JPH11238914A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期にわたり安定した物性を示し、素子とし
ての寿命が十分に長いII−VI族化合物半導体素子を提供
すること。 【解決手段】 六方晶系II−VI族化合物半導体を含有す
る層を有し、かつ、ヘテロ接合とｐ−ｎ接合の少なくと
も一方を有することを特徴とする半導体素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、II−VI族化合物半
導体を含む半導体素子に関する。本発明の半導体素子
は、ＬＥＤなどの表示用・通信用発光素子や、通信・情
報処理用のレーザーダイオード、さらに通信や情報処理
などに用いられる受光素子および電子デバイス用素子等
に用いうるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から用いられているII−VI族化合物
半導体素子の多くは、ＧａＡｓやＺｎＳｅなどの立方晶
系（閃亜鉛鉱型）の基板を用いて作成していることもあ
って、立方晶系の結晶構造を有している。

【０００３】ところが、これらの立方晶系の半導体素
子、特にレーザーダイオードのような発光素子は急速な
発光効率の劣化等が起こるため、長時間にわたって安定
に動作させることができないという問題があった。この
問題は結晶内に存在する欠陥が原因であると考えられて
おり、発光ダイオードなどでは発光効率の低下に伴って
活性層中のダークラインディフェクト（ＤＬＤ）等が発
達するという報告もなされている。

【０００４】この問題を解決する方法として、基板から
の伝搬転位を低減するためにIII−V族化合物基板との間
に異なった化合物の層を作成する技術や、II−VI族半導
体の層にＢｅ等の物質の混晶を作成し結晶の共有結合性
を強くする技術が開発されている。これらの技術開発の
結果、伝搬転位等は現在のＧａＡｓやＩｎＰ等を基板と
した場合のIII−V族化合物半導体レーザーダイオードと
同等のレベルまで下げることができるようになった。し
かしながら、素子の劣化抑制効果は依然として不充分で
あり、実用上必要な安定性を十分に確保したII−VI族半
導体素子はいまだ提供されるに至っていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように従来のII−
VI族化合物半導体素子は安定動作時間が不十分であるた
めに実用性が低く、例えば発光素子の場合には発光効率
が短時間の間に急速に悪くなるという問題があった。そ
こで本発明はこのような従来技術の問題点を解決するこ
とを課題とした。すなわち本発明は、長期にわたり安定
した物性を示し、素子としての寿命が十分に長いII−VI
族化合物半導体素子を提供することを解決すべき課題と
した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、ウルツ鉱型等の六方
晶系II−VI族化合物半導体を含有する層を用いることに
より、長時間にわたり安定動作可能なII−VI族化合物半
導体素子を作成することができることを見出し、本発明
を提供するに至った。

【０００７】すなわち本発明は、六方晶系II−VI族化合
物半導体を含有する層を有し、かつ、ヘテロ接合とｐ−
ｎ接合の少なくとも一方を有することを特徴とする半導
体素子を提供するものである。本発明の半導体素子に使
用する六方晶系II−VI族化合物半導体は例えばウルツ鉱
型であり、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣｄおよびＢｅからなる群から
選択される１以上のII族元素と、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴ
ｅからなる群から選択される１以上のVI族元素を含むも
のを例示することができる。特にＺｎ、Ｃｄ、Ｓおよび
Ｏからなる群から選択される１以上の元素を含むもので
あるのが好ましく、具体的にはＣｄ_xＺｎ_1-xＳ_yＯ
_1-y（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）やＭｇ_xＺｎ_yＣｄ_1-x-y
Ｓ_aＳｅ_bＯ_{1- a-b}（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ａ≦
１、０≦ｂ≦１）の六方晶系II−VI族化合物半導体を好
ましく用いるのが好ましい。

【０００８】これらの六方晶系II−VI族化合物半導体
は、活性層、クラッド層、電極との接触を行うコンタク
ト層等に好ましく含有させることができる。六方晶系II
−VI族化合物半導体を含有する層における六方晶系の結
晶の割合は、該層に含まれる全結晶の７０ｍｏｌ％以上
であるのが好ましい。

