JPH077849B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH077849B2 JPH077849B2 JP26577284A JP26577284A JPH077849B2 JP H077849 B2 JPH077849 B2 JP H077849B2 JP 26577284 A JP26577284 A JP 26577284A JP 26577284 A JP26577284 A JP 26577284A JP H077849 B2 JPH077849 B2 JP H077849B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、青色から紫外にかけての発光を示す，発光ダ
イオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子に関
する。
イオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子に関
する。
光の三原色である赤，緑，青の中で、赤色と緑色に関し
てはIII-V族化合物半導体を用いた発光素子が開発さ
れ、既に量産が行われている。残る青色発光素子につい
ては、開発への要望が強いにも拘らず依然商品化されて
いない。
てはIII-V族化合物半導体を用いた発光素子が開発さ
れ、既に量産が行われている。残る青色発光素子につい
ては、開発への要望が強いにも拘らず依然商品化されて
いない。
青色発光素子の半導体材料としては、広い禁制帯幅を有
するII-VI族化合物のZnS,ZnSe、III-V族化合物のGaN、I
V族化合物のSiCなどが従来より検討されている。これら
の材料のうちZnS,ZnSeは、III-V族化合物のGaP,GaAsと
格子定数が近く、これらGaPまたはGaAs結晶を基板とし
て大面積かつ良質の結晶層が得られること、更に容易に
青色発光が得られること等から、特に有望視されてい
る。ところが、ZnS,ZnSeは共にｎ型導電性は得られる
が、ｐ型導電性が得られない、という問題を抱えてい
る。このため、pn接合が得られないことが、青色発光素
子の実用化を遅らせている主因となっている。
するII-VI族化合物のZnS,ZnSe、III-V族化合物のGaN、I
V族化合物のSiCなどが従来より検討されている。これら
の材料のうちZnS,ZnSeは、III-V族化合物のGaP,GaAsと
格子定数が近く、これらGaPまたはGaAs結晶を基板とし
て大面積かつ良質の結晶層が得られること、更に容易に
青色発光が得られること等から、特に有望視されてい
る。ところが、ZnS,ZnSeは共にｎ型導電性は得られる
が、ｐ型導電性が得られない、という問題を抱えてい
る。このため、pn接合が得られないことが、青色発光素
子の実用化を遅らせている主因となっている。
ZnS,ZnSeにおいて何故ｐ型導電性が得られないか、その
原因については未だ確かな説はないが、おおむね次のよ
うな理由が考えられる。第１は、ZnS,ZnSeにおいては、
アクセプタ不純物の中で価電子帯に空孔を生じるに充分
浅い不純物準位を作るものが少ないこと、第２は、たと
え浅い不純物準位を作るアクセプタ不純物が存在して
も、それが結晶中に添加されると、いわゆる自己補償効
果によってドナー型の欠陥生成を誘発してしまうことで
ある。
原因については未だ確かな説はないが、おおむね次のよ
うな理由が考えられる。第１は、ZnS,ZnSeにおいては、
アクセプタ不純物の中で価電子帯に空孔を生じるに充分
浅い不純物準位を作るものが少ないこと、第２は、たと
え浅い不純物準位を作るアクセプタ不純物が存在して
も、それが結晶中に添加されると、いわゆる自己補償効
果によってドナー型の欠陥生成を誘発してしまうことで
ある。
本発明は上記した問題を解決して、禁制帯幅の広いII-V
I族化合物半導体を用いて良好なpn接合を構成し、以て
高輝度の青色発光を可能とした半導体発光素子を提供す
ることを目的とする。
I族化合物半導体を用いて良好なpn接合を構成し、以て
高輝度の青色発光を可能とした半導体発光素子を提供す
ることを目的とする。
