからの信号に基づいてトランジスタ駆動回路５
６はトランジスタ５７をオン、トランジスタ５８をオフ
にする。そして、電源電圧＋ＶCC（例えば、＋５Ｖ）に
より、トランジスタ５７を介してコンデンサ５９を充電
する。
【００５１】また、ＶM ＞（ＬＰ１／ＬＰ２）であれ
ば、比較器ＣＭＰからの信号に基づいてトランジスタ駆
動回路５６はトランジスタ５７をオフ、トランジスタ５
８をオンにしてコンデンサ５９を放電する。そして、前
記コンデンサ５９の電圧を定電流回路基準電圧として出
力する。なお、前記ＡＰＣ回路の具体例は、ＬＤ駆動回
路例１の画像形成領域ＡＰＣ回路３５、及び位置検出領
域ＡＰＣ回路３６でも同じ構成で実現できる。
【００５２】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。
【００５３】：従来のＬＤ駆動回路例１では、１つの
ＬＤを駆動するための１つのレーザ駆動回路に、２つの
ＡＰＣ回路を接続して、画像形成領域と位置検出領域に
おけるそれぞれのレーザ発光パワーの制御を行ってい
た。
【００５４】しかし、ＡＰＣ回路は、高精度のレーザ発
光パワー制御を行う必要があるため、回路規模が大きく
高価である。従って、このようなＡＰＣ回路を２つ設け
ることは製品のコストアップの原因となっている。ま
た、ＡＰＣ回路を２つ設けているため、レーザ駆動回路
には、２つのＡＰＣ回路を切り換えるための切り換え回
路が必要である。
【００５５】そして、この切り換え回路により、画像形
成領域と位置検出領域とで切り換えを行うため、その切
り換え時間が必要であり、画像形成処理の高速化に対応
できない。そこで、前記切り換え回路の切り換え時間を
高速化することも考えられるが、このような高速切り換
え可能な回路は高価であり、製品のコストアップの原因
となる。
【００５６】また、前記レーザ駆動回路には、前記切り
換え回路と定電流回路等が必要であり、回路構成が複雑
で大規模な回路になり、コストアップの原因となる。
【００５７】：前記従来のＬＤ駆動回路例２では、画
像形成領域と位置検出領域とで基準切り換え回路のアナ
ログスイッチを切り換える必要があり、その切り換え時
間が必要であり、画像形成処理の高速化に対応できな
い。
【００５８】また、前記アナログスイッチの切り換え時
間を高速化するには、高速切り換え可能な回路が必要で
あるが、このような高速切り換えスイッチは高価であ
り、製品のコストアップの原因となる。
【００５９】本発明は、このような従来の課題を解決
し、性能を低下させることなく、レーザダイオードを駆
動するための回路構成を簡素化し、製品のコストダウン
を実現することを目的とする。
【００６０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。本発明は前記の目的を達成するため、次のよ
うに構成した。
【００６１】(1) ：ＬＤ（レーザダイオード）１２から
発射されたレーザ光の１走査内で、走査方向で異なるレ
ーザ発光パワーを必要とするＬＤ駆動回路において、１
つのＬＤ１２に対し、第１のレーザ発光パワーを制御す
る自動レーザ光量制御回路（ＡＰＣ回路４４）と、前記
ＡＰＣ回路４４により、ＬＤ１２を駆動する第１のレー
ザ駆動回路（画像形成領域レーザ駆動回路５１）と、第
２のレーザ発光パワーでＬＤ１２を駆動する第２のレー
ザ駆動回路（位置検出領域レーザ駆動回路５０）と、前
記第１、第２のレーザ発光パワーで駆動されるＬＤ１２
の過電流を防止する過電流保護回路（ＯＣＰ回路３０）
とを備えている。
【００６２】(2) ：前記(1) のＬＤ駆動回路において、
前記第２のレーザ駆動回路は、前記ＯＣＰ回路３０の過
電流検出レベルと、前記第２のレーザ発光パワーに対応
した駆動電流のレベルを同等のレベルに設定すること
で、ＡＰＣ回路を使用せずに、前記第２のレーザ発光パ
ワーを制御する機能を備えている。
【００６３】(3) ：前記(1) のＬＤ駆動回路において、
前記ＯＣＰ回路３０は、ＬＤ１２の特性ばらつきに対応
して過電流検出レベルを調節するためのレベル調節手段
を備えている。
【００６４】(4) ：前記(1) のＬＤ駆動回路において、
前記ＯＣＰ回路３０は、ＬＤ１２に流れる電流全てに対
して検出できる位置に置くことにより、複数のレーザ駆
動回路が同時に駆動した際でも、ＬＤ１２の過電流を防
止する機能を備えている。
【００６５】(5) ：ＬＤから発射されたレーザ光の１走
査内で、走査方向で異なるレーザ発光パワーを必要とす
るＬＤ駆動回路において、１つのＬＤに対し、第１のレ
ーザ発光パワーを制御するＡＰＣ回路と、前記ＡＰＣ回
路の制御により、ＬＤを駆動する第１のレーザ駆動回路
を備えると共に、前記第２のレーザ発光パワーでレーザ
ダイオードを駆動する第２のレーザ駆動回路と、前記レ
ーザ発光パワーを検出するフォトダイオードの光電流を
監視し、前記レーザダイオードが破壊されないように、
レーザダイオード駆動電流の制限値を設定してレーザ発
光パワーを制限するレーザ発光パワー制限回路を備えて
いる。
【００６６】(6) ：前記(5) のレーザダイオード駆動回
路において、前記第２のレーザ駆動回路は、前記レーザ
発光パワー制限回路の制限値と、前記第２のレーザ発光
パワーに対応した駆動電流のレベルを同等のレベルに設
定することで、自動レーザ光量制御回路を使用せずに、
前記第２のレーザ発光パワーを制御する機能を備えてい
る。
【００６７】(7) ：潜像が形成される担持体と、担持体
に対して、１ライン毎に光を走査し、担持体に潜像を形
成する露光部と、担持体の潜像を現像する現像装置と、
露光部の１ライン内の光の位置を検出する検出部を有
し、検出部が検出した光の位置に基づいて、担持体に対
する潜像に位置を補正し、画像を形成する画像形成装置
において、露光部は、潜像のための光を発するＬＤ（レ
ーザダイオード）と、ＬＤの発した光を走査する走査部
と、担持体に対する潜像形成位置でＬＤの発光パワーを
制御するＡＰＣ回路（自動レーザ光量制御回路）と、Ａ
ＰＣ回路の制御により、担持体に対する潜像形成位置で
ＬＤを駆動する第１のレーザ駆動回路（画像形成領域レ
ーザ駆動回路）と、検出部の検出位置でＬＤを駆動する
第２のレーザ駆動回路（位置検出領域レーザ駆動回路）
と、担持体に対する潜像位置及び検出部のレーザパワー
で駆動されるＬＤの過電流を防止する電流保護回路（Ｏ
ＣＰ回路）と、を備えている。
【００６８】(8) ：前記(7) の画像形成装置において、
前記担持体に対する潜像位置でレーザパワー（レーザ発
光パワー）より、検出部による検出位置でのレーザパワ
ー（レーザ発光パワー）の方が大きくなるように構成し
た。
【００６９】（作用）前記構成に基づく本発明の作用を
