JP2670523B2 - 発光素子の製造法 - Google Patents
発光素子の製造法Info
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
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Description
【発明の詳細な説明】
〔目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、青色発光ダイオードや可視短波長半導体レ
ーザなどの発光素子の製造法に関するものである。 （従来の技術） III−Ｖ族化合物半導体を用いた可視発光ダイオード
は量産化の時代に入り、またIII−Ｖ族化合物半導体を
用いた可視半導体レーザも実用化の時代を迎えるに至っ
ている。 しかし、III−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子の
場合、発光色は赤色から緑色あるいは黄色までの色に限
られ、光の三原色の一つである青色を発光させることは
不可能である。従って、青色を発光する発光ダイオード
及び緑色から青色の光を発光する半導体レーザの開発に
対する期待が一層強まっている。そして、その期待に応
えることのできる材料としては、青色発光を可能にする
広禁止帯幅を有するII−VI族化合物半導体であるZnSxSe
1-x（０≦ｘ≦１）が適切であると考えられる。という
のは、このZnSxSe1-xは、直接遷移型結晶で、優れた発
光特性を有する材料であること、Si、Ge、GaAsあるいは
GaP単結晶の基板結晶上にエピタキシャル成長し得るこ
と、液晶比ｘを選択することによって基板結晶との格子
定数のずれを解消できること、このエピタキシャル成長
法として有機金属化合物を原料とする気相成長法（MOCV
D）あるいは分子線エピタキシャル成長法（MBE）が適切
であり、また、元素周期表におけるIII b族元素あるい
はVII b族元素の導入によって、この結晶層のｎ型伝導
度の制御も可能であるからである。 ところが、従来の製造技術では低抵抗のｐ型伝導性を
有する半導体結晶層を得ることが難しかった。そして、
このことが青色を発光する発光ダイオード、半導体レー
ザの開発および実用化を阻んでいた。何となれば、発光
ダイオード、半導体レーザを構成するには、ｎ型の結晶
層とｐ型の結晶層の両方を形成する必要があるからであ
る。 そこで、本発明者は、II−VI族半導体結晶層の母体構
成元素であるII b族元素に対するVI b族元素気相比が１
〜100の設定条件の下で、例えば、リチウム（Li）、ナ
トリウム（Na）、カリウム（Ｋ）等のI a族元素及びそ
れらの化合物を不純物として導入することにより低抵抗
のｐ型伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
させる技術を開発した。 そして、斯る技術に開しては、既に特願昭62−71567
号および特願昭62−238655号により出願が為されてい
る。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、上述した技術によれば、ｐ型半導体結晶層
には格子欠陥が比較的多く、また結晶の不純物の安定性
が不充分であり、発光素子としての寿命もあまり長くな
いという問題があった。 本発明は、このような問題を解決すべくなされたもの
で、その目的とするところは、半導体基板結晶上に、II
−VI族半導体で構成したｐ型およびｎ型の伝導性を有す
る半導体結晶層を気相成長により積層形成する発光素子
の製造法において、ｐ型半導体結晶層の格子欠陥を少な
くし、結晶中の不純物の安定性を高め得る発光素子の製
造法を提供することにある。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述した問題点を解決するために、半導体
基板結晶上に、ｎ型およびｐ型のうちの一方の伝導性を
有するII−VI族半導体結晶層を気相成長により形成し、
該一方の伝導性の結晶層上に、ｎ型およびｐ型のうちの
他方の伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
により積層形成させる発光素子の製造法において、 ｐ型伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
させる際に、アクセプタ元素としてI a族元素とともにV
b族元素をも同時に導入させ、II族元素を置換するI a
族元素でドープを行ない、VI族元素を置換するV b族元
素でドープを行なうことにより、気相成長させることを
特徴とするものである。 また、本発明における前記II−VI族半導体結晶層は、
ZnSxSe1-x（０≦ｘ≦１）からなる結晶層を含むことを
特徴とするものである。 また、本発明における前記I a族元素としては、Li
（リチウム）、Na（ナトリウム）およびＫ（カリウム）
のうちのいずれかを用いることが望ましい。 また、本発明における前記V b族元素としては、Ｎ
（チッ素）、Ｐ（リン）およびAs（ヒ素）のうちのいず
れかを用いることが望ましい。 （作用） 本発明によれば、II−VI族半導体結晶層にｐ型伝導性
を付与するアクセプタ元素として、I a族元素だけでな
くV b族元素をも同時に導入させるようにしたので、II