本発明は、発光素子のpn接合を構成するｐ型導電層を、
第１のII-VI族化合物半導体と、これよりも禁制体幅が
広く、異種でかつアクセプタ不純物が添加された第２の
II-VI族化合物半導体とを交互に積層した超格子構造と
したことを特徴とする。
第１のII-VI族化合物半導体と、これよりも禁制体幅が
広く、異種でかつアクセプタ不純物が添加された第２の
II-VI族化合物半導体とを交互に積層した超格子構造と
したことを特徴とする。
本発明によれば、超格子構造の導入により、II-VI族化
合物半導体で良好なｐ型導電層が得られ、これにより青
色から紫外にわたって高輝度の発光を示す発光素子が得
られる。
合物半導体で良好なｐ型導電層が得られ、これにより青
色から紫外にわたって高輝度の発光を示す発光素子が得
られる。
以下本発明の実施例を説明する。
第１図は一実施例の素子構造を示す。図において、１は
ｎ型GaP結晶基板であり、２はこの基板１上にエピタキ
シャル成長された，ドナー不純物としてAlが添加された
ｎ型ZnS層であって、このｎ型ZnS層２上に超格子構造を
持つｐ型導電層３が形成されている。４はｐ側電極、５
はｎ側電極である。
ｎ型GaP結晶基板であり、２はこの基板１上にエピタキ
シャル成長された，ドナー不純物としてAlが添加された
ｎ型ZnS層であって、このｎ型ZnS層２上に超格子構造を
持つｐ型導電層３が形成されている。４はｐ側電極、５
はｎ側電極である。
第２図はｐ型導電層３の部分を拡大して示す。即ちｐ型
導電型層３は、第１のII-VI族化合物半導体としてのZnS
e層31i（ｉ＝1,2,…,N）と、アクセプタ不純物としての
Agを添加した第２のII-VI族化合物半導体としてのZnS層
32i（ｉ＝1,2,…,N）が交互に積層されて超格子を構成
している。ZnS層32iの厚みLBおよびZnSe層31iの厚みLZ
はそれぞれ５〜40Å程度とする。このような超格子構造
は例えば、有機金属化合物を用いた気相成長法（MOCV
D）により得られる。
導電型層３は、第１のII-VI族化合物半導体としてのZnS
e層31i（ｉ＝1,2,…,N）と、アクセプタ不純物としての
Agを添加した第２のII-VI族化合物半導体としてのZnS層
32i（ｉ＝1,2,…,N）が交互に積層されて超格子を構成
している。ZnS層32iの厚みLBおよびZnSe層31iの厚みLZ
はそれぞれ５〜40Å程度とする。このような超格子構造
は例えば、有機金属化合物を用いた気相成長法（MOCV
D）により得られる。
第３図はこの様な超格子構造をもつｐ型導電層３のバン
ド構造を示す。ZnS層32iの価電子帯の頂上は、ZnSe層31
iの価電子帯の頂上から0.6〜0.8eV程度低いところに位
置する。一方、Agアクセプタの不純物準位は、ZnS層32i
の価電子帯の頂上から0.55〜0.70eV高いところに位置す
る。従ってZnS層32iに添加するAg不純物の濃度を1016/c
m3以上と高くしておけば、この超格子構造部の平均的な
フェルミ・レベルEFは、第３図に示すようにZnSe層31i
の価電子帯の頂上より低い位置、またはZnSe層31iの価
電子帯の頂上より高くてもそのごく近傍に位置する。こ
れによりZnSe層31iには、Ag不純物濃度と同程度の空孔
が形成される。この空孔は超格子の積層方向に移動する
時ZnS層32iが障壁となるが、ZnS層32iの厚さLBを５〜40
Åの範囲に選べば、障壁をトンネルで抜けていく確率が
充分高くなり、超格子積層方向に高い伝導度をもつｐ型
導電性が得られることになる。第４図は、ZnSe層31iの
厚みLZを20Åとし、ZnS層32iのAg添加濃度を1017/cm3と
して、ZnS層32iの厚みLBを変えた時の超格子構造の導電
率特性を示している。
ド構造を示す。ZnS層32iの価電子帯の頂上は、ZnSe層31
iの価電子帯の頂上から0.6〜0.8eV程度低いところに位
置する。一方、Agアクセプタの不純物準位は、ZnS層32i
の価電子帯の頂上から0.55〜0.70eV高いところに位置す
る。従ってZnS層32iに添加するAg不純物の濃度を1016/c
m3以上と高くしておけば、この超格子構造部の平均的な