【０００９】本発明の半導体素子は、例えばダブルへテ
ロ構造やＳＣＨ構造を有することができる。また、ＳＱ
Ｗ層またはＭＱＷ層を有することもできる。さらに、本
発明の半導体素子は、基板上に六方晶系II−VI族化合物
半導体層を含むエピタキシャル層を形成することによっ
て作成することができる。基板としては、例えば（１１
１）面から３０度以内の傾きを持つ立方晶系の基板また
は六方晶系の基板を用いることができる。本発明の半導
体素子の好ましい製造方法として、基板上または基板上
に成長させたバッファー層上に、一部開口部を残して誘
電体膜を形成した後、再度バッファー層を成長し、さら
にその上に六方晶系のII−VI族化合物を成長する工程を
含む方法を例示することができる。本発明の半導体素子
は発光素子または受光素子として利用することができ
る。また、電流注入によりレーザー発振する機能を持た
せることもできる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の半導体素
子について詳細に説明する。本発明の半導体素子は、六
方晶系II−VI族化合物半導体を含む層を有し、かつヘテ
ロ接合、ｐ−ｎ接合またはこれら両方を有する点に特徴
がある。本発明の半導体素子に使用する六方晶系II−VI
族化合物半導体は、構成元素として少なくともII族元素
およびVI族元素を含む化合物半導体の六方晶系の結晶で
ある。構成元素はII族元素およびVI族元素のみからなる
ものであってもよいし、これら以外の元素を含むもので
あってもよい。ただし、II族およびVI族以外の元素は全
体の５０ｍｏｌ％以下であるのが好ましく、２０ｍｏｌ
％以下であるのがより好ましい。

【００１１】また、II族元素およびVI族元素はそれぞれ
１元素ずつ含むものであってもよいし、それぞれ複数種
の元素を含むものであってもよい。六方晶系II−VI族化
合物半導体を構成するII族元素の種類は特に制限されな
いが、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣｄおよびＢｅからなる群から選択
される１以上の元素であるのが好ましい。また、VI族元
素の種類も特に制限されないが、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴ
ｅからなる群から選択される１以上の元素であるのが好
ましい。

【００１２】本発明の半導体素子には、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓ
およびＯからなる群から選択される１以上の元素を含む
六方晶系II−VI族化合物半導体を使用するのが好まし
い。主としてこれらの元素から構成される化合物であれ
ば、六方晶系の結晶を得やすい。特に、Ｃｄ_xＺｎ_1-xＳ
_yＯ_1-y（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）やＣｄ_xＺｎ_1-xＳ_y
Ｏ_1-yＭｇ_aＳｅ_b（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ａ、
０≦ｂ）で表される六方晶系II−VI族化合物半導体を好
ましく使用することができる。

【００１３】本発明で主なII−VI族化合物半導体として
使用するＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｇＺｎ
ＣｄＳ、ＺｎＣｄＳなどは、立方晶系より六方晶系の方
が安定である物質として知られている。ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｔｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＢｅＺｎＣｄＳ
ｅ、ＢｅＺｎＣｄＳ等の立方晶系より安定な物質であっ
ても、成長条件等によって六方晶系の結晶を得ることが
できる。六方晶系が安定な物質のうち、ＺｎＯ、Ｚｎ
Ｓ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅについて、格子定数と３００Ｋの
バンドギャップＥｇを以下の表に示す。

【００１４】

【表１】

【００１５】六方晶系II−VI族化合物半導体は、ウルツ
型であるのが一般的である。これらに他の物質を少量添
加しても、結晶系は依然として六方晶系である。したが
って、適宜組み合わせと混合比を変えて混晶を作成する
ことによって、使用目的に応じた所望の物理的性質を有
する半導体素子を作成することが可能である。通常、立
方晶系をとるＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、Ｚ
ｎＣｄＳｅ、ＢｅＺｎＣｄＳｅ、ＢｅＺｎＣｄＳ等のII
−VI族化合物半導体であっても、成長条件、II−VI比、
成長温度、下地結晶等の条件によって、六方晶系となる
こともあり、その逆もある。例えば、混晶比を調節する
ことによって、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｓｉ、Ｇｅ
等への格子整合が可能である。また、表１のバンドギャ
ップの範囲である１．７４〜３．８ｅＶをすべて利用す
ることによって、可視領域全体をカバーする発光を行う
ことも可能である。一般に六方晶系の結晶は、立方晶系
の結晶よりもバンドギャップがやや大きいため、高エネ
ルギー側を比較的広くカバーすることができ、短波長発
光材料として特に有効である。