族元素をI a族元素が占めたときに生じるVI族元素側の
空格子点を、同時に導入されるV b族元素で埋めること
ができる。従って、発光素子としての格子欠陥を少なく
して良好な結晶性を得ることができる。 そして、I a元素は、結晶中で移動しやすく不安定で
あるが、半導体結晶中にI a族元素だけでなくV b族元素
も含有させることにより、I a族元素とV b族元素とが隣
接した結晶格子位置を占めるようにすることができ、そ
の間に結合状態を形成することができる。従って、I a
族元素の結晶中での移動を効果的に抑制することがで
き、特定の安定性を高めることができ、ひいては寿命の
長い発光素子を製造することができる。 （実施例） 以下、本発明を実施例に従って説明する。 第１図は、本発明の一実施例により製造される発光素
子の構成を示す断面図である。 同図において、１はｎ型GaAs結晶から半導体基板結晶
で、該半導体基板結晶１上に、ｎ型の伝導性を有するZn
SxSe1-x（ｘ≒0.08）からなる結晶層２が気相成長によ
り形成されている。３はｎ型結晶層２上に気相成長によ
り形成されたｐ型の伝導性を有するZnSxSe1-xからなる
結晶層であり、ｐ型伝導性を備えるために必要なアクセ
プタ元素として、I a族元素であるリチウム（Li）とV b
族元素であるチッ素（Ｎ）を含有している。このｐ型結
晶層３と上記ｎ型結晶層２との間にpn接合が形成され
る。４はｎ側のオーミック電極、５はｐ側のオーミック
電極である。 第１図に示した発光ダイオードは、ZnSxSe1-xからな
るｐ型結晶層３がアクセプタ元素としてI a族元素であ
るリチウム（Li）とV b族元素であるチッ素（Ｎ）とを
含んでいるので、I a族元素のみをアクセプタ元素とし
て含有したZnSxSe1-x結晶層に比較して格子欠陥を少な
くすることができる。即ち、I a族元素であるLiがII族
であるZnに結びつくとSeに空格子点をつくることが知ら
れており、従って、上記特願昭62−238655号にて提案し
た青色発光素子のように、I a族元素のみをアクセプタ
元素として半導体結晶中に導入した場合には、結晶欠陥
が発生し、不純物濃度を高くしようとすると、自ずと格
子欠陥数も多くなるという不都合があった。 これに対し、本発明のようにアクセプタ元素としてV
b族元素であるＮも導入させて気相成長させることによ
り、Seの空格子点をそのV b族元素であるＮによって埋
めて格子欠陥をなくすことができる。依って、不純物濃
度を高くしても結晶欠陥の少ないｐ型結晶層を気相成長
により形成することができる。 また、Liは結晶中においては移動し易く、ｐ型結晶層
の安定性を悪くする要因となるが、本発明においては、
Ｎもアクセプタ元素として結晶中に含有しているので、
ＮがLiと隣接した結晶格子位置を占めてLiとの間に結合
状態をつくる。従って、ＮによってLiの移動が抑止さ
れ、結晶層３の安定性が高くなり、延いては発光素子の
寿命を大幅に延長させることができる。 尚、ｎ型のGaAs基板結晶１上のｎ型結晶層２及びｐ型
結晶層３は、前記特願昭62−71567号および特願昭62−2
38655号において示されているように、有機金属気相エ
ピタキシー装置あるいは分子線エピタキシー装置を用い
ての連続エピタキシャル成長により形成することができ
る。 尚、本発明は、上述した実施例にのみに限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様
での実施が可能である。 例えば、ZnSxSe1-x結晶層３中にｐ型伝導性を与えるI
a族のアクセプタ元素としては、Liのほか、Na（ナトリ
ウム）、Ｋ（カリウム）を用いることができ、V b族の
アクセプタ元素としては、Ｎのほか、リン（Ｐ）、ヒ素
（As）を用いることができる。 また、上述した実施例では、半導体基板結晶１として
ｎ型GaAs機番結晶を用いたが、ｐ型GaAs基板結晶を半導
体基板結晶として用いても良く、この場合には、ｐ型Ga
As基板結晶の上に、ｐ型結晶層を積層し、その上にｎ型
ZnSe結晶層を順に積層する必要があり、このような構造
によっても、上記した具体例と同様な青色発光特性を有
する青色発光素子が得られる。 また、上記の実施例において、II−VI族半導体として
GaAsと格子整合する組成のZnSxSe1-x結晶層（ｘ≒0.0
8）を用いたとき、発光色は青色を呈し、量子効率は、
ほぼ２倍に上昇したが、ZnSxSe1-x結晶層の混晶比ｘ
は、所望の受光波長に応じて格子定数の近い最適の基板
結晶を選び、０≦ｘ≦１の範囲で変化させればよい。 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半
導体基板結晶上に、II−VI族半導体で構成したｐ型およ
びｎ型の伝導性を有する半導体結晶層を気相成長により
積層形成する発光素子の製造法において、ｐ型伝導性を
有するII−VI族半導体結晶層が、アクセプタ元素として
I a族元素とV b族元素を導入して形成されるから、I a
族元素のみが導入される場合と比較して、該II−VI族半
導体結晶層としては、不要な格子欠陥がなく、不純物濃
度が高く、低抵抗でしかも安定性に優れたものが得ら
れ、よって長期に亘って安定して可視短波長光を発光さ
せ得る発光素子の製造法を提供することができる。
ーザなどの発光素子の製造法に関するものである。 （従来の技術） III−Ｖ族化合物半導体を用いた可視発光ダイオード