フェルミ・レベルEFは、第３図に示すようにZnSe層31i
の価電子帯の頂上より低い位置、またはZnSe層31iの価
電子帯の頂上より高くてもそのごく近傍に位置する。こ
れによりZnSe層31iには、Ag不純物濃度と同程度の空孔
が形成される。この空孔は超格子の積層方向に移動する
時ZnS層32iが障壁となるが、ZnS層32iの厚さLBを５〜40
Åの範囲に選べば、障壁をトンネルで抜けていく確率が
充分高くなり、超格子積層方向に高い伝導度をもつｐ型
導電性が得られることになる。第４図は、ZnSe層31iの
厚みLZを20Åとし、ZnS層32iのAg添加濃度を1017/cm3と
して、ZnS層32iの厚みLBを変えた時の超格子構造の導電
率特性を示している。
この様に、ZnSあるいはZnSeバルク結晶では深い不純物
準位を形成してキャリアを生成しない不純物が、本実施
例の超格子構造においては有効的に浅いアクセプタ不純
物準位として働き、正のキャリアを生成して、バルク結
晶では得られないｐ型導電層が得られる。なお本実施例
において、発光再結合を有効に行なわせるためには、超
格子構造からなるｐ型導電層３の厚みを0.2〜３μｍ程
度とすることが望ましい。
準位を形成してキャリアを生成しない不純物が、本実施
例の超格子構造においては有効的に浅いアクセプタ不純
物準位として働き、正のキャリアを生成して、バルク結
晶では得られないｐ型導電層が得られる。なお本実施例
において、発光再結合を有効に行なわせるためには、超
格子構造からなるｐ型導電層３の厚みを0.2〜３μｍ程
度とすることが望ましい。
この様に構成された第１図の発光素子は、そのpn接合に
順方向バイアスをかけると、主としてｎ型ZnS層２から
ｐ型導電層３へと電子が注入される。この注入電子はｐ
型導電層３内のZnSe層31iにおいて空孔と発光再結合を
起す。その際生じる発光は、超格子構造を用いたことに
よる量子効果のためにZnSeの禁制帯幅で決まる波長より
多少短いものとなる。その発光波長を決めるのは、超格
子の周期（LB+LZ）とZnS層32iの厚さLBとの比である。L
B/(LB+LZ）の値が０から１へと変化するにつれて、発光
色は青色から紫外へと変化する。またこの発光は直接遷
移型であるため再結合確率が高く、更にｎ型ZnS層２が
光の反射量として働くためｐ型導電層３側での外部発光
効率が１％程度と高い値を示す。
順方向バイアスをかけると、主としてｎ型ZnS層２から
ｐ型導電層３へと電子が注入される。この注入電子はｐ
型導電層３内のZnSe層31iにおいて空孔と発光再結合を
起す。その際生じる発光は、超格子構造を用いたことに
よる量子効果のためにZnSeの禁制帯幅で決まる波長より
多少短いものとなる。その発光波長を決めるのは、超格
子の周期（LB+LZ）とZnS層32iの厚さLBとの比である。L
B/(LB+LZ）の値が０から１へと変化するにつれて、発光
色は青色から紫外へと変化する。またこの発光は直接遷
移型であるため再結合確率が高く、更にｎ型ZnS層２が
光の反射量として働くためｐ型導電層３側での外部発光
効率が１％程度と高い値を示す。
第５図は超格子の横方向にキャリアを流すようにした実
施例の素子構造である。51はノンドープの高抵抗GaP基
板であり、この基板51上に先の実施例と同様に超格子構
造を持つｐ型導電層52を形成し、このｐ型導電層52の一
部にマスクして不純物を高濃度にドープしてｎ型層53を
形成したものである。このｎ型層53の形成は例えば、Al
およびZnをイオン注入して熱処理する方法、またはAlお
よびZnの雰囲気中での熱処理方法による。これらの方法
で高濃度にｎ型不純物をドープすれば、ｐ型導電層は反
転してｎ型層53が得られる。そしてｐ型導電層52の一部
をメサエッチングしてAuからなるｐ側電極54を形成し、
ｎ型層53にはIn-Gaからなるｎ側電極55を形成してい
る。
施例の素子構造である。51はノンドープの高抵抗GaP基
板であり、この基板51上に先の実施例と同様に超格子構
造を持つｐ型導電層52を形成し、このｐ型導電層52の一
部にマスクして不純物を高濃度にドープしてｎ型層53を
形成したものである。このｎ型層53の形成は例えば、Al