説明する。
【００７０】(a) ：前記(1) の作用 ＡＰＣ回路４４は、上位制御部からの画像形成領域レー
ザ発光パワー基準値ＬＰ１と、レーザ発光パワーを検出
するフォトダイオードの光電流に比例した電圧を基に、
１つのＬＤ１２に対し画像形成領域で１つのレーザ発光
パワー（第１のレーザ発光パワー）を制御する。そし
て、画像形成領域レーザ駆動回路５１では、ＡＰＣ回路
４４の出力（指示値）と、上位制御部からの画像形成領
域レーザ駆動信号ＬＤＳ１に基づいて画像形成領域でＬ
Ｄ１２を駆動する。
【００７１】また、位置検出領域では、位置検出領域レ
ーザ駆動回路５０が、上位制御部からの位置検出領域レ
ーザ駆動信号ＬＤＳ２によりＬＤ１２を駆動（第２のレ
ーザ発光パワーで駆動）する。そして、ＯＣＰ回路（過
電流保護回路）３０は、前記画像形成領域及び位置検出
領域でＬＤ１２が駆動された際にＬＤ１２に流れる駆動
電流が過電流になると、該過電流を抑制してＬＤ１２が
破壊されるのを防止する。
【００７２】この場合、画像形成領域では高精度のレー
ザ発光パワー制御を行う必要があり、そのためＡＰＣ回
路を必要とする。しかし、位置検出領域では、高精度の
レーザ発光パワー制御は必要なく固定値で良いため、位
置検出領域レーザ駆動回路の構成を簡素化することがで
きる。
【００７３】(b) ：前記(2) の作用 位置検出領域レーザ駆動回路５０は、ＯＣＰ回路３０の
ＯＣＰ検出値（過電流検出値）と、位置検出領域で必要
とするレーザ発光パワーに対応したＬＤ駆動電流Ｉd の
レベルを同等のレベルに設定することで、ＡＰＣ回路４
４を使用せずに、位置検出領域でのレーザ発光パワーを
制御する。このため、位置検出領域レーザ駆動回路の構
成を簡素化することができる。
【００７４】(c) ：前記(3) の作用 前記ＯＣＰ回路３０のレベル調節手段により、ＬＤ１２
の特性ばらつきに対応してＯＣＰ検出値（過電流検出レ
ベル）を調節する。従って、ＬＤ１２の特性ばらつきが
あっても、常に適切なＯＣＰ検出値に調節することが可
能になる。
【００７５】(d) ：前記(4) の作用 ＯＣＰ回路３０は、ＬＤ１２に流れる電流全てに対して
検出できる位置に置いてあるため、１つのＬＤ１２が駆
動されている場合は勿論、複数のレーザ駆動回路が同時
に駆動した際でも、ＬＤ１２の過電流を確実に防止す
る。従って、ＬＤ１２が過電流により破壊されることを
確実に防止することが可能である。
【００７６】(e) ：前記(5) の作用 ＡＰＣ回路は、１つのＬＤに対し、画像形成領域で１つ
のレーザ発光パワーを制御する。そして、このＡＰＣ回
路の制御により、画像形成領域レーザ駆動回路は、画像
形成領域でＬＤを駆動する。また、レーザ発光パワー制
限回路では、レーザ発光パワーを検出するフォトダイオ
ードの光電流を監視し、ＬＤが破壊されないように、Ｌ
Ｄ駆動電流の制限値を設定してレーザ発光パワーを制限
する。
【００７７】このようにすれば、レーザ発光パワーの特
性が変化しても、常に正確なレーザ発光パワーが得られ
る。
【００７８】(f) ：前記(6) の作用 位置検出領域レーザ駆動回路は、レーザ発光パワー制限
回路の制限値と、位置検出領域で必要とするレーザ発光
パワーに対応した駆動電流のレベルを同等のレベルに設
定することで位置検出領域でのレーザ発光パワーを制御
する。このようにすれば、高価なＡＰＣ回路を使用せず
に、位置検出領域でのレーザ発光パワーを制御すること
ができると共に、ＬＤの破壊を防止することができる。
【００７９】(g) ：前記(7) の作用 画像形成装置の露光部は、潜像のための光を発するＬＤ
と、ＬＤの発した光を走査する走査部と、担持体に対す
る潜像形成位置でＬＤの発光パワーを制御するＡＰＣ回
路と、ＡＰＣ回路の制御により、担持体に対する潜像形
成位置でＬＤを駆動する第１のレーザ駆動回路と、検出
部の検出位置でＬＤを駆動する第２のレーザ駆動回路
と、担持体に対する潜像位置及び検出部のレーザパワー
で駆動されるＬＤの過電流を防止する電流保護回路とを
備えている。
【００８０】この場合、画像形成領域では高精度のレー
ザ発光パワー制御を行う必要があり、そのためＡＰＣ回
路を必要とする。しかし、位置検出領域では、高精度の
レーザ発光パワー制御は必要なく固定値で良いため、位
置検出領域レーザ駆動回路の構成を簡素化することがで
きると共に、画像形成装置の構成を簡素化することがで
きる (h) ：前記(8) の作用 前記担持体に対する潜像位置でレーザパワー（レーザ発
光パワー）より、検出部による検出位置でのレーザパワ
ー（レーザ発光パワー）の方が大きくなるようにしてい
る。このようにすれば、性能を低下させることなく、Ｌ
Ｄを駆動するための回路構成を簡素化し、製品のコスト
ダウンを実現することができる。
【００８１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、図８に示したプリン
タ装置の構成、図９に示したＬＤユニットの構成、図１
２に示したＯＣＰ回路の構成、及び図１４に示したＡＰ
Ｃ回路の構成は本実施の形態においても同じなので、以
下の説明では、これらの図も参照しながら説明する。
【００８２】§１：ＬＤ駆動回路の概要説明 本実施の形態におけるＬＤ駆動回路は、ＬＤから発射さ
れたレーザ光の主走査方向に、画像を形成するための画
像形成領域と、レーザ光の位置を検出するための位置検
出領域とを有し、それぞれの領域で異なるレーザ発光パ
ワーを必要とする装置（レーザプリンタ装置、ディジタ
ル式複写機、ファクシミリ装置等）に用いられる回路で
あり、その概要は次の通りである。
【００８３】(1) ：前記ＬＤ駆動回路において、１つの
ＬＤに対し、少なくとも２つ以上のレーザ駆動回路を設
ける。このように、レーザ駆動回路を少なくとも２つ以
上併設し、画像形成領域と位置検出領域を別のレーザ駆
動回路で駆動することにより、回路の簡素化を図る。
【００８４】この場合、位置検出領域では１つのレーザ
駆動回路を使用してＬＤを駆動するが、画像形成領域で
は、複数のレーザ駆動回路を必要とする場合（例えば、
濃度差の大きな印刷を行う場合など）がある。このよう
な場合には、２つ以上のレーザ駆動回路を使用し、それ
ぞれの濃度に応じたレーザ駆動回路を使用することがあ
る。なお、以下の説明では画像形成領域でのレーザ駆動
回路が１つで、位置検出領域でのレーザ駆動回路が１つ
の場合について説明する。
【００８５】(2) ：１つのＬＤに対し、画像形成領域で
１つのレーザ発光パワーを制御するＡＰＣ回路と、該Ａ
ＰＣ回路の制御により、画像形成領域でＬＤを駆動する
画像形成領域レーザ駆動回路を備えると共に、位置検出