は量産化の時代に入り、またIII−Ｖ族化合物半導体を
用いた可視半導体レーザも実用化の時代を迎えるに至っ
ている。 しかし、III−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子の
場合、発光色は赤色から緑色あるいは黄色までの色に限
られ、光の三原色の一つである青色を発光させることは
不可能である。従って、青色を発光する発光ダイオード
及び緑色から青色の光を発光する半導体レーザの開発に
対する期待が一層強まっている。そして、その期待に応
えることのできる材料としては、青色発光を可能にする
広禁止帯幅を有するII−VI族化合物半導体であるZnSxSe
1-x（０≦ｘ≦１）が適切であると考えられる。という
のは、このZnSxSe1-xは、直接遷移型結晶で、優れた発
光特性を有する材料であること、Si、Ge、GaAsあるいは
GaP単結晶の基板結晶上にエピタキシャル成長し得るこ
と、液晶比ｘを選択することによって基板結晶との格子
定数のずれを解消できること、このエピタキシャル成長
法として有機金属化合物を原料とする気相成長法（MOCV
D）あるいは分子線エピタキシャル成長法（MBE）が適切
であり、また、元素周期表におけるIII b族元素あるい
はVII b族元素の導入によって、この結晶層のｎ型伝導
度の制御も可能であるからである。 ところが、従来の製造技術では低抵抗のｐ型伝導性を
有する半導体結晶層を得ることが難しかった。そして、
このことが青色を発光する発光ダイオード、半導体レー
ザの開発および実用化を阻んでいた。何となれば、発光
ダイオード、半導体レーザを構成するには、ｎ型の結晶
層とｐ型の結晶層の両方を形成する必要があるからであ
る。 そこで、本発明者は、II−VI族半導体結晶層の母体構
成元素であるII b族元素に対するVI b族元素気相比が１
〜100の設定条件の下で、例えば、リチウム（Li）、ナ
トリウム（Na）、カリウム（Ｋ）等のI a族元素及びそ
れらの化合物を不純物として導入することにより低抵抗
のｐ型伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
させる技術を開発した。 そして、斯る技術に開しては、既に特願昭62−71567
号および特願昭62−238655号により出願が為されてい
る。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、上述した技術によれば、ｐ型半導体結晶層
には格子欠陥が比較的多く、また結晶の不純物の安定性
が不充分であり、発光素子としての寿命もあまり長くな
いという問題があった。 本発明は、このような問題を解決すべくなされたもの
で、その目的とするところは、半導体基板結晶上に、II
−VI族半導体で構成したｐ型およびｎ型の伝導性を有す
る半導体結晶層を気相成長により積層形成する発光素子
の製造法において、ｐ型半導体結晶層の格子欠陥を少な
くし、結晶中の不純物の安定性を高め得る発光素子の製
造法を提供することにある。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述した問題点を解決するために、半導体
基板結晶上に、ｎ型およびｐ型のうちの一方の伝導性を
有するII−VI族半導体結晶層を気相成長により形成し、
該一方の伝導性の結晶層上に、ｎ型およびｐ型のうちの
他方の伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
により積層形成させる発光素子の製造法において、 ｐ型伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長
させる際に、アクセプタ元素としてI a族元素とともにV
b族元素をも同時に導入させ、II族元素を置換するI a
族元素でドープを行ない、VI族元素を置換するV b族元
素でドープを行なうことにより、気相成長させることを
特徴とするものである。 また、本発明における前記II−VI族半導体結晶層は、
ZnSxSe1-x（０≦ｘ≦１）からなる結晶層を含むことを
特徴とするものである。 また、本発明における前記I a族元素としては、Li
（リチウム）、Na（ナトリウム）およびＫ（カリウム）
のうちのいずれかを用いることが望ましい。 また、本発明における前記V b族元素としては、Ｎ
（チッ素）、Ｐ（リン）およびAs（ヒ素）のうちのいず
れかを用いることが望ましい。 （作用） 本発明によれば、II−VI族半導体結晶層にｐ型伝導性
を付与するアクセプタ元素として、I a族元素だけでな
くV b族元素をも同時に導入させるようにしたので、II
族元素をI a族元素が占めたときに生じるVI族元素側の
空格子点を、同時に導入されるV b族元素で埋めること
ができる。従って、発光素子としての格子欠陥を少なく
して良好な結晶性を得ることができる。 そして、I a元素は、結晶中で移動しやすく不安定で
あるが、半導体結晶中にI a族元素だけでなくV b族元素
も含有させることにより、I a族元素とV b族元素とが隣
接した結晶格子位置を占めるようにすることができ、そ
の間に結合状態を形成することができる。従って、I a
族元素の結晶中での移動を効果的に抑制することがで
き、特定の安定性を高めることができ、ひいては寿命の
長い発光素子を製造することができる。 （実施例） 以下、本発明を実施例に従って説明する。 第１図は、本発明の一実施例により製造される発光素