およびZnをイオン注入して熱処理する方法、またはAlお
よびZnの雰囲気中での熱処理方法による。これらの方法
で高濃度にｎ型不純物をドープすれば、ｐ型導電層は反
転してｎ型層53が得られる。そしてｐ型導電層52の一部
をメサエッチングしてAuからなるｐ側電極54を形成し、
ｎ型層53にはIn-Gaからなるｎ側電極55を形成してい
る。
この実施例によれば、ｐ型導電層52でのキャリア走行が
超格子の横方向であるため、先の実施例よりｐ型層52で
の正孔移動度が高く、優れたpn接合特性が得られ、強い
発光が認められる。
超格子の横方向であるため、先の実施例よりｐ型層52で
の正孔移動度が高く、優れたpn接合特性が得られ、強い
発光が認められる。
第５図のGaP基板51は他の高抵抗基板、例えば高抵抗ZnS
基板，高抵抗ZnSe基板等に置換することができる。
基板，高抵抗ZnSe基板等に置換することができる。
第６図は、ｐ型基板を出発基板とした実施例の素子構造
である。即ちｐ型GaP結晶基板61を用いてこの上に先の
実施例と同様の超格子構造を持つｐ型導電層62を形成
し、この上にｎ型ZnS層63を形成したものである。GaP基
板61側から光を取出すために、GaP基板61を裏面からエ
ッチングして光取出し窓を設けている。64はｐ側電極,6
5はｎ側電極である。
である。即ちｐ型GaP結晶基板61を用いてこの上に先の
実施例と同様の超格子構造を持つｐ型導電層62を形成
し、この上にｎ型ZnS層63を形成したものである。GaP基
板61側から光を取出すために、GaP基板61を裏面からエ
ッチングして光取出し窓を設けている。64はｐ側電極,6
5はｎ側電極である。
この実施例によっても第１図の実施例と同様の優れた発
光特性を示す。
光特性を示す。
第７図は更に別の実施例の素子構造である。この実施例
では、ｎ型ZnS基板71を用いてこの上に先の実施例と同
様に超格子構造を持つｐ型導電層72を形成している。73
はｐ側電極、74はｎ側電極である。
では、ｎ型ZnS基板71を用いてこの上に先の実施例と同
様に超格子構造を持つｐ型導電層72を形成している。73
はｐ側電極、74はｎ側電極である。
この実施例によっても同様に良好な青色発光特性を示す
ことができる。
ことができる。
本発明は上記各実施例に限られるものではなく、以下に
列記するように種々変形実施することができる。
列記するように種々変形実施することができる。
超格子構造のｐ型導電層を構成する第１のII-VI族化
合物半導体および第２のII-VI族化合物半導体として、
それぞれ一般的にZnSxSe1-x（０≦ｘ＜１）およびZnSyS
e1-y（０＜ｙ≦１）,y＞ｘ）を用い得る。同様に第１の
II-VI族化合物半導体および第２のII-VI族化合物半導体
として、それぞれZnxCd1-xＳ（０≦ｘ＜１）およびZnyC
d1-yＳ（０＜ｙ≦1,y＞ｘ）を用いることもできる。
合物半導体および第２のII-VI族化合物半導体として、
それぞれ一般的にZnSxSe1-x（０≦ｘ＜１）およびZnSyS
e1-y（０＜ｙ≦１）,y＞ｘ）を用い得る。同様に第１の
II-VI族化合物半導体および第２のII-VI族化合物半導体
として、それぞれZnxCd1-xＳ（０≦ｘ＜１）およびZnyC
d1-yＳ（０＜ｙ≦1,y＞ｘ）を用いることもできる。
超格子構造の第２のII-VI族化合物半導体層のアクセ
プタ不純物として、Agの他、Li,Na,CuなどのＩ族元素あ
るいはP,AsなどのＶ族元素を添加することができる。ま
た第１のII-VI族化合物半導体層は必ずしもノンドープ
である必要はなく、第２のII-VI族化合物半導体層にお
けると同様の不純物を添加してもよい。
プタ不純物として、Agの他、Li,Na,CuなどのＩ族元素あ
るいはP,AsなどのＶ族元素を添加することができる。ま
た第１のII-VI族化合物半導体層は必ずしもノンドープ
である必要はなく、第２のII-VI族化合物半導体層にお
けると同様の不純物を添加してもよい。
超格子構造中のアクセプタ不純物準位は、外部からの
不純物元素添加によらず、Zn空孔が高濃度に存在するよ
うに結晶成長させることにより形成することもできる。