領域でＬＤを駆動する位置検出領域レーザ駆動回路と、
画像形成領域及び位置検出領域でＬＤの過電流を防止す
るＯＣＰ回路（過電流保護回路）を備える。
【００８６】この場合、位置検出領域でのＡＰＣ回路を
無くし、ＯＣＰ回路でその機能を代替させる。そして、
ＯＣＰ回路を、ＬＤに流れる電流全てに対して検出でき
る位置に置くことにより、複数のレーザ駆動回路が同時
に駆動した場合でも、ＬＤの破壊を確実に防止する回路
を提供する。
【００８７】(3) ：ＬＤから発射されるレーザ光は、Ｌ
Ｄの特性ばらつきにより同じ電流を流しても出力パワー
が異なるため、前記ＯＣＰ回路に過電流検出レベル（Ｏ
ＣＰレベル）を調整する機能を設ける。
【００８８】(4) ：ＬＤに流れる過電流を検出するＯＣ
Ｐ回路の代わりに、ＬＤから発射されたレーザ光の発光
パワーを検出するフォトダイオード（モニタ素子）の光
電流を監視してＬＤが破壊されないようにするレーザ発
光パワー制限回路を設けることにより、位置検出領域で
もレーザ発光パワーを制御し、ＬＤの破壊防止を可能に
する。
【００８９】この場合、レーザ発光パワー制限回路の制
限値を、位置検出領域で必要とするレーザ発光パワーを
得るための駆動電流と同等のレベルに設定することで、
複雑なＡＰＣ回路を使用することなく、位置検出領域で
のレーザ発光パワーを制御することを可能にする。
【００９０】 §２：ＬＤ駆動回路例１の説明・・・図２参照 図２はＬＤ駆動回路例１を示した図である。この回路例
は、１つのＬＤを駆動するために、２つのレーザ駆動回
路と１つのＡＰＣ回路を設けた例である。通常、画像形
成領域のレーザ発光パワーは、印刷の濃淡制御を行うた
めに可変する必要があるけれども、位置検出領域のレー
ザ発光パワーは可変する必要はなく、固定値で良く、し
かも高精度の制御を必要としない。また、ＬＤの破壊を
防止するためのＯＣＰ回路は、ＡＰＣ回路が正常に動作
している限りは機能していない（過電流が流れなければ
機能しない）。
【００９１】そこで、ＬＤの駆動電流値が、（画像形成
領域での電流値）＜（位置検出領域での電流値）＜（Ｏ
ＣＰ検出値）の関係になっている特性に着目して、ＯＣ
Ｐ回路のＯＣＰ検出値（過電流検出値）と位置検出領域
での電流値（ＬＤ１２に流れる電流Ｉd の値）のレベル
を同等のレベルに設定する。この場合、前記同等のレベ
ルとは、両者のレベルが全く同一の場合だけでなく、あ
る程度のレベル差のある場合も含む。
【００９２】例えば、前記位置検出領域での電流値をＯ
ＣＰ検出値より少し下回る値、すなわち、（位置検出領
域での電流値）＜（ＯＣＰ検出値）の条件を満たし、か
つ、両者の差の値Δｄ＝（ＯＣＰ検出値）−（位置検出
領域の電流値）を小さな値（制御可能な範囲の０でない
値）に設定しても良い。このようにするのは、位置検出
領域での駆動電流は高精度な制御を必要としないためで
あり、このような設定により回路構成を簡単にして安価
な回路を実現させることが可能になる。
【００９３】また、ＡＰＣ回路が機能しているレーザ駆
動回路では、ＯＣＰ検出値まで電流を駆動できない。そ
こで、ＡＰＣ回路の機能しないレーザ駆動回路を追加す
るだけで、２つのレーザ発光パワーを制御できる。以
下、具体的に説明する。
【００９４】前記ＬＤ駆動回路には、位置検出領域でＬ
Ｄ１２を駆動するための位置検出領域レーザ駆動回路５
０と、画像形成領域でＬＤ１２を駆動するための画像形
成領域レーザ駆動回路５１と、画像形成領域でＬＤ１２
のレーザ発光パワーを制御するためのＡＰＣ回路４４
と、アンプ３７と、フォトダイオード（ＰＤ）２８に流
れる電流Ｉを電圧Ｖに変換するＩ／Ｖ変換回路３４と、
ＬＤ１２に流れる過電流を抑制してＬＤ１２の破壊を防
止するＯＣＰ回路３０等を設ける。
【００９５】この場合、画像形成領域レーザ駆動回路５
１には定電流回路３２を有するレーザ駆動回路を使用
し、位置検出領域レーザ駆動回路５０には定電流回路を
備えないレーザ駆動回路を使用する。そして、前記ＬＤ
駆動回路を、ＭＰＵ４０（上位制御部）に接続すると共
に、該ＭＰＵ４０にはＤＡＣ４１を設け、該ＤＡＣ４１
に値を設定することで、ＡＰＣ回路４４に対し、画像形
成領域レーザ発光パワー基準値ＬＰ１を送るようにして
ある。
【００９６】この場合、ＡＰＣ回路４４にはアンプ３７
を介してＤＡＣ４１を接続すると共に、Ｉ／Ｖ変換回路
３４の出力を接続する。また、ＡＰＣ回路４４の出力を
画像形成領域レーザ駆動回路５１に接続する。更に、画
像形成領域レーザ駆動回路５１はＭＰＵ４０からの画像
形成領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１を入力し、位置検出領
域レーザ駆動回路５０はＭＰＵ４０からの位置検出領域
レーザ駆動信号ＬＤＳ２を入力する。
【００９７】前記ＬＤ駆動回路の動作は次の通りであ
る。位置検出領域では、ＭＰＵ４０から位置検出領域レ
ーザ駆動回路５０に対して位置検出領域レーザ駆動信号
ＬＤＳ２を出力する。この信号により位置検出領域レー
ザ駆動回路５０は、位置検出領域での動作を開始し、ト
ランジスタＱ5 をオンにする。そして、オンになったト
ランジスタＱ5 によりＬＤ１２を駆動し、該ＬＤ１２に
電流Ｉd を流す。
【００９８】この電流Ｉd によりＬＤ１２は位置検出領
域でのレーザ発光パワーでレーザ光を発射する。この場
合の電流Ｉd は、ＯＣＰ回路３０でのＯＣＰ検出値（過
電流検出値）と同等にしてある。従って、位置検出領域
での電流Ｉd は、ＯＣＰ回路３０のＯＣＰ検出値により
上限を抑えられた電流Ｉd が流れる。
【００９９】次に、画像形成領域では、ＭＰＵ４０が設
定したＤＡＣ４１の値（ＬＰ１）がアンプ３７で増幅さ
れた後、ＡＰＣ回路４４に送られる。ＡＰＣ回路４４で
は前記値（ＬＰ１）と、Ｉ／Ｖ変換回路３４からのモニ
タ電圧値を取り込んでＬＤ１２の発光パワー制御を行
い、画像形成領域レーザ駆動回路５１に対してレーザ発
光パワーの指示値（指示電圧）を出力する。
【０１００】画像形成領域レーザ駆動回路５１は、ＡＰ
Ｃ回路４４からの指示値を入力すると共に、ＭＰＵ４０
からの画像形成領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１を入力し、
ＬＤ１２を駆動する。この時、定電流回路３２により、
ＡＰＣ回路４４から指示された指示値に基づく定電流で
ＬＤ１２を駆動する。前記のようにしてＬＤ１２が駆動
されている間、ＯＣＰ回路３０は過電流の検出を行い、
ＯＣＰ検出値を越える過電流が流れると、その過電流を
抑えてＬＤ１２の破壊を防止する。
【０１０１】 §３：ＬＤ駆動回路例１の具体例の説明・・・図３参照 図３はＬＤ駆動回路例１の具体例である。前記ＬＤ駆動