【００１６】さらに、六方晶系II−VI族化合物半導体を
ベースとして、さらに別の元素を混合することによっ
て、格子定数やバンドギャップを制御することもでき
る。例えば、本発明の半導体素子を、レーザー素子等の
発光素子とする場合には、ＧａＡｓまたはサファイア基
板上のＣｄ_xＺｎ_1-xＳ_yＯ_1-y（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１）をベースとして、適宜ＭｇやＳｅを混合してバンド
ギャップと格子定数を制御することができる。このと
き、Ｍｇを混合すれば格子定数の変化を抑えながらバン
ドギャップを大きくすることができる。また、Ｓｅを混
合すれば、一般に格子定数を大きくして、バンドギャッ
プを小さくすることができる。したがって、組成を適宜
調節することによって、化合物半導体発光素子に通常必
要とされる活性層やクラッド層等を作成することができ
る。

【００１７】なお、本発明の半導体素子では、六方晶系
II−VI族化合物半導体を含有する層に六方晶系以外の結
晶が混在していてもよい。本発明の半導体素子では、少
なくともII−VI族化合物半導体が六方晶系の結晶として
存在している部分があれば、他の部分が立方晶系などの
結晶であっても構わない。層中における六方晶系の結晶
と他の結晶との存在割合は特に制限されないが、六方晶
系の結晶の存在割合が７０ｍｏｌ％以上であることが望
ましい。

【００１８】本発明にしたがって六方晶系の結晶を用い
れば、半導体素子の劣化を効果的に抑制することができ
る。その一方で、導電型の制御については、一般に六方
晶系の結晶よりも立方晶系の結晶の方が行いやすい。ま
た、ＺｎＳｅやＺｎＳ、Ｔｅ系の化合物などは一般的に
六方晶系結晶を作ることが困難である。このため、本発
明の半導体素子では、構成層すべてを六方晶系結晶を含
む層とはせずに、素子構造の一部を六方晶系とすること
も望ましい。すなわち、欠陥の影響を受けやすい活性層
およびその周辺のヘテロ接合部分や、異種物質である電
極とのコンタクトを行う部分に六方晶系結晶を用いるこ
とにより、転位などの欠陥からの影響を抑制することが
可能である。また、六方晶系結晶を作りやすい層のみを
六方晶系とすることによっても同様な効果を得ることが
できる。

【００１９】また、本発明で使用する六方晶系II−VI族
化合物半導体は、ＣｄＳやＺｎＳをはじめとして蛍光体
としてよく光る。いかなる理論にも拘泥するものではな
いが、これは六方晶系の対称性の低さに起因することに
よる転位等の欠陥が光学的に不活性に近い状態になるた
めであると考えられる。

【００２０】また、六方晶系II−VI族化合物半導体を用
いた本発明の半導体素子は、劣化を受けにくくて実用性
が極めて高いという特徴も有する。立方晶系の結晶を用
いた素子では１０⁴ｃｍ^-2オーダーの転位密度のもので
も素子の劣化に影響が及ぶのに対して、六方晶系の結晶
を用いた同様の素子では１０⁴ｃｍ^-2を越える転位密度
であっても素子の劣化に大きな影響は及ばない。レーザ
ーの様な高い電流密度で使用する素子の場合では１０⁷
ｍ^-2程度、ＬＥＤの様にさほど電流密度が高くない状態
で使用する素子の場合は１０⁹〜１０¹⁰ｃｍ^-2程度の転
位密度であっても素子の劣化に大きな影響はないと考え
られる。特に、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＳおよびＣｄＳｅ
等においては、欠陥が電気的にも不活性であるために、
発光素子としたときに欠陥が寿命に与える影響が少な
い。また、基板と格子整合した系を用いればさらに欠陥
を低減することができ、また、活性層近傍でのひずみの
効果の導入やピエゾ電界の制御なども行いやすくするこ
ともできる。

【００２１】本発明の発光素子の用途は特に制限される
ものではない。したがって、本発明の半導体素子は、Ｌ
ＥＤなどの表示用・通信用発光素子、通信・情報処理用
のレーザーダイオード、さらに通信や情報処理などに用
いる受光素子および電子デバイス用素子など広範な用途
に供することができる。