子の構成を示す断面図である。 同図において、１はｎ型GaAs結晶から半導体基板結晶
で、該半導体基板結晶１上に、ｎ型の伝導性を有するZn
SxSe1-x（ｘ≒0.08）からなる結晶層２が気相成長によ
り形成されている。３はｎ型結晶層２上に気相成長によ
り形成されたｐ型の伝導性を有するZnSxSe1-xからなる
結晶層であり、ｐ型伝導性を備えるために必要なアクセ
プタ元素として、I a族元素であるリチウム（Li）とV b
族元素であるチッ素（Ｎ）を含有している。このｐ型結
晶層３と上記ｎ型結晶層２との間にpn接合が形成され
る。４はｎ側のオーミック電極、５はｐ側のオーミック
電極である。 第１図に示した発光ダイオードは、ZnSxSe1-xからな
るｐ型結晶層３がアクセプタ元素としてI a族元素であ
るリチウム（Li）とV b族元素であるチッ素（Ｎ）とを
含んでいるので、I a族元素のみをアクセプタ元素とし
て含有したZnSxSe1-x結晶層に比較して格子欠陥を少な
くすることができる。即ち、I a族元素であるLiがII族
であるZnに結びつくとSeに空格子点をつくることが知ら
れており、従って、上記特願昭62−238655号にて提案し
た青色発光素子のように、I a族元素のみをアクセプタ
元素として半導体結晶中に導入した場合には、結晶欠陥
が発生し、不純物濃度を高くしようとすると、自ずと格
子欠陥数も多くなるという不都合があった。 これに対し、本発明のようにアクセプタ元素としてV
b族元素であるＮも導入させて気相成長させることによ
り、Seの空格子点をそのV b族元素であるＮによって埋
めて格子欠陥をなくすことができる。依って、不純物濃
度を高くしても結晶欠陥の少ないｐ型結晶層を気相成長
により形成することができる。 また、Liは結晶中においては移動し易く、ｐ型結晶層
の安定性を悪くする要因となるが、本発明においては、
Ｎもアクセプタ元素として結晶中に含有しているので、
ＮがLiと隣接した結晶格子位置を占めてLiとの間に結合
状態をつくる。従って、ＮによってLiの移動が抑止さ
れ、結晶層３の安定性が高くなり、延いては発光素子の
寿命を大幅に延長させることができる。 尚、ｎ型のGaAs基板結晶１上のｎ型結晶層２及びｐ型
結晶層３は、前記特願昭62−71567号および特願昭62−2
38655号において示されているように、有機金属気相エ
ピタキシー装置あるいは分子線エピタキシー装置を用い
ての連続エピタキシャル成長により形成することができ
る。 尚、本発明は、上述した実施例にのみに限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様
での実施が可能である。 例えば、ZnSxSe1-x結晶層３中にｐ型伝導性を与えるI
a族のアクセプタ元素としては、Liのほか、Na（ナトリ
ウム）、Ｋ（カリウム）を用いることができ、V b族の
アクセプタ元素としては、Ｎのほか、リン（Ｐ）、ヒ素
（As）を用いることができる。 また、上述した実施例では、半導体基板結晶１として
ｎ型GaAs機番結晶を用いたが、ｐ型GaAs基板結晶を半導
体基板結晶として用いても良く、この場合には、ｐ型Ga
As基板結晶の上に、ｐ型結晶層を積層し、その上にｎ型
ZnSe結晶層を順に積層する必要があり、このような構造
によっても、上記した具体例と同様な青色発光特性を有
する青色発光素子が得られる。 また、上記の実施例において、II−VI族半導体として
GaAsと格子整合する組成のZnSxSe1-x結晶層（ｘ≒0.0
8）を用いたとき、発光色は青色を呈し、量子効率は、
ほぼ２倍に上昇したが、ZnSxSe1-x結晶層の混晶比ｘ
は、所望の受光波長に応じて格子定数の近い最適の基板
結晶を選び、０≦ｘ≦１の範囲で変化させればよい。 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半
導体基板結晶上に、II−VI族半導体で構成したｐ型およ
びｎ型の伝導性を有する半導体結晶層を気相成長により
積層形成する発光素子の製造法において、ｐ型伝導性を
有するII−VI族半導体結晶層が、アクセプタ元素として
I a族元素とV b族元素を導入して形成されるから、I a
族元素のみが導入される場合と比較して、該II−VI族半
導体結晶層としては、不要な格子欠陥がなく、不純物濃
度が高く、低抵抗でしかも安定性に優れたものが得ら
れ、よって長期に亘って安定して可視短波長光を発光さ
せ得る発光素子の製造法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例により製造される発光素子
の構成を示す断面図である。 １……半導体基板結晶、 ２……ｎ型結晶層、 ３……ｐ型結晶層、 4,5……オーミック電極。
の構成を示す断面図である。 １……半導体基板結晶、 ２……ｎ型結晶層、 ３……ｐ型結晶層、 4,5……オーミック電極。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体基板結晶上に、ｎ型およびｐ型のうちの一方
の伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長によ
り形成し、該一方の伝導性の結晶層上に、ｎ型およびｐ
型のうちの他方の伝導性を有するII−VI族半導体結晶層
を気相成長により積層形成させる発光素子の製造法にお