回路例１は、例えば、図３のように構成する。ＯＣＰ回
路３０には、ＬＤ１２に直列接続した抵抗Ｒ1と、前記
抵抗Ｒ1 の電圧Ｖ1 を基準電圧ＶS と比較する比較器Ｃ
ＭＰと、前記基準電圧ＶS を作るための抵抗Ｒ5 、Ｒ6
の直列回路と、前記比較器ＣＭＰの出力側に接続された
コンデンサＣ1 、抵抗Ｒ4 と、前記抵抗Ｒ4 に接続され
たトランジスタＱ2 、Ｑ4 を備えている。
【０１０２】また、画像形成領域レーザ駆動回路５１に
は、ＬＤ１２を駆動するためのトランジスタＱ1 と、該
トランジスタＱ1 にバイアス電流を流すための抵抗
Ｒ2 、Ｒ 3 、コンデンサＣ2 と、ＭＰＵ４０からの画像
形成領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１によりトランジスタＱ
1 を制御するためのトランジスタＱ3 を備えている。こ
の場合、前記抵抗Ｒ2 、Ｒ3 、コンデンサＣ2 、トラン
シスタＱ1 で前記定電流回路３２を構成している。
【０１０３】更に、位置検出領域レーザ駆動回路５０に
は、ＬＤ１２を駆動するためのトランジスタＱ5 と、該
トランジスタＱ5 のバイアス回路を構成する抵抗Ｒ7 、
Ｒ8を備えている。そして、トランジスタＱ2 のコレク
タをトランジスタＱ1 のベースに接続し、トランジスタ
Ｑ4 のコレクタをトランジスタＱ5 のベースに抵抗Ｒ 7
を介して接続する。
【０１０４】前記抵抗Ｒ5 、Ｒ6 の直列回路は、電源
（電圧＝＋Ｖａ）と接地（ＧＮＤ）間に接続され、該抵
抗Ｒ5 、Ｒ6 の接続点の電圧ＶS を、比較器ＣＭＰの一
方の入力端子に基準値として入力する。また、抵抗
Ｒ2 、Ｒ3 、コンデンサＣ2 は電源（電圧＝＋Ｖａ）と
接地（ＧＮＤ）間に直列接続し、トランジスタＱ3 はコ
ンデンサＣ2 と並列に接続する。この場合、前記抵抗Ｒ
6 は可変抵抗で構成し、ＬＤ１２の特性に応じて基準電
圧ＶS を変えられるようにしてある。そして、ＬＤ１２
の特性ばらつき等に応じて前記可変抵抗（抵抗Ｒ6 ）を
調整することにより、過電流検出レベルが調整できるよ
うにしてある。
【０１０５】前記回路の動作は次の通りである。画像形
成領域では、画像形成領域レーザ駆動回路５１がＡＰＣ
回路４４の出力に基づいてトランジスタＱ1 を駆動する
ことでＬＤ１２を駆動する。この場合、コンデンサＣ2
はＡＰＣ回路４４からのＡＰＣ指示値（指示電圧）で充
電され、その電圧に応じてトランジスタＱ1 が駆動（オ
ン／オフ）される。この時、ＭＰＵ４０からの画像形成
領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１によりトランジスタＱ3 を
制御し、このトランジスタＱ3 の制御によりトランジス
タＱ1 を駆動する。この動作により画像形成領域におい
て画像形成（印刷）が行われる。
【０１０６】また、位置検出領域では、ＭＰＵ４０から
の位置検出領域レーザ駆動信号ＬＤＳ２により、位置検
出領域レーザ駆動回路５０のトランジスタＱ5 がオンと
なり、ＬＤ１２に位置検出領域での電流を流す。この場
合、前記位置検出領域レーザ駆動信号ＬＤＳ２により与
えられた電圧により、抵抗Ｒ7 、Ｒ8 を介してトランジ
スタＱ5 にバイアス電流が供給され、トランジスタＱ5
はオンになる。
【０１０７】前記のようにしてＬＤ１２が駆動される
と、該ＬＤ１２には電流Ｉd が流れるので、抵抗Ｒ1 か
ら前記電流Ｉd に比例した電圧Ｖ1 を取り出し、比較器
ＣＭＰに入力する。そして、比較器ＣＭＰにおいて、抵
抗Ｒ1 から取り出した電圧Ｖ1を基準値（基準電圧
ＶS ）と比較する。その結果、Ｖ1 ＜ＶS であれば、比
較器ＣＭＰの出力はローレベルＬ（＝０）であり、Ｖ1
＞ＶS になると比較器ＣＭＰの出力はハイレベルＨ（＝
１）となる。
【０１０８】そして、比較器ＣＭＰの出力がＬ（＝０）
であればコンデンサＣ1 の電圧は０であり、トランジス
タＱ2 はオフであるから、トランジスタＱ2 、Ｑ4 はオ
フとなる。従って、トランジスタＱ1 、Ｑ5 の動作は前
記の通り行われる。しかし、ＬＤ１２に流れる電流が過
電流となり、Ｖ1 ＞ＶS になると比較器ＣＭＰの出力が
Ｈ（＝１）になりコンデンサＣ1 がハイレベルの出力で
充電される。
【０１０９】そのため、トランジスタＱ2 、Ｑ4 がオン
になり、そのコレクタ電位を接地電位にする。従って、
前記接地電位となったトランジスタＱ2 、Ｑ4 のコレク
タにより、トランジスタＱ1 、Ｑ5 のベース電位がロー
レベルとなる。この動作によりＬＤ１２に流れる過電流
は防止される。
【０１１０】前記動作において、ＯＣＰ回路３０のＯＣ
Ｐ検出値（過電流検出値）と位置検出領域でのＬＤ１２
に流れる電流Ｉd のレベルを同等のレベルに設定する。
このようにすると、位置検出領域では、電流Ｉd が増加
してＯＣＰ検出値に達すると、ＯＣＰ回路３０のトラン
ジスタＱ4 がオンとなりトランジスタＱ5 をオフにし電
流Ｉd を下げる。すると、前記抵抗Ｒ1 から取り出した
電圧Ｖ1 も下がり、トランジスタＱ4 がオフとなって再
びトランジスタＱ5 がオンとなる。その結果、前記電圧
Ｉd が増加する。以降同様の動作を繰り返し、ＬＤ１２
に流れる電流Ｉ d はＯＰＣ検出値に抑えられた値で制御
される。
【０１１１】前記のように、位置検出領域レーザ駆動回
路５０は、トランジスタＱ5 と、抵抗Ｒ7 、Ｒ8 からな
る３つの部品で構成でき、回路の簡素化ができる。すな
わち、位置検出領域レーザ駆動回路５０は、前記３つの
部品を半田付け等の手段によりプリント基板に取り付け
るだけで済み、極めて簡単な構成となる。
【０１１２】 §４：ＬＤ駆動回路例２の説明・・・図４参照 図４はＬＤ駆動回路例２を示した図である。この回路
は、前記ＬＤ駆動回路例１において、ＬＤ１２と直列に
接続されていたＯＣＰ回路を無くし、フォトダイオード
２８を含むレーザ発光パワー検出部側（モニタ回路側）
に、レーザ発光パワー制限回路を接続した例である。
【０１１３】ＬＤ１２は、経時特性変化等により電流対
レーザ発光パワーの特性が変化することがある。ＬＤ駆
動回路例１では、位置検出領域において、ＯＣＰ回路３
０でＬＤ１２に流れる電流の電流値制御を行っている
為、レーザ発光パワー特性が変化した際に、所定のレー
ザ発光パワーが得られないことがある。
【０１１４】このため、ＯＣＰ回路の代わりにレーザ発
光パワー検出部（モニタ回路）側にレーザ発光パワー制
限回路を設けることにより、レーザ発光パワー特性が変
化しても、必要なレーザ発光パワーが得られるようにし
たものである。以下、詳細に説明する。
【０１１５】このＬＤ駆動回路は、位置検出領域でＬＤ
１２を駆動するための位置検出領域レーザ駆動回路５０