【００２２】また、本発明の発光素子は、これらの用途
に適した様々な構造をとることができ、その構造の詳細
は特に制限されない。したがって、層の種類と厚さ、層
を構成する材料の種類と量、層の形成順序と方法などは
特に限定されない。例えば、本発明の発光素子の具体的
な構造として、シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構
造、ＳＣＨ(Separate Confinement heterostructure)構
造等のヘテロ接合またはｐ−ｎ接合を有する様々な構造
をとることができる。なお、本願明細書においては、ｐ
型の層とｎ型の層がアンドープの層を介して接している
構造もｐ−ｎ接合に含めることとする。具体的には、基
板の上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、
ＭＱＷｐ電極用中間層、コンタクト層を順に形成し、ｐ
側およびｎ側に電極を形成した半導体素子を一例として
挙げることができる。また、ヘテロ接合やｐ−ｎ接合を
有する半導体素子に採用されている様々な層構成も、目
的に応じて適宜選択のうえ採用することができる。

【００２３】本発明では、半導体素子を作成する基板も
特に制限されない。一般的によく用いられている立方晶
系の基板の場合、（１１０）や（１００）面、さらには
（００１）面から数度［１１１］ＡまたはＢ方向に傾い
た面も使用可能であるが、（１１１）面に近い方位を選
ぶのが好ましい。また、六方晶系の基板を用いるのも好
ましい。立方晶系の基板としては、VI族の半導体である
Ｓｉ、Ｇｅ等；III−Ｖ族化合物半導体であるＧａＰ、
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等；II−VI化合物半導体であるＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ等を例示することができる。立方晶系の基
板を用いる場合には、３回対称を示す（１１１）面を用
いるのが一般的であるが、六方晶系の結晶が作成できる
面であれば特に限定されるものではない。ただし、望ま
しくは、（１１１）より３０度以内のオフアングルの基
板を使用する。また、六方晶系の基板としては、６Ｈ−
ＳｉＣやII−VI族化合物半導体であるＺｎＯ、ＺｎＳ、
ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等やＡｌ₂Ｏ₃、サファイア等の絶縁性
の基板などがある。六方晶系の基板を用いる場合は（０
００１）面および、この面から３０度以内のオフアング
ルの基板を用いるのが望ましいが、他の面を用いても問
題はない。この時の基板の導電型に関しても特に規定さ
れるものではない。

【００２４】本発明の半導体素子の製造方法は特に制限
されない。半導体素子の製造方法として通常用いられて
いるものの中から適宜選択し、組み合わせることによっ
て所望の半導体素子を製造することができる。例えば、
六方晶系II−VI族化合物半導体は通常用いられている分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）を用いて形成することができる。

【００２５】半導体素子の結晶性を良くして低欠陥化す
ることが必要な場合には、いわゆるラテラル成長を行う
ことが好ましい。すなわち、基板そのもの、または基板
に所望の六方晶系II−VI族化合物を作成するのにふさわ
しいバッファー層を成長した上に、ＳｉＯ₂等の酸化
膜、タングステンシリサイド等の高融点金属またはＳｉ
Ｎｘ等の誘電体膜等の保護膜を形成し、保護膜の開口部
から、再度、所望の六方晶系II−VI族化合物を作成する
のにふさわしいバッファー層（「ＥＬＯ（Epitaxial La
teral Overgrowth）層」と呼ばれる）を成長させた場
合、当該開口部から上方に結晶成長が起こる以外に、横
方向に保護膜に乗りかかる様にラテラル成長と呼ばれる
結晶成長が起こる。その際、一般に開口部直上よりも保
護膜上方の方が結晶性がよくなる。かかるラテラル成長
により結晶性のよい低欠陥化された結晶上にさらに結晶
成長を行って、発光素子として必要な層を結晶性よく形
成することができる。特に、格子不整合の大きいサファ
イア上のII−VI化合物半導体成長のような、いわゆるＨ
ＭＭ（highly mismatch）系ラテラル成長による欠陥低
減の効果が大きい。