Zn空孔が高濃度に形成される結晶成長条件としては、例
えばMOCVD法を例にとれば、VI族元素を供給するガスの,
II族元素を供給するガスに対するモル比を充分大きく
（例えば10倍以上）設定すればよい。
不純物元素添加によらず、Zn空孔が高濃度に存在するよ
うに結晶成長させることにより形成することもできる。
Zn空孔が高濃度に形成される結晶成長条件としては、例
えばMOCVD法を例にとれば、VI族元素を供給するガスの,
II族元素を供給するガスに対するモル比を充分大きく
（例えば10倍以上）設定すればよい。
するガスに対するモル比を充分大きく（例えば10倍以
上）設定すればよい。
上）設定すればよい。
超格子構造のｐ型導電層と接合するｎ型ZnS層とし
て、より一般的にZnSzSe1-z（０≦ｚ≦１）を用いるこ
とができる。この場合、ｚの値が１より小さくなるにつ
れ、順方向バイアスしたとき、ｎ型層からｐ型層への電
子注入と同時にｐ型層からｎ型層への正孔注入が生じ
る。ｎ型層に注入された正孔はｎ型層中の電子と発光再
結合する。この発光も波長は青色から紫外であり、また
再結合確率も高い。従ってこの構造も特性の優れた青色
から紫外にかけての発光素子として有用である。
て、より一般的にZnSzSe1-z（０≦ｚ≦１）を用いるこ
とができる。この場合、ｚの値が１より小さくなるにつ
れ、順方向バイアスしたとき、ｎ型層からｐ型層への電
子注入と同時にｐ型層からｎ型層への正孔注入が生じ
る。ｎ型層に注入された正孔はｎ型層中の電子と発光再
結合する。この発光も波長は青色から紫外であり、また
再結合確率も高い。従ってこの構造も特性の優れた青色
から紫外にかけての発光素子として有用である。
本発明はダブルヘテロ接合構造の発光素子に適用する
ことも可能であり、有用である。
ことも可能であり、有用である。
第１図は本発明の一実施例の発光素子構造を示す図、第
２図はそのｐ型導電層部の拡大図、第３図は同じくｐ型
導電層部のバンド構造を示す図、第４図は同じくｐ型導
電層部の導電率特性を示す図、第５図〜第７図は他の実
施例の発光素子構造を示す図である。 １……ｎ型GaP結晶基板、２……ｎ型ZnS層、３……ｐ型
導電層（超格子構造部）、４……ｐ側電極（Au）、５…
…ｎ側電極（Au-Ge）、31i……ZnSe層（第１のII-VI族
化合物半導体層）、32i……Ag添加ZnS層（第２のII-VI
族化合物半導体層）、51……高抵抗GaP基板、52……ｐ
型導電層（超格子構造部）、53……ｎ型導電層、54……
ｐ側電極（Au）、55……ｎ側電極（In-Ga）、61……ｐ
型GaP基板、62……ｐ型導電層（超格子構造部）、63…
…ｎ型ZnS層、64……ｐ側電極（Au-Zn）、65……ｎ側電
極（In-Ga）、71……ｎ型ZnS基板、72……ｐ型導電層
（超格子構造部）、73……ｐ側電極（Au）、74……ｎ側
電極（In-Ga）。
２図はそのｐ型導電層部の拡大図、第３図は同じくｐ型
導電層部のバンド構造を示す図、第４図は同じくｐ型導
電層部の導電率特性を示す図、第５図〜第７図は他の実
施例の発光素子構造を示す図である。 １……ｎ型GaP結晶基板、２……ｎ型ZnS層、３……ｐ型
導電層（超格子構造部）、４……ｐ側電極（Au）、５…
…ｎ側電極（Au-Ge）、31i……ZnSe層（第１のII-VI族
化合物半導体層）、32i……Ag添加ZnS層（第２のII-VI
族化合物半導体層）、51……高抵抗GaP基板、52……ｐ
型導電層（超格子構造部）、53……ｎ型導電層、54……
ｐ側電極（Au）、55……ｎ側電極（In-Ga）、61……ｐ
型GaP基板、62……ｐ型導電層（超格子構造部）、63…
…ｎ型ZnS層、64……ｐ側電極（Au-Zn）、65……ｎ側電
極（In-Ga）、71……ｎ型ZnS基板、72……ｐ型導電層
（超格子構造部）、73……ｐ側電極（Au）、74……ｎ側
電極（In-Ga）。
Claims (3)
- 【請求項１】化合物半導体を用いてpn接合を構成した半
導体発光素子において、ｐ型導電層を、第１のII-VI族
化合物半導体と、この第１のII-VI族化合物半導体より
禁制帯幅が広く、前記第１のII-VI族化合物半導体と異
種でかつアクセプタ不純物準位を持つ第２のII-VI族化