と、画像形成領域でＬＤ１２を駆動するための画像形成
領域レーザ駆動回路５１と、画像形成領域でＬＤ１２の
レーザ発光パワーを制御するためのＡＰＣ回路４４と、
アンプ３７と、フォトダイオード（ＰＤ）２８に流れる
電流Ｉを電圧Ｖに変換するＩ／Ｖ変換回路３４と、前記
Ｉ／Ｖ変換回路３４に接続したレーザ発光パワー制限回
路６１で構成する。
【０１１６】この場合、画像形成領域レーザ駆動回路５
１には、定電流回路３２とＯＣＰ回路３０を有するレー
ザ駆動回路を使用し、位置検出領域レーザ駆動回路５０
には定電流回路やＯＣＰ回路を備えないレーザ駆動回路
を使用する。また、ＭＰＵ４０（上位制御部）にはＤＡ
Ｃ４１を設け、該ＤＡＣ４１に値を設定することで、Ａ
ＰＣ回路４４に対し、画像形成領域レーザ発光パワー基
準値ＬＰ１を送るようになっている。
【０１１７】この場合、ＡＰＣ回路４４にはアンプ３７
を介してＤＡＣ４１を接続すると共に、Ｉ／Ｖ変換回路
３４の出力を接続する。また、ＡＰＣ回路４４の出力を
画像形成領域レーザ駆動回路５１に接続する。更に、画
像形成領域レーザ駆動回路５１にはＭＰＵ４０からの画
像形成領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１を入力し、位置検出
領域レーザ駆動回路５０にはＭＰＵ４０からの位置検出
領域レーザ駆動信号ＬＤＳ２と、レーザ発光パワー制限
回路６１の出力を入力する。
【０１１８】前記回路の動作は次の通りである。位置検
出領域では、ＭＰＵ４０から位置検出領域レーザ駆動回
路５０に対して、位置検出領域レーザ駆動信号ＬＤＳ２
が出力する。この信号を入力した位置検出領域レーザ駆
動回路５０は、位置検出領域での動作を開始し、トラン
ジスタＱ5 をオンにする。
【０１１９】そして、オンになったトランジスタＱ5 に
よりＬＤ１２を駆動し、該ＬＤ１２に電流Ｉd を流す。
この電流Ｉd によりＬＤ１２は位置検出領域でのレーザ
発光パワーでレーザ光を発射する。この場合の電流Ｉd
は、レーザ発光パワー制限回路６１の制限値（過電流制
限値）と同等に設定してある。従って、位置検出領域で
の電流Ｉd は、レーザ発光パワー制限回路６１の制限値
により上限を抑えられた電流となる。
【０１２０】次に、画像形成領域では、ＭＰＵ４０が設
定したＤＡＣ４１の値（ＬＰ１）がアンプ３７で増幅さ
れた後、ＡＰＣ回路４４に送られる。ＡＰＣ回路４４で
は前記値（ＬＰ１）と、Ｉ／Ｖ変換回路３４の出力電圧
値を取り込んでＬＤ１２の発光パワー制御を行い、画像
形成領域レーザ駆動回路５１に対してレーザ発光パワー
の指示値を出力する。
【０１２１】画像形成領域レーザ駆動回路５１は、ＡＰ
Ｃ回路４４からの指示値を入力すると共に、ＭＰＵ４０
からの画像形成領域レーザ駆動信号ＬＤＳ１を入力し、
ＬＤ１２を駆動する。この時、定電流回路３２により、
ＡＰＣ回路４４から指示された定電流でＬＤ１２を駆動
する。前記のようにしてＬＤ１２が駆動されている間、
ＯＣＰ回路３０は過電流の検出を行い、ＯＣＰ検出値を
越える過電流が流れると、その過電流を抑制してＬＤ１
２の破壊を防止する。
【０１２２】また、レーザ発光パワー制限回路６１では
Ｉ／Ｖ変換回路３４の出力電圧を基準値と比較すること
で、ＬＤ１２に流れる過電流の検出を行い、過電流を検
出すると、位置検出領域レーザ駆動回路５０のトランジ
スタＱ5 に流れる電流を抑えて過電流を防止し、ＬＤ１
２の破壊を防止する。
【０１２３】なお、ＬＤ駆動回路例２では、レーザ発光
パワー制限回路６１を使用しており、この回路の出力を
画像形成領域レーザ駆動回路５１でも使用すれば、ＯＣ
Ｐ回路３０は不要になる。しかし、このようにしないの
は次の理由によるものである。
【０１２４】すなわち、画像形成領域レーザ駆動回路５
１は、汎用のＩＣ（集積回路）を使用するが、このＩＣ
の内部にＯＣＰ回路３０と定電流回路３２が組み込まれ
ている。従って、前記ＩＣはそのまま使用した方が有利
である（この部分の回路構成は従来のままで済むた
め）。
【０１２５】一方、位置検出領域レーザ駆動回路５０や
レーザ発光パワー制限回路６１はディスクリート部品を
プリント基板に組み込んで使用する。この場合、前記Ｉ
Ｃ内のＯＣＰ回路３０の代わりにレーザ発光パワー制限
回路６１を使用することもできるが、前記ＩＣをそのま
ま使用し、ディスクリート部品で構成する回路だけを変
更した方が有利である。従って、前記回路例２のように
構成する。
【０１２６】なお、前記ＩＣを使用せず、ディスクリー
ト部品で構成する場合には、ＯＣＰ回路３０を無くすこ
とも可能である。この場合には、前記レーザ発光パワー
制限回路６１の出力を画像形成領域レーザ駆動回路５１
へ入力することで、前記回路と等価な回路が実現可能で
ある。
【０１２７】 §５：ＬＤ駆動回路例２の具体例の説明・・・図５参照 図５はＬＤ駆動回路例２の具体例である。レーザ発光パ
ワー制限回路６１には、Ｉ／Ｖ変換回路３４の抵抗Ｒ12
の電圧Ｖ（この電圧ＶをＶ＝ＶM とする）を基準電圧と
比較する比較器ＣＭＰと、前記基準電圧を作るための抵
抗Ｒ10、Ｒ11の直列回路と、比較器ＣＭＰの出力側に接
続されたコンデンサＣ7 、抵抗Ｒ12と、前記抵抗Ｒ12に
接続されたトランジスタＱ6 を備えている。
【０１２８】そして、前記抵抗Ｒ10、Ｒ11の直列回路
は、電源（電圧＝＋Ｖａ）と接地間に接続され、前記抵
抗Ｒ10、Ｒ11の接続点の電圧ＶS を基準電圧として比較
器ＣＭＰに入力する。この場合、前記抵抗Ｒ11は可変抵
抗で構成し、ＬＤ１２の特性に応じて基準電圧ＶS を変
えられるようにしてある。そして、レーザ発光パワーの
特性の変化等に応じて前記可変抵抗（抵抗Ｒ11）を調整
することにより、電流制限値が調整できるようにしてあ
る。
【０１２９】また、位置検出領域レーザ駆動回路５０に
は、ＬＤ１２を駆動するためのトランジスタＱ5 と、該
トランジスタＱ5 のバイアス回路を構成する抵抗Ｒ7 、
Ｒ8を備えている。更に、画像形成領域レーザ駆動回路
５１には、定電流回路３２とＯＣＰ回路３０を備えてい
る。そして、トランジスタＱ6 のコレクタをトランジス
タＱ5 のベースに抵抗Ｒ7 を介して接続している。
【０１３０】前記回路の動作は次の通りである。位置検
出領域では、ＭＰＵ４０からの位置検出領域レーザ駆動
信号ＬＤＳ２により、位置検出領域レーザ駆動回路５０
のトランジスタＱ5 がオンとなり、ＬＤ１２に位置検出
領域での電流を流す。この場合、位置検出領域レーザ駆
動信号ＬＤＳ２により与えられた電圧により、抵抗
Ｒ 7 、Ｒ8 を介してトランジスタＱ5 にバイアス電流が
供給され、トランジスタＱ 5 をオンにする。
【０１３１】前記のようにしてＬＤ１２が駆動される