【００２６】なお、（０００１）面上の成長の場合、上
記の保護膜形成の際、保護膜とその開口部をストライプ
状とし、そのストライプの方向を＜１１−２０＞方向ま
たは＜１−１００＞方向とすることにより、よりラテラ
ル成長し易くすることができる。また、保護膜上に設け
るバッファー層（ＥＬＯ層）は、厚さ３〜５０μｍ程
度、基板上にバッファ層を設けてから保護膜を設ける場
合、そのバッファー層の厚さは０．５〜２μｍ程度が好
ましい。

【００２７】活性層は、単一の層からなりクラッド層と
直接接していてもよいが、ＳＱＷ(Single Quantum Wel
l)層やＭＱＷ(Multiple Quantum Well)層などの光ガイ
ド層を介してクラッド層と接する構造としてもよいし、
活性層がアンドープで光と電気の閉じこめを別々に行う
ＳＣＨ構造を採用してもよい。

【００２８】

【実施例】以下に実施例を記載して、本発明をさらに具
体的に説明する。以下の実施例に記載される成分、割
合、手順等は、本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変
更することができる。したがって、本発明の範囲は以下
の実施例に示す具体例に制限されるものではない。本発
明の好ましい実施態様として、ウルツ鉱型六方晶系Ｍｇ
ＺｎＣｄＳからなるダブルへテロ構造を有する半導体Ｌ
ＥＤについて説明する。

【００２９】（実施例１）閃亜鉛鉱型ｎ型ＧａＡｓ（１
１１）基板の上にＭＢＥを用いてほぼ格子整合したウル
ツ鉱型のＣｌドープｎ型ＭｇＺｎＣｄＳクラッド層（Ｅ
ｇ＝３．１ｅＶ）、アンドープＺｎＣｄＳ活性層、ｎ型
のクラッド層と同じ組成のＮドープｐ型ＭｇＺｎＣｄＳ
クラッド層を形成した。さらに、ｐ側のコンタクト電極
を形成するためにＮドープＺｎＳ／ＺｎＴｅのＭＱＷｐ
電極用中間層、ＮドープＺｎＴｅコンタクト層を作成し
た後、ｐ側およびｎ側に電極を形成し、へき開を行って
チップに分離したＳＣＨ構造を有するＬＥＤを作成し
た。作成したＬＥＤの各層の厚さは、ｐ型クラッド層と
ｎ型クラッド層がともに１．５μｍ、活性層が７０ｎ
ｍ、ｐ電極用中間層が４０ｎｍ、コンタクト層が１００
ｎｍであった。このＬＥＤの発光波長は４５０〜４７０
ｎｍであった。このＬＥＤの寿命評価を樹脂封止しない
状態で行ったところ、連続通電を１０００時間行っても
初期発光強度の８０％以上の発光強度を維持していた。

【００３０】（実施例２）実施例１のＧａＡｓ基板の代
わりにサファイア基板を用い、当該サファイア基板上に
ＭＯＣＶＤ法でＺｎＣｄＳ層を０．１μｍ積層したもの
を用いて、１０μｍの周期で幅５μｍの開口部を残して
ＳｉＯ₂膜を形成し、さらにＭＯＣＶＤ法でＭｇＺｎＣ
ｄＳ層をラテラル成長させた後、ＭＢＥ法によるｎ型Ｍ
ｇＺｎＣｄＳクラッド層の形成を開始する点を変更し
て、前記実施例１と同じ方法によりＬＥＤを作成した。
このＬＥＤの寿命評価を樹脂封止しない状態で行ったと
ころ、連続通電を１０００時間行っても初期発光強度の
９０％以上の発光強度を維持していた。

【００３１】（実施例３）実施例１と同様な層構造を持
つＬＥＤで、アンドープＺｎＣｄＳ活性層およびＭＱＷ
ｐ電極用中間層、ＮドープＣｄＳｅコンタクト層のみを
ウルツ鉱型構造を含む層、他の層は閃亜鉛鉱型の層とし
てＬＥＤを作成した。基板は実施例１と同一のものを用
い、クラッド層にはＭｇＺｎＳＳｅを用いた。このＬＥ
Ｄの寿命評価を樹脂封止しない状態で行ったところ、連
続通電を１０００時間行っても初期発光強度の９０％以
上の発光強度を維持していた。

