JP2604019B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

Info

Publication number
JP2604019B2
JP2604019B2 JP24386988A JP24386988A JP2604019B2 JP 2604019 B2 JP2604019 B2 JP 2604019B2 JP 24386988 A JP24386988 A JP 24386988A JP 24386988 A JP24386988 A JP 24386988A JP 2604019 B2 JP2604019 B2 JP 2604019B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting device
light emitting
semiconductor light
light
luminous efficiency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP24386988A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0294480A (ja
Inventor
敦之 鎌田
浩 三橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17110189&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2604019(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP24386988A priority Critical patent/JP2604019B2/ja
Publication of JPH0294480A publication Critical patent/JPH0294480A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2604019B2 publication Critical patent/JP2604019B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、セレン化硫化亜鉛を材料にした半導体発光
素子の構造に関するものである。
（従来の技術） 従来ZnSXSe1-Xのpn接合を用いた青色発光素子に於け
る素子構造は、様々に検討されている。特願昭62−1652
96において、ｎ型にVII族、ｐ型にＩ族元素をドナー及
びアクセプターとして添加する方法により良質の発光素
子を得る方法を提案している。しかるに産業上の様々な
応用を考えていくと従来の方法や構造による発光素子だ
けではまだまだ十分な輝度が得られていない。すなわ
ち、pn接合領域に於ける発光効率が非常に低いことが明
らかになった。特に、ｐ型層に於ける発光効率が異常に
低いことが判明した。この低発光効率の原因として、成
長層中の格子欠陥が非発光中心として働いているためpn
接合界面から拡散してくる少数キャリアが、格子欠陥に
捕獲されて非発光再結合過程により緩和してしまう。特
に、ｐ型層に於ける少数キャリアである電子は、その寿
命と易動溶から凡そ数10μｍの拡散長を持つと推測され
る。従って、格子欠陥濃度が高いと発光中心に捕獲され
るよりも非発光過程で緩和する確率の方が増大し発光効
率の低下を引き起こしているものと考えられる。また、
ｎ型層に於ける少数キャリアであるホールの拡散長はｐ
型層中の電子より短かくせいぜい数μｍであると考えら
れｐ型層ほどには格子欠陥の影響を受けない。この様な
格子欠陥は成長層中の転位に対応し成長層をエッチング
することにより現れるエッチピットの数を評価すること
によりその数を見積もることができる。
本発明者は発光素子の発光効率とエッチピット密度を
詳細に検討し、本発明に至った。
（本発明が解決する課題） 本発明は、上記の事情に鑑み為されたもので、高輝度
青色発光素子を提供することに主眼を起き、その一方法
としてセレン化硫化亜鉛のエッチピット密度に着目した
ものである。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 本発明の骨子とするところは、発光層となる領域、特
にｐ型結晶層のエッチピット密度を３×105cm-2以下に
するところにある。
（作 用） 前述したように、青色LEDの応用を考えると、高輝度
化が是非必要である。本発明によればこれが可能にな
る。すなわち、エッチピット密度の低減により結果的に
非発光中心の濃度を減少させることができる。それによ
り青色発光の効率が向上する。特にｐ型層での効果が著
しく認められる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例を説明するための図であ
る。本実験によると、ｐ型結晶のエッチピット密度（EP
D）の増大と共にPLの発光効率が減少し、３×105cm-2を
超えたところでの減少率が急激になっている。ｎ型結晶
においても同様の傾向がみられる。EPDが５×104cm-2以
下の領域では発光効率にほとんど変化は見られない。こ
のエッチピットは、メタノールに0.02〜0.1体積％の臭
素を溶かした液により２〜４℃で約2000〜3000Åの深さ
エッチングして評価した。
このようにエッチピットを減少させることが発光効率
の向上に非常に有効であることは判ったが、EPDを減ら
す方法には幾つか考えられる。例えば、基板結晶と格子
整合をとることにより界面に発生するミスフィット転位
を低減することも有効であるし、格子不整合を超格子バ
ッファ層を数層挿入することも有効である。いずれにせ
よ発光領域となるpn型領域に於けるEPDを３×105cm-2以
下にすることが必要である。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によればセレン化硫化亜鉛
結晶層のEPDを３×105cm-2以下にすることにより、高輝
度のpn接合型青色発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるｐ型層のエッチピット
密度と発光素子の発光効率関係を示した図である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】セレン化硫化亜鉛を材料とした半導体発光
    素子において、該発光素子がpn接合により構成され、さ
    らに、ｐ型層のエッチピット密度が３×105cm-2を越え
    ないことを特徴とする半導体発光素子。
JP24386988A 1988-09-30 1988-09-30 半導体発光素子 Expired - Lifetime JP2604019B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24386988A JP2604019B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 半導体発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24386988A JP2604019B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 半導体発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0294480A JPH0294480A (ja) 1990-04-05
JP2604019B2 true JP2604019B2 (ja) 1997-04-23

Family

ID=17110189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24386988A Expired - Lifetime JP2604019B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 半導体発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2604019B2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01175778A (ja) * 1987-12-29 1989-07-12 Inkiyuubeetaa Japan:Kk 発光素子の製造法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01175778A (ja) * 1987-12-29 1989-07-12 Inkiyuubeetaa Japan:Kk 発光素子の製造法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0294480A (ja) 1990-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080111123A1 (en) High Efficiency Light-Emitting Diodes
CN100392881C (zh) 一种GaN基LED外延片及其制备方法
TWI493750B (zh) Light emitting element
JP2604019B2 (ja) 半導体発光素子
US10662511B2 (en) Nitride semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing same
US5032539A (en) Method of manufacturing green light emitting diode
KR102606859B1 (ko) 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR101172059B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100389738B1 (ko) 단파장 산화아연 발광소자 및 그 제조방법
KR20010099146A (ko) 후 열처리에 따른 산화아연 박막의 발광파장 조절방법
KR100337197B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR101480552B1 (ko) 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR100719915B1 (ko) 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
JP2004221356A (ja) 発光ダイオード
Sahbudin et al. Current density of carriers and emission rate in zinc selenide LED
KR20110049520A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP2023177713A (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
KR20120035510A (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100813069B1 (ko) 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2585252B2 (ja) 半導体発光素子
JP2650436B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JPS59201476A (ja) 半導体発光装置
JPH1174557A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JPH05251736A (ja) 半導体発光素子
JPH09293896A (ja) ＧａＰ：Ｎ発光ダイオード及びその製造方法