と、該ＬＤ１２には電流Ｉd が流れるが、その時のレー
ザ発光パワーはフォトダイオード２８でモニタしてい
る。そこで、Ｉ／Ｖ変換回路３４の抵抗Ｒ12から電圧Ｖ
M を取り出し、比較器ＣＭＰに入力する。そして、比較
器ＣＭＰにおいて、前記抵抗Ｒ12から取り出した電圧Ｖ
Mを基準値（基準電圧ＶS ）と比較する。その結果、Ｖ
1 ＜ＶS であれば、比較器ＣＭＰの出力はローレベルＬ
（＝０）であり、Ｖ1 ＞ＶS になると比較器ＣＭＰの出
力はハイレベルＨ（＝１）となる。
【０１３２】そして、比較器ＣＭＰの出力がＬ（＝０）
であればコンデンサＣ7 の電圧は０であり、トランジス
タＱ6 はオフである。従って、トランジスタＱ5 の動作
は前記の通り行われる。しかし、ＬＤ１２に流れる電流
が過電流となり、ＶM ＞ＶSになると比較器ＣＭＰの出
力がハイレベルＨ（＝１）になりコンデンサＣ7 がハイ
レベルＨの出力で充電される。
【０１３３】そのため、トランジスタＱ6 がオンにな
り、そのコレクタ電位を接地電位にする。従って、前記
接地電位となったトランジスタＱ6 のコレクタにより、
トランジスタＱ5 のベース電位がローレベルとなる。こ
の動作によりＬＤ１２に流れる過電流は抑止され、ＬＤ
１２が過電流で破壊されるのを防止する。
【０１３４】前記動作において、レーザ発光パワー制限
回路６１の制限値（過電流の制限値）と、位置検出領域
での電流値Ｉd のレベルを同等に設定する。このように
すると、位置検出領域では、電流Ｉd が増加すると直ち
にレーザ発光パワー制限回路６１のトランジスタＱ6 が
オンとなり、その結果、トランジスタＱ5 をオフにし前
記電流Ｉd を下げる。
【０１３５】すると、前記電圧Ｖ1 も下がり、トランジ
スタＱ6 がオフとなって再びトランジスタＱ5 がオンと
なる。その結果、前記電圧Ｉd が増加する。以降同様の
動作を繰り返し、ＬＤ１２に流れる電流Ｉd はレーザ発
光パワー制限回路６１の制限値に抑えられた値で制御さ
れる。
【０１３６】前記のように、位置検出領域レーザ駆動回
路５０は、トランジスタＱ5 と、抵抗Ｒ7 、Ｒ8 からな
る３つの部品で構成でき、回路の簡素化ができる。すな
わち、位置検出領域レーザ駆動回路５０は、前記３つの
部品を半田付け等の手段によりプリント基板に取り付け
るだけで済み、極めて簡単な構成となる。
【０１３７】 §６：ＬＤユニットの動作説明・・・図６、図７参照 図６はＬＤユニットの動作説明図であり、Ａ図はレーザ
光走査の説明図、Ｂ図はＬＤ発光パワーの説明図であ
る。また、図７はタイミングチャートである。以下、図
６、図７を参照しながら動作を説明する。なお、ＬＤユ
ニットについては図９に示した従来例を参照しながら説
明する。
【０１３８】前記ＬＤユニット２内では前記のようにし
てレーザ光を発射し、そのレーザ光で感光ドラム３上を
主走査方向に走査している。この状態を図６のＡ図に示
す。先ず、モータにより回転駆動されているポリゴンミ
ラー１１にＬＤ１２からレーザ光を照射すると、該レー
ザ光はポリゴンミラー１１により反射された後、感光ド
ラム３上で主走査方向に走査される。この時、位置検出
センサ２５によりレーザ光の一部を受光し、印刷動作の
１周期のスタート位置が検出されるようになっている。
【０１３９】この時の感光ドラム３上の用紙位置（最大
用紙サイズの位置）は図示の通りであり、この用紙位置
はレーザ光の走査範囲（最大走査範囲）内にある。この
場合、感光ドラム３上でのレーザ光の走査範囲を図示ａ
からｂまでとすると、位置検出センサ２５による位置検
出点ｄ（スタート位置）は、ａからｂの範囲内であっ
て、前記用紙位置の外側にある。なお、前記位置検出点
ｄは用紙位置の左側、或いは右側のいずれか一方にある
が、どちら側にあっても動作は同じである。
【０１４０】また、感光ドラム３上での用紙位置をｅ点
からｆ点までとするが、前記用紙位置の両側に、ギャッ
プＧ１、Ｇ２（実際に印刷しない部分）が存在し、その
間の領域（Ｇ１〜Ｇ２間）が実際に印刷が行われる領域
となる。そして、用紙位置をｅ点からｆ点までの範囲と
し、レーザ光の走査が行われている場合、前記ｄ点から
ｅ点までの経過時間をＴ１、ｅ点からｆ点までの経過時
間をＴ２、ｆ点からｂ点までの経過時間、及びａ点から
ｄ点までの経過時間をそれぞれＴ３とする。
【０１４１】図６のＢ図、及び図７において、横軸は時
間Ｔ、縦軸はレーザ発光パワーＰLを示す。また、位置
検出領域でのレーザ発光パワーＰL をＰL ＝ＬＶ２、画
像形成領域でのレーザ発光パワーＰL をＰL ＝ＬＶ１と
し、ＬＤ１２の破壊を防止するためのレーザ発光パワー
ＰL をＰL ＝ＬＶ３とする。
【０１４２】この場合、ＯＣＰ回路のＯＣＰ検出値（過
電流検出値）と位置検出領域での電流値（ＬＤ１２に流
れる電流Ｉd ）を同等のレベルに設定する。すなわち、
位置検出領域での電流Ｉd の値はＯＣＰ検出値と略同等
のレベルに設定する（ＬＶ１＜ＬＶ２≒ＬＶ３）。
【０１４３】但し、前記レーザ発光パワーＰL ＝ＬＶ３
は、ＯＣＰ回路を使用する場合はＯＣＰ検出値である
が、前記ＬＤ駆動回路例２のレーザ発光パワー制限回路
６１では、レーザ発光パワー制限値のレベルである。ま
た、Ｔ１とＴ３は位置検出領域であり、Ｔ２は画像形成
領域である。
【０１４４】図６のＢ図に示したように、位置検出領域
では、ＬＶ２≒ＬＶ３としてＬＤ１２を駆動する。この
時、位置検出領域レーザ駆動回路５０ではＭＰＵ４０か
らの位置検出領域レーザ駆動信号ＬＤＳ２によりトラン
ジスタＱ5 を駆動する。この時ＬＤ１２に流れる電流は
レベルＬＶ２であるが、この電流が増えるとＯＣＰ回路
３０、或いはレーザ発光パワー制限回路６１によりレベ
ルＬＶ３に抑えられる。この場合、ＬＶ２≒ＬＶ３とし
ているため、ＬＤ１２に流れる電流は前記レベルに制御
される。
【０１４５】以下、図７のタイミングチャートに基づい
て説明する。先ず、ｄ点からｅ点までのＴ１では、ＰL
＝ＬＶ２≒ＬＶ３となっていたレーザ発光パワーをＬＶ
１に下げる。次に、ｅ点からｆ点までのＴ２では、ＰL
＝ＬＶ１として画像形成（印刷）を行う。この場合、Ｔ
２でのＬＤ１２に流す電流は画像形成内容により変化さ
れる（可変値）。次に、ｆ点からｂ点までのＴ３では画
像形成が終了し、位置検出領域となるため、再び、レー
ザ発光パワーＰL をＰL ＝ＬＶ２（固定値）に上げる。
【０１４６】このようにして、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３のサイ
クルを繰り返して行うが、その過程でレーザ発光パワー
ＰL がＰL ＝ＬＶ３に達すると、ＯＣＰ回路３０、或い
はレーザ発光パワー制限回路６１により、ＬＤ１２に流
れる電流が過電流となるから、この過電流は防止され
る。
【０１４７】このようにすると、例えば、図３に示した
例の場合、位置検出領域では、電流Ｉd が増加すると直
ちにＯＣＰ回路３０のトランジスタＱ4 がオンとなりト
ランジスタＱ5 をオフにし前記電流Ｉd を下げる。する
と、前記電圧Ｖ1 も下がり、トランジスタＱ4 がオフと
なって再びトランジスタＱ5 がオンとなる。その結果、
前記電流Ｉd が増加する。以降同様の動作を繰り返し、
ＬＤ１２に流れる電流Ｉd はＯＣＰ検出値に抑えられた
値で制御される。
【０１４８】§７：その他の説明 (1) ：前記ＬＤ駆動回路例１、２において、画像形成領
域でＬＤ１２を駆動する画像形成領域レーザ駆動回路は
１つであるが、本願発明は、このような例に限らず、複
数の画像形成領域レーザ駆動回路を設けた回路にも適用
可能である。
【０１４９】すなわち、画像形成領域では、画像形成を
行う場合、複数のレベルの異なるＡＰＣを必要とする場
合がある。このような場合、画像形成領域レーザ駆動回
路を複数設け、画像形成に必要な回路を選択して画像形
成を行うことがある。本願発明は、このように、複数の
画像形成領域レーザ駆動回路を設けたＬＤ駆動回路にも
同様にして適用することが可能である。
【０１５０】(2) ：前記ＬＤ駆動回路は、レーザプリン
タ装置に限らず、ディジタル式複写機、ファクシミリ装
置等にも同様に適用可能である。
【０１５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。
【０１５２】(1) ：請求項１では、ＡＰＣ回路は、上位
制御部からの画像形成領域レーザ発光パワー基準値と、
レーザ発光パワーを検出するフォトダイオードの光電流
に比例した電圧を基に、１つのＬＤ（レーザダイオー
ド）に対し画像形成領域で第１のレーザ発光パワーを制
御する。そして、第１のレーザ駆動回路（画像形成領域
レーザ駆動回路）では、ＡＰＣ回路の出力（指示値）
と、上位制御部からの画像形成領域レーザ駆動信号に基
づいて画像形成領域でＬＤを駆動する。
【０１５３】また、位置検出領域では、第２のレーザ駆
動回路（位置検出領域レーザ駆動回路）が、上位制御部
からの位置検出領域レーザ駆動信号によりＬＤを駆動
（第２のレーザ発光パワーで駆動）する。そして、ＯＣ
Ｐ回路（過電流保護回路）は、第１、第２のレーザ発光
パワーでＬＤが駆動された際に、ＬＤに流れる駆動電流
が過電流になると、該過電流を抑制してＬＤが破壊され
るのを防止する。
【０１５４】この場合、画像形成領域では高精度のレー
ザ発光パワー制御を行う必要があり、そのためＡＰＣ回
路を必要とする。しかし、位置検出領域では、高精度の
レーザ発光パワー制御は必要なく固定値で良いため、位
置検出領域レーザ駆動回路の構成を簡素化することがで
きる。
【０１５５】(2) ：請求項２では、第２のレーザ駆動回
路（位置検出領域レーザ駆動回路）は、ＯＣＰ回路のＯ
ＣＰ検出値（過電流検出値）と、位置検出領域で必要と
するレーザ発光パワーに対応したＬＤ駆動電流のレベル
を同等のレベルに設定することで、ＡＰＣ回路を使用せ
ずに、位置検出領域でのレーザ発光パワーを制御する。
このため、位置検出領域レーザ駆動回路の構成を簡素化
することができる。
【０１５６】(3) ：請求項３では、ＯＣＰ回路のレベル
調節手段により、ＬＤの特性ばらつきに対応してＯＣＰ
検出値（過電流検出レベル）を調節するので、ＬＤの特
性ばらつきがあっても、常に適切なＯＣＰ検出値に調節
することが可能になる。
【０１５７】(4) ：請求項４では、ＯＣＰ回路は、ＬＤ
に流れる電流全てに対して検出できる位置に置いてある
ため、１つのＬＤが駆動されている場合は勿論、複数の
レーザ駆動回路が同時に駆動した際でも、ＬＤの過電流
を確実に防止する。従って、ＬＤが過電流により破壊さ
れることを確実に防止することが可能である。
【０１５８】(5) ：請求項５では、ＡＰＣ回路は、１つ
のＬＤに対し、画像形成領域で第１のレーザ発光パワー
を制御する。そして、このＡＰＣ回路の制御により、第
１のレーザ駆動回路（画像形成領域レーザ駆動回路）
は、画像形成領域でＬＤを駆動する。
【０１５９】また、レーザ発光パワー制限回路では、レ
ーザ発光パワーを検出するフォトダイオードの光電流を
監視し、ＬＤが破壊されないように、ＬＤ駆動電流の制
限値を設定してレーザ発光パワーを制限する。このよう
にすれば、レーザ発光パワーの特性が変化しても、常に
正確なレーザ発光パワーが得られる。
【０１６０】(6) ：請求項６では、第２のレーザ駆動回
路（位置検出領域レーザ駆動回路）は、レーザ発光パワ
ー制限回路の制限値と、位置検出領域で必要とするレー
ザ発光パワーに対応した駆動電流のレベルを同等のレベ
ルに設定することで位置検出領域でのレーザ発光パワー
を制御する。このようにすれば、高価なＡＰＣ回路を使
用せずに、位置検出領域でのレーザ発光パワーを制御す
ることができると共に、ＬＤの破壊を防止することがで
きる。
【０１６１】(7) ：請求項７では、画像形成装置の露光
部は、潜像のための光を発するＬＤと、前記ＬＤの発し
た光を走査する走査部と、担持体に対する潜像形成位置
でＬＤの発光パワーを制御するＡＰＣ回路と、ＡＰＣ回
路の制御により、担持体に対する潜像形成位置でＬＤを
駆動する第１のレーザ駆動回路と、検出部の検出位置で
ＬＤを駆動する第２のレーザ駆動回路と、担持体に対す
る潜像位置及び検出部のレーザパワーで駆動されるＬＤ
の過電流を防止する電流保護回路とを備えている。
【０１６２】この場合、画像形成領域では高精度のレー
ザ発光パワー制御を行う必要があり、そのためＡＰＣ回
路を必要とする。しかし、位置検出領域では、高精度の
レーザ発光パワー制御は必要なく固定値で良いため、位
置検出領域レーザ駆動回路の構成を簡素化することがで
きると共に、画像形成装置の構成を簡素化することがで
きる (8) ：請求項８では、担持体に対する潜像位置でレーザ
パワー（レーザ発光パワー）より、検出部による検出位
置でのレーザパワー（レーザ発光パワー）の方が大きく
なるようにしている。このようにすれば、性能を低下さ
せることなく、ＬＤを駆動するための回路構成を簡素化
し、製品のコストダウンを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるＬＤ駆動回路例１
である。
【図３】本発明の実施の形態におけるＬＤ駆動回路例１
の具体例である。
【図４】本発明の実施の形態におけるＬＤ駆動回路例２
である。
【図５】本発明の実施の形態におけるＬＤ駆動回路例２
の具体例である。
【図６】本発明の実施の形態におけるＬＤユニットの動