【００３２】（比較例）比較例として、閃亜鉛鉱型立方
晶系ＺｎＳｅＴｅからなるダブルへテロ構造を有する半
導体ＬＥＤを作成して比較検討した。閃亜鉛鉱型のｎ型
ＺｎＳｅ（１００）基板の上にＭＢＥを用いて閃亜鉛鉱
型のＣｌドープｎ型ＺｎＳｅクラッド層、アンドープＺ
ｎＳｅＴｅ活性層、Ｎドープｐ型ＺｎＳｅクラッド層を
順次形成し、その上にＮドープＺｎＳｅ／ＺｎＴｅのＭ
ＱＷｐ電極用中間層、ＮドープＺｎＴｅコンタクト層を
作成した後、ｐ側、ｎ側に電極を形成、へき開を行いチ
ップに分離したＬＥＤを作成した。このＬＥＤの発光波
長は５１０〜５３０ｎｍであった。このＬＥＤの寿命評
価を樹脂封止しない状態で行ったところ、連続通電を５
時間行った時点で発光強度は初期発光強度の２０％以下
になった。

【００３３】

【発明の効果】本発明のII−VI族化合物半導体素子は、
長期にわたり安定した物性を有する。このため本発明
は、II−VI族化合物半導体からなるＬＥＤ、レーザー、
電子デバイス等の素子寿命を飛躍的に向上せしめるもの
であり、多大な工業的利益を提供するものである。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 六方晶系II−VI族化合物半導体を含有す
   る層を有し、かつ、ヘテロ接合とｐ−ｎ接合の少なくと
   も一方を有することを特徴とする半導体素子。
2. 【請求項２】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体の結
   晶がウルツ鉱型であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体素子。
3. 【請求項３】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体が、
   Ｚｎ、Ｍｇ、ＣｄおよびＢｅからなる群から選択される
   １以上のII族元素と、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅからなる
   群から選択される１以上のVI族元素を含むことを特徴と
   する請求項１または２に記載の半導体素子。
4. 【請求項４】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体が、
   Ｚｎ、Ｃｄ、ＳおよびＯからなる群から選択される１以
   上の元素を含むことを特徴とする請求項１または２に記
   載の半導体素子。
5. 【請求項５】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体が、
   Ｃｄ_xＺｎ_1-xＳ_yＯ_1-y（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）であ
   ることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
6. 【請求項６】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体が、
   Ｍｇ_xＺｎ_yＣｄ_1-x-yＳ_aＳｅ_bＯ_1-a-b（０≦ｘ≦１、０
   ≦ｙ≦１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）であることを特徴
   とする請求項４に記載の半導体素子。
7. 【請求項７】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体を含
   有する層が、活性層、クラッド層またはその両方である
   ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導
   体素子。
8. 【請求項８】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体を含
   有する層が、活性層だけである請求項７記載の半導体素
   子。
9. 【請求項９】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体を含
   有する層が、活性層、電極との接触を行うコンタクト層
   またはその両方であることを特徴とする請求項１〜６の
   いずれかに記載の半導体素子。
10. 【請求項１０】 前記六方晶系II−VI族化合物半導体を
    含有する層における六方晶系の結晶の割合が、該層に含
    まれる全結晶の７０ｍｏｌ％以上であることを特徴とす
    る請求項１〜９のいずれかに記載の半導体素子。
11. 【請求項１１】 ダブルへテロ構造を有することを特徴
    とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体素子。
12. 【請求項１２】 ＳＣＨ構造を有することを特徴とする
    請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体素子。
13. 【請求項１３】 ＳＱＷ層またはＭＱＷ層を有すること
    を特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体
    素子。
14. 【請求項１４】 基板上に六方晶系II−VI族化合物半導
    体層を含むエピタキシャル層を有することを特徴とする
    請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体素子。
15. 【請求項１５】 前記基板が、（１１１）面から３０度
    以内の傾きを持つ立方晶系の基板または六方晶系の基板
    であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素
    子。
16. 【請求項１６】 基板上または基板上に成長させたバッ
    ファー層上に、一部開口部を残して誘電体膜を形成した
    後、再度バッファー層を成長し、さらにその上に六方晶
    系のII−VI族化合物を成長してなることを特徴とする請
    求項１〜１５のいずれかに記載の半導体素子。
17. 【請求項１７】 発光素子もしくは受光素子であること
    を特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体
    素子。
18. 【請求項１８】 電流注入によりレーザー発振すること
    を特徴とする請求項１７記載の半導体素子。