合物半導体とを交互に積層した超格子により構成したこ
とを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】第１のII-VI族化合物半導体はZnSxSe
1-x（０≦ｘ＜１）であり、第２のII-VI族化合物半導体
はアクセプタ不純物としてＩ族またはＶ族元素が添加さ
れたZnSySe1-y（０＜ｙ≦1,y＞ｘ）であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】第１のII-VI族化合物半導体はZnxCd1-xＳ
（０≦ｘ＜１）であり、第２のII-VI族化合物半導体は
アクセプタ不純物としてＩ族またはＶ族元素が添加され
たZnyCd1-yＳ（０＜ｙ≦1,y＞ｘ）であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26577284A JPH077849B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26577284A JPH077849B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144079A JPS61144079A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH077849B2 true JPH077849B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17421815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26577284A Expired - Lifetime JPH077849B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077849B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545212B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1996-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 青色発光素子 |
| US5045894A (en) * | 1988-06-29 | 1991-09-03 | Hitachi, Ltd. | Compound semiconductor light emitting device |
| JP2588280B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-03-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| WO1991003918A1 (en) * | 1989-09-04 | 1991-03-21 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
| JPH04199887A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐｎ接合素子及びその製造方法並びに青色発光ダイオード素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658977B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1994-08-03 | 株式会社小糸製作所 | 半導体素子 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26577284A patent/JPH077849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144079A (ja) | 1986-07-01 |
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