作説明図である。
【図７】本発明の実施の形態におけるタイミングチャー
トである。
【図８】従来のプリンタ装置を示した図である。
【図９】従来のＬＤユニットを示した図である。
【図１０】従来のＬＤユニットの動作説明図である。
【図１１】従来のＬＤ駆動回路例１である。
【図１２】従来のＬＤ駆動回路例１の具体例である。
【図１３】従来のＬＤ駆動回路例２である。
【図１４】ＡＰＣ回路例である。
【符号の説明】
１ 筐体 ２ レーザダイオードユニット（ＬＤユニット） ３ 感光ドラム ４ 用紙搬送路 ５ 帯電部 ６ 露光部 ７ 現像部 ８ 転写部 ９ 定着部 １０ 走査モータユニット １１ ポリゴンミラー １２ レーザダイオード（ＬＤ） １３ アパーチャ １４ コリメータレンズ １５ 円筒形レンズ １６、２４ フォーカス／補正用レンズ １７ アスフェリックスレンズ １８ クリーニング部 １９、２０、２１ ミラー ２２ ハーフミラー ２３ 保護用光学ユニットガラス ２５ 位置検出センサ ２７ レーザ光 ２８ フォトダイオード（ＰＤ） ３０ ＯＣＰ回路 ３１ レーザ駆動回路 ３２ 定電流回路 ３４ Ｉ／Ｖ変換回路 ３５ 画像形成領域ＡＰＣ回路 ３６ 位置検出領域ＡＰＣ回路 ３７、３８ アンプ（増幅器） ４０ ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット） ４１、４２ ディジタル・アナログコンバータ（ＤＡ
Ｃ） ４３ 切り換え回路 ４４ ＡＰＣ回路 ４５ 基準切り換え回路 ４６ アナログスイッチ ５０ 位置検出領域レーザ駆動回路 ５１ 画像形成領域レーザ駆動回路 ５５ 比較器 ５７、５８ トランジスタ ５９ コンデンサ ６１ レーザ発光パワー制限回路

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レーザダイオードから発射されたレーザ光
    の１走査内で、走査方向で異なるレーザ発光パワーを必
    要とするレーザダイオード駆動回路において、 １つのレーザダイオードに対し、第１のレーザ発光パワ
    ーを制御する自動レーザ光量制御回路と、前記自動レー
    ザ光量制御回路の制御により、レーザダイオードを駆動
    する第１のレーザ駆動回路と、 第２のレーザ発光パワーでレーザダイオードを駆動する
    第２のレーザ駆動回路と、 前記第１、第２のレーザ発光パワーで駆動されるレーザ
    ダイオードの過電流を防止する過電流保護回路とを備え
    ていることを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
  2. 【請求項２】前記第２のレーザ駆動回路は、前記過電流
    保護回路の過電流検出レベルと、前記第２のレーザ発光
    パワーに対応した駆動電流のレベルを同等のレベルに設
    定することで、自動レーザ光量制御回路を使用せずに、
    前記第２のレーザ発光パワーを制御する機能を備えてい
    ることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆
    動回路。
  3. 【請求項３】前記過電流保護回路は、レーザダイオード
    の特性ばらつきに対応して過電流検出レベルを調節する
    ためのレベル調節手段を備えていることを特徴とする請
    求項１記載のレーザダイオード駆動回路。
  4. 【請求項４】前記過電流保護回路は、レーザダイオード
    に流れる電流全てに対して検出できる位置に置くことに
    より、複数のレーザ駆動回路が同時に駆動した際でも、
    レーザダイオードの過電流を防止する機能を備えている
    ことを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動
    回路。
  5. 【請求項５】レーザダイオードから発射されたレーザ光
    の１走査内で、走査方向で異なるレーザ発光パワーを必
    要とするレーザダイオード駆動回路において、 １つのレーザダイオードに対し、第１のレーザ発光パワ
    ーを制御する自動レーザ光量制御回路と、前記自動レー
    ザ光量制御回路の制御により、レーザダイオードを駆動
    する第１のレーザ駆動回路を備えると共に、 前記第２のレーザ発光パワーでレーザダイオードを駆動
    する第２のレーザ駆動回路と、 前記レーザ発光パワーを検出するフォトダイオードの光
    電流を監視し、前記レーザダイオードが破壊されないよ
    うに、レーザダイオード駆動電流の制限値を設定してレ
    ーザ発光パワーを制限するレーザ発光パワー制限回路を
    備えていることを特徴とするレーザダイオード駆動回
    路。
  6. 【請求項６】前記第２のレーザ駆動回路は、前記レーザ
    発光パワー制限回路の制限値と、前記第２のレーザ発光
    パワーに対応した駆動電流のレベルを同等のレベルに設
    定することで、自動レーザ光量制御回路を使用せずに、
    前記第２のレーザ発光パワーを制御する機能を備えてい
    ることを特徴とする請求項５記載のレーザダイオード駆
    動回路。
  7. 【請求項７】潜像が形成される担持体と、 担持体に対して、１ライン毎に光を走査し、担持体に潜
    像を形成する露光部と、 担持体の潜像を現像する現像装置と、 露光部の１ライン内の光の位置を検出する検出部を有
    し、 検出部が検出した光の位置に基づいて、担持体に対する
    潜像に位置を補正し、画像を形成する画像形成装置にお
    いて、 露光部は、 潜像のための光を発するレーザダイオードと、 レーザダイオードの発した光を走査する走査部と、 担持体に対する潜像形成位置でレーザダイオードの発光
    パワーを制御する自動レーザ光量制御回路と、 自動レーザ光量制御回路の制御により、担持体に対する
    潜像形成位置でレーザダイオードを駆動する第１のレー
    ザ駆動回路と、 検出部の検出位置でレーザダイオードを駆動する第２の
    レーザ駆動回路と、 担持体に対する潜像位置及び検出部のレーザパワーで駆
    動されるレーザダイオードの過電流を防止する電流保護
    回路と、 を備えていることを特徴とする画像形成装置。
  8. 【請求項８】前記担持体に対する潜像位置でレーザパワ
    ーより、検出部による検出位置でのレーザパワーの方が
    大きいことを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
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