いて、 ｐ型伝導性を有するII−VI族半導体結晶層を気相成長さ
せる際に、アクセプタ元素としてI a族元素とともにV b
族元素をも同時に導入させ、II族元素を置換するI a族
元素でドープを行ない、VI族元素を置換するV b族元素
でドープを行なうことにより、気相成長させることを特
徴とする発光素子の製造法。 ２．前記II−VI族半導体結晶層は、ZnSxSe1-x（０≦ｘ
≦１）からなる結晶層を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の発光素子の製造法。 ３．前記I a族元素として、Li（リチウム）、Na（ナト
リウム）およびＫ（カリウム）のうちのいずれかを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に
記載の発光素子の製造法。 ４．前記V b族元素として、Ｎ（チッ素）、Ｐ（リン）
およびAs（ヒ素）のうちのいずれかを用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項に
記載の発光素子の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33586687A JP2670523B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 発光素子の製造法 |
| US07/173,067 US5068204A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Method of manufacturing a light emitting element |
| DE3810245A DE3810245A1 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung |
| FR8804025A FR2613136A1 (fr) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Element electroluminescent et son procede de fabrication |
| GB08807312A GB2204731A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Light emitting element and method of manufacture |
| US07/639,306 US5140385A (en) | 1987-03-27 | 1991-01-04 | Light emitting element and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33586687A JP2670523B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 発光素子の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175778A JPH01175778A (ja) | 1989-07-12 |
| JP2670523B2 true JP2670523B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=18293257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33586687A Expired - Lifetime JP2670523B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-12-29 | 発光素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670523B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4573782B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933910A (ja) * | 1972-07-29 | 1974-03-28 | ||
| JPS6247175A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Seiko Epson Corp | 半導体発光装置の製法 |
| JPS62101091A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子 |
| JP2563342B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1996-12-11 | 株式会社東芝 | 化合物半導体結晶の成長方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33586687A patent/JP2670523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01175778A (ja) | 1989-07-12